JPH0794569A - 較正標準及び較正標準の生成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 １nm及びそれより優れた範囲の精度を持った
2-D プロフィロメトリ及び3-D プロフィロメトリのため
の較正標準を提供する。 【構成】 較正標準は、隆起したライン（２）及びトレ
ンチ（３) から成る少なくとも一対の異なる種類の構造
体（２、３）を備えた単結晶物質の支持構造体（１) を
含む。一対の異なる種類の構造体（２、３）は同じ幅を
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、サブナノメートル範囲
におけるプロフィロメトリ（輪郭測定）、特に、AFM/ST
M プロフィロメトリのための較正（カリブレーション）
標準、並びに、前記較正標準を生成するための方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ナノ計測とは、器具の測定形状(featur
e) 及びナノメートルの単位で最も良く与えられた不確
かさを備える物質標準の測定形状を、調べ、展開し、証
明するために必要な測定技術を表している。異なるプロ
ーブシステム及び異なる測定器具の較正に対しては、基
準標準が要求される。

【０００３】2-D AFM プロフィロメトリは、直径が一般
的に約250 nmで特別形状とされた超微シリコンチップを
使用する。絶対測定精度は、チップ直径の正確な知識の
みに依存する。この直径は、通常、測定精度が3%〜5%の
高分解能SEM によって決定される。

【０００４】チップ直径が250 nmのとき、測定精度は約
7.5 nmよりも悪くなる。電子顕微鏡内では、静止してい
るガスの濃度に応じてチップが多少汚染され、チップの
直径は測定の間、不確定に変化する。測定精度を高める
ために、チップはゲージによって測定の直前及び直後に
較正されなければならない。

【０００５】他の一般的な解決法もまた、単結晶シリコ
ン技術の適用に焦点を置いている。

【０００６】均一な厚さの二酸化シリコンフィルムを備
えたシリコンウェハから成る標準基準物質(SRM) は、カ
ンデラ(G.A.Candela) 他著、「エリプソメトリ（偏光）
及びプロフィルメトリによって較正されるフィルムの厚
さ及び屈折率標準基準物質(Film thickness and refrac
tive index Starndard Reference Material calibrated
by ellipsometry and profilometry)」(SPIE Vol.661)
に記載されている。二酸化シリコンフィルムは、機械的
深さが酸化物の厚みと略等しいスタイラスプロフィロメ
トリ測定のために使用されるウインドウを含んでいる。
平均約2 nmの厚さでウインドウに形成する天然酸化物の
ために、機械的深さは酸化物の厚みと正確には同じでは
ない。これは、測定の精度に影響を及ぼす。

【０００７】計測では、クンズマン(H.Kunzmann)著、
「PTB におけるナノ計測(Nanometrology at the PTB)」
(1991/92, Vol.28, 443-453 頁) において、サブナノメ
ートル範囲での基準スケールは、化学ガス転送によって
エピタキシャルに成長される単結晶シリコンから導出さ
れる。この単結晶の表面が１つの格子面内で平面である
確率は高く、ナノ計測用にプローブシステムを較正する
ために格子面の距離が小さい整倍数であるステップを用
いることが提案されている。これらのステップは、エピ
タキシャル処理の結果であり、エピタキシャル成長の技
術が上手に画定された計測制御下にあるときのみ、ステ
ップの高さのゲージを製造するために用いられる。この
解決法はサブナノメートル範囲で精度を実現するが、1-
D 変位計測だけしかカバーしていない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、1 nm及びそれより優れた範囲の精度を持った2-D
（２次元）プロフィロメトリ及び3-D （３次元）プロフ
ィロメトリのための較正標準を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段と作用】本発明の目的は、
請求項１の較正標準によって達成される。本発明はま
た、請求項１の較正標準を生成する方法、並びに、サブ
ナノメートル範囲で形状を測定するための標準の使用法
から構成される。

【００１０】請求項１に記載の較正標準は、少なくとも
一対（４）の異なる種類の構造体（２、３）を備える単
結晶物質の支持構造体（１）を含み、前記対（４）の異
なる種類の構造体の各々の構造体（２、３）が同じ幅を
持つ。

【００１１】請求項２に記載の較正標準は、請求項１に
記載の較正標準において、前記少なくとも一対（４）の
異なる種類の構造体（２、３）が前記対（４）のアレイ
（５）から成る。

【００１２】請求項３に記載の較正標準は、請求項２に
記載の較正標準において、前記アレイを形成する前記対
（４）のグループ（６）の前記異なる種類の構造体
（２、３）が異なる幅を持つ。

【００１３】請求項４に記載の較正標準は、請求項１乃
至３のいずれか一項に記載の較正標準において、前記異
なる種類の構造体（２、３）が隆起したライン（２）及
びトレンチ（３）から成る。

【００１４】請求項５に記載の較正標準は、請求項４に
記載の較正標準において、前記支持構造体（１）の前記
単結晶物質がシリコンから成り、前記トレンチ（３）が
二酸化シリコン及び窒化シリコンを含む物質で充填さ
れ、前記隆起したライン（２）が二酸化シリコン及び窒
化シリコンを含む物質から成る。

【００１５】請求項６に記載の較正標準は、請求項１乃
至５のいずれか一項に記載の較正標準において、前記単
結晶物質が(110)-方向を有し、前記異なる種類の構造体
（２、３）の前記幅が約500 nmの範囲内にある。

【００１６】請求項７に記載の較正標準の生成方法は、
請求項１乃至６のいずれか一項に従って較正標準を生成
する方法であって、同じ結晶方向を備えた同じ単結晶物
質から成る研磨された第１ウェハ（８）及び研磨された
第２ウェハ（９）を提供するステップと、前記第１ウェ
ハ（８）の研磨された表面（１１）上に画定された厚さ
の酸化物層（１０）を形成するステップと、前記第１ウ
ェハ（８）の研磨された表面（１１）が前記第２ウェハ
（９）の研磨された表面（１２）に対向するように、前
記研磨された第２ウェハ（９）を前記酸化された第１ウ
ェハ（８）へ接合するステップと、少なくとも一対
（４）の同じ幅の異なる種類の構造体（２、３）を前記
酸化物層（１０）と共に前記酸化物層（１０）内に形成
するステップと、から成る。

【００１７】請求項８に記載の較正標準の生成方法は、
請求項７に記載の較正標準の生成方法において、少なく
とも一対（４）の前記異なる種類の構造体（２、３）の
前記形成ステップが、前記接合された構造体を前記ウェ
ハ（８、９）の前記研磨された表面（１１、１２）に対
して矩形に切断するステップと、切断の表面（１３）を
研磨するステップと、前記第１ウェハ（８）及び第２ウ
ェハ（９）を画定された第１の深さまで選択的にエッチ
ングするステップと、前記第１種類の構造体（２）を表
している前記酸化物層（１０）の一部をマスキングする
ステップと、マスキングされない領域にある前記酸化物
層（１０）を画定された第２の深さまで選択的にエッチ
ングするステップと、を更に含む。

【００１８】請求項９に記載の較正標準の生成方法は、
請求項７及び８のいずれか一項に記載の較正標準の生成
方法において、前記酸化物層（１０）を形成するステッ
プが前記第１ウェハ（８）を熱的に酸化するステップを
備え、前記接合ステップが溶融接合及び陽極接合を備え
る。

【００１９】請求項１０に記載の較正標準の生成方法
は、請求項８及び９のいずれか一項に記載の較正標準の
生成方法において、前記第１ウェハ（８）及び第２ウェ
ハ（９）を前記選択的にエッチングするステップが異方
性湿潤エッチングから成り、前記酸化物層（１０）を前
記選択的にエッチングするステップがBHF によるエッチ
ングから成る。

【００２０】請求項１１に記載の較正標準の生成方法
は、請求項１乃至６のいずれか一項に従って較正標準を
生成する方法であって、単結晶物質のウェハ（７）を提
供するステップと、ウェハ（７）の表面へ異なる幅でト
レンチ（１４）をエッチングするステップと、前記単結
晶物質と比べて高いエッチング選択率を示す物質（１
６）で前記トレンチ（１４）を充填するステップと、前
記単結晶物質を前記トレンチ充填物質（１６）に対して
画定された第１の深さまで選択的にエッチングすること
によって前記第１種類の構造体（２）を形成するステッ
プと、前記第１種類の構造体（２）の部分をマスキング
するステップと、マスキングされない領域にある前記第
１種類の構造体（２）を画定された第２の深さまで選択
的にエッチングすることによって前記第２種類の構造体
（３）を形成するステップと、を含む。

【００２１】請求項１２に記載の較正標準の生成方法
は、請求項１乃至６のいずれか一項に従った較正標準を
用いて、サブナノメートルの範囲内の形状、特に超微シ
リコンチップ、を測定するための方法であって、超微シ
リコンチップ（１７）を提供するステップと、前記少な
くとも一対の異なる種類の構造体の前記第１種類の構造
体（２）の幅b1を測定するステップと、同じ対の前記第
２種類の構造体（３）の幅b2を測定するステップと、を
備え、前記測定ステップが、前記少なくとも１対の前記
第１種類の構造体（２）及び前記第２種類の構造体
（３）を前記超微シリコンチップ（１７）によってプロ
ファイルするステップと、前記測定された幅b1を前記測
定された幅b2から減算し、結果となる値を二等分するこ
とによって前記超微シリコンチップ（１７）の直径を計
算するステップと、を備える、ことから成る。

【００２２】

【実施例】図１（Ａ）では、支持構造体１及び一対の異
なる種類の構造体２、３から成る較正標準の基本構造体
が見られる。

【００２３】第１種類の構造体は隆起したライン２、第
２種類の構造体はトレンチ３である。双方の構造体、即
ち、隆起したライン２及びトレンチ３、の幅は全く同じ
である。

【００２４】この基本構造体が較正標準として用いられ
るために、これらの構造体２、３の幅は測定されるべき
形状の幅寸法及び垂直寸法に対して比較可能でなければ
ならない。これは、較正が測定ステップと同様に同じ動
作領域内で行われることができるという利点がある。

【００２５】今日において、測定される最も小さい幅寸
法は、半導体チップの最も小さいライン幅であり、一般
的に、500 nm (16M ビットチップの場合) 又は350 nm
(64Mビットチップの場合) の範囲内にある。一般的な垂
直寸法は、およそ2000 nm よりも小さい。

【００２６】従って、トレンチ及び隆起したラインの幅
寸法、並びに、垂直寸法は、およそ500 nmの範囲内にあ
るのが好ましい。

【００２７】好ましい実施例において、全ての基本構造
体、即ち、同じ幅を持つグループ６の異なる種類の構造
体２、３の対４、を備えた基本構造体のグループ６が、
図１（Ｂ）に示されるように提供されている。基本構造
体のグループはアレイを形成し、較正構造体の幾つかの
アレイは、好ましくはシリコン物質から成る基板７の上
に配置されてもよい。

【００２８】図１（Ｃ）に示される実施例では、異なる
ライン幅を備える基本構造体は、シリコンウェハ上の数
平方ミリメートルから成る比較的小さい領域、一般的に
約１cm² のダイ上に配置される。異なるチップを較正す
る、若しくは、圧電アクチュエータを較正する際には、
異なるライン幅を示す構造体２、３を備えた較正標準を
有することが必要とされるために、この配置は極めて重
要である。

【００２９】上記の較正標準を生成するための１方法
は、図２に示されるような２つの研磨されたウェハを提
供することによって開始される。これらウェハは、研磨
された表面１１、１２の微小粗さが1 nmより良好な同じ
単結晶物質である。物質はシリコンが好ましい。ウェハ
８、９の双方は同一の結晶方向を有する。以下に記載さ
れるような方法では、ウェハの表面１１、１２は(110)-
表面である。第１ウェハ８の研磨された表面１１上にお
いて、酸化物１０は、酸化物の厚さが後に形成される隆
起したライン２及びトレンチ３の幅に対応する厚さに達
するまで、ウェハ８を熱酸化させることによって成長さ
れる。従って、酸化物１０の層の厚さはおよそ500 nmの
範囲内にある。次のステップにおいて、第２ウェハ９が
第１ウェハ８上で成長される酸化物層１０に接合され
る。この接合は、双方のウェハ８、９の研磨された表面
１１、１２が互いに対向するように行われる。

【００３０】以下のステップ、特に較正標準の構造体
２、３が形成されるときには、この接合の詳細は、研磨
された表面１１、１２がトレンチ３の壁を形成するため
に重要になる。接合ステップは、一般的に２つのウェハ
８、９の溶融接合又は陽極接合であり、インタフェース
（界面）１２において２つのウェハ８、９の間に化学的
相互接続を行う。

【００３１】こうして達成される接合されたサンドイッ
チ構造体は、のこ引きステップによって、接合されたウ
ェハ８、９の研磨された表面１１、１２に対して矩形に
切断される。切断の表面１３は公知の方法で研磨及び掃
除される。

【００３２】サンドイッチ構造体の切断は、インタフェ
ース１２にしばしば必要としない小さな亀裂を生むため
に適切ではない。

【００３３】本発明の好ましい実施例において、切断の
表面１３は、(110)-表面を備えたウェハ８、９を用いる
ために(111)-表面である。

【００３４】この切断ステップは、本方法の利点を明確
に示している。ウェハ８、９の研磨された表面１１、１
２の間に二酸化シリコン層１０を埋め込むことによっ
て、研磨の間に二酸化シリコン層１０が破損されるのが
避けられる。ウェハ９を接合する代わりに二酸化シリコ
ン層１０上に薄膜を付着すると、切断の表面１３が研磨
されるときに二酸化シリコン層１０の薄膜に破損が起こ
る。

【００３５】次のステップとして、二酸化シリコン層１
０を埋め込んでいるウェハ物質が、約500 nmの画定され
た深さへと選択的に再度エッチングされる。形成される
隆起したライン２の側壁の汚染を防ぎ、好ましくはシリ
コンから成るウェハ物質と二酸化シリコンから成る酸化
物層１０との間で最高1000:1の高い選択率を得るため
に、プラズマエッチングの代わりに異方性湿潤（ウエッ
ト) エッチングが選ばれる。等方性湿潤エッチング溶液
では、通常、約ファクタ10の悪い選択率を示す。

【００３６】水酸化セシウム異方性湿潤エッチング溶液
によって、約800:1 の選択率が期待される。所望の選択
率である1000:1でエッチングされるが、隆起したライン
２の上部エッジはおよそ0.5 nm収縮する。しかしなが
ら、この結果は再生可能であり、形状を測定するための
較正標準の使用に影響を及ぼさない。

【００３７】較正標準は、全長にわたって隆起した二酸
化シリコンライン２を示す。

【００３８】次に、隆起したライン２の一部が、例え
ば、窒化シリコンから成るエッチング保護層によってマ
スクされる。マスクされない領域では、酸化物層１０は
湿潤エッチング溶液で約500 nmの画定された深さへとエ
ッチングされる。適切なエッチング溶液はBHF であり、
二酸化シリコン層１０及び埋め込まれているウェハ８、
９のシリコンの間で極めて高いエッチング選択率を示
す。

【００３９】このようにして生成されるトレンチ３は、
理想的には平面（プレーナ）で、1nmより良好な微小粗
さを備えた平行平面である側壁を有する。

【００４０】エッチングを施した後、トレンチ天然酸化
物がトレンチのシリコン側壁上に成長して、トレンチを
およそ1 nm狭くする。この狭めはトレンチの全長に沿っ
て一定であり、かつ再生可能であるため、較正標準によ
って形状の測定を妨げることはない。

【００４１】較正標準を生成するもう１つの可能性が、
図３（Ａ）乃至図３（Ｅ）の異なる処理ステップによっ
て示されている。

【００４２】基材は、(110) 方向の表面を備えた単結晶
物質、好ましくはシリコン、から成る片側が研磨された
ウェハ７である。図３（Ａ）において、二酸化シリコン
の層１５がウェハ７上に付着され、パターンがフォトレ
ジストで露光され、乾燥エッチング又は湿潤エッチング
によって二酸化シリコン層１５へと転写される。パター
ンのエッジは、ウェハ７の(111) 平面に平行して極めて
正確に整合されなければならない。パターンは、好まし
くはKOH によってウェハの表面へと異方的にエッチング
される。パターンは、異なる幅を備えたトレンチのパタ
ーンから成り、トレンチが幾つかのグループ及びアレイ
に配列される。

【００４３】このように生成されたトレンチ１４は、２
つの(111) 平面によって閉じ込められ、この(111) 平面
の内の２つは平行で、ウェハ７の表面に対して垂直であ
る。

【００４４】残留する二酸化シリコンマスクを除去した
後、トレンチ１４は、単結晶物質と比べて極めて高いエ
ッチング選択率を示す物質１６によって充填される。使
用可能な物質は、熱蒸着又は化学蒸着が行われた二酸化
シリコン及び窒化シリコンである。

【００４５】次に、図３（Ｃ）に見られるような元のウ
ェハ表面へと、ウェハ７の上にある物質１５が再度エッ
チング、研磨、或いは、化学的及び機械的に研磨され
る。

【００４６】次に、単結晶ウェハ物質は、トレンチ充填
物質１６に対して、図３（Ｄ）に見られるような画定さ
れた深さまで選択的に再度エッチングされる。マスキン
グ処理は、マスキング物質によって矩形構造体の各列の
半分を保護するために用いられる。他の保護されていな
い半分では、トレンチ充填物質１６は、単結晶物質に対
して画定された深さまで再度選択的にエッチングされ
て、図３（Ｅ）に見られるようなトレンチ３を生成す
る。

【００４７】マスキング物質は選択的に除去され、ウェ
ハ７はダイへとダイシング（切離し）される。各ダイは
図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示されるような多数の異な
る幅の較正構造体を含んでいる。

【００４８】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）では、較正標準
を備えた超微シリコンチップ１７のようなサブナノメー
トル範囲における形状を測定する好ましい方法が示され
ている。

【００４９】超微チップ１７の幅を決定するためには２
つの測定しか行われない。第１に、トレンチ３の幅は、
チップ１７によって、図２の破線１９に示されるような
経路に沿ってトレンチ３をプロファイルすることによっ
て測定され、値b1が提供される。

【００５０】第２に、同じ対の構造体２、３の内の隆起
したライン２の幅は、同じチップ１７によって、図２の
破線１８に示されるような経路に沿って隆起したライン
２をプロファイルすることによって測定され、値b2が提
供される。

【００５１】チップ１７の正確な直径又は幅を計算する
ために、以下の数式に従って、測定された値b1が値b2か
ら減算され、結果となる値が二等分される。

【００５２】

【数１】

【００５３】ここで、ｔはチップ１７の直径である。

【００５４】次に、隆起したライン２及びトレンチ３の
幅寸法ｄが以下のように与えられる。

【００５５】

【数２】

【００５６】これは、較正標準の構造体２、３の対４の
正確な寸法の知識が、測定される超微チップ１７のよう
な形状の幅を決定する上で必要とされないことを示して
いる。構造体２、３、即ち、隆起したライン及びトレン
チ、の双方が全く同じ幅であり、較正の精度を確かめる
ために、必要とされる２つの測定が構造体の同じ対の異
なる構造で行われることは非常に重要である。

【００５７】較正の精度は、幅寸法の相違、側壁の平行
性、及び２つの異なる種類の構造体２、３の間にある側
壁の微小粗さに強く依存する。

【００５８】従って、与えられるパラメータの品質に合
うことを確かめるために、最適化された生成プロセスを
見つけるのは重要である。適切な生成方法とは上記の方
法である。

【００５９】微小チップ及び較正標準によって行われる
測定の幾つかの結果が図５に示されており、この測定技
術の精度を証明している。図５は、716 nm幅のトレンチ
における反復可能性の測定を示している。

【００６０】これらの測定は、約1 nmの反復可能性を示
す。

【００６１】

【発明の効果】本発明は上記より構成され、1 nm及びそ
れより優れた範囲の精度を持った2-Dプロフィロメトリ
及び3-D プロフィロメトリのための較正標準を提供す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】一対の異なる種類の構造体を備えた較正標準
と、対のアレイと、ウェハ上のダイのアレイとをそれぞ
れ示す。

【図２】一対の異なる種類の構造体及び測定されたプロ
ファイルラインを備えた較正標準を示す。

【図３】較正標準を生成する好ましい方法の処理ステッ
プの概略を示す。

【図４】較正標準を備えた超微シリコンチップのような
形状を測定する好ましい方法を示す。

【図５】超微チップ及び較正標準によって行われる測定
の幾つかの結果を示す。

【符号の説明】

１ 支持構造体 ２ 隆起したライン ３ トレンチ

フロントページの続き (72)発明者 トーマス バイエル ドイツ連邦共和国、71063 ジンテルフィ ンゲン、ヒンテルヴァイレル ストラーセ 45 (72)発明者 ヨハン グレスクネル ドイツ連邦共和国、72124 プリーズハウ ゼン、ティールガルテンヴェク 14 (72)発明者 マルティン ノネンマケル ドイツ連邦共和国、7036 ショーエンアイ ク、ボエブリンゲル ストラーセ 24 (72)発明者 ヘルガ ヴァイス ドイツ連邦共和国、71032 ボエブリンゲ ン、ヴェーランドストラーセ ７

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 較正標準であって、 少なくとも一対（４）の異なる種類の構造体（２、３）
   を備える単結晶物質の支持構造体（１）を含み、前記対
   （４）の異なる種類の構造体の各々の構造体（２、３）
   が同じ幅を持つ、較正標準。
2. 【請求項２】 前記少なくとも一対（４）の異なる種類
   の構造体（２、３）が前記対（４）のアレイ（５）から
   成る、請求項１に記載の較正標準。
3. 【請求項３】 前記アレイを形成する前記対（４）のグ
   ループ（６）の前記異なる種類の構造体（２、３）が異
   なる幅を持つ、請求項２に記載の較正標準。
4. 【請求項４】 前記異なる種類の構造体（２、３）が隆
   起したライン（２）及びトレンチ（３）から成る、請求
   項１乃至３のいずれか一項に記載の較正標準。
5. 【請求項５】 前記支持構造体（１）の前記単結晶物質
   がシリコンから成り、前記トレンチ（３）が二酸化シリ
   コン及び窒化シリコンを含む物質で充填され、前記隆起
   したライン（２）が二酸化シリコン及び窒化シリコンを
   含む物質から成る、請求項４に記載の較正標準。
6. 【請求項６】 前記単結晶物質が(110)-方向を有し、前
   記異なる種類の構造体（２、３）の前記幅が約500 nmの
   範囲内にある、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の
   較正標準。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか一項に従って
   較正標準を生成する方法であって、 同じ結晶方向を備えた同じ単結晶物質から成る研磨され
   た第１ウェハ（８）及び研磨された第２ウェハ（９）を
   提供するステップと、 前記第１ウェハ（８）の研磨された表面（１１）上に画
   定された厚さの酸化物層（１０）を形成するステップ
   と、 前記第１ウェハ（８）の研磨された表面（１１）が前記
   第２ウェハ（９）の研磨された表面（１２）に対向する
   ように、前記研磨された第２ウェハ（９）を前記酸化さ
   れた第１ウェハ（８）へ接合するステップと、 少なくとも一対（４）の同じ幅の異なる種類の構造体
   （２、３）を前記酸化物層（１０）と共に前記酸化物層
   （１０）内に形成するステップと、 から成る較正標準の生成方法。
8. 【請求項８】 少なくとも一対（４）の前記異なる種類
   の構造体（２、３）の前記形成ステップが、 前記接合された構造体を前記ウェハ（８、９）の前記研
   磨された表面（１１、１２）に対して矩形に切断するス
   テップと、 切断の表面（１３）を研磨するステップと、 前記第１ウェハ（８）及び第２ウェハ（９）を画定され
   た第１の深さまで選択的にエッチングするステップと、 前記第１種類の構造体（２）を表している前記酸化物層
   （１０）の一部をマスキングするステップと、 マスキングされない領域にある前記酸化物層（１０）を
   画定された第２の深さまで選択的にエッチングするステ
   ップと、 を更に含む、請求項７に記載の較正標準の生成方法。
9. 【請求項９】 前記酸化物層（１０）を形成するステッ
   プが前記第１ウェハ（８）を熱的に酸化するステップを
   備え、 前記接合ステップが溶融接合及び陽極接合を備える、 請求項７及び８のいずれか一項に記載の較正標準の生成
   方法。
10. 【請求項１０】 前記第１ウェハ（８）及び第２ウェハ
    （９）を前記選択的にエッチングするステップが異方性
    湿潤エッチングから成り、 前記酸化物層（１０）を前記選択的にエッチングするス
    テップがBHF によるエッチングから成る、 請求項８及び９のいずれか一項に記載の較正標準の生成
    方法。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至６のいずれか一項に従っ
    て較正標準を生成する方法であって、 単結晶物質のウェハ（７）を提供するステップと、 ウェハ（７）の表面へ異なる幅でトレンチ（１４）をエ
    ッチングするステップと、 前記単結晶物質と比べて高いエッチング選択率を示す物
    質（１６）で前記トレンチ（１４）を充填するステップ
    と、 前記単結晶物質を前記トレンチ充填物質（１６）に対し
    て画定された第１の深さまで選択的にエッチングするこ
    とによって前記第１種類の構造体（２）を形成するステ
    ップと、 前記第１種類の構造体（２）の部分をマスキングするス
    テップと、 マスキングされない領域にある前記第１種類の構造体
    （２）を画定された第２の深さまで選択的にエッチング
    することによって前記第２種類の構造体（３）を形成す
    るステップと、 を含む較正標準の生成方法。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至６のいずれか一項に従っ
    た較正標準を用いて、サブナノメートルの範囲内の形
    状、特に超微シリコンチップ、を測定するための方法で
    あって、 超微シリコンチップ（１７）を提供するステップと、 前記少なくとも一対の異なる種類の構造体の前記第１種
    類の構造体（２）の幅b1を測定するステップと、 同じ対の前記第２種類の構造体（３）の幅b2を測定する
    ステップと、 を備え、 前記測定ステップが、前記少なくとも１対の前記第１種
    類の構造体（２）及び前記第２種類の構造体（３）を前
    記超微シリコンチップ（１７）によってプロファイルす
    るステップと、 前記測定された幅b1を前記測定された幅b2から減算し、
    結果となる値を二等分することによって前記超微シリコ
    ンチップ（１７）の直径を計算するステップと、を備え
    る、 ことから成る較正標準の生成方法。