JPH04368767A - 荷電粒子ビーム分析装置のビーム調整方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム分析装置のビーム調整方法Info
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- JPH04368767A JPH04368767A JP3173121A JP17312191A JPH04368767A JP H04368767 A JPH04368767 A JP H04368767A JP 3173121 A JP3173121 A JP 3173121A JP 17312191 A JP17312191 A JP 17312191A JP H04368767 A JPH04368767 A JP H04368767A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 27
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 3
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 35
- -1 aluminum ions Chemical group 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は２次イオン質量分析装置
、収束イオンビーム装置その他の荷電粒子ビーム分析装
置におけるビーム調整を行う際に使用される荷電粒子ビ
ーム分析装置のビーム調整用標準格子（以下、単にビー
ム調整用標準格子という）及び格子形成方法に関する。
、収束イオンビーム装置その他の荷電粒子ビーム分析装
置におけるビーム調整を行う際に使用される荷電粒子ビ
ーム分析装置のビーム調整用標準格子（以下、単にビー
ム調整用標準格子という）及び格子形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のビーム調整用標準格子の代表例
として図２に示すようなものがある。これはアルミニウ
ムの基板２１上に銅で作成された標準格子２２を接着材
で張り合わた構成となっている。
として図２に示すようなものがある。これはアルミニウ
ムの基板２１上に銅で作成された標準格子２２を接着材
で張り合わた構成となっている。
【０００３】ここで高純度のシリコン基板内に含有する
アルミニウムの不純物を２次イオン質量分析装置を用い
て分析する手順について説明する。まず、分析を行う前
に、ビーム調整用標準格子に荷電粒子ビーム（イオンビ
ーム）を可能な限り絞り込んで照射し、このときに得ら
れる標準格子の像が鮮明となるように入射荷電粒子ビー
ムを最適な状態に調節する。
アルミニウムの不純物を２次イオン質量分析装置を用い
て分析する手順について説明する。まず、分析を行う前
に、ビーム調整用標準格子に荷電粒子ビーム（イオンビ
ーム）を可能な限り絞り込んで照射し、このときに得ら
れる標準格子の像が鮮明となるように入射荷電粒子ビー
ムを最適な状態に調節する。
【０００４】ビーム調整後、分析対象試料たるシリコン
基板を分析装置にセットし、このシリコン基板に荷電粒
子ビームを照射し、このときに発生する２次イオンを所
定の磁場と電場で質量分解し、目的とする元素の２次イ
オンの質量数、即ち、アルミニウムとシリコンの２次イ
オンの総数を共に測定する。これらの総量比によりシリ
コン中のアルミニウム組成比を求める。
基板を分析装置にセットし、このシリコン基板に荷電粒
子ビームを照射し、このときに発生する２次イオンを所
定の磁場と電場で質量分解し、目的とする元素の２次イ
オンの質量数、即ち、アルミニウムとシリコンの２次イ
オンの総数を共に測定する。これらの総量比によりシリ
コン中のアルミニウム組成比を求める。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ビーム調整用標準格子による場合には、荷電粒子ビーム
分析装置により分析等を行う上で以下に述べるような欠
点が指摘されている。
ビーム調整用標準格子による場合には、荷電粒子ビーム
分析装置により分析等を行う上で以下に述べるような欠
点が指摘されている。
【０００６】即ち、ビーム調整時、荷電粒子ビームが照
射されると、荷電粒子ビーム分析装置の試料室内や分析
用荷電子の光学・分析系に、ビーム調整用標準格子から
スパッタリングされた金属成分が浮遊・付着し、これが
ビーム調整後も残留するために、荷電粒子ビーム分析装
置の分析能力が低下するという欠点がある。ここで分析
能力とは検出できる最も低い濃度の値、即ち検出限界や
信号の分解能をいう。
射されると、荷電粒子ビーム分析装置の試料室内や分析
用荷電子の光学・分析系に、ビーム調整用標準格子から
スパッタリングされた金属成分が浮遊・付着し、これが
ビーム調整後も残留するために、荷電粒子ビーム分析装
置の分析能力が低下するという欠点がある。ここで分析
能力とは検出できる最も低い濃度の値、即ち検出限界や
信号の分解能をいう。
【０００７】図３は従来のビーム調整用標準格子を用い
て入射荷電粒子ビームの調節を行った後、高純度シリコ
ン基板内に含有するアルミニウムの不純物を２次イオン
質量分析装置を用いて分析した際に検出されたアルミニ
ウム２次イオンの検出量の時間変化を示したグラフであ
る。このグラフの縦軸はアルミニウム２次イオンの検出
された個数を示す一方、横軸は分析時間（シリコンに対
して荷電粒子ビームを照射してシリコンをスパッタリン
グしている時間）を示している。縦軸の表示はリニアス
ケールであり、アルミニウムイオンは４０００秒程度で
検出されなくなように見えるが、縦軸の表示をＬＯＧ
スケールにして書き換えるとアルミニウムイオンの検出
は数日間にもわたる。
て入射荷電粒子ビームの調節を行った後、高純度シリコ
ン基板内に含有するアルミニウムの不純物を２次イオン
質量分析装置を用いて分析した際に検出されたアルミニ
ウム２次イオンの検出量の時間変化を示したグラフであ
る。このグラフの縦軸はアルミニウム２次イオンの検出
された個数を示す一方、横軸は分析時間（シリコンに対
して荷電粒子ビームを照射してシリコンをスパッタリン
グしている時間）を示している。縦軸の表示はリニアス
ケールであり、アルミニウムイオンは４０００秒程度で
検出されなくなように見えるが、縦軸の表示をＬＯＧ
スケールにして書き換えるとアルミニウムイオンの検出
は数日間にもわたる。
【０００８】即ち、ビーム調整用標準格子と同じ元素の
アルミニウムを分析する場合、長時間にわたって残留す
るアルミニウムイオンの存在により、２次イオン質量分
析装置の２次イオン質量分解能が低下する結果となる。
アルミニウムを分析する場合、長時間にわたって残留す
るアルミニウムイオンの存在により、２次イオン質量分
析装置の２次イオン質量分解能が低下する結果となる。
【０００９】また、ビーム調整用標準格子の基板２１と
標準格子２２とを張り合わせるのに使用した接着材も、
上記の場合と同様に２次イオン質量分析装置の試料室内
や分析用荷電子の光学・分析系に浮遊・付着し、高精度
な分析を行う上で妨げとなる。
標準格子２２とを張り合わせるのに使用した接着材も、
上記の場合と同様に２次イオン質量分析装置の試料室内
や分析用荷電子の光学・分析系に浮遊・付着し、高精度
な分析を行う上で妨げとなる。
【００１０】なお、これらの欠点は２次イオン質量分析
装置を用いて分析する場合の特有の問題でなく、この種
の荷電粒子ビーム分析装置に共通して言える問題である
。
装置を用いて分析する場合の特有の問題でなく、この種
の荷電粒子ビーム分析装置に共通して言える問題である
。
【００１１】本発明は上記した背景のもとに創作された
ものであり、その主たる目的とするところは、荷電粒子
ビーム分析装置の本来有する分析能力を十分に発揮させ
ることのできるビーム調整用標準格子等を提供すること
にある。
ものであり、その主たる目的とするところは、荷電粒子
ビーム分析装置の本来有する分析能力を十分に発揮させ
ることのできるビーム調整用標準格子等を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
ビーム調整用標準格子は、分析対象試料に含有されてい
る成分を分析する荷電粒子ビーム分析装置に使用される
ビーム調整用標準格子であって、当該成分以外の材質か
ら構成されていることを特徴としている。
ビーム調整用標準格子は、分析対象試料に含有されてい
る成分を分析する荷電粒子ビーム分析装置に使用される
ビーム調整用標準格子であって、当該成分以外の材質か
ら構成されていることを特徴としている。
【００１３】本発明の請求項２に係るビーム調整用標準
格子は、請求項１の材質である板材に格子状の溝を直接
形成してあることを特徴としている。
格子は、請求項１の材質である板材に格子状の溝を直接
形成してあることを特徴としている。
【００１４】本発明の請求項４に係るビーム調整用標準
格子は、請求項２の溝の深さＴと幅Ｌとの関係が（Ｔ／
Ｌ）＜１であることを特徴としている。
格子は、請求項２の溝の深さＴと幅Ｌとの関係が（Ｔ／
Ｌ）＜１であることを特徴としている。
【００１５】本発明の請求項５に係るビーム調整用標準
格子の格子形成方法は、半導体ウエハープロセス技術を
用いて請求項２の溝を形成したことを特徴としている。
格子の格子形成方法は、半導体ウエハープロセス技術を
用いて請求項２の溝を形成したことを特徴としている。
【００１６】
【作用】本発明の請求項１に係るビーム調整用標準格子
について説明する。ビーム調整時、荷電粒子ビームが照
射されると、スパッタリングされたビーム調整用標準格
子の組成成分が荷電粒子ビーム分析装置内に浮遊・付着
することになる。だが、ビーム調整用標準格子は分析し
ようとする分析対象試料の含有成分以外の材質から構成
されているので、上記した浮遊・付着の組成成分が分析
対象試料の成分を分析を行う上で妨げることがなくなる
。
について説明する。ビーム調整時、荷電粒子ビームが照
射されると、スパッタリングされたビーム調整用標準格
子の組成成分が荷電粒子ビーム分析装置内に浮遊・付着
することになる。だが、ビーム調整用標準格子は分析し
ようとする分析対象試料の含有成分以外の材質から構成
されているので、上記した浮遊・付着の組成成分が分析
対象試料の成分を分析を行う上で妨げることがなくなる
。
【００１７】本発明の請求項２に係るビーム調整用標準
格子について説明する。分析しようとする分析対象試料
の含有成分以外の材質である板材に格子状の溝を直接形
成してあるので、分析の妨げとなる不純物成分が荷電粒
子ビーム分析装置内へ侵入することがなくなる。
格子について説明する。分析しようとする分析対象試料
の含有成分以外の材質である板材に格子状の溝を直接形
成してあるので、分析の妨げとなる不純物成分が荷電粒
子ビーム分析装置内へ侵入することがなくなる。
【００１８】本発明の請求項４に係るビーム調整用標準
格子について説明する。標準格子として形成した溝の深
さＴと幅Ｌとの関係を概ね（Ｔ／Ｌ）＜１とすると、ビ
ーム調整時、荷電粒子ビームが照射されたときに発生す
る２次電子又は２次イオンのレベルは、溝の部分と溝以
外の部分とで大きな差が付かず（但し、溝のエッジ部分
は他の部分よりレベルが高い）、結果としてこの２次電
子又は２次イオンのレベルにより得られるビーム調整用
標準格子の格子像はコントラストの点で良好となる。
格子について説明する。標準格子として形成した溝の深
さＴと幅Ｌとの関係を概ね（Ｔ／Ｌ）＜１とすると、ビ
ーム調整時、荷電粒子ビームが照射されたときに発生す
る２次電子又は２次イオンのレベルは、溝の部分と溝以
外の部分とで大きな差が付かず（但し、溝のエッジ部分
は他の部分よりレベルが高い）、結果としてこの２次電
子又は２次イオンのレベルにより得られるビーム調整用
標準格子の格子像はコントラストの点で良好となる。
【００１９】本発明の請求項５に係るビーム調整用標準
格子について説明する。上記した溝を半導体ウエハープ
ロセス技術を用いて形成すると、溝の幅及び溝のピッチ
間隔を小さくすることが容易にできる。
格子について説明する。上記した溝を半導体ウエハープ
ロセス技術を用いて形成すると、溝の幅及び溝のピッチ
間隔を小さくすることが容易にできる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。ここで例をあげて説明するビーム調整用標準格子
は、高純度のシリコン基板（分析対象試料）内に含有す
るアルミニウムの不純物を２次イオン質量分析装置を用
いて分析する場合に、この分析前に行われる２次イオン
質量分析装置の入射荷電粒子ビーム（イオンビーム）を
調整する際に使用されるものである。
する。ここで例をあげて説明するビーム調整用標準格子
は、高純度のシリコン基板（分析対象試料）内に含有す
るアルミニウムの不純物を２次イオン質量分析装置を用
いて分析する場合に、この分析前に行われる２次イオン
質量分析装置の入射荷電粒子ビーム（イオンビーム）を
調整する際に使用されるものである。
【００２１】図１はビーム調整用標準格子の斜視図であ
る。図中示すビーム調整用標準格子１は、アルミニウム
以外の材質としてここでは高純度のシリコンが使用され
ており、このシリコンの基板上に格子状の溝１１が直接
に形成された構成となっている。以下、シリコンの基板
上に溝１１を形成する方法について説明する。
る。図中示すビーム調整用標準格子１は、アルミニウム
以外の材質としてここでは高純度のシリコンが使用され
ており、このシリコンの基板上に格子状の溝１１が直接
に形成された構成となっている。以下、シリコンの基板
上に溝１１を形成する方法について説明する。
【００２２】まず第１の方法として、刃の幅が１０μｍ
程度の外周刃を有するスライサー（ ダイシングマシ
ン等） を用いて、シリコンの基板の表面へ切り込み溝
を形成する。その際、シリコンの基板は切り込み溝の上
端で欠け（ チッピング） が発生し安いので、外周刃
の回転数は非常に高速である必要がある。ここでは３０
０００ ｒｐｍ の回転数を採用し、切り込み速度も低
速度である方が上記欠けが発生し難いので、本実施例で
は１ｍｍ／秒以下の切り込み速度を採用する。このよう
な方法で、深さＴ＝１０μｍ 、幅Ｌ＝５ μｍ 、ピ
ッチ間隔＝１５μｍの格子状の溝１１を形成した（ こ
のビーム調整用標準格子１を、説明の都合上、Ａタイプ
のビーム調整用標準格子１とする）。
程度の外周刃を有するスライサー（ ダイシングマシ
ン等） を用いて、シリコンの基板の表面へ切り込み溝
を形成する。その際、シリコンの基板は切り込み溝の上
端で欠け（ チッピング） が発生し安いので、外周刃
の回転数は非常に高速である必要がある。ここでは３０
０００ ｒｐｍ の回転数を採用し、切り込み速度も低
速度である方が上記欠けが発生し難いので、本実施例で
は１ｍｍ／秒以下の切り込み速度を採用する。このよう
な方法で、深さＴ＝１０μｍ 、幅Ｌ＝５ μｍ 、ピ
ッチ間隔＝１５μｍの格子状の溝１１を形成した（ こ
のビーム調整用標準格子１を、説明の都合上、Ａタイプ
のビーム調整用標準格子１とする）。
【００２３】上記の場合より溝１１の幅及びピッチ間隔
を小さくしようとするときには、スライサーの刃の薄い
ものを使用すれば良いが、これでは限度があるので、第
２の方法として、周知の半導体ウエハープロセス技術を
利用した方法により溝１１を形成する。即ち、シリコン
の基板の表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグ
ラフの技術を用いて格子状のレジストのパターンニング
を行い、その後、異方性のプラズマエッチングによりシ
リコン基板に対し溝堀を行う。このような方法で、深さ
Ｔ＝０．４ μｍ 、幅Ｌ＝０．５ μｍ 、ピッチ間
隔＝０．５ μｍ の格子状の溝１１を形成した（ こ
のビーム調整用標準格子１を、説明の都合上、Ｂタイプ
のビーム調整用標準格子１とする）。なお、簡単のため
に硫酸を１５０ ℃程度に熱し、フォトレジストが塗布
された状態のシリコンの基板を浸液してフォトレジスト
の剥離を行った。
を小さくしようとするときには、スライサーの刃の薄い
ものを使用すれば良いが、これでは限度があるので、第
２の方法として、周知の半導体ウエハープロセス技術を
利用した方法により溝１１を形成する。即ち、シリコン
の基板の表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグ
ラフの技術を用いて格子状のレジストのパターンニング
を行い、その後、異方性のプラズマエッチングによりシ
リコン基板に対し溝堀を行う。このような方法で、深さ
Ｔ＝０．４ μｍ 、幅Ｌ＝０．５ μｍ 、ピッチ間
隔＝０．５ μｍ の格子状の溝１１を形成した（ こ
のビーム調整用標準格子１を、説明の都合上、Ｂタイプ
のビーム調整用標準格子１とする）。なお、簡単のため
に硫酸を１５０ ℃程度に熱し、フォトレジストが塗布
された状態のシリコンの基板を浸液してフォトレジスト
の剥離を行った。
【００２４】上記したようなビーム調整用標準格子１を
用いて２次イオン質量分析装置の入射荷電粒子ビーム（
イオンビーム）を調整する。このビーム調整時、ビーム
調整用標準格子１に荷電粒子ビームが連続して照射され
る結果、従来の場合と同じく、スパッタリングされたビ
ーム調整用標準格子１の組成成分が２次イオン質量分析
装置内に浮遊・付着することになる。
用いて２次イオン質量分析装置の入射荷電粒子ビーム（
イオンビーム）を調整する。このビーム調整時、ビーム
調整用標準格子１に荷電粒子ビームが連続して照射され
る結果、従来の場合と同じく、スパッタリングされたビ
ーム調整用標準格子１の組成成分が２次イオン質量分析
装置内に浮遊・付着することになる。
【００２５】だが、２次イオン質量分析装置に分析対象
試料たるシリコン基板をセットし、このシリコン基板中
に含有するアルミニウムの不純物を分析しても、従来の
場合とは異なり、ビーム調整時に浮遊・付着した組成成
分がこの分析を行う上で大きな影響を及ぼすことはない
。なぜなら、浮遊・付着した組成成分は、ここで分析を
行うとしているアルミニウムでなく、高純度なシリコン
だからである。ビーム調整用標準格子１の材質は本実施
例ではアルミニウムでなければ何でも良いが、不純物の
含まない単一の素材は入手し難いので、高純度のものが
容易に入手できるシリコン基板を使用するようにしてい
る。
試料たるシリコン基板をセットし、このシリコン基板中
に含有するアルミニウムの不純物を分析しても、従来の
場合とは異なり、ビーム調整時に浮遊・付着した組成成
分がこの分析を行う上で大きな影響を及ぼすことはない
。なぜなら、浮遊・付着した組成成分は、ここで分析を
行うとしているアルミニウムでなく、高純度なシリコン
だからである。ビーム調整用標準格子１の材質は本実施
例ではアルミニウムでなければ何でも良いが、不純物の
含まない単一の素材は入手し難いので、高純度のものが
容易に入手できるシリコン基板を使用するようにしてい
る。
【００２６】この結果、非常に低濃度（１０−１７ ａ
ｔｍｓ／ ｃｍ３ 以下 ）の領域で分析対象試料たる
シリコン基板に含有するアルミニウムの有無或いは定量
分析を行うことが可能となった。言い換えると、ビーム
調整を行うことで、２次イオン質量分析装置の本来有す
る２次イオン質量分解能が低下するという事態を無くす
ことができた。
ｔｍｓ／ ｃｍ３ 以下 ）の領域で分析対象試料たる
シリコン基板に含有するアルミニウムの有無或いは定量
分析を行うことが可能となった。言い換えると、ビーム
調整を行うことで、２次イオン質量分析装置の本来有す
る２次イオン質量分解能が低下するという事態を無くす
ことができた。
【００２７】しかもビーム調整用標準格子１は従来の場
合と異なり接着材を使用せず、従来に比べて２次イオン
質量分析装置内に分析の妨げとなる不純物が侵入し難く
なり、２次イオン質量分析装置の有する分析能力を十分
に発揮させることが可能となった。
合と異なり接着材を使用せず、従来に比べて２次イオン
質量分析装置内に分析の妨げとなる不純物が侵入し難く
なり、２次イオン質量分析装置の有する分析能力を十分
に発揮させることが可能となった。
【００２８】また、ビーム調整時、２次イオン質量分析
装置のディスプレイに拡大して表示されるビーム調整用
標準格子１の格子像は、ＡタイプのものよりＢタイプの
ものの方がコントラストの点で良好であることが判明し
た。これは溝１１の幅Ｔに対して深さＬが大き過ぎると
、溝１１の底面から反射した２次イオンが溝１１の側面
で乱反射し、この部分の２次イオンのレベルに誤差が生
じるからであると考えられる。実験の結果、溝１１の深
さＴと幅Ｌとの関係を概ね（Ｔ／Ｌ）＜１に設定すると
、荷電粒子ビームが照射されたときに発生する２次イオ
ンのレベルは、溝１１の部分と溝１１以外の部分とで大
きな差が付かず（ 溝１１のエッジの部分とこれ以外の
部分との２次イオンのレベルは大きな差がある） 、結
果としてビーム調整用標準格子１の格子像は高倍率であ
りながらコントラストの点で良好となった。
装置のディスプレイに拡大して表示されるビーム調整用
標準格子１の格子像は、ＡタイプのものよりＢタイプの
ものの方がコントラストの点で良好であることが判明し
た。これは溝１１の幅Ｔに対して深さＬが大き過ぎると
、溝１１の底面から反射した２次イオンが溝１１の側面
で乱反射し、この部分の２次イオンのレベルに誤差が生
じるからであると考えられる。実験の結果、溝１１の深
さＴと幅Ｌとの関係を概ね（Ｔ／Ｌ）＜１に設定すると
、荷電粒子ビームが照射されたときに発生する２次イオ
ンのレベルは、溝１１の部分と溝１１以外の部分とで大
きな差が付かず（ 溝１１のエッジの部分とこれ以外の
部分との２次イオンのレベルは大きな差がある） 、結
果としてビーム調整用標準格子１の格子像は高倍率であ
りながらコントラストの点で良好となった。
【００２９】更に、溝１１の幅及びピッチ間隔を小さく
するときには、半導体ウエハープロセス技術を利用した
第２の方法により溝１１を形成した方がベターであるこ
とは既に述べたが、溝１１の幅及びピッチ間隔を小さく
すると、ビーム調整を精度良く行うことができる。即ち
、溝１１のピッチ間隔が１５μｍ のビーム調整用標準
格子１を使用すると、２次イオン質量分析装置により観
察できる２次イオン像の倍率は、１〜２０００倍程度が
限度であるが、１ μｍ のビーム調整用標準格子１を
使用すると、２ 〜３００００ 倍程度にまで上げるこ
とができ、この結果、２次イオン質量分析装置のビーム
調整を精度良く行うことができる。しかも２次イオン質
量分析装置で大規模集積回路の製造プロセスの解析を行
う場合に特に必要とされる、平面的な一分解能を向上さ
せることが可能となり、２次イオン質量分析装置の性能
を従来以上に高めることが可能となった。
するときには、半導体ウエハープロセス技術を利用した
第２の方法により溝１１を形成した方がベターであるこ
とは既に述べたが、溝１１の幅及びピッチ間隔を小さく
すると、ビーム調整を精度良く行うことができる。即ち
、溝１１のピッチ間隔が１５μｍ のビーム調整用標準
格子１を使用すると、２次イオン質量分析装置により観
察できる２次イオン像の倍率は、１〜２０００倍程度が
限度であるが、１ μｍ のビーム調整用標準格子１を
使用すると、２ 〜３００００ 倍程度にまで上げるこ
とができ、この結果、２次イオン質量分析装置のビーム
調整を精度良く行うことができる。しかも２次イオン質
量分析装置で大規模集積回路の製造プロセスの解析を行
う場合に特に必要とされる、平面的な一分解能を向上さ
せることが可能となり、２次イオン質量分析装置の性能
を従来以上に高めることが可能となった。
【００３０】なお、本発明に係るビーム調整用標準格子
は、２次イオン質量分析装置だけの適用に限定されず、
ＳＥＭ、ＦＩＢ、ＲＢＳその他の荷電粒子ビーム分析装
置にも適用可能である。
は、２次イオン質量分析装置だけの適用に限定されず、
ＳＥＭ、ＦＩＢ、ＲＢＳその他の荷電粒子ビーム分析装
置にも適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上、本発明の請求項１に係るビーム調
整用標準格子による場合には、ビーム調整時、荷電粒子
ビームが照射されると、スパッタリングされたビーム調
整用標準格子の組成成分が荷電粒子ビーム分析装置内に
浮遊・付着することになるが、その浮遊・付着した組成
成分は分析対象試料の含有成分でないので、これが荷電
粒子ビーム分析装置にて行われる分析に大きな影響を及
ぼすことがなくなる。よって、荷電粒子ビーム分析装置
の分析能力を従来以上に高めることができる。
整用標準格子による場合には、ビーム調整時、荷電粒子
ビームが照射されると、スパッタリングされたビーム調
整用標準格子の組成成分が荷電粒子ビーム分析装置内に
浮遊・付着することになるが、その浮遊・付着した組成
成分は分析対象試料の含有成分でないので、これが荷電
粒子ビーム分析装置にて行われる分析に大きな影響を及
ぼすことがなくなる。よって、荷電粒子ビーム分析装置
の分析能力を従来以上に高めることができる。
【００３２】本発明の請求項２に係るビーム調整用標準
格子による場合には、接着材を使用しない構成となって
いるので、従来に比べて荷電粒子ビーム分析装置内に分
析の妨げとなる不純物が侵入し難くなり、荷電粒子ビー
ム分析装置の有する分析能力を十分に発揮させることが
できる。
格子による場合には、接着材を使用しない構成となって
いるので、従来に比べて荷電粒子ビーム分析装置内に分
析の妨げとなる不純物が侵入し難くなり、荷電粒子ビー
ム分析装置の有する分析能力を十分に発揮させることが
できる。
【００３３】本発明の請求項３に係るビーム調整用標準
格子による場合には、高純度のものが容易に入手できる
シリコンから構成されているので、コストの点でメリッ
トのある他、荷電粒子ビーム分析装置の有する分析能力
を従来以上に高めることができる。
格子による場合には、高純度のものが容易に入手できる
シリコンから構成されているので、コストの点でメリッ
トのある他、荷電粒子ビーム分析装置の有する分析能力
を従来以上に高めることができる。
【００３４】本発明の請求項４に係るビーム調整用標準
格子による場合には、荷電粒子ビームが照射されたとき
に発生する２次電子又は２次イオンのレベルが、溝の部
分と溝以外の部分とで大きな差が付かず、この結果、荷
電粒子ビーム分析装置で表示されるビーム調整用標準格
子の格子像は高倍率でありながらコントラストの点で良
好となるというメリットがある。よって、荷電粒子ビー
ム分析装置のビーム調整を精度良く且つ容易に行うこと
ができ、これに伴って荷電粒子ビーム分析装置の性能を
高めることができる。
格子による場合には、荷電粒子ビームが照射されたとき
に発生する２次電子又は２次イオンのレベルが、溝の部
分と溝以外の部分とで大きな差が付かず、この結果、荷
電粒子ビーム分析装置で表示されるビーム調整用標準格
子の格子像は高倍率でありながらコントラストの点で良
好となるというメリットがある。よって、荷電粒子ビー
ム分析装置のビーム調整を精度良く且つ容易に行うこと
ができ、これに伴って荷電粒子ビーム分析装置の性能を
高めることができる。
【００３５】本発明の請求項５に係るビーム調整用標準
格子の格子形成方法による場合には、溝の幅及びピッチ
間隔の小さなビーム調整用標準格子を容易に作成するこ
とができる。当該ビーム調整用標準格子を用いて荷電粒
子ビーム分析装置のビーム調整を行った場合、ビーム調
整用標準格子の格子像の倍率を高く設定することができ
ることから、ビーム調整を精度良く行うことができ、こ
れに伴って荷電粒子ビーム分析装置の性能を高めること
ができる。
格子の格子形成方法による場合には、溝の幅及びピッチ
間隔の小さなビーム調整用標準格子を容易に作成するこ
とができる。当該ビーム調整用標準格子を用いて荷電粒
子ビーム分析装置のビーム調整を行った場合、ビーム調
整用標準格子の格子像の倍率を高く設定することができ
ることから、ビーム調整を精度良く行うことができ、こ
れに伴って荷電粒子ビーム分析装置の性能を高めること
ができる。
【図１】本発明の実施例を説明するためのビーム調整用
標準格子の斜視図である。
標準格子の斜視図である。
【図２】従来のビーム調整用標準格子を説明するための
図１に対応する図である。
図１に対応する図である。
【図３】従来のビーム調整用標準格子を用いて入射荷電
粒子ビームの調節を行った後、高純度シリコン基板内に
含有するアルミニウムの不純物を２次イオン質量分析装
置を用いて分析した際に検出されたアルミニウムイオン
の検出量の時間変化を示したグラフである。
粒子ビームの調節を行った後、高純度シリコン基板内に
含有するアルミニウムの不純物を２次イオン質量分析装
置を用いて分析した際に検出されたアルミニウムイオン
の検出量の時間変化を示したグラフである。
１ ビーム調整用標準格子
１１ 溝
Claims (5)
- 【請求項１】 分析対象試料に含有されている成分を
分析する荷電粒子ビーム分析装置に使用されるビーム調
整用標準格子であって、当該成分以外の材質から構成さ
れていることを特徴とする荷電粒子ビーム分析装置のビ
ーム調整用標準格子。 - 【請求項２】 請求項１の材質である板材に格子状の
溝を直接形成してあることを特徴とする荷電粒子ビーム
分析装置のビーム調整用標準格子。 - 【請求項３】 シリコンから構成されている請求項１
又は請求項２の荷電粒子ビーム分析装置のビーム調整用
標準格子。 - 【請求項４】 請求項２の溝の深さＴと幅Ｌとの関係
を概ね（Ｔ／Ｌ）＜１としてあることを特徴とする荷電
粒子ビーム分析装置のビーム調整用標準格子。 - 【請求項５】 半導体ウエハープロセス技術を用いて
請求項２の溝を形成したことを特徴とするビーム調整用
標準格子の格子形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173121A JP2676120B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 荷電粒子ビーム分析装置のビーム調整方法 |
| EP92305530A EP0519693B1 (en) | 1991-06-17 | 1992-06-17 | Reference grid for use in charged particle beam spectroscopes |
| DE1992627606 DE69227606T2 (de) | 1991-06-17 | 1992-06-17 | Referenzgitter in Spektroskopen mit geladenen Teilchenstrahlen |
| US07/903,467 US5336895A (en) | 1991-06-17 | 1992-06-25 | Impurity free reference grid for use charged partiole beam spectroscopes |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173121A JP2676120B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 荷電粒子ビーム分析装置のビーム調整方法 |
| US07/903,467 US5336895A (en) | 1991-06-17 | 1992-06-25 | Impurity free reference grid for use charged partiole beam spectroscopes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04368767A true JPH04368767A (ja) | 1992-12-21 |
| JP2676120B2 JP2676120B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=26495223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3173121A Expired - Fee Related JP2676120B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 荷電粒子ビーム分析装置のビーム調整方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5336895A (ja) |
| EP (1) | EP0519693B1 (ja) |
| JP (1) | JP2676120B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794569A (ja) * | 1993-06-07 | 1995-04-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 較正標準及び較正標準の生成方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100191347B1 (ko) * | 1996-08-09 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 공정의 주사전자현미경 관리용 미세선폭 관리시료 |
| JP3260663B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2002-02-25 | 沖電気工業株式会社 | ホール内表面の組成分布検出方法 |
| JP4287671B2 (ja) | 2003-02-19 | 2009-07-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 測長用標準部材およびその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム測長装置 |
| US7228900B2 (en) * | 2004-06-15 | 2007-06-12 | Halliburton Energy Services, Inc. | System and method for determining downhole conditions |
| JP4724753B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-07-13 | コリア ベーシック サイエンス インスティテュート | 超薄カーボン支持膜の製造方法 |
| JP5361137B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム測長装置 |
| CN104022005B (zh) * | 2014-06-23 | 2016-08-17 | 中山大学 | 一种硅/氧化硅基新型微栅及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58106746A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-25 | Fujitsu Ltd | 電子レンズの軸合せ方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4163900A (en) * | 1977-08-17 | 1979-08-07 | Connecticut Research Institute, Inc. | Composite electron microscope grid suitable for energy dispersive X-ray analysis, process for producing the same and other micro-components |
| JPS5624933A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-10 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of detecting position of reference mark |
| JPS5754320A (ja) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Fujitsu Ltd | Denshibiimurokohoho |
| FR2575597B1 (fr) * | 1984-12-28 | 1987-03-20 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Appareil pour la micro-analyse ionique a tres haute resolution d'un echantillon solide |
| US4818873A (en) * | 1987-10-30 | 1989-04-04 | Vickers Instruments (Canada) Inc. | Apparatus for automatically controlling the magnification factor of a scanning electron microscope |
| US5233191A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of inspecting foreign matters during mass production start-up and mass production line in semiconductor production process |
| US5043586A (en) * | 1990-10-25 | 1991-08-27 | International Business Machines Corporation | Planarized, reusable calibration grids |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP3173121A patent/JP2676120B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-17 EP EP92305530A patent/EP0519693B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-25 US US07/903,467 patent/US5336895A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58106746A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-25 | Fujitsu Ltd | 電子レンズの軸合せ方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794569A (ja) * | 1993-06-07 | 1995-04-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 較正標準及び較正標準の生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0519693B1 (en) | 1998-11-18 |
| EP0519693A1 (en) | 1992-12-23 |
| JP2676120B2 (ja) | 1997-11-12 |
| US5336895A (en) | 1994-08-09 |
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