KR102163050B1 - 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 위상 보정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 입력 신호를 증폭시키는 증폭부; 및 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 연결되어 입력 신호를 지연시켜 증폭부의 출력단에 전달하는 지연 전달부; 를 포함함으로써, 비선형적인 특성을 개선함과 동시에 효율 특성을 개선할 수 있다.

Description

전력 증폭기 및 전력 증폭기의 위상 보정 방법{Power amplifier and method for compensating phase in power amplifier}
본 발명은 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 위상 보정 방법에 관한 것이다.
최근, 무선 송수신 시스템은 빠른 속도로 진화하고 있으며, 보다 정확하고 높은 데이터 전송률에 대한 요구에 따라 점차 높은 선형 특성을 갖는 시스템이 요구되고 있다. 이러한 요구에 따라 무선 송수신 시스템 내에서 대신호(Large signal)를 처리하는 최종 증폭단인 전력 증폭기(Power Amplifier, PA)의 선형 특성이 점차 중요해 지고 있다.
또한, 전력 증폭기는 송신기의 핵심적인 부분으로서 그 역할 뿐 아니라 전체 시스템의 전력소모에도 가장 큰 부분을 차지한다. 즉 전체 시스템의 효율 특성의 향상을 위해, 전력증폭기의 효율 특성이 향상될 필요가 있다.
따라서, 전력 증폭기가 무선 송수신 단에서 왜곡되지 않는 신호를 적은 에너지로 전달하기 위해, 전력 증폭기의 선형 특성 및 전력 효율 특성을 개선할 수 있는 수단이 요구된다.
등록특허공보 제10-0217416호
본 발명의 일 실시 예는, 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 위상 보정 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 입력 신호를 증폭시키는 증폭부; 및 상기 증폭부의 입력단에 2개 단자가 전기적으로 연결되고 상기 증폭부의 출력단에 1개 단자가 전기적으로 연결되어 상기 출력단으로 고조파 신호 성분을 전달하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 고조파 신호 성분을 지연시켜 상기 증폭부의 출력단에 전달하도록 임피던스를 가지는 고조파 지연 전달부; 를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 고조파 지연 전달부는, 상기 증폭부에 의해 증폭된 신호의 2차 고조파 성분의 상쇄 비율이 상기 증폭부에 의해 증폭된 신호의 기본파 성분의 상쇄 비율보다 높도록 상기 고조파 신호 성분을 지연시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 입력 신호를 증폭시키는 증폭부; 및 상기 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 전기적으로 연결되어 고조파 신호 성분을 상기 증폭부의 출력단에 전달하는 다이오드를 포함하고 상기 고조파 신호 성분을 지연시켜 상기 증폭부의 출력단에 전달하도록 임피던스를 가지는 고조파 지연 전달부; 를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 고조파 지연 전달부는, 상기 고조파 신호 성분의 상기 출력단으로의 전달 비율이 기본파의 전달 비율보다 높도록 상기 임피던스를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 위상 보정 방법은, 전력 증폭기의 입력 신호를 감지하는 신호 감지단계; 입력 신호를 지연시키는 신호 지연단계; 및 지연된 입력 신호를 전력 증폭기의 출력단으로 피드 포워드하여 위상을 보정하는 위상 보정단계; 를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 신호 지연단계는 입력 신호의 기본파 성분의 지연 시간과 2차 고조파 성분의 지연 시간과의 차이 시간이 기 설정된 시간 범위 내가 되도록 상기 입력 신호를 지연시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 비선형적인 특성을 개선함과 동시에 효율 특성을 개선할 수 있다.
또한 상기 전력 증폭기는, 간단한 구성을 통해 특성을 개선시킬 수 있으므로 단가, 복잡성, 사용 면적, 설계의 자유도 및 활용도 등과 관련된 특성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 2는 도 1의 전력 증폭기를 예시한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 4는 도 3의 전력 증폭기를 예시한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기에서의 위상을 설명하는 도면이다.
도 6은 지연 전달부를 포함하지 않은 전력 증폭기에서 시간에 따른 증폭부의 전압 및 전류의 천이를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기에서 시간에 따른 증폭부의 전압 및 전류의 천이를 나타낸 그래프이다.
도 8은 지연 전달부를 포함하지 않은 전력 증폭기에서 입력전력에 따른 전압이득, 위상변화 및 효율을 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기에서 입력전력에 따른 전압이득, 위상변화 및 효율을 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 위상 보정 방법을 나타낸 순서도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 1을 참조하면, 상기 전력 증폭기(100)는, 증폭부(110) 및 지연 전달부(120)를 포함할 수 있다.
증폭부(110)는, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 여기서, 입력 신호는 입력단(RFin)을 통해 입력될 수 있다. 상기 증폭부(110)에 의해 증폭된 신호는 출력단(RFout)을 통해 출력될 수 있다. 예를 들어, 출력단(RF out)은 안테나(미도시)와 연결될 수 있다.
예를 들어, 상기 증폭부(110)는 반도체 소자와 같은 능동 소자를 포함할 수 있다. 일반적으로, 능동 소자의 증폭과정에서 입/출력 신호간의 위상 특성의 왜곡이 발생될 수 있다. 즉, 상기 입력 신호는 A지점에서 C지점를 지나면서 증폭이 되는데, 상기 입력 신호의 전력이 증가하면서 능동 소자의 기생성분 변화에 의한 비선형특성이 발생될 수 있다. 이에 따라, 상기 입력 신호의 크기와 위상 정보는 점차 왜곡될 수 있다.
지연 전달부(120)는, 증폭부(110)의 입력단과 출력단과의 사이에 연결되어, 입력 신호를 지연시켜 증폭부(110)의 출력단에 전달할 수 있다. 즉, 상기 지연 전달부(120)는 증폭부(110)의 증폭과정에서 나타나는 입/출력 신호간의 위상 특성의 왜곡을 줄일 수 있다. 이에 따라, 전력 증폭기(100)의 선형 특성은 개선될 수 있다.
예를 들어, 상기 지연 전달부(120)는 증폭부(110)에 의해 증폭된 신호의 2차 고조파 성분의 상쇄 비율이 증폭부(110)에 의해 증폭된 신호의 기본파 성분의 상쇄 비율보다 높도록 상기 입력 신호를 지연시킬 수 있다. 즉, 상기 지연 전달부(120)는 기본파 성분과 2차 고조파 성분 각각에 대해 위상을 제어하여 전력 증폭기(100)의 선형특성과 함께 효율특성을 개선시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 전력 증폭기를 예시한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 지연 전달부(120)는 3터미널 반도체 소자(121), 저항(122) 및 캐패시터(123)를 포함할 수 있다.
3터미널 반도체 소자(121)는, 증폭부(110)의 입력단에 2개 단자가 연결되고 증폭부(110)의 출력단에 1개 단자가 연결되어, 상기 입력단에서 상기 출력단으로 상기 입력 신호의 고조파 신호 성분을 전달할 수 있다.
예를 들어 상기 3터미널 반도체 소자(121)가 바이폴라 접합 트랜지스터인 경우, 상기 3터미널 반도체 소자(121)의 콜렉터 단자와 베이스 단자는 증폭부(110)의 입력단에 연결될 수 있고, 상기 3터미널 반도체 소자(121)의 에미터 단자는 증폭부(110)의 출력단에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 3터미널 반도체 소자(121)는 다이오드의 역할을 수행할 수 있다.
한편, 상기 3터미널 반도체 소자(121)는 베이스 단자와 콜렉터 단자가 연결된 트랜지스터로 구현될 수 있고, 게이트 단자와 드레인 단자가 연결된 전계 효과 트랜지스터로 구현될 수도 있고, 하나의 pn접합에 의해 형성된 다이오드로 구현될 수도 있다. 따라서, 상기 3터미널 반도체 소자(121)가 반드시 3개의 단자로 구성되어야 하는 것은 아니다.
여기서, 상기 3터미널 반도체 소자(121)는 일종의 능동 소자이므로, 상기 3터미널 반도체 소자(121)를 통해 통과하는 입력 신호는 고조파 신호 성분을 포함할 수 있다. 상기 3터미널 반도체 소자(121)에 의해 전달되는 고조파 신호 성분은 증폭부(110)에 의해 증폭된 신호의 고조파 신호 성분을 상쇄할 수 있다. 여기서, 고조파 신호 성분의 상쇄는 저항(122) 및 캐패시터(123) 등에 의한 지연을 통해 제어될 수 있다.
저항(122)은, 증폭부(110)의 입력단과 출력단과의 사이에 연결되어, 증폭부(110)의 입력단과 출력단과의 사이의 지연 성분에 기초하여 결정된 저항값을 가질 수 있다.
캐패시터(123)는, 증폭부(110)의 입력단과 출력단과의 사이에 연결되어, 증폭부(110)의 입력단과 출력단과의 사이의 저항값에 기초하여 결정된 캐패시턴스를 가질 수 있다.
여기서, 캐패시터(123)는 위상을 90도 지연시킬 수 있는 일종의 지연 소자이다. 상기 캐패시터(123)에 의해 지연되는 위상은 상기 캐패시터(123)의 캐패시턴스와 저항(122)의 저항값의 상대적 차이에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어 상기 캐패시터(123)의 캐패시턴스가 저항(122)의 저항값보다 매우 클 경우, 상기 캐패시터(123)에 의한 신호의 지연 위상은 90도에 가까워질 수 있다. 예를 들어 상기 캐패시터(123)의 캐패시턴스가 저항(122)의 저항값과 비슷한 경우, 상기 캐패시터(123)에 의한 신호의 지연 위상은 45도에 가까워질 수 있다.
도 2를 참조하면, 전력 증폭기(100)는, 제1매칭 네트워크(130), 제2매칭 네트워크(140) 및 바이어싱부(150)를 더 포함할 수도 있다.
제1매칭 네트워크(130)는, 증폭부(110)의 입력단의 임피던스를 매칭할 수 있다.
제2매칭 네트워크(140)는, 증폭부(110)의 출력단의 임피던스를 매칭할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1매칭 네트워크(130) 및 제2매칭 네트워크(140)는 매칭 캐패시터와 매칭 인덕터를 포함하여 50옴의 임피던스를 가질 수 있다. 여기서, 매칭 캐패시터의 캐패시턴스와 매칭 인덕터의 인덕턴스는 입력 신호의 주파수에 따라 결정될 수 있다.
한편, 캐패시터(122)의 캐패시턴스는 상기 제1매칭 네트워크(130) 또는 상기 제2매칭 네트워크(140)의 임피던스에 기초하여 결정될 수 있다.
바이어싱부(150)는, 증폭부(110)에 전류를 제공하여 바이어싱(biasing)할 수 있다. 여기서, 바이어싱은 특정 블록 또는 소자에 바이어스 전류가 흐르거나 바이어스 전압이 걸리도록 특정 값의 전류 또는 전압을 제공하는 것을 의미한다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 전력 증폭기(200)를 설명한다. 도 1 내지 도 2를 참조하여 상술한 스위치(100)에 관한 설명과 동일하거나 그에 상응하는 내용에 대해서는 중복적으로 설명하지 아니한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 3을 참조하면, 상기 전력 증폭기(200)는, 증폭부(210) 및 고조파 전달부(220)를 포함할 수 있다.
증폭부(210)는, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 여기서, 입력 신호는 입력단(RFin)을 통해 입력될 수 있다. 상기 증폭부(210)에 의해 증폭된 신호는 출력단(RFout)을 통해 출력될 수 있다. 예를 들어, 출력단(RF out)은 안테나(미도시)와 연결될 수 있다.
고조파 전달부(220)는, 증폭부(210)의 입력단과 출력단과의 사이에 연결되어, 상기 입력 신호의 고조파 성분을 증폭부(210)의 출력단에 전달할 수 있다. 즉, 상기 고조파 전달부(120)는 증폭부(210)의 증폭과정에서 출력단에 나타나는 고조파를 상쇄시킬 수 있다. 이에 따라, 전력 증폭기(100)의 선형 특성은 개선될 수 있다.
예를 들어, 상기 고조파 전달부(220)는 상기 입력 신호를 상기 출력단으로 전달할 때의 2차 고조파의 전달 비율이 기본파의 전달 비율보다 높도록 임피던스가 결정될 수 있다. 즉, 상기 고조파 전달부(220)는 입력 신호의 2차 고조파 성분을 입력 신호의 기본파 성분보다 더 전달함으로써, 출력단에서의 2차 고조파를 상쇄시킬 수 있다. 이에 따라, 전력 증폭기(200)의 선형특성과 함께 효율특성을 개선시킬 수 있다.
도 4는 도 3의 전력 증폭기를 예시한 회로도이다.
도 4를 참조하면, 고조파 전달부(220)는 상기 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 연결되어 상기 입력단에서 상기 출력단으로 상기 입력 신호를 전달하는 다이오드(224)를 포함할 수 있다.
또한, 고조파 전달부(220)는 저항, 캐패시터, 인덕터, 기생 소자 등을 포함하여, 특정 임피던스를 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기에서의 위상을 설명하는 도면이다.
도 5를 참조하면, (a)도면은 전력 증폭기에서 시간에 따라 공급전압이 선형적으로 변할 경우, 전력 증폭기의 출력단에서 발생할 수 있는 위상의 왜곡을 나타낸다. 이를 통해, 전력 증폭기의 출력단에서의 전력 공급 전압과 동작 주파수 신호와의 관계를 알 수 있다. 공급 전압과 증폭된 신호의 위상 간에 비선형특성이 존재함에 따라, 전력 증폭기의 출력단에 위상 오차가 발생하여 신호 전달에 오차가 발생할 확률이 높아진다.
도 5를 참조하면, (b)도면은 위상 왜곡에 따른 위상각도들을 나타낸다. 예를 들어, 전력 증폭기의 출력단에서 증폭된 출력신호들(Vnorm k)의 진폭을 정규화하여, 정규화된 각 신호의 평균(Vave)이 계산될 수 있다. 그리고, 평균벡터의 직교벡터(Vave_orthog)가 게산되고, 정규화된 각 신호들의 직교벡터에 대한 출력신호의 위상 오차에 비례하는 스칼라 값(프로젝션 값)이 계산될 수 있다. 그리고, 상기 스칼라 값을 이용하여 위상보상각도가 결정되고, 위상보상각도를 이용하여 출력 신호에 위상보상신호를 더하여 출력단의 위상 오차가 보상될 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기에 포함된 지연 전달부 또는 고조파 전달부는 전술한 과정을 통해 위상을 보정할 수 있다. 이에 따라, 상기 전력 증폭기의 전송 특성이 효과적으로 안정될 수 있다.
도 6은 지연 전달부를 포함하지 않은 전력 증폭기에서 시간에 따른 증폭부의 전압 및 전류의 천이를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기에서 시간에 따른 증폭부의 전압 및 전류의 천이를 나타낸 그래프이다.
도 6 및 도7을 참조하면, (a)그래프의 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 입력되는 신호의 전력이 최대일 때와 최소일 때의 특정 지점의 전압을 나타낸다. (b)그래프의 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 입력되는 신호의 전력이 최대일 때와 최소일 때의 C 지점의 전압 및 전류를 나타낸다.
도 6을 통해, 지연 전달부를 포함하지 않은 전력 증폭기의 기본파 신호 성분과 2차 고조파 신호 성분의 크기와 위상 특성이 확인될 수 있다. 전력 증폭기의 출력(C전압) 신호의 파형에서 피크 부분이 왜곡되는 것이 확인될 수 있다. 상기 왜곡은 신호에 포함된 고조파 신호 성분이 증폭 및 지연됨으로써 발생될 수 있다.
도 7을 통해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 기본파 신호 성분과 2차 고조파 신호 성분의 크기와 위상 특성이 확인될 수 있다. 전력 증폭기의 출력(C전압) 신호의 파형에서 피크 부분의 왜곡이 개선된 것이 확인될 수 있다. 상기 왜곡은 신호에 포함된 고조파 신호 성분이 위상보정되거나 상쇄됨으로써 개선될 수 있다. 또한, 입력되는 신호의 전력이 최대일 때 전력 증폭기의 출력(C전압) 신호의 파형에서 피크 부분 사각파형에 가까워짐이 확인될 수 있다. 이는 전력 증폭기의 효율이 개선됨을 의미한다.
도 8은 지연 전달부를 포함하지 않은 전력 증폭기에서 입력전력에 따른 전압이득, 위상변화 및 효율을 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기에서 입력전력에 따른 전압이득, 위상변화 및 효율을 나타낸 그래프이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 그래프의 가로축은 입력전력을 나타내고, (a)그래프의 세로축은 이득(gain)을 나타내고, (b)그래프의 세로축은 위상(phase)을 나타내고, (c)그래프의 세로축은 효율(PAE : Power Added Efficiency)을 나타낸다. 여기서, (a)그래프를 통해 전력증폭기의 전압 이득 특성과 원하는 출력 전력 지점까지의 진폭변화특성(AM to AM)이 확인될 수 있다. 여기서, (b)그래프를 통해 입력되는 파워 증가에 따른 전력증폭기의 위상변화특성(AM to PM Conversion)이 확인될 수 있다.
도 8을 통해, 지연 전달부를 포함하지 않은 전력증폭기의 특성에 있어서, 최대출력전력(Maximum output power)은 33dBm이고, 위상변화특성(AM to PM)은 4º이고, 최대출력전력에서의 효율은 48%인 것이 확인될 수 있다.
도 9를 통해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 특성에 있어서, 최대출력전력(Maximum output power)은 33dBm이고, 위상변화특성(AM to PM)은 3.1º이고, 최대출력전력에서의 효율은 51%인 것이 확인될 수 있다.
여기서, 위상변화특성이 낮을수록 출력신호의 위상왜곡의 정도가 작다. 또한, 최대출력전력에서의 효율이 높을수록 전력 증폭기의 효율은 높다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는 비선형적인 특성을 개선함과 동시에 효율 특성을 개선할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 위상 보정 방법을 설명한다. 상기 위상 보정 방법은 도 1을 참조하여 상술한 전력 증폭기(100) 또는 도 3을 참조하여 상술한 전력 증폭기(200)에서 수행될 수 있으므로, 상술한 설명과 동일하거나 그에 상응하는 내용에 대해서는 중복적으로 설명하지 아니한다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 위상 보정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 10을 참조하면, 상기 위상 보정 방법은 신호 감지단계(S10), 신호 지연단계(S20) 및 위상 보정단계(S30)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 위상 보정 방법은 전력 증폭기의 내부 제어 회로를 통해 자체적으로 수행될 수 있고, 외부 제어 회로에 의해 수행될 수도 있다.
신호 감지단계(S10)에서의 전력 증폭기는, 전력 증폭기의 입력 신호를 감지할 수 있다. 예를 들어, 3터미널 반도체 소자 또는 다이오드를 통해 입력 신호가 감지될 수 있다.
신호 지연단계(S20)에서의 전력 증폭기는, 상기 입력 신호를 지연시킬 수 있다. 예를 들어, 저항과 지연 소자를 통해 입력 신호가 지연될 수 있다.
예를 들어, 상기 신호 지연단계(S20)에서의 전력 증폭기는, 상기 입력 신호의 기본파 성분의 지연 시간과 2차 고조파 성분의 지연 시간과의 차이 시간이 기 설정된 시간 범위 내가 되도록 상기 입력 신호를 지연시킬 수 있다. 여기서, 기 설정된 시간 범위는 입력 신호의 주파수, 증폭부의 비선형특성, 출력 임피던스 또는 위상 왜곡 정도에 따라 달라질 수 있다.
위상 보정단계(S30)에서의 전력 증폭기는, 지연된 입력 신호를 상기 전력 증폭기의 출력단으로 피드 포워드하여 위상을 보정할 수 있다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100: 전력 증폭기 110: 증폭부
120: 지연 전달부 121: 3터미널 반도체 소자
122: 저항 123: 캐패시터
130: 제1매칭 네트워크 140: 제2매칭 네트워크
150: 바이어싱부 220: 고조파 전달부
224: 다이오드
S10: 신호 감지단계 S20: 신호 지연단계
S30: 위상 보정단계

Claims (11)

  1. 입력 신호를 증폭시키는 증폭부; 및
    상기 증폭부의 입력단에 2개 단자가 전기적으로 연결되고 상기 증폭부의 출력단에 1개 단자가 전기적으로 연결되어 상기 출력단으로 고조파 신호 성분을 전달하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 고조파 신호 성분을 지연시켜 상기 증폭부의 출력단에 전달하도록 임피던스를 가지는 고조파 지연 전달부; 를 포함하는 전력 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고조파 지연 전달부는,
    상기 증폭부에 의해 증폭된 신호의 2차 고조파 성분의 상쇄 비율이 상기 증폭부에 의해 증폭된 신호의 기본파 성분의 상쇄 비율보다 높도록 상기 고조파 신호 성분을 지연시키는 전력 증폭기.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 고조파 지연 전달부는,
    상기 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 전기적으로 연결된 저항; 및
    상기 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터; 를 더 포함하는 전력 증폭기.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 증폭부의 입력단의 임피던스를 매칭하는 제1매칭 네트워크; 및
    상기 증폭부의 출력단의 임피던스를 매칭하는 제2매칭 네트워크; 를 더 포함하고,
    상기 고조파 지연 전달부는 상기 제1매칭 네트워크 또는 상기 제2매칭 네트워크의 임피던스에 기초하여 결정된 캐패시턴스를 가지는 캐패시터를 더 포함하는 전력 증폭기.
  7. 입력 신호를 증폭시키는 증폭부; 및
    상기 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 전기적으로 연결되어 고조파 신호 성분을 상기 증폭부의 출력단에 전달하는 다이오드를 포함하고 상기 고조파 신호 성분을 지연시켜 상기 증폭부의 출력단에 전달하도록 임피던스를 가지는 고조파 지연 전달부; 를 포함하는 전력 증폭기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 고조파 지연 전달부는,
    상기 고조파 신호 성분의 상기 출력단으로의 전달 비율이 기본파의 전달 비율보다 높도록 상기 임피던스를 가지는 전력 증폭기.
  9. 제7항에 있어서, 상기 고조파 지연 전달부는,
    상기 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 전기적으로 연결된 저항; 및
    상기 증폭부의 입력단과 출력단과의 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터; 를 더 포함하는 전력 증폭기.
  10. 삭제
  11. 삭제
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