JP3258867B2 - 半導体を用いた光走査型ポテンショメトリックセンサ - Google Patents
半導体を用いた光走査型ポテンショメトリックセンサInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板の一方の
面に物質に応答するセンシング部を形成した半導体を用
いた電気化学センサ（以下、単に電気化学センサとい
う）に関する。
面に物質に応答するセンシング部を形成した半導体を用
いた電気化学センサ（以下、単に電気化学センサとい
う）に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば微生物の活動で変化する化学物質
は、光走査型ポテンショメトリックセンサを用いて測定
される。この光走査型ポテンショメトリックセンサは、
近年、液体中あるいは物質中にしみこんだ液体中に溶存
している物質のｐＨを二次元的に測定するため開発され
たものであり、このようなセンサは、例えば、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３３（１９９４）ｐ
ｐ Ｌ３９４−Ｌ３９７（以下、文献という）に記載さ
れているように、半導体基板の一方の面に物質に応答す
るセンシング部を形成し、前記半導体基板の他方の面に
プローブ光を照射し、そのとき半導体基板中に誘発され
た光電流を信号として取り出すことにより測定を行うこ
とができる。
は、光走査型ポテンショメトリックセンサを用いて測定
される。この光走査型ポテンショメトリックセンサは、
近年、液体中あるいは物質中にしみこんだ液体中に溶存
している物質のｐＨを二次元的に測定するため開発され
たものであり、このようなセンサは、例えば、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３３（１９９４）ｐ
ｐ Ｌ３９４−Ｌ３９７（以下、文献という）に記載さ
れているように、半導体基板の一方の面に物質に応答す
るセンシング部を形成し、前記半導体基板の他方の面に
プローブ光を照射し、そのとき半導体基板中に誘発され
た光電流を信号として取り出すことにより測定を行うこ
とができる。
【０００３】前記光走査型ポテンショメトリックセンサ
のセンシング部を直接計測したい対象物質に挿入したり
接触させることによって溶存物質の濃度分布を測定す
る。得られたデータはコンピュータ処理により、二次元
または三次元の濃度分布画像として出力される。ある時
間での濃度分布のみならず、その変化の様子をリアルタ
イムに追跡することができる。リアルタイムに得られた
画像を、目視、ＣＣＤカメラなどによって得られた電磁
波画像と容易に比較できる。
のセンシング部を直接計測したい対象物質に挿入したり
接触させることによって溶存物質の濃度分布を測定す
る。得られたデータはコンピュータ処理により、二次元
または三次元の濃度分布画像として出力される。ある時
間での濃度分布のみならず、その変化の様子をリアルタ
イムに追跡することができる。リアルタイムに得られた
画像を、目視、ＣＣＤカメラなどによって得られた電磁
波画像と容易に比較できる。
【０００４】なお、本願出願人は、上記ｐＨなどの二次
元分布を測定するのに用いる装置を、「光走査型デバイ
ス」として平成７年２月４日付けにて特許出願しており
（特願平７−３９１１４号）、また、溶存物質の濃度分
布を測定する方法を、「溶存物質の濃度分布計測方法」
として平成７年３月２２日付けにて特許出願している
（特願平７−９０３１９号）。
元分布を測定するのに用いる装置を、「光走査型デバイ
ス」として平成７年２月４日付けにて特許出願しており
（特願平７−３９１１４号）、また、溶存物質の濃度分
布を測定する方法を、「溶存物質の濃度分布計測方法」
として平成７年３月２２日付けにて特許出願している
（特願平７−９０３１９号）。
【０００５】ところで、上記光走査型ポテンショメトリ
ックセンサの位置分解能を向上させるには、前記文献に
記載されているように、光電流が発生する半導体基板、
特に、主たる材料であるシリコンを単結晶の薄膜化する
ことが好ましい。
ックセンサの位置分解能を向上させるには、前記文献に
記載されているように、光電流が発生する半導体基板、
特に、主たる材料であるシリコンを単結晶の薄膜化する
ことが好ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ン単結晶薄膜は、機械的強度が小さく、これ単独ではセ
ンシング部を保持することが困難である。
ン単結晶薄膜は、機械的強度が小さく、これ単独ではセ
ンシング部を保持することが困難である。
【０００７】そこで、前記半導体基板として、サファ
イア基板の上にシリコン層を堆積させてなるＳＯＳ（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎｏｎ Ｓａｐｈｉｒｅ）基板や、シリコ
ン基板にシリコン単結晶基板を貼り合わせた後、シリコ
ン単結晶基板を研磨してなる貼り合わせＳＯＩ（Ｓｉｌ
ｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが開発
されつつある。
イア基板の上にシリコン層を堆積させてなるＳＯＳ（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎｏｎ Ｓａｐｈｉｒｅ）基板や、シリコ
ン基板にシリコン単結晶基板を貼り合わせた後、シリコ
ン単結晶基板を研磨してなる貼り合わせＳＯＩ（Ｓｉｌ
ｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが開発
されつつある。
【０００８】前記のＳＯＳ基板においては、サファイ
ア基板を用いるところから高価になるとともに、サファ
イアとシリコンの格子定数が必ずしも適合してないた
め、電気的特性が思わしくない。また、前記の貼り合
わせＳＯＩ基板においては、シリコン単結晶基板を研磨
によって所定の厚みにする必要があるが、十分な平坦性
を得ることが困難であるといった問題がある。
ア基板を用いるところから高価になるとともに、サファ
イアとシリコンの格子定数が必ずしも適合してないた
め、電気的特性が思わしくない。また、前記の貼り合
わせＳＯＩ基板においては、シリコン単結晶基板を研磨
によって所定の厚みにする必要があるが、十分な平坦性
を得ることが困難であるといった問題がある。
【０００９】上述した問題は、光走査型ポテンショメト
リックセンサのみならず、ＩＳＦＥＴなど他の電気化学
センサにおいても共通する問題である。
リックセンサのみならず、ＩＳＦＥＴなど他の電気化学
センサにおいても共通する問題である。
【００１０】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、電気的特性が良好かつ安定な半導体基板を用
いた高性能の光走査型ポテンショメトリックセンサを提
供することを目的としている。
たもので、電気的特性が良好かつ安定な半導体基板を用
いた高性能の光走査型ポテンショメトリックセンサを提
供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、半導体基板の一方の面に物質に応答
するセンシング部を形成した半導体を用いた光走査型ポ
テンショメトリックセンサにおいて、前記半導体基板と
して、シリコン単結晶基板上に酸化アルミニウム薄膜を
形成し、この酸化アルミニウム薄膜上にシリコン単結晶
薄膜を形成したシリコン／酸化アルミニウム／シリコン
基板を用いている。前記酸化アルミニウムとして、例え
ばγ−Ａｌ2 Ｏ3 などがある。
め、この発明では、半導体基板の一方の面に物質に応答
するセンシング部を形成した半導体を用いた光走査型ポ
テンショメトリックセンサにおいて、前記半導体基板と
して、シリコン単結晶基板上に酸化アルミニウム薄膜を
形成し、この酸化アルミニウム薄膜上にシリコン単結晶
薄膜を形成したシリコン／酸化アルミニウム／シリコン
基板を用いている。前記酸化アルミニウムとして、例え
ばγ−Ａｌ2 Ｏ3 などがある。
【００１２】
【作用】前記シリコン／酸化アルミニウム／シリコン基
板は、例えば図５に示すように、シリコン単結晶（１０
０）基板１の上面に酸化アルミニウムをエピタキシャル
成長させた酸化アルミニウム薄膜２を形成し、さらに、
この酸化アルミニウム薄膜２の表面にシリコン単結晶
（１００）をエピタキシャル成長させたシリコン単結晶
（１００）薄膜３を形成してなるもので、このような三
層構造のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン基板４
は、電気的特性が良好かつ安定である。したがって、こ
のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン基板４を用い
た半導体を用いた光走査型ポテンショメトリックセンサ
は、電気的特性が良好かつ安定で高性能である。
板は、例えば図５に示すように、シリコン単結晶（１０
０）基板１の上面に酸化アルミニウムをエピタキシャル
成長させた酸化アルミニウム薄膜２を形成し、さらに、
この酸化アルミニウム薄膜２の表面にシリコン単結晶
（１００）をエピタキシャル成長させたシリコン単結晶
（１００）薄膜３を形成してなるもので、このような三
層構造のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン基板４
は、電気的特性が良好かつ安定である。したがって、こ
のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン基板４を用い
た半導体を用いた光走査型ポテンショメトリックセンサ
は、電気的特性が良好かつ安定で高性能である。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の詳細を、図を参照しながら
説明する。
説明する。
【００１４】まず、第１実施例を、図１および図２を参
照しながら説明する。第１実施例では、光走査型ポテン
ショメトリックセンサに適用したものである。
照しながら説明する。第１実施例では、光走査型ポテン
ショメトリックセンサに適用したものである。
【００１５】例えば厚み５００μｍのシリコン単結晶
（１００）基板１を用意する〔図２（Ａ）参照〕。
（１００）基板１を用意する〔図２（Ａ）参照〕。
【００１６】前記シリコン単結晶（１００）基板１の上
面に、ＣＶＤ法により酸化アルミニウムをエピタキシャ
ル成長させ、酸化アルミニウム薄膜２を形成する〔図２
（Ｂ）参照〕。このときの酸化アルミニウム薄膜２の厚
みは、０．１μｍ程度である。
面に、ＣＶＤ法により酸化アルミニウムをエピタキシャ
ル成長させ、酸化アルミニウム薄膜２を形成する〔図２
（Ｂ）参照〕。このときの酸化アルミニウム薄膜２の厚
みは、０．１μｍ程度である。
【００１７】前記酸化アルミニウム薄膜２の上面に、Ｃ
ＶＤ法によりシリコン単結晶（１００）をエピタキシャ
ル成長させ、シリコン単結晶（１００）薄膜３を形成す
る〔図２（Ｃ）参照〕。このときのシリコン単結晶（１
００）薄膜３の厚みは、１μｍ程度である。これによっ
て、三層構造のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン
基板４が形成される。
ＶＤ法によりシリコン単結晶（１００）をエピタキシャ
ル成長させ、シリコン単結晶（１００）薄膜３を形成す
る〔図２（Ｃ）参照〕。このときのシリコン単結晶（１
００）薄膜３の厚みは、１μｍ程度である。これによっ
て、三層構造のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン
基板４が形成される。
【００１８】前記シリコン／酸化アルミニウム／シリコ
ン基板４のシリコン単結晶（１００）薄膜３に適宜のマ
スクを施してエッチングを行い、シリコン単結晶（１０
０）薄膜３を残す〔図２（Ｄ）参照〕。なお、符号５は
エッチング部分を示す。
ン基板４のシリコン単結晶（１００）薄膜３に適宜のマ
スクを施してエッチングを行い、シリコン単結晶（１０
０）薄膜３を残す〔図２（Ｄ）参照〕。なお、符号５は
エッチング部分を示す。
【００１９】前記シリコン／酸化アルミニウム／シリコ
ン基板４のエッチングを施したシリコン単結晶（１０
０）薄膜３の全面を、酸素ガス流通下で例えば１０００
℃で熱酸化して、その表面全体に厚さ５０ｎｍ程度の酸
化膜（ＳｉＯ2 層）６を形成する〔図２（Ｅ）参照〕。
ン基板４のエッチングを施したシリコン単結晶（１０
０）薄膜３の全面を、酸素ガス流通下で例えば１０００
℃で熱酸化して、その表面全体に厚さ５０ｎｍ程度の酸
化膜（ＳｉＯ2 層）６を形成する〔図２（Ｅ）参照〕。
【００２０】前記酸化膜６に適宜のマスクを施して、酸
化膜６のうち、シリコン単結晶（１００）薄膜３に対応
する部分以外をエッチングする〔図２（Ｆ）参照〕。す
なわち、前記００１８において、エッチングされなかっ
た部分以外をエッチングする。なお、符号７はエッチン
グ部分を示す。
化膜６のうち、シリコン単結晶（１００）薄膜３に対応
する部分以外をエッチングする〔図２（Ｆ）参照〕。す
なわち、前記００１８において、エッチングされなかっ
た部分以外をエッチングする。なお、符号７はエッチン
グ部分を示す。
【００２１】前記酸化膜６およびエッチング部分７の全
面に、減圧ＣＶＤ法を用いて窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を
堆積させ、窒化珪素膜で覆い、水素イオンに応答するセ
ンシング部８とする〔図２（Ｇ）参照〕。
面に、減圧ＣＶＤ法を用いて窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を
堆積させ、窒化珪素膜で覆い、水素イオンに応答するセ
ンシング部８とする〔図２（Ｇ）参照〕。
【００２２】前記シリコン／酸化アルミニウム／シリコ
ン基板４のシリコン単結晶（１００）基板１に適宜のマ
スクを施してエッチングを行い、シリコン／酸化アルミ
ニウム／シリコン基板４を薄くする〔図２（Ｈ）参
照〕。なお、符号９はエッチング部分を示す。
ン基板４のシリコン単結晶（１００）基板１に適宜のマ
スクを施してエッチングを行い、シリコン／酸化アルミ
ニウム／シリコン基板４を薄くする〔図２（Ｈ）参
照〕。なお、符号９はエッチング部分を示す。
【００２３】ダイシングを行ってチップ状態とし、個々
のセンサを形成する〔図２（Ｉ）参照〕。このようにし
て、図１に示すような水素イオンに応答する光走査型ポ
テンショメトリックセンサ（ｐＨセンサ）１０が形成さ
れる。
のセンサを形成する〔図２（Ｉ）参照〕。このようにし
て、図１に示すような水素イオンに応答する光走査型ポ
テンショメトリックセンサ（ｐＨセンサ）１０が形成さ
れる。
【００２４】上述のようにして製作された光走査型ポテ
ンショメトリックセンサ１０は、図１に示すように、シ
リコン単結晶（１００）基板１側から可視光線、赤外線
などの光線Ｌをプローブ光としてＸ，Ｙ方向に照射する
ことにより、シリコン薄膜３中に誘発された光電流を信
号として取り出すことにより、センシング部８に当接し
た物質のｐＨの二次元または三次元における分布を測定
することができる。
ンショメトリックセンサ１０は、図１に示すように、シ
リコン単結晶（１００）基板１側から可視光線、赤外線
などの光線Ｌをプローブ光としてＸ，Ｙ方向に照射する
ことにより、シリコン薄膜３中に誘発された光電流を信
号として取り出すことにより、センシング部８に当接し
た物質のｐＨの二次元または三次元における分布を測定
することができる。
【００２５】なお、上述において、センシング部８を形
成した段階（００２１）でダイシングを行い、先に個々
のチップとしてから００２２に示したエッチングを行う
ようにしてもよい。
成した段階（００２１）でダイシングを行い、先に個々
のチップとしてから００２２に示したエッチングを行う
ようにしてもよい。
【００２６】次に、第２実施例を、図３および図４を参
照しながら説明する。第２実施例では、ＩＳＦＥＴに適
用したものである。
照しながら説明する。第２実施例では、ＩＳＦＥＴに適
用したものである。
【００２７】例えば厚み５００μｍのシリコン単結晶
（１００）基板１を用意する〔図４（Ａ）参照〕。
（１００）基板１を用意する〔図４（Ａ）参照〕。
【００２８】前記シリコン単結晶（１００）基板１の上
面に、ＣＶＤ法により酸化アルミニウムをエピタキシャ
ル成長させ、酸化アルミニウム薄膜２を形成する〔図４
（Ｂ）参照〕。このときの酸化アルミニウム薄膜２の厚
みは、０．１μｍ程度である。
面に、ＣＶＤ法により酸化アルミニウムをエピタキシャ
ル成長させ、酸化アルミニウム薄膜２を形成する〔図４
（Ｂ）参照〕。このときの酸化アルミニウム薄膜２の厚
みは、０．１μｍ程度である。
【００２９】前記酸化アルミニウム薄膜２の上面に、Ｃ
ＶＤ法によりシリコン単結晶（１００）をエピタキシャ
ル成長させ、シリコン単結晶（１００）薄膜３を形成す
る〔図４（Ｃ）参照〕。このときのシリコン単結晶（１
００）薄膜３の厚みは、１μｍ程度である。これによっ
て、三層構造のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン
基板４が形成される。ここまでは、前記第１実施例と同
じである。
ＶＤ法によりシリコン単結晶（１００）をエピタキシャ
ル成長させ、シリコン単結晶（１００）薄膜３を形成す
る〔図４（Ｃ）参照〕。このときのシリコン単結晶（１
００）薄膜３の厚みは、１μｍ程度である。これによっ
て、三層構造のシリコン／酸化アルミニウム／シリコン
基板４が形成される。ここまでは、前記第１実施例と同
じである。
【００３０】前記シリコン単結晶（１００）薄膜３上に
適宜のマスクを施して有機シリコンとドーパントとを含
む反応ガスを流しながらＡｒＦレーザを照射することに
より、ソース１１、ドレイン１２を形成する〔図４
（Ｄ）参照〕。なお、前記ドーパントとしては、ボロ
ン、硼素、砒素などがある。
適宜のマスクを施して有機シリコンとドーパントとを含
む反応ガスを流しながらＡｒＦレーザを照射することに
より、ソース１１、ドレイン１２を形成する〔図４
（Ｄ）参照〕。なお、前記ドーパントとしては、ボロ
ン、硼素、砒素などがある。
【００３１】次いで、前記シリコン単結晶（１００）薄
膜３に適宜のマスクを施してエッチングを行い、ソース
１１、ドレイン１２とが対になるようにしてシリコン単
結晶（１００）薄膜３を残す〔図４（Ｅ）参照〕。な
お、符号１３はエッチング部分を示す。
膜３に適宜のマスクを施してエッチングを行い、ソース
１１、ドレイン１２とが対になるようにしてシリコン単
結晶（１００）薄膜３を残す〔図４（Ｅ）参照〕。な
お、符号１３はエッチング部分を示す。
【００３２】ソース１１、ドレイン１２の形成されたシ
リコン単結晶（１００）薄膜３およびエッチング部分１
３の全面を酸素ガス流通下で例えば１０００℃で熱酸化
して、その表面全体に厚さ５０ｎｍ程度の酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 層）１４を形成する〔図４（Ｆ）参照〕。
リコン単結晶（１００）薄膜３およびエッチング部分１
３の全面を酸素ガス流通下で例えば１０００℃で熱酸化
して、その表面全体に厚さ５０ｎｍ程度の酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 層）１４を形成する〔図４（Ｆ）参照〕。
【００３３】前記酸化膜１４に適宜のマスクを施して、
酸化膜１４のうち、シリコン単結晶（１００）薄膜３に
対応する部分以外をエッチングする〔図４（Ｇ）参
照〕。すなわち、前記００３０において、エッチングさ
れなかった部分以外をエッチングする。なお、１４Ｇは
シリコン単結晶（１００）薄膜３の上部の酸化膜で、ゲ
ートとなる。また、符号１５はエッチング部分を示す。
酸化膜１４のうち、シリコン単結晶（１００）薄膜３に
対応する部分以外をエッチングする〔図４（Ｇ）参
照〕。すなわち、前記００３０において、エッチングさ
れなかった部分以外をエッチングする。なお、１４Ｇは
シリコン単結晶（１００）薄膜３の上部の酸化膜で、ゲ
ートとなる。また、符号１５はエッチング部分を示す。
【００３４】前記ゲート１４Ｇおよびエッチング部分１
５の全面に、減圧ＣＶＤ法を用いて窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）を堆積させ、窒化珪素膜で覆い、水素イオンに応答
するセンシング１６部とする〔図４（Ｈ）参照〕。
５の全面に、減圧ＣＶＤ法を用いて窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）を堆積させ、窒化珪素膜で覆い、水素イオンに応答
するセンシング１６部とする〔図４（Ｈ）参照〕。
【００３５】ダイシングを行ってチップ状態とし、個々
のセンサを形成する〔図４（Ｉ）参照〕。このようにし
て、図３に示すような水素イオンに応答するＩＳＦＥＴ
（ｐＨセンサ）１７が形成される。
のセンサを形成する〔図４（Ｉ）参照〕。このようにし
て、図３に示すような水素イオンに応答するＩＳＦＥＴ
（ｐＨセンサ）１７が形成される。
【００３６】また、上述の各実施例においては、センシ
ング部８，１６がＳｉ3 Ｎ4 膜よりなるものであり、水
素イオンに応答するｐＨセンサであったが、応答物質と
してクラウンエーテルやバリノマイシンや四級アンモニ
ウム塩や錫化合物、ポルフィリン化合物などを用い、水
素イオン以外のナトリウムイオン、カリウムイオン、塩
化物イオンなどに応答する電気化学センサを得ることも
できる。
ング部８，１６がＳｉ3 Ｎ4 膜よりなるものであり、水
素イオンに応答するｐＨセンサであったが、応答物質と
してクラウンエーテルやバリノマイシンや四級アンモニ
ウム塩や錫化合物、ポルフィリン化合物などを用い、水
素イオン以外のナトリウムイオン、カリウムイオン、塩
化物イオンなどに応答する電気化学センサを得ることも
できる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、一方の面に物質に応答するセンシング部が形成され
る半導体基板を、シリコン単結晶基板上に酸化アルミニ
ウム薄膜を形成し、この酸化アルミニウム薄膜上にシリ
コン単結晶薄膜を形成してなる三層構造のシリコン／酸
化アルミニウム／シリコン基板を用いているので、電気
的特性が良好かつ安定で高性能である。
ば、一方の面に物質に応答するセンシング部が形成され
る半導体基板を、シリコン単結晶基板上に酸化アルミニ
ウム薄膜を形成し、この酸化アルミニウム薄膜上にシリ
コン単結晶薄膜を形成してなる三層構造のシリコン／酸
化アルミニウム／シリコン基板を用いているので、電気
的特性が良好かつ安定で高性能である。
【図１】第１実施例の半導体を用いた電気化学センサの
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図２】前記センサの製造工程の一例を示す図である。
【図３】第２実施例の半導体を用いた電気化学センサの
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図４】前記センサの製造工程の一例を示す図である。
【図５】この発明で用いる半導体基板の構成を示す図で
ある。
ある。
１…シリコン単結晶基板、２…酸化アルミニウム薄膜、
３…シリコン単結晶薄膜、４…シリコン／酸化アルミニ
ウム／シリコン基板、８，１６…センシング部。
３…シリコン単結晶薄膜、４…シリコン／酸化アルミニ
ウム／シリコン基板、８，１６…センシング部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 聡 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 田辺 裕貴 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 中尾 基 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (56)参考文献 石田誠・李栄泰，応用物理，平成７年 ７月10日，第64巻，第７号，ｐ700−704 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 27/414 G01N 27/416 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の一方の面に物質に応答する
センシング部を形成した半導体を用いた光走査型ポテン
ショメトリックセンサにおいて、前記半導体基板とし
て、シリコン単結晶基板上に酸化アルミニウム薄膜を形
成し、この酸化アルミニウム薄膜上にシリコン単結晶薄
膜を形成したシリコン／酸化アルミニウム／シリコン基
板を用いたことを特徴とする半導体を用いた光走査型ポ
テンショメトリックセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21281595A JP3258867B2 (ja) | 1995-07-29 | 1995-07-29 | 半導体を用いた光走査型ポテンショメトリックセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21281595A JP3258867B2 (ja) | 1995-07-29 | 1995-07-29 | 半導体を用いた光走査型ポテンショメトリックセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943193A JPH0943193A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3258867B2 true JP3258867B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=16628824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
1995
- 1995-07-29 JP JP21281595A patent/JP3258867B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 石田誠・李栄泰，応用物理，平成７年７月１０日，第６４巻，第７号，ｐ７００−７０４ |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| US6524379B2 (en) | 1997-08-15 | 2003-02-25 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Colorants, colorant stabilizers, ink compositions, and improved methods of making the same |
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0943193A (ja) | 1997-02-14 |
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