JP3258078B2 - 水晶振動子 - Google Patents
水晶振動子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚みすべり水晶振動子
に関するもので、とくに超小型化を可能とする水晶基板
と水晶片の電極構造に関するものである。
に関するもので、とくに超小型化を可能とする水晶基板
と水晶片の電極構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術における水晶基板と、厚みすべ
り水晶振動子とを、図５と図６とを用いて説明する。ま
ず水晶基板を、図５を用いて説明する。
り水晶振動子とを、図５と図６とを用いて説明する。ま
ず水晶基板を、図５を用いて説明する。
【０００３】図５に示すように、水晶基板５１は一辺が
Ｘ軸であり、水晶基板５１の他辺であるＺ´軸はＸ軸を
中心にＺ軸より角度θを３０゜〜４０゜傾斜させた、Ｘ
Ｚ´平面からなるＡＴカット水晶基板である。この水晶
基板５１から水晶片５３を切り出す。水晶片５３は、長
手方向がＸ軸、幅方向がＺ´軸とする場合と、その逆の
長手方向がＺ´軸、幅方向がＸ軸とがあり、厚さはＹ´
軸となる。
Ｘ軸であり、水晶基板５１の他辺であるＺ´軸はＸ軸を
中心にＺ軸より角度θを３０゜〜４０゜傾斜させた、Ｘ
Ｚ´平面からなるＡＴカット水晶基板である。この水晶
基板５１から水晶片５３を切り出す。水晶片５３は、長
手方向がＸ軸、幅方向がＺ´軸とする場合と、その逆の
長手方向がＺ´軸、幅方向がＸ軸とがあり、厚さはＹ´
軸となる。
【０００４】この図５に示す水晶片６３を、図６の斜視
図を用いて説明する。図６に示す水晶片６１は、振動周
波数が数ＭＨｚの水晶振動子である。水晶片６１をベベ
ル形状やシリンドリカル形状にし、上下面に電極膜６３
を形成することでにより、水晶片６１の板面中央へのエ
ネルギー閉じ込めを行い、さらに主振動と副振動との結
合を減らしている。
図を用いて説明する。図６に示す水晶片６１は、振動周
波数が数ＭＨｚの水晶振動子である。水晶片６１をベベ
ル形状やシリンドリカル形状にし、上下面に電極膜６３
を形成することでにより、水晶片６１の板面中央へのエ
ネルギー閉じ込めを行い、さらに主振動と副振動との結
合を減らしている。
【０００５】図６に示すような構造にすることで、等価
直列抵抗の低下を図り、さらに広範囲の温度下における
振動周波数や等価直列抵抗のジャンプ現象を回避するこ
とができる。
直列抵抗の低下を図り、さらに広範囲の温度下における
振動周波数や等価直列抵抗のジャンプ現象を回避するこ
とができる。
【０００６】なお前述の水晶片６１のベベル形状やシリ
ンドリカル形状の加工方法は、パイピング法が用いられ
る。このパイピング加工方法は、円筒形状の容器内に砥
粒と水晶片とを入れて、容器を回転させて、水晶片６１
端部を加工するものである。
ンドリカル形状の加工方法は、パイピング法が用いられ
る。このパイピング加工方法は、円筒形状の容器内に砥
粒と水晶片とを入れて、容器を回転させて、水晶片６１
端部を加工するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、水晶振動子を使
用する電子製品は、携帯機器化の傾向が強まり、ますま
す小型化、薄型化、高機能化が図られている。それに応
じて、水晶振動子も小型化、薄型化は勿論のこと、水晶
振動子特性の高安定化や、高精度化、さらに振動周波数
の高周波化、さらにそのうえ表面実装化（ＳＭＤ）が求
められている。
用する電子製品は、携帯機器化の傾向が強まり、ますま
す小型化、薄型化、高機能化が図られている。それに応
じて、水晶振動子も小型化、薄型化は勿論のこと、水晶
振動子特性の高安定化や、高精度化、さらに振動周波数
の高周波化、さらにそのうえ表面実装化（ＳＭＤ）が求
められている。
【０００８】しかし、これらの上記要求に対応する水晶
振動子は、容器の小型化は勿論であるが、水晶片の作成
は容易でない。たとえば、振動周波数が数ＭＨｚ帯の水
晶振動子では、図６に示すように、水晶片６１の端面に
曲面を備えるベベル形状にする。しかし、長さや幅が小
さくなると水晶片６１の重量が低下し、円筒形状の容器
に砥粒と水晶片とを入れて容器を回転させるパイピング
法では、水晶片を砥粒で削れなくなり、曲面が形成しに
くくなる。したがって、等価直列抵抗の低下や副振動の
抑制を図れなくなる。
振動子は、容器の小型化は勿論であるが、水晶片の作成
は容易でない。たとえば、振動周波数が数ＭＨｚ帯の水
晶振動子では、図６に示すように、水晶片６１の端面に
曲面を備えるベベル形状にする。しかし、長さや幅が小
さくなると水晶片６１の重量が低下し、円筒形状の容器
に砥粒と水晶片とを入れて容器を回転させるパイピング
法では、水晶片を砥粒で削れなくなり、曲面が形成しに
くくなる。したがって、等価直列抵抗の低下や副振動の
抑制を図れなくなる。
【０００９】とくに水晶片６１の幅寸法ｗが小さくなる
と、Ｚ軸より所定の方位で切り出したＺ´軸に平行なＸ
Ｚ´面が傾き、水晶振動子の温度特性のバラツキが増大
する問題点がある。さらに、水晶片６１の表面粗さが水
晶振動子の経時変化に関与するため、粗い砥粒で加工速
度を速くすると、水晶振動子の高安定化を図ることがで
きない。
と、Ｚ軸より所定の方位で切り出したＺ´軸に平行なＸ
Ｚ´面が傾き、水晶振動子の温度特性のバラツキが増大
する問題点がある。さらに、水晶片６１の表面粗さが水
晶振動子の経時変化に関与するため、粗い砥粒で加工速
度を速くすると、水晶振動子の高安定化を図ることがで
きない。
【００１０】厚みすべり水晶振動子の振動周波数は厚さ
ｔで決定されるため、振動周波数が１５ＭＨｚ以上の高
周波振動子においては、図６に示す水晶片６１の厚さは
百ミクロン以下となる。このため、図５に示す水晶基板
５１を薄板状に形成するための加工は極めて困難にな
り、水晶振動子の振動周波数の高周波化は実現がきわめ
て難しい。
ｔで決定されるため、振動周波数が１５ＭＨｚ以上の高
周波振動子においては、図６に示す水晶片６１の厚さは
百ミクロン以下となる。このため、図５に示す水晶基板
５１を薄板状に形成するための加工は極めて困難にな
り、水晶振動子の振動周波数の高周波化は実現がきわめ
て難しい。
【００１１】さらに、厚さが薄い点を利用して、水晶振
動子の形状加工にフォトリソグラフィー技術とエッチン
グ技術とを採用する加工方法が考えられるが、化学エッ
チングにおいては、水晶基板５１の厚さ方向がＹ´軸な
ため、エッチング速度が極めて遅く、実用化は難しい。
さらに、水晶の持つ結晶軸、すなわちＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸
のそれぞれでエッチング速度が異なるため、そのエッチ
ング断面形状は複雑となり、超小型化すると特性の劣化
や、断面形状が複雑なことにより、衝撃が加わったとき
水晶振動子の特性劣化が発生する。
動子の形状加工にフォトリソグラフィー技術とエッチン
グ技術とを採用する加工方法が考えられるが、化学エッ
チングにおいては、水晶基板５１の厚さ方向がＹ´軸な
ため、エッチング速度が極めて遅く、実用化は難しい。
さらに、水晶の持つ結晶軸、すなわちＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸
のそれぞれでエッチング速度が異なるため、そのエッチ
ング断面形状は複雑となり、超小型化すると特性の劣化
や、断面形状が複雑なことにより、衝撃が加わったとき
水晶振動子の特性劣化が発生する。
【００１２】またさらに、水晶片を小型化すると次に記
す問題も発生する。
す問題も発生する。
【００１３】図６に示す水晶片６１には電極膜６３を形
成し、Ｘ軸方向の両端部を容器の支持部材に導電性接着
剤にて支持固定する。しかし水晶片６１を小型化する
と、接合部が微小面積になり、導電性接着剤による接着
形状の不均一が発生し、充分な接着強度が得られないと
いう問題が生じ、等価直列抵抗の低下や衝撃による特性
劣化が生じる。
成し、Ｘ軸方向の両端部を容器の支持部材に導電性接着
剤にて支持固定する。しかし水晶片６１を小型化する
と、接合部が微小面積になり、導電性接着剤による接着
形状の不均一が発生し、充分な接着強度が得られないと
いう問題が生じ、等価直列抵抗の低下や衝撃による特性
劣化が生じる。
【００１４】上記の説明のように水晶振動子は、ますま
す小型化、高周波化、高精度化、高安定化が求められる
が、水晶振動子構造とそれを実現するための加工技術と
に良い手段が見あたらない。
す小型化、高周波化、高精度化、高安定化が求められる
が、水晶振動子構造とそれを実現するための加工技術と
に良い手段が見あたらない。
【００１５】本発明の目的は、上記課題を解決して、高
周波の水晶振動子をフォトリソグラフィー技術とエッチ
ング技術とが適用することができる、新しい水晶振動子
構造を提供することにある。
周波の水晶振動子をフォトリソグラフィー技術とエッチ
ング技術とが適用することができる、新しい水晶振動子
構造を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明においては、下記記載の構成を採用する。
本発明においては、下記記載の構成を採用する。
【００１７】本発明の水晶振動子は、水晶原石より切り
出す水晶基板の一辺をＸ軸とし、さらにＸ軸を中心にＹ
軸をＺ軸に向けて角度θを３０゜〜４０゜傾斜させたＹ
´軸からなるＸＹ´平面の水晶基板からなり、ＸＹ´平
面基板から作成する水晶片はＸＹ´面を主面とする支持
枠と一体構造とし、水晶片の振動周波数はＹ´軸方向の
幅寸法で決定し、励振用の電極膜はＸＺ´面とＸＹ´面
の両端部とに設けることを特徴とする。
出す水晶基板の一辺をＸ軸とし、さらにＸ軸を中心にＹ
軸をＺ軸に向けて角度θを３０゜〜４０゜傾斜させたＹ
´軸からなるＸＹ´平面の水晶基板からなり、ＸＹ´平
面基板から作成する水晶片はＸＹ´面を主面とする支持
枠と一体構造とし、水晶片の振動周波数はＹ´軸方向の
幅寸法で決定し、励振用の電極膜はＸＺ´面とＸＹ´面
の両端部とに設けることを特徴とする。
【００１８】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の水晶振動子の水晶基板を示す斜視図
である。
る。図１は本発明の水晶振動子の水晶基板を示す斜視図
である。
【００１９】本発明は、図５に示す従来例のＹ´軸を法
線とするＸＺ´面の水晶基板５１とは、直角のＺ´軸を
法線とするＸＹ´面の水晶基板を採用したことを特徴と
している。
線とするＸＺ´面の水晶基板５１とは、直角のＺ´軸を
法線とするＸＹ´面の水晶基板を採用したことを特徴と
している。
【００２０】図１に示すように、水晶片１３は同一の水
晶基板からなる支持枠１１と一体構造とする。水晶基板
はＸ軸を中心にＹ軸をＺ軸に向けて角度θを３０゜〜４
０゜傾斜させたＸＹ´平面を有する水晶基板を用いる。
水晶片１３を励振するための電極膜１５、１７、１９
は、ＸＹ´面と、対向するＸＺ´面とに設ける。
晶基板からなる支持枠１１と一体構造とする。水晶基板
はＸ軸を中心にＹ軸をＺ軸に向けて角度θを３０゜〜４
０゜傾斜させたＸＹ´平面を有する水晶基板を用いる。
水晶片１３を励振するための電極膜１５、１７、１９
は、ＸＹ´面と、対向するＸＺ´面とに設ける。
【００２１】水晶片１３の加工は、支持枠１１を持たな
ければ、機械加工でも不可能ではないが、フォトリソグ
ラフィー技術とエッチング技術とによる加工が最適であ
る。つまり、水晶片１３の振動周波数はＹ´軸方向の幅
ｗで決定するから、所望する振動周波数から幅寸法と形
状とが決まると、フォトレジストを形成し、所定のフォ
トマスクを用いて露光現像処理するフォトリソグラフィ
ー技術により、容易にパターニングが可能である。さら
に水晶片１３の厚さとなるＺ´軸方向は、エッチング速
度が速いという利点を備えている。
ければ、機械加工でも不可能ではないが、フォトリソグ
ラフィー技術とエッチング技術とによる加工が最適であ
る。つまり、水晶片１３の振動周波数はＹ´軸方向の幅
ｗで決定するから、所望する振動周波数から幅寸法と形
状とが決まると、フォトレジストを形成し、所定のフォ
トマスクを用いて露光現像処理するフォトリソグラフィ
ー技術により、容易にパターニングが可能である。さら
に水晶片１３の厚さとなるＺ´軸方向は、エッチング速
度が速いという利点を備えている。
【００２２】図１のＡ−Ａ線での断面における本発明の
水晶振動子の電極構造を、図２、図３、図４を用いて説
明する。図２は、図１に示す構造の断面図であり、図２
と図３とは、図１に示す構造とは異なる電極構造を示
す。
水晶振動子の電極構造を、図２、図３、図４を用いて説
明する。図２は、図１に示す構造の断面図であり、図２
と図３とは、図１に示す構造とは異なる電極構造を示
す。
【００２３】図２に示す水晶振動子の電極構造は、水晶
片２１のＸＺ´面である両側面に電極膜２３、２７と、
ＸＹ´面の表裏面の端部に電極膜２５、２９を互い違い
に形成する。
片２１のＸＺ´面である両側面に電極膜２３、２７と、
ＸＹ´面の表裏面の端部に電極膜２５、２９を互い違い
に形成する。
【００２４】ここで、電界はＹ軸方向に作用するが、Ｙ
´軸は角度θが３０゜〜４０゜傾斜しているため、ＸＹ
´面に電極膜２５、２９を形成すれば、より有効に電界
を水晶片２１に印加することができ、水晶振動子特性で
ある等価直列抵抗を低下させることができる。
´軸は角度θが３０゜〜４０゜傾斜しているため、ＸＹ
´面に電極膜２５、２９を形成すれば、より有効に電界
を水晶片２１に印加することができ、水晶振動子特性で
ある等価直列抵抗を低下させることができる。
【００２５】図３に示す水晶片３１の電極構造は、図２
と同様にＸＹ´平面に電極膜を形成するが、水晶片３１
両端部に電極膜３３、３５を形成する。この図３に示す
電極構造においても、水晶振動子の等価直列抵抗の低下
が得られる。
と同様にＸＹ´平面に電極膜を形成するが、水晶片３１
両端部に電極膜３３、３５を形成する。この図３に示す
電極構造においても、水晶振動子の等価直列抵抗の低下
が得られる。
【００２６】またさらに、図４に示す水晶片４１の電極
構造では、ＸＹ´平面にのみ電極膜４３、４５を設け
る。この図４に示す電極構造では、等価直列抵抗は、図
２と図３とに示す電極構造より比較すると高くなる。し
かしながら、側面電極を形成していないため、製造は極
めて容易で、製造工程が簡素化されるという利点を有す
る。
構造では、ＸＹ´平面にのみ電極膜４３、４５を設け
る。この図４に示す電極構造では、等価直列抵抗は、図
２と図３とに示す電極構造より比較すると高くなる。し
かしながら、側面電極を形成していないため、製造は極
めて容易で、製造工程が簡素化されるという利点を有す
る。
【００２７】上記の説明のように本発明の水晶基板と水
晶振動子構造、およびその電極構造を用いることによ
り、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術とを高
周波振動の厚みすべり水晶振動子に適用できる。このこ
とは以下に記載する利点を含んでいる。
晶振動子構造、およびその電極構造を用いることによ
り、フォトリソグラフィー技術とエッチング技術とを高
周波振動の厚みすべり水晶振動子に適用できる。このこ
とは以下に記載する利点を含んでいる。
【００２８】振動周波数はＸＹ´平面に形成したパター
ン寸法で決定するから、水晶基板の厚さ精度は厳しい厚
さ精度は要求されず、水晶基板の加工が容易となる。ま
たさらに、エネルギー閉じこめに必要なベベル形状や、
シリンドリカル形状は、フォトリソグラフィー技術によ
り平面部に精度良く、かつ形状も自由に形成することが
できる。
ン寸法で決定するから、水晶基板の厚さ精度は厳しい厚
さ精度は要求されず、水晶基板の加工が容易となる。ま
たさらに、エネルギー閉じこめに必要なベベル形状や、
シリンドリカル形状は、フォトリソグラフィー技術によ
り平面部に精度良く、かつ形状も自由に形成することが
できる。
【００２９】また、基本波による振動周波数の高周波化
は、水晶振動子の幅を小さくすれば良い。たとえば、振
動周波数が３０ＭＨｚ以上では、図１に示す幅寸法ｗは
８０ミクロン以下になるが、上記のフォトリソグラフィ
ー技術とエッチング技術とを利用すれば、水晶振動子の
幅寸法を高精度に加工することができる。しかもそのう
え、支持部と振動部との一体構造が可能となるため、容
器への支持が安定し、特性のバラツキをきわめて小さく
することができる。
は、水晶振動子の幅を小さくすれば良い。たとえば、振
動周波数が３０ＭＨｚ以上では、図１に示す幅寸法ｗは
８０ミクロン以下になるが、上記のフォトリソグラフィ
ー技術とエッチング技術とを利用すれば、水晶振動子の
幅寸法を高精度に加工することができる。しかもそのう
え、支持部と振動部との一体構造が可能となるため、容
器への支持が安定し、特性のバラツキをきわめて小さく
することができる。
【００３０】水晶振動子の基本特性である等価直列抵抗
は、本発明の電極構造を採用することによって、１００
Ω以下と低くすることができる。
は、本発明の電極構造を採用することによって、１００
Ω以下と低くすることができる。
【００３１】以上図１から図４を用いて説明した実施例
では、振動部の長手方向をＸ軸としたときの実施例を記
載したが、長手方向をＺ´軸とした場合の実施例を、図
７を用いて説明する。
では、振動部の長手方向をＸ軸としたときの実施例を記
載したが、長手方向をＺ´軸とした場合の実施例を、図
７を用いて説明する。
【００３２】水晶原石より切り出す水晶基板の一辺をＸ
軸とし、さらにＸ軸を中心にＹ軸をＺ軸に向けて角度θ
を３０゜〜４０゜傾斜させたＹ´軸からなるＹ´Ｚ´平
面の水晶基板からなる。水晶片７１と支持枠７３とは一
体構造とする。
軸とし、さらにＸ軸を中心にＹ軸をＺ軸に向けて角度θ
を３０゜〜４０゜傾斜させたＹ´軸からなるＹ´Ｚ´平
面の水晶基板からなる。水晶片７１と支持枠７３とは一
体構造とする。
【００３３】Ｙ´Ｚ´平面を有する水晶基板から作成す
る水晶片７１の振動周波数は、Ｙ´軸方向の幅寸法で決
定し、励振用の電極膜７５、７７は対向する２カ所のＸ
Ｚ´面に形成し、この電極膜７５、７７はＺ´軸方向
で、長さｌだけずらすように設ける。
る水晶片７１の振動周波数は、Ｙ´軸方向の幅寸法で決
定し、励振用の電極膜７５、７７は対向する２カ所のＸ
Ｚ´面に形成し、この電極膜７５、７７はＺ´軸方向
で、長さｌだけずらすように設ける。
【００３４】図７に示すように、水晶基板はＹ´Ｚ´面
の基板とし、図１と同様に所定の水晶振動子パターンを
作成する。この場合、水晶振動子の長手方向がＺ´軸
で、振動周波数はＹ´軸方向の幅寸法で決定する。水晶
振動子の加工は、Ｘ方向が水晶基板の厚さとなるため、
エッチングはＸ軸方向に行なわれる。このＸ軸方向のエ
ッチング速度は、Ｙ´軸のエッチング速度より速い。
の基板とし、図１と同様に所定の水晶振動子パターンを
作成する。この場合、水晶振動子の長手方向がＺ´軸
で、振動周波数はＹ´軸方向の幅寸法で決定する。水晶
振動子の加工は、Ｘ方向が水晶基板の厚さとなるため、
エッチングはＸ軸方向に行なわれる。このＸ軸方向のエ
ッチング速度は、Ｙ´軸のエッチング速度より速い。
【００３５】電極膜７５、７７は水晶片７１の側面に形
成する。Ｙ軸方向に電界は作用するため、水晶片７１の
左右の側面に形成した電極膜７５、７７は、図７に示す
ように電極膜７５と電極膜７７とは、角度θに対応する
長さｌだけ、Ｚ´軸方向でお互いにずらすことで、より
有効な電界を水晶片７１に印加することができる。これ
により等価直列抵抗が低下する。
成する。Ｙ軸方向に電界は作用するため、水晶片７１の
左右の側面に形成した電極膜７５、７７は、図７に示す
ように電極膜７５と電極膜７７とは、角度θに対応する
長さｌだけ、Ｚ´軸方向でお互いにずらすことで、より
有効な電界を水晶片７１に印加することができる。これ
により等価直列抵抗が低下する。
【００３６】なお上述した、本発明の水晶振動子の製造
方法としては、湿式エッチング法を中心として説明した
が、湿式エッチングだけでなく、乾式エッチングでも水
晶基板の加工は可能である。とくに、低温効果を利用し
た反応性スパッタエッチング法は、厚い板厚の水晶基板
の加工が可能である。
方法としては、湿式エッチング法を中心として説明した
が、湿式エッチングだけでなく、乾式エッチングでも水
晶基板の加工は可能である。とくに、低温効果を利用し
た反応性スパッタエッチング法は、厚い板厚の水晶基板
の加工が可能である。
【００３７】さらに、炭化珪素などの微細粒子を高圧の
気体を用いて水晶基板に噴射し、水晶基板表面から削る
噴射加工法も水晶振動子の加工に適用できる。
気体を用いて水晶基板に噴射し、水晶基板表面から削る
噴射加工法も水晶振動子の加工に適用できる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よる厚みすべり水晶振動子は加工する厚さ方向が化学エ
ッチングにおけるエッチング速度が大きい方向であり、
さらに水晶振動子の振動周波数や各種の形状が水晶基板
の平面部に構成できるため、高精度に加工でき、さらに
水晶基板の厚さが振動周波数に関与しないため、基板加
工が容易であることから、フォトリソグラフィーとエッ
チング加工や噴射加工に最適な水晶基板であり、水晶振
動子の小型化が可能である。
よる厚みすべり水晶振動子は加工する厚さ方向が化学エ
ッチングにおけるエッチング速度が大きい方向であり、
さらに水晶振動子の振動周波数や各種の形状が水晶基板
の平面部に構成できるため、高精度に加工でき、さらに
水晶基板の厚さが振動周波数に関与しないため、基板加
工が容易であることから、フォトリソグラフィーとエッ
チング加工や噴射加工に最適な水晶基板であり、水晶振
動子の小型化が可能である。
【００３９】さらに加えて加工精度が良いことから、製
造工程におけるバラツキが小さくなり、温度特性などの
水晶振動子特性バラツキが小さくなって、水晶振動子特
性の高精度化が可能であり、本発明の電極構造により等
価直列抵抗も低くなる。さらには水晶片の加工面の面粗
さが小さく、水晶振動子特性の経時変化の少ない高安定
な水晶振動子が得られる。またさらに、水晶片は支持部
と一体構造のため、耐衝撃特性に優れているという効果
も備えている。
造工程におけるバラツキが小さくなり、温度特性などの
水晶振動子特性バラツキが小さくなって、水晶振動子特
性の高精度化が可能であり、本発明の電極構造により等
価直列抵抗も低くなる。さらには水晶片の加工面の面粗
さが小さく、水晶振動子特性の経時変化の少ない高安定
な水晶振動子が得られる。またさらに、水晶片は支持部
と一体構造のため、耐衝撃特性に優れているという効果
も備えている。
【図１】本発明の実施例における水晶振動子の構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】本発明の実施例における水晶振動子の電極構造
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例における水晶振動子の電極
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図４】本発明の他の実施例における水晶振動子の電極
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図５】従来例における水晶基板を示す斜視図である。
【図６】従来例における水晶振動子構造を示す斜視図で
ある。
ある。
【図７】本発明の他の実施例における水晶振動子の電極
構造を示す平面図である。
構造を示す平面図である。
１１ 支持枠 １３ 水晶片 １５ 電極膜 １７ 電極膜 １９ 電極膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−30736（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−84592（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−137991（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−90289（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−43489（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−123605（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−47290（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−53690（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−30635（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−77129（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/00 - 9/215 H03H 9/54 - 9/60
Claims (2)
- 【請求項１】 厚みすべり振動を有する水晶振動子にお
いて、 該水晶振動子の水晶基板は、 一辺をＸ軸とし、さらに該
Ｘ軸を中心にＹ軸をＺ軸に向けて角度θを３０゜〜４０
゜傾斜させたＹ´軸からなるＸＹ´平面の基板からな
り、前記 ＸＹ´平面基板から作成する水晶片はＸＹ´面を主
面とする支持枠と一体構造とし、励振用 の電極膜はＸＺ´面とＸＹ´面の両端部とに設
け、 前記Ｙ´軸方向に電界を加え前記水晶振動子を振動させ
る ことを特徴とする水晶振動子。 - 【請求項２】 厚みすべり振動を有する水晶振動子にお
いて、 該水晶振動子の水晶基板は、 一辺をＸ軸とし、さらに該
Ｘ軸を中心にＹ軸をＺ軸に向けて角度θを３０゜〜４０
゜傾斜させたＹ´軸からなるＹ´Ｚ´平面の基板からな
り、前記 Ｙ´Ｚ´平面基板から作成する水晶片は、Ｙ´Ｚ´
面を主面とする支持枠と一体構造とし、励振用 の電極膜は対向するＸＺ´面に設け、該電極膜は
Ｚ´軸方向でお互いにずらして設け、 前記Ｙ´軸方向に電界を加え前記水晶振動子を振動させ
る ことを特徴とする水晶振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21466092A JP3258078B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 水晶振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21466092A JP3258078B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 水晶振動子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637580A JPH0637580A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3258078B2 true JP3258078B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=16659454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21466092A Expired - Fee Related JP3258078B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 水晶振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3258078B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4032580B2 (ja) | 1999-01-20 | 2008-01-16 | 株式会社豊田自動織機 | 流体機械用のピストン |
| JP3427383B1 (ja) | 2002-04-08 | 2003-07-14 | 有限会社ケー・エム・シー | ピストンポンプ |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP21466092A patent/JP3258078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0637580A (ja) | 1994-02-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |