JP5380460B2 - 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 - Google Patents
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Description
二枚の基板を接着剤で貼り合わせると二枚の基板のお互いの超格子パターンを挟んで、約数ミクロンの間に接着剤が入り込み固定される。この基板を研磨すると、研磨時に接着剤の一部が剥離して近傍に位置している超格子部にダメージを与えて超格子パターンの一部が破壊される。あるいは剥離した接着剤の一部が超格子パターン上に残り異物となってしまう。
本発明の主たる目的は、電子顕微鏡で用いられる倍率校正を高精度で行うことのできる標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡を提供することにある。
(1)本発明の校正用標準部材は、被検査物上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測する走査電子顕微鏡を校正する校正用標準部材であって、一定ピッチ寸法の凹凸周期パターンを有する基板の端部に隙間なく上記一定ピッチ寸法の凹凸周期パターンを有しない基板を配置することで、平坦で段差部での局所的な表面電界分布が発生せず、一定ピッチ寸法の凹凸周期パターンにて倍率校正を行うことができることを特徴とする。
前記したとおり、本発明における接合とは、二枚の相対する基板4、10の表面の原子配列状態において接合前に大気を挟んだ最表面原子配列と大気との不連続境界が、接合後には消失し二枚の相対する基板最表面の原子配列状態が連続した原子配列状態となる接着方法を意味する。たとえば、二枚の相対するシリコン基板の表面が図7のようにシリコン単結晶の場合には、シリコンの単結晶原子配列状態において接合前に大気を挟んだ最表面原子配列と大気との不連続境界3S,11Sが、接合後には消失し二枚の相対する基板最表面の原子配列状態が連続したシリコンの単結晶原子配列状態となり上記境界位置は特定できない一枚の単結晶基板と同じとなり、劈開面100は原子レベルで平面となる。
Claims (20)
- 走査電子顕微鏡を校正する校正用標準部材であって、
夫々異なる材料を基板表面に交互に積層させた多層膜及び前記基板表面に対し垂直な断面を有する第一の試料断片と第二の試料断片とが、前記両多層膜の表面で互いの面方位の方向を合せて接合された接合基板と、
前記接合基板表面に対し垂直な断面に設けられた校正パターン領域とを有し、
該校正パターン領域に、前記各多層膜を加工して一対の凹凸パターンが形成されており、
前記両基板の表面が(110)面のとき前記断面が(111)面であり、前記両基板の表面が(100)面のとき前記断面が(110)面であり、
前記校正パターン領域は、
ピッチ寸法が既知でかつ一定のピッチにて周期的に異なる材料が積層された走査電子顕微鏡の倍率校正用の第1のパターン領域と、
一方向に向かってピッチ寸法が変化するピッチにて異なる材料が積層された多層膜断面の凹凸パターンを有する走査電子顕微鏡の光軸調整用の第2のパターン領域と、を前記接合基板表面に対し垂直な断面の1軸上に備え、
前記第2のパターン領域における前記変化するピッチ寸法は、前記第1のパターン領域における前記既知でかつ前記一定のピッチよりも大きな光軸の粗調整用のピッチ寸法と、前記第1のパターン領域の前記既知でかつ前記一定のピッチよりも小さな光軸の高精細調整用のピッチ寸法とを含んでいる
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記接合は、二枚の相対する前記基板表面の原子配列状態において接合前に大気を挟んだ最表面原子配列と大気との不連続境界が接合後には消失し、前記二枚の相対する前記基板最表面の原子配列状態が連続した原子配列状態の接合である
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記断面が劈開またはダイシングによって形成された断面である
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記一対の基板は、シリコンを含んだ単結晶基板の組み合わせ、若しくはシリコンを含んだ非晶質基板の組み合わせのいずれかである
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記各基板の表面がシリコン層もしくはシリコン酸化膜層のいずれかである
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記第一の試料断片は、一定の積層ピッチで周期的にシリコンとシリコン酸化膜を基板表面に積層させた多層膜を有するシリコン基板で構成されており、
前記第二の試料断片は、前記第一の試料断片と同じピッチ寸法を含まないシリコンとシリコン酸化膜の積層構造の多層膜を有するシリコン基板で構成されており、
前記校正パターン領域は、前記積層された各多層膜の一方の材料を選択的にエッチングした凹凸パターンからなる前記所定のピッチ寸法を有する
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記二つの試料断片が、溶融接合または常温接合、または熱による直接接合により接合されている
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記二つの試料断片のうち少なくとも片方の基板表面が酸化膜であり、かつ、
前記二枚の試料断片の接合が陽極接合である
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記光軸調整パターン領域に、校正位置識別用のマークパターンが配列されている
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記倍率校正パターン領域の前記積層のピッチは、2nm〜90nmの範囲で固定であり、前記光軸調整パターン領域の前記積層のピッチは、1nm〜100nmの範囲で連続的に変動する
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
前記接合基板は、オリェンテーションフラットもしくはノッチに基づいて接合されている
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1において、
測定試料と同じサイズのウェーハの面内に前記校正パターン領域が形成されている
ことを特徴とする校正用標準部材。 - 測定試料上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測する走査電子顕微鏡を校正する校正用標準部材の作製方法であって、
前記校正用標準部材は、接合基板の断面に校正パターン領域を有し、該校正パターン領域は一対の凹凸パターンを有するものにおいて、
表面が(110)面または(100)面からなる基板に、ピッチ寸法が既知でかつ一定の積層ピッチで周期的に異なる材料を基板表面に積層させて多層膜を有する第一の基板を形成する工程と、
表面が(110)面または(100)面からなる基板に、前記第一の基板の多層膜と同じピッチ寸法の積層構造を含まない多層膜を有する第二の基板を形成する工程と、
前記第一、第二の基板を両多層膜の表面側で接合し接合基板を形成する接合工程と、
該接合基板の断面辺が露出した試料断片を形成する工程と、
該断面辺において前記周期的に積層された多層膜の一方の材料を選択的にエッチングして一定ピッチ寸法を有する凹凸パターンを備えた接合断面試料を形成する工程とを有し、
前記試料断片を形成する工程において、前記各基板表面が(110)面のとき前記断面は(111)面であり、前記各基板表面が(100)面のとき前記断面は(110)面であり、
前記校正パターン領域は、
ピッチ寸法が既知でかつ一定のピッチにて周期的に異なる材料が積層された走査電子顕微鏡の倍率校正用の第1のパターン領域と、
一方向に向かってピッチ寸法が変化するピッチにて異なる材料が積層された多層膜断面の凹凸パターンを有する走査電子顕微鏡の光軸調整用の第2のパターン領域と、を前記接合基板表面に対し垂直な断面の1軸上に備え、
前記第2のパターン領域における前記変化するピッチ寸法は、前記第1のパターン領域における前記既知でかつ前記一定のピッチよりも大きな光軸の粗調整用のピッチ寸法と、前記第1のパターン領域の前記既知でかつ前記一定のピッチよりも小さな光軸の高精細調整用のピッチ寸法とを含んでいる
ことを特徴とする校正用標準部材の作製方法。 - 請求項13において、
前記接合工程は、二枚の相対する前記基板表面の原子配列状態において接合前に大気を挟んだ最表面原子配列と大気との不連続境界が、接合後には消失し二枚の相対する基板最表面の原子配列状態が連続した原子配列状態とするものである
ことを特徴とする校正用標準部材の作製方法。 - 請求項13において、
前記接合基板の断面を形成する工程において、劈開またはダイシングによって断面を形成する
ことを特徴とする校正用標準部材の作製方法。 - 請求項13において、
前記第一、第二の基板がシリコン基板であり、
前記二枚の基板表面がシリコンもしくは酸化膜シリコンのいずれかであり、かつ
前記二枚の基板を接合する工程において、溶融接合または常温接合を行う
ことを特徴とする校正用標準部材の作製方法。 - 請求項13において、
前記第一、第二の基板がシリコン基板であり、
前記二枚のうち少なくとも片方の基板表面が酸化膜シリコンであり、かつ
前記二枚の基板を接合する工程において、陽極接合を行う
ことを特徴とする校正用標準部材の作製方法。 - 試料もしくは校正用標準部材を保持する試料ステージと、前記試料ステージ上の試料に対して電子ビームを走査する照射光学系と、前記電子ビームの走査により発生する二次電子または反射電子を検出する検出器と、前記検出器から得られる電子信号を処理することにより前記試料を測長する信号処理手段と、測長結果が表示される表示手段と、前記電子ビームの加速電圧を制御するための電圧を前記試料ステージに印加するバイアス電源と、前記試料ステージ上に搭載された前記校正用標準部材に対する前記二次電子または反射電子強度の情報から前記照射光学系の倍率校正を行う校正機能とを備え、
測定試料上の観察領域に入射電子線を走査して発生する二次電子または反射電子強度の情報から、前記観察領域内のパターンを計測する走査電子顕微鏡において、
前記校正用標準部材は、
夫々異なる材料を基板表面に交互に積層させた多層膜及び前記基板表面に対し垂直な断面を有する第一の試料断片と第二の試料断片とが、前記両多層膜の表面で互いの面方位の方向を合せて接合された接合基板と、
前記接合基板表面に対し垂直な断面に設けられた校正パターン領域とを有し、
該校正パターン領域に、前記各多層膜を加工して一対の凹凸パターンが形成されており、
前記両基板の表面が(110)面のとき前記断面が(111)面であり、前記両基板の表面が(100)面のとき前記断面が(110)面であり、
前記校正パターン領域は、
ピッチ寸法が既知でかつ一定のピッチにて周期的に異なる材料が積層された走査電子顕微鏡の倍率校正用の第1のパターン領域と、
一方向に向かってピッチ寸法が変化するピッチにて異なる材料が積層された多層膜断面の凹凸パターンを有する走査電子顕微鏡の光軸調整用の第2のパターン領域と、を前記接合基板表面に対し垂直な断面の1軸上に備え、
前記第2のパターン領域における前記変化するピッチ寸法は、前記第1のパターン領域における前記既知でかつ前記一定のピッチよりも大きな光軸の粗調整用のピッチ寸法と、前記第1のパターン領域の前記既知でかつ前記一定のピッチよりも小さな光軸の高精細調整用のピッチ寸法とを含んでいる
ことを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項18において、
前記凹凸パターンである第1のパターンのピッチ寸法は、予め光またはX線回折により予め求められており、
前記信号処理手段で求めた前記第1のパターンのピッチ寸法と、前記光またはX線回折により予め求められたピッチ寸法とを比較して、その差が略ゼロになるように前記照射光学系の倍率校正を行う機能を有している
ことを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項18において、
前記校正用標準部材は、前記測定試料と同じサイズのウェーハ型の標準部材であり、前記試料ステージに搭載可能に構成されている
ことを特徴とする走査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010536648A JP5380460B2 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-22 | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008284549 | 2008-11-05 | ||
JP2008284549 | 2008-11-05 | ||
JP2010536648A JP5380460B2 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-22 | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
PCT/JP2009/005562 WO2010052840A1 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-22 | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010052840A1 JPWO2010052840A1 (ja) | 2012-04-05 |
JP5380460B2 true JP5380460B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=42152653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536648A Active JP5380460B2 (ja) | 2008-11-05 | 2009-10-22 | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8373113B2 (ja) |
JP (1) | JP5380460B2 (ja) |
KR (1) | KR101247835B1 (ja) |
WO (1) | WO2010052840A1 (ja) |
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- 2009-10-22 US US13/127,912 patent/US8373113B2/en active Active
- 2009-10-22 JP JP2010536648A patent/JP5380460B2/ja active Active
- 2009-10-22 WO PCT/JP2009/005562 patent/WO2010052840A1/ja active Application Filing
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US20110210250A1 (en) | 2011-09-01 |
JPWO2010052840A1 (ja) | 2012-04-05 |
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