JP2008261689A - 校正用標準部材及びその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】装置校正用標準部材の超格子パターン近傍に、校正位置を特定するためのマークもしくは標識を形成することで、校正位置の特定が可能な高精度測長校正が実現できる。異なる材料4、5が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板1に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビーム11を照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターン3を有し、該線状パターン3の断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定する。
【選択図】図1
Description
本実施例では、電子ビーム装置として、電子ビーム測長装置(CD−SEM、あるいは測長SEM)に用いられる校正用標準部材の構成例と、当該標準部材を実際に電子ビーム測長装置で使用する場合の実施形態について説明する。
本実施例では、図1に示した本発明の校正位置特定用マーク付き標準部材の作製方法について、図6、7、8により説明する。図6の(a)は、校正位置特定用マークパターン付き校正用超格子積層ウェーハの上面全図、(b)は、そのA−A’断面図を示す。図7は、本発明の校正用標準部材の作製プロセス工程における断面図であり、図8は、校正用標準部材の作製プロセスフローを示す。
本実施例では、実施例1で説明した校正用標準部材の、別の校正位置特定用マークの例について説明する。
Claims (13)
- 異なる材料が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板に、電子ビーム装置から放出される一次電子ビームを照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、
前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターンを有し、該線状パターンの断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、
前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定することを特徴とする校正用標準部材。 - 請求項1に記載の校正用標準部材において、前記線状パターンのそれぞれは、少なくとも1本以上の線状パターン群であり、かつ、隣接する前記一定の間隔で配列された線状パターン群間においてその本数が異なる線状パターンであることを特徴とする校正用標準部材。
- 請求項1に記載の校正用標準部材において、前記線状パターンのそれぞれは、少なくとも1本以上の線状パターン群であり、かつ、前記線状パターンが、隣接する線状パターン間においてその断面形状が異なる線状パターンであることを特徴とする校正用標準部材。
- 請求項1、2又は3に記載の校正用標準部材において、前記基板が、半導体材料を含み、かつ、前記線状パターンが、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)のうちいずれか一つの金属材料からなることを特徴とする校正用標準部材。
- 請求項1に記載の校正用標準部材において、前記異なる材料の積層構造の積層間ピッチ寸法が、50nm以下であることを特徴とする校正用標準部材。
- シリコン膜とモリブデン膜とが交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板に、電子ビーム測長装置から放出される一次電子ビームを照射して検出される二次荷電粒子の信号をもとに前記電子ビーム測長装置の倍率校正を行う校正用標準部材において、
前記基板は、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された直線状タングステンパターンを有し、該直線状タングステンパターンの断面は前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、
前記直線状タングステンパターンにより前記超格子パターンの位置を特定することを特徴とする校正用標準部材。 - 異なる材料が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板を形成する工程と、
前記積層構造の表面に前記超格子パターンの断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列した線状パターンを、リソグラフィ及びエッチング法を用いて形成する工程と、
前記線状パターンの断面が前記超格子パターンの積層断面と略同一の平面内にあるよう形成する工程とを含むことを特徴とする校正用標準部材の作製方法。 - 請求項7に記載の校正用標準部材の作製方法において、前記線状パターンの断面を形成する工程が、積層構造の前記基板の璧開による切り出し方法、またはイオンビームを用いた切り出し方法を用いることを特徴とする校正用標準部材の作製方法。
- 請求項7又は8に記載の校正用標準部材の作製方法において、前記積層構造の基板が、半導体材料を含み、かつ、前記線状パターンが、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)のうちいずれか一つの金属材料からなることを特徴とする校正用標準部材の作製方法。
- 請求項8に記載の校正用標準部材の作製方法において、前記線状パターンの形成の際に、前記線状パターンの周囲にアライメント用パターンを、リソグラフィ及びエッチング法により形成する工程を含み、前記アライメント用パターンを基準に前記線状パターンの断面の切り出しを行うようにしたことを特徴とする校正用標準部材の作製方法。
- 電子銃より放出された一次電子ビームを、試料ステージ上に搭載された試料に対して照射し走査する照射光学系と、前記一次電子ビーム照射により発生する2次電子もしくは反射電子を検出する検出器と、前記検出器から得られる電子信号を処理することにより前記試料を測長する信号処理手段と、前記2次電子もしくは反射電子強度の情報から、前記照射光学系の倍率校正を行うために用いられる校正用標準部材とを有し、
前記校正用標準部材は、異なる材料が交互に積層された積層構造の超格子パターンの断面を有する基板と、前記積層に並行した基板面上にあって前記超格子パターン断面に対して交差する方向に一定の間隔で配列された線状パターンとを有し、該線状パターンの断面を前記超格子断面と略同一の平面内にあるよう構成して、前記線状パターンにより前記超格子パターンの位置を特定することを特徴とする電子ビーム装置。 - 請求項11に記載の電子ビーム装置において、前記校正用標準部材における前記超格子パターンの積層間のピッチ寸法および一定の間隔で配列された前記線状パターンのピッチ寸法が、X線を含む光学的回折法により求められていることを特徴とする電子ビーム装置。
- 請求項11に記載の電子ビーム装置において、前記校正用標準部材は、前記試料ステージに搭載されていることを特徴とする電子ビーム装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010052840A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
KR101183968B1 (ko) | 2008-12-22 | 2012-09-19 | 한국전자통신연구원 | 테라헤르츠파 검출기용 금속 그리드 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2013161795A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Applied Materials Israel Ltd | 走査電子顕微鏡画像を用いた3次元マッピング |
JP5439375B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法 |
US8735816B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-05-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Standard member for calibration and method of manufacturing the same and scanning electron microscope using the same |
JP2014194355A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜評価用構造体および薄膜評価方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4857090B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法、並びに校正用標準部材を用いた走査電子顕微鏡 |
KR101197617B1 (ko) * | 2012-02-27 | 2012-11-07 | (주)코셈 | 증강 현실을 이용한 전자현미경 시스템 |
US9201027B2 (en) | 2014-02-19 | 2015-12-01 | Globalfoundries Inc. | Evaluating semiconductor wafers for pitch walking and/or epitaxial merge |
US9715724B2 (en) | 2014-07-29 | 2017-07-25 | Applied Materials Israel Ltd. | Registration of CAD data with SEM images |
CN105445293B (zh) * | 2014-08-26 | 2018-09-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem放大率校准方法及用于校准的样品的形成方法 |
US10473692B2 (en) * | 2014-09-30 | 2019-11-12 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of calibrating a nanometrology instrument |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07218201A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面距離較正用スケール、その製造方法および平面距離較正方法 |
JPH10302703A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 倍率、傾斜角測定法 |
JP2003279321A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 微小寸法校正用標準試料 |
JP2004251682A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 測長用標準部材およびその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム測長装置 |
JP2006010522A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及び寸法校正用試料 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3239976B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | アライメントマーク、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
EP1041608B1 (en) | 1997-11-20 | 2008-09-17 | Nikon Corporation | Method and system for detecting a mark |
US6420702B1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-07-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Non-charging critical dimension SEM metrology standard |
JP3609761B2 (ja) | 2001-07-19 | 2005-01-12 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7053495B2 (en) * | 2001-09-17 | 2006-05-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same |
JP3670634B2 (ja) | 2001-09-17 | 2005-07-13 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2007248082A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置に用いられる標準試料,荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置に用いられる標準試料の製造方法 |
JP4857090B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法、並びに校正用標準部材を用いた走査電子顕微鏡 |
-
2007
- 2007-04-11 JP JP2007103780A patent/JP4966719B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-01 US US12/078,516 patent/US7875850B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07218201A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 平面距離較正用スケール、その製造方法および平面距離較正方法 |
JPH10302703A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 倍率、傾斜角測定法 |
JP2003279321A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 微小寸法校正用標準試料 |
JP2004251682A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 測長用標準部材およびその作製方法、並びにそれを用いた電子ビーム測長装置 |
JP2006010522A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及び寸法校正用試料 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5439375B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びそれを用いた走査電子顕微鏡並びに走査電子顕微鏡の校正方法 |
WO2010052840A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
US8373113B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-02-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Calibration standard member, method for manufacturing the member and scanning electronic microscope using the member |
KR101247835B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2013-03-26 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 교정용 표준 부재 및 그 제작 방법 및 그것을 사용한 주사 전자 현미경 |
JP5380460B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2014-01-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材およびその作製方法並びにそれを用いた走査電子顕微鏡 |
KR101183968B1 (ko) | 2008-12-22 | 2012-09-19 | 한국전자통신연구원 | 테라헤르츠파 검출기용 금속 그리드 모듈 및 그 제조 방법 |
US8735816B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-05-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Standard member for calibration and method of manufacturing the same and scanning electron microscope using the same |
JP2013161795A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Applied Materials Israel Ltd | 走査電子顕微鏡画像を用いた3次元マッピング |
JP2014194355A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜評価用構造体および薄膜評価方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US7875850B2 (en) | 2011-01-25 |
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