JPH07218201A - 平面距離較正用スケール、その製造方法および平面距離較正方法 - Google Patents
平面距離較正用スケール、その製造方法および平面距離較正方法Info
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- JPH07218201A JPH07218201A JP1240294A JP1240294A JPH07218201A JP H07218201 A JPH07218201 A JP H07218201A JP 1240294 A JP1240294 A JP 1240294A JP 1240294 A JP1240294 A JP 1240294A JP H07218201 A JPH07218201 A JP H07218201A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高倍率で観察したときにも、微細な形状の絶
対的な寸法を測定する。 【構成】 シリコンからなる基板１の主面１ａ上にシリ
コンの熱酸化膜からなりかつ膜厚が１ｎｍ〜１０μｍの
薄膜２を設け、基板１の主面１ａに直角な端面１４をス
ケールとする。
対的な寸法を測定する。 【構成】 シリコンからなる基板１の主面１ａ上にシリ
コンの熱酸化膜からなりかつ膜厚が１ｎｍ〜１０μｍの
薄膜２を設け、基板１の主面１ａに直角な端面１４をス
ケールとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は顕微法での微細な同一
平面内の距離の較正に用いる平面距離較正用スケール、
その製造方法および平面距離較正方法に関するものであ
る。
平面内の距離の較正に用いる平面距離較正用スケール、
その製造方法および平面距離較正方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】微細加工技術の向上により、ＬＳＩやマ
イクロマシンのようなμｍオーダー以下の微細な構造物
が製造されている。この場合、加工後の構造物の形状の
測定は非常に重要であり、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
に代表される各種の高分解能の顕微鏡による形状観察が
行なわれており、また走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、
走査原子力間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の走査プローブ顕微
鏡による三次元形状の観察が行なわれている。このよう
に、顕微法で微細な形状の観察を行なう場合には、平面
距離の較正を行なう必要がある。
イクロマシンのようなμｍオーダー以下の微細な構造物
が製造されている。この場合、加工後の構造物の形状の
測定は非常に重要であり、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
に代表される各種の高分解能の顕微鏡による形状観察が
行なわれており、また走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、
走査原子力間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の走査プローブ顕微
鏡による三次元形状の観察が行なわれている。このよう
に、顕微法で微細な形状の観察を行なう場合には、平面
距離の較正を行なう必要がある。
【０００３】従来、走査型電子顕微鏡において微細な形
状の観察を行なう場合には、１０００倍程度の低倍率で
寸法が既知である数十〜数百μｍの較正用のパターンを
観察し、これを基準として電気的な外挿手法により高倍
率で観察したパターンの寸法を較正している。
状の観察を行なう場合には、１０００倍程度の低倍率で
寸法が既知である数十〜数百μｍの較正用のパターンを
観察し、これを基準として電気的な外挿手法により高倍
率で観察したパターンの寸法を較正している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、走査型電子顕
微鏡において電気的な外挿手法を用いた場合には、収差
等の影響により高倍率で観察したときの較正誤差が大き
い。また、走査プローブ顕微鏡においては、ピエゾ素子
を用いて走査を行なっているから、走査型電子顕微鏡と
比較して収差がけた違いに大きいので、走査プローブ顕
微鏡において電気的な外挿手法を用いた場合には、高倍
率で観察したときの較正誤差が非常に大きくなる。この
ため、走査型電子顕微鏡、走査プローブ顕微鏡において
高倍率で観察したときには、微細な形状の絶対的な寸法
を測定することができない。
微鏡において電気的な外挿手法を用いた場合には、収差
等の影響により高倍率で観察したときの較正誤差が大き
い。また、走査プローブ顕微鏡においては、ピエゾ素子
を用いて走査を行なっているから、走査型電子顕微鏡と
比較して収差がけた違いに大きいので、走査プローブ顕
微鏡において電気的な外挿手法を用いた場合には、高倍
率で観察したときの較正誤差が非常に大きくなる。この
ため、走査型電子顕微鏡、走査プローブ顕微鏡において
高倍率で観察したときには、微細な形状の絶対的な寸法
を測定することができない。
【０００５】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、高倍率で観察したときにも、微細な形状
の絶対的な寸法を測定することができる平面距離較正用
スケール、その製造方法および平面距離較正方法を提供
することを目的とする。
されたもので、高倍率で観察したときにも、微細な形状
の絶対的な寸法を測定することができる平面距離較正用
スケール、その製造方法および平面距離較正方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、平面距離較正用スケールにお
いて、基板の主面上に少なくとも１層の薄膜からなる薄
膜層を設け、上記基板の上記主面に直角な端面をスケー
ルとする。
め、この発明においては、平面距離較正用スケールにお
いて、基板の主面上に少なくとも１層の薄膜からなる薄
膜層を設け、上記基板の上記主面に直角な端面をスケー
ルとする。
【０００７】この場合、上記薄膜層として、少なくとも
２つの材質からなる上記薄膜を多層に設けたものを用い
る。
２つの材質からなる上記薄膜を多層に設けたものを用い
る。
【０００８】この場合、上記薄膜層の少なくとも１層の
上記薄膜の上記端面部に溝を設ける。
上記薄膜の上記端面部に溝を設ける。
【０００９】また、基板の主面上に１層の薄膜を設け、
上記基板の上記主面に直角な端面をスケールとする平面
距離較正用スケールを製造する方法において、シリコン
からなる上記基板の表面を熱酸化して上記薄膜を形成す
る。
上記基板の上記主面に直角な端面をスケールとする平面
距離較正用スケールを製造する方法において、シリコン
からなる上記基板の表面を熱酸化して上記薄膜を形成す
る。
【００１０】また、基板の主面上に少なくとも２つの材
質からなる薄膜を多層に設け、上記基板の上記主面に直
角な端面をスケールとする平面距離較正用スケールを製
造する方法において、スパッタ法により上記薄膜を形成
する。
質からなる薄膜を多層に設け、上記基板の上記主面に直
角な端面をスケールとする平面距離較正用スケールを製
造する方法において、スパッタ法により上記薄膜を形成
する。
【００１１】この場合、上記端面をエッチングする。
【００１２】また、平面距離較正方法において、基板の
主面上に少なくとも１層の薄膜からなる薄膜層を設けた
平面距離較正用スケールの上記基板の上記主面に直角な
端面をスケールとする。
主面上に少なくとも１層の薄膜からなる薄膜層を設けた
平面距離較正用スケールの上記基板の上記主面に直角な
端面をスケールとする。
【００１３】
【作用】この平面距離較正用スケール、平面距離較正方
法においては、微細な形状の平面距離較正を正確に行な
うことができる。
法においては、微細な形状の平面距離較正を正確に行な
うことができる。
【００１４】また、薄膜層として、少なくとも２つの材
質からなる薄膜を多層に設けたものを用いたときには、
所定パターンの寸法を容易に測定することができる。
質からなる薄膜を多層に設けたものを用いたときには、
所定パターンの寸法を容易に測定することができる。
【００１５】また、薄膜層の少なくとも１層の薄膜の端
面部に溝を設けたときには、コントラストが向上する。
面部に溝を設けたときには、コントラストが向上する。
【００１６】また、シリコンかならる基板の表面を熱酸
化して薄膜を形成したときには、熱酸化膜の膜厚の制御
性が優れており、しかも熱酸化膜の膜厚を正確に測定す
ることができる。
化して薄膜を形成したときには、熱酸化膜の膜厚の制御
性が優れており、しかも熱酸化膜の膜厚を正確に測定す
ることができる。
【００１７】また、スパッタ法により薄膜を形成したと
きには、膜厚が均一な薄膜を形成することができる。
きには、膜厚が均一な薄膜を形成することができる。
【００１８】また、端面をエッチングしたときには、エ
ッチング速度の差により１つの材質からなる薄膜の端面
部に溝を設けることができる。
ッチング速度の差により１つの材質からなる薄膜の端面
部に溝を設けることができる。
【００１９】
【実施例】図１はこの発明に係る平面距離較正用スケー
ルを示す概略図である。図に示すように、シリコンから
なる基板１の主面１ａ上にシリコンの熱酸化膜からなり
かつ膜厚が１ｎｍ〜１０μｍの薄膜２が設けられ、基板
１の主面１ａに直角な端面１４がスケールとされる。
ルを示す概略図である。図に示すように、シリコンから
なる基板１の主面１ａ上にシリコンの熱酸化膜からなり
かつ膜厚が１ｎｍ〜１０μｍの薄膜２が設けられ、基板
１の主面１ａに直角な端面１４がスケールとされる。
【００２０】この平面距離較正用スケールを用いて平面
距離の較正を行なうには、顕微鏡で平面距離較正用スケ
ールを所定倍率で観察したときの像の大きさを記録して
おき、実際の観察におけるパターンの像の大きさと平面
距離較正用スケールの像の大きさとを比較して、パター
ンの絶対的な寸法を測定する。
距離の較正を行なうには、顕微鏡で平面距離較正用スケ
ールを所定倍率で観察したときの像の大きさを記録して
おき、実際の観察におけるパターンの像の大きさと平面
距離較正用スケールの像の大きさとを比較して、パター
ンの絶対的な寸法を測定する。
【００２１】この平面距離較正用スケール、平面距離較
正方法においては、１ｎｍ〜１０μｍでの平面距離較正
を正確に行なうことができるから、高倍率で観察したと
きにも、微細な形状の絶対的な寸法を測定することがで
きる。
正方法においては、１ｎｍ〜１０μｍでの平面距離較正
を正確に行なうことができるから、高倍率で観察したと
きにも、微細な形状の絶対的な寸法を測定することがで
きる。
【００２２】つぎに、図１に示した平面距離較正用スケ
ールの製造方法を第２図により説明する。まず、表面が
平坦なシリコンウェハ３を熱酸化することにより、シリ
コンウェハ３の表面にシリコンの熱酸化膜４を形成す
る。つぎに、熱酸化膜４を形成したシリコンウェハ３を
一転鎖線で示したように切断し、切断面のうちの１つの
面を十分に平滑化して、端面１４とする。
ールの製造方法を第２図により説明する。まず、表面が
平坦なシリコンウェハ３を熱酸化することにより、シリ
コンウェハ３の表面にシリコンの熱酸化膜４を形成す
る。つぎに、熱酸化膜４を形成したシリコンウェハ３を
一転鎖線で示したように切断し、切断面のうちの１つの
面を十分に平滑化して、端面１４とする。
【００２３】この平面距離較正用スケールの製造方法に
おいては、熱酸化膜４の膜厚の制御性が優れており、し
かもエリプソメトリ等の光学的手法により熱酸化膜４の
膜厚を正確に測定することができるから、薄膜２の正確
な膜厚が既知である平面距離較正用スケールを得ること
ができる。
おいては、熱酸化膜４の膜厚の制御性が優れており、し
かもエリプソメトリ等の光学的手法により熱酸化膜４の
膜厚を正確に測定することができるから、薄膜２の正確
な膜厚が既知である平面距離較正用スケールを得ること
ができる。
【００２４】図３はこの発明に係る他の平面距離較正用
スケールを示す概略正面図、図４は図３に示した平面距
離較正用スケールを示す概略平面図、図５は図４の一部
拡大図である。図に示すように、シリコンからなる基板
５の主面５ａに薄膜層６が設けられ、薄膜層６は膜厚が
１０、２０、３０、４０、５０、１０、６０、８０、１
００、２００ｎｍのタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、
タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの間に設けられた膜厚
が５０ｎｍの炭素薄膜１１および膜厚が２００ｎｍの酸
化シリコン膜１２から構成されている。また、基板５に
は１０枚のシリコン基板９を積層した基体７が張り付け
られ、薄膜層６には１０枚のシリコン基板９を積層した
基体８が張り付けられ、基板５の主面５ａに直角な端面
１５がスケールとされる。
スケールを示す概略正面図、図４は図３に示した平面距
離較正用スケールを示す概略平面図、図５は図４の一部
拡大図である。図に示すように、シリコンからなる基板
５の主面５ａに薄膜層６が設けられ、薄膜層６は膜厚が
１０、２０、３０、４０、５０、１０、６０、８０、１
００、２００ｎｍのタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、
タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの間に設けられた膜厚
が５０ｎｍの炭素薄膜１１および膜厚が２００ｎｍの酸
化シリコン膜１２から構成されている。また、基板５に
は１０枚のシリコン基板９を積層した基体７が張り付け
られ、薄膜層６には１０枚のシリコン基板９を積層した
基体８が張り付けられ、基板５の主面５ａに直角な端面
１５がスケールとされる。
【００２５】この平面距離較正用スケールにおいては、
膜厚が異なるタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊが形成さ
れているから、所定パターンの寸法を容易に測定するこ
とができるので、平面距離較正を容易に行なうことがで
きる。また、基板５、薄膜層６に基体７、８が張り付け
られているから、取扱が容易である。
膜厚が異なるタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊが形成さ
れているから、所定パターンの寸法を容易に測定するこ
とができるので、平面距離較正を容易に行なうことがで
きる。また、基板５、薄膜層６に基体７、８が張り付け
られているから、取扱が容易である。
【００２６】つぎに、図３〜図５に示した平面距離較正
用スケールの製造方法について説明する。まず、基板５
の平坦な主面５ａ上にスパッタ法によりタングステン薄
膜１０ａを設け、タングステン薄膜１０ａ上にスパッタ
法により炭素薄膜１１を設け、炭素薄膜１１上にスパッ
タ法によりタングステン薄膜１０ｂを設け、タングステ
ン薄膜１０ｂ上にスパッタ法により炭素薄膜１１を設け
る。このようにして、さらにタングステン薄膜１０ｃ〜
１０ｊおよびタングステン薄膜１０ｃ〜１０ｊ間の炭素
薄膜１１を設ける。つぎに、タングステン薄膜１０ｊ上
にスパッタ法により炭素薄膜１１を設け、その炭素薄膜
１１上にスパッタ法により酸化シリコン膜１２を設け
る。この場合、タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、炭素
薄膜１１、酸化シリコン膜１２の膜厚はスパッタ時間に
より制御する。つぎに、基板５、薄膜層６にそれぞれ１
０枚のシリコン基板９を張り付けて、積層体とする。つ
ぎに、積層体を主面５ａと直角な面で切り出し、切出面
のうちの１面を十分に平滑化して、端面１５とする。
用スケールの製造方法について説明する。まず、基板５
の平坦な主面５ａ上にスパッタ法によりタングステン薄
膜１０ａを設け、タングステン薄膜１０ａ上にスパッタ
法により炭素薄膜１１を設け、炭素薄膜１１上にスパッ
タ法によりタングステン薄膜１０ｂを設け、タングステ
ン薄膜１０ｂ上にスパッタ法により炭素薄膜１１を設け
る。このようにして、さらにタングステン薄膜１０ｃ〜
１０ｊおよびタングステン薄膜１０ｃ〜１０ｊ間の炭素
薄膜１１を設ける。つぎに、タングステン薄膜１０ｊ上
にスパッタ法により炭素薄膜１１を設け、その炭素薄膜
１１上にスパッタ法により酸化シリコン膜１２を設け
る。この場合、タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、炭素
薄膜１１、酸化シリコン膜１２の膜厚はスパッタ時間に
より制御する。つぎに、基板５、薄膜層６にそれぞれ１
０枚のシリコン基板９を張り付けて、積層体とする。つ
ぎに、積層体を主面５ａと直角な面で切り出し、切出面
のうちの１面を十分に平滑化して、端面１５とする。
【００２７】この平面距離較正用スケールの製造方法に
おいては、スパッタ法によりタングステン薄膜１０ａ〜
１０ｊ、炭素薄膜１１を形成するから、膜厚が均一なタ
ングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、炭素薄膜１１を形成す
ることができるので、タングステン薄膜１０ａ〜１０
ｊ、炭素薄膜１１の端面１５における幅が均一である平
面距離較正用スケールを得ることができる。
おいては、スパッタ法によりタングステン薄膜１０ａ〜
１０ｊ、炭素薄膜１１を形成するから、膜厚が均一なタ
ングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、炭素薄膜１１を形成す
ることができるので、タングステン薄膜１０ａ〜１０
ｊ、炭素薄膜１１の端面１５における幅が均一である平
面距離較正用スケールを得ることができる。
【００２８】図６はこの発明に係る他の平面距離較正用
スケールの一部を示す断面図である。図に示すように、
タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの端面１５部に深さが
５ｎｍ程度の溝１３が設けられている。
スケールの一部を示す断面図である。図に示すように、
タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの端面１５部に深さが
５ｎｍ程度の溝１３が設けられている。
【００２９】この平面距離較正用スケールにおいては、
タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの像と炭素薄膜１１の
像とのコントラストが良好であるから、所定パターンの
寸法をさらに容易に測定することができるので、平面距
離較正をさらに容易に行なうことができる。
タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの像と炭素薄膜１１の
像とのコントラストが良好であるから、所定パターンの
寸法をさらに容易に測定することができるので、平面距
離較正をさらに容易に行なうことができる。
【００３０】つぎに、図６に示した平面距離較正用スケ
ールの製造方法について説明する。まず、上述と同様の
方法で図３〜図５に示した平面距離較正用スケールを製
造する。つぎに、この平面距離較正用スケールをアンモ
ニアと過酸化水素水との混合溶液中に浸漬する。する
と、タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊのエッチング速度
は炭素薄膜１１のエッチング速度より大きいから、タン
グステン薄膜１０ａ〜１０ｊに溝１３が形成される。
ールの製造方法について説明する。まず、上述と同様の
方法で図３〜図５に示した平面距離較正用スケールを製
造する。つぎに、この平面距離較正用スケールをアンモ
ニアと過酸化水素水との混合溶液中に浸漬する。する
と、タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊのエッチング速度
は炭素薄膜１１のエッチング速度より大きいから、タン
グステン薄膜１０ａ〜１０ｊに溝１３が形成される。
【００３１】この平面距離較正用スケールの製造方法に
おいては、エッチング速度の差によりタングステン薄膜
１０ａ〜１０ｊの端面１５部に溝１３を設けることがで
きるから、タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの端面１５
部に溝１３を有する平面距離較正用スケールを容易に製
造することができる。
おいては、エッチング速度の差によりタングステン薄膜
１０ａ〜１０ｊの端面１５部に溝１３を設けることがで
きるから、タングステン薄膜１０ａ〜１０ｊの端面１５
部に溝１３を有する平面距離較正用スケールを容易に製
造することができる。
【００３２】なお、上述実施例においては、スパッタ法
によりタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、炭素薄膜１１
を形成したが、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法、化学蒸
着（ＣＶＤ）法等により多層の薄膜層を設けてもよい。
また、上述実施例においては、薄膜層の薄膜としてタン
グステン薄膜１０ａ〜１０ｊと炭素薄膜１１とを形成し
たが、他の材質からなる薄膜を形成してもよい。ただ
し、薄膜の材質は各顕微法に応じてコントラストが大き
くなる組合せを選ぶのが望ましい。たとえば、走査型電
子顕微鏡においては、二次電子放出率の異なる材質の組
合せ、つまり原子量の大きく異なる組合せを選ぶのが望
ましい。また、上述実施例においては、薄膜層の薄膜と
してタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊと炭素薄膜１１と
を形成したが、エッチング速度が大きく異なる材質を用
いれば、短時間に薄膜の端面部の溝を設けることができ
る。
によりタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊ、炭素薄膜１１
を形成したが、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法、化学蒸
着（ＣＶＤ）法等により多層の薄膜層を設けてもよい。
また、上述実施例においては、薄膜層の薄膜としてタン
グステン薄膜１０ａ〜１０ｊと炭素薄膜１１とを形成し
たが、他の材質からなる薄膜を形成してもよい。ただ
し、薄膜の材質は各顕微法に応じてコントラストが大き
くなる組合せを選ぶのが望ましい。たとえば、走査型電
子顕微鏡においては、二次電子放出率の異なる材質の組
合せ、つまり原子量の大きく異なる組合せを選ぶのが望
ましい。また、上述実施例においては、薄膜層の薄膜と
してタングステン薄膜１０ａ〜１０ｊと炭素薄膜１１と
を形成したが、エッチング速度が大きく異なる材質を用
いれば、短時間に薄膜の端面部の溝を設けることができ
る。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る平
面距離較正用スケール、平面距離較正方法においては、
微細な形状の平面距離較正を正確に行なうことができる
から、高倍率で観察したときにも、微細な形状の絶対的
な寸法を測定することができる。
面距離較正用スケール、平面距離較正方法においては、
微細な形状の平面距離較正を正確に行なうことができる
から、高倍率で観察したときにも、微細な形状の絶対的
な寸法を測定することができる。
【００３４】また、薄膜層として、少なくとも２つの材
質からなる薄膜を多層に設けたものを用いたときには、
所定パターンの寸法を容易に測定することができるか
ら、平面距離較正を容易に行なうことができる。
質からなる薄膜を多層に設けたものを用いたときには、
所定パターンの寸法を容易に測定することができるか
ら、平面距離較正を容易に行なうことができる。
【００３５】また、薄膜層の少なくとも１層の薄膜の端
面部に溝を設けたときには、コントラストが向上するか
ら、所定パターンの寸法をさらに容易に測定することが
できるので、平面距離較正をさらに容易に行なうことが
できる。
面部に溝を設けたときには、コントラストが向上するか
ら、所定パターンの寸法をさらに容易に測定することが
できるので、平面距離較正をさらに容易に行なうことが
できる。
【００３６】また、シリコンからなる基板の表面を熱酸
化して薄膜を形成したときには、熱酸化膜の膜厚の制御
性が優れており、しかも熱酸化膜の膜厚を正確に測定す
ることができるから、薄膜の正確な膜厚が既知である平
面距離較正用スケールを得ることができる。
化して薄膜を形成したときには、熱酸化膜の膜厚の制御
性が優れており、しかも熱酸化膜の膜厚を正確に測定す
ることができるから、薄膜の正確な膜厚が既知である平
面距離較正用スケールを得ることができる。
【００３７】また、スパッタ法により薄膜を形成したと
きには、膜厚が均一な薄膜を形成することができるか
ら、薄膜の端面における幅が均一である平面距離較正用
スケールを得ることができる。
きには、膜厚が均一な薄膜を形成することができるか
ら、薄膜の端面における幅が均一である平面距離較正用
スケールを得ることができる。
【００３８】また、端面をエッチングしたときには、エ
ッチング速度の差により１つの材質からなる薄膜の端面
部に溝を設けることができるから、１つの材質からなる
薄膜の端面部に溝を有する平面距離較正用スケールを容
易に製造することができる。
ッチング速度の差により１つの材質からなる薄膜の端面
部に溝を設けることができるから、１つの材質からなる
薄膜の端面部に溝を有する平面距離較正用スケールを容
易に製造することができる。
【図１】この発明に係る平面距離較正用スケールを示す
概略図である。
概略図である。
【図２】図１に示した平面距離較正用スケールの製造方
法の説明図である。
法の説明図である。
【図３】この発明に係る他の平面距離較正用スケールを
示す概略正面図である。
示す概略正面図である。
【図４】図３に示した平面距離較正用スケールを示す概
略平面である。
略平面である。
【図５】図４の一部拡大図である。
【図６】この発明に係る他の平面距離較正用スケールの
一部を示す断面図である。
一部を示す断面図である。
１…基板 １ａ…主面 ２…薄膜 ３…シリコンウェハ ４…熱酸化膜 ５…基板 ５ａ…主面 ６…薄膜層 １０ａ〜１０ｊ…タングステン薄膜 １１…炭素薄膜 １３…溝 １４…端面 １５…端面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｙ 7630−4Ｍ (72)発明者 岩立 和己 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 村瀬 克実 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 竹中 久貴 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】基板の主面上に少なくとも１層の薄膜から
なる薄膜層を設け、上記基板の上記主面に直角な端面を
スケールとすることを特徴とする平面距離較正用スケー
ル。 - 【請求項２】上記薄膜層として、少なくとも２つの材質
からなる上記薄膜を多層に設けたものを用いたことを特
徴とする請求項１に記載の平面距離較正用スケール。 - 【請求項３】上記薄膜層の少なくとも１層の上記薄膜の
上記端面部に溝を設けたことを特徴とする請求項２に記
載の平面距離較正用スケール。 - 【請求項４】基板の主面上に１層の薄膜を設け、上記基
板の上記主面に直角な端面をスケールとする平面距離較
正用スケールを製造する方法において、シリコンからな
る上記基板の表面を熱酸化して上記薄膜を形成すること
を特徴とする平面距離較正用スケールの製造方法。 - 【請求項５】基板の主面上に少なくとも２つの材質から
なる薄膜を多層に設け、上記基板の上記主面に直角な端
面をスケールとする平面距離較正用スケールを製造する
方法において、スパッタ法により上記薄膜を形成するこ
とを特徴とする平面距離較正用スケールの製造方法。 - 【請求項６】上記端面をエッチングすることを特徴とす
る請求項５に記載の平面距離較正用スケールの製造方
法。 - 【請求項７】基板の主面上に少なくとも１層の薄膜から
なる薄膜層を設けた平面距離較正用スケールの上記基板
の上記主面に直角な端面をスケールとすることを特徴と
する平面距離較正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240294A JPH07218201A (ja) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | 平面距離較正用スケール、その製造方法および平面距離較正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1240294A JPH07218201A (ja) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | 平面距離較正用スケール、その製造方法および平面距離較正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07218201A true JPH07218201A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11804274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1240294A Pending JPH07218201A (ja) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | 平面距離較正用スケール、その製造方法および平面距離較正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07218201A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008215824A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム測長装置、この装置での寸法校正方法、及び校正用標準材 |
| JP2008261689A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 校正用標準部材及びその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム装置 |
| WO2010016211A1 (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法 |
| WO2010052840A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
-
1994
- 1994-02-04 JP JP1240294A patent/JPH07218201A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008215824A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム測長装置、この装置での寸法校正方法、及び校正用標準材 |
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| US8263929B2 (en) | 2008-08-06 | 2012-09-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Standard member for correction, scanning electron microscope using same, and scanning electron microscope correction method |
| JP5439375B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法 |
| WO2010052840A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
| US8373113B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-02-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Calibration standard member, method for manufacturing the member and scanning electronic microscope using the member |
| JP5380460B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2014-01-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
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