JP3255306B2 - 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置 - Google Patents
光磁気検出器及び光磁気デイスク装置Info
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- JP3255306B2 JP3255306B2 JP36020392A JP36020392A JP3255306B2 JP 3255306 B2 JP3255306 B2 JP 3255306B2 JP 36020392 A JP36020392 A JP 36020392A JP 36020392 A JP36020392 A JP 36020392A JP 3255306 B2 JP3255306 B2 JP 3255306B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気検出器及び当該光
磁気検出器を有する光磁気デイスク装置に関し、特に複
合プリズムを用いた光磁気検出器及び光磁気デイスク装
置に適用して好適なものである。
磁気検出器を有する光磁気デイスク装置に関し、特に複
合プリズムを用いた光磁気検出器及び光磁気デイスク装
置に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の光磁気検出器においては
図4に示すように、1は全体として光磁気検出器を示
し、半導体レーザ2から射出光ビームLA1を射出す
る。ここで光磁気検出器1においては、射出光ビームL
A1をリレーレンズ4及び波形整形プリズム5によつて
平行光線に変換した後、ビームスプリツタ6を透過さ
せ、対物レンズ8を介して光磁気デイスク10に焦光す
る。
図4に示すように、1は全体として光磁気検出器を示
し、半導体レーザ2から射出光ビームLA1を射出す
る。ここで光磁気検出器1においては、射出光ビームL
A1をリレーレンズ4及び波形整形プリズム5によつて
平行光線に変換した後、ビームスプリツタ6を透過さ
せ、対物レンズ8を介して光磁気デイスク10に焦光す
る。
【0003】また当該光磁気デイスク10に焦光した射
出光ビームLA1は、当該光磁気デイスク10の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光L
A2はビームスプリツタ6に入射され、ここで反射され
て 1/2波長板14を透過する。当該戻り光LA2は 1/2
波長板14を透過する際、 1/2波長板14の偏光特性に
より、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプリツタ
16に導かれる。
出光ビームLA1は、当該光磁気デイスク10の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光L
A2はビームスプリツタ6に入射され、ここで反射され
て 1/2波長板14を透過する。当該戻り光LA2は 1/2
波長板14を透過する際、 1/2波長板14の偏光特性に
より、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプリツタ
16に導かれる。
【0004】従つて当該偏光ビームスプリツタ16にお
いて、戻り光LA2はP偏光及びS偏光に分離され、そ
れぞれ集光レンズ18及び20を介して受光素子22及
び24に入射される。
いて、戻り光LA2はP偏光及びS偏光に分離され、そ
れぞれ集光レンズ18及び20を介して受光素子22及
び24に入射される。
【0005】このように戻り光LA2を2つの受光素子
22及び24において受光することにより、当該2つの
受光素子22及び24の検出結果から、光磁気検出信
号、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号等
を得るようになされている。
22及び24において受光することにより、当該2つの
受光素子22及び24の検出結果から、光磁気検出信
号、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号等
を得るようになされている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
光磁気検出器1においては、それぞれ別体でなる光学部
品(6、14、16)によつて構成されていることによ
り、各光学部品の位置決め精度を高精度化する必要があ
り、この分構成が複雑化して大型化することを避け得な
いと共に、各光学部品の位置決め調整作業が煩雑化する
問題があつた。
光磁気検出器1においては、それぞれ別体でなる光学部
品(6、14、16)によつて構成されていることによ
り、各光学部品の位置決め精度を高精度化する必要があ
り、この分構成が複雑化して大型化することを避け得な
いと共に、各光学部品の位置決め調整作業が煩雑化する
問題があつた。
【0007】また環境変化等によつて光学部品の組み立
て部分が変形し、光学特性が変化し易い等の問題があつ
た。
て部分が変形し、光学特性が変化し易い等の問題があつ
た。
【0008】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、一段と小型かつ調整工数を低減し得る光磁気検出器
及び当該光磁気検出器を有する光磁気デイスク装置を提
案しようとするものである。
で、一段と小型かつ調整工数を低減し得る光磁気検出器
及び当該光磁気検出器を有する光磁気デイスク装置を提
案しようとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、所定の光ビームLA1を光磁気デ
イスク10に照射し光磁気デイスク10で反射した戻り
光LA2を検出する光磁気検出器30及び当該光磁気検
出器30を有する光磁気デイスク装置において、光磁気
検出器30は、光ビームLA1を射出する光源2と、光
ビームLA1を光磁気デイスク10方向に反射させると
共に、光磁気デイスク10において反射した戻り光LA
2を透過させるビームスプリツタ膜32と、ビームスプ
リツタ膜32に接合され、ビームスプリツタ膜32を透
過した戻り光LA2の偏光面を45度回転させて透過する
媒体33と、媒体33に接合され、媒体33を透過した
戻り光LA2をそれぞれ異なる偏光方向でなる第1及び
第2の偏光成分に分離し、第1の偏光成分を第1の受光
素子22に入射させると共に第2の偏光成分をビームス
プリツタ膜32において反射させた後、第2の受光素子
24に入射させる偏光ビームスプリツタ膜34とを備え
るようにする。
め本発明においては、所定の光ビームLA1を光磁気デ
イスク10に照射し光磁気デイスク10で反射した戻り
光LA2を検出する光磁気検出器30及び当該光磁気検
出器30を有する光磁気デイスク装置において、光磁気
検出器30は、光ビームLA1を射出する光源2と、光
ビームLA1を光磁気デイスク10方向に反射させると
共に、光磁気デイスク10において反射した戻り光LA
2を透過させるビームスプリツタ膜32と、ビームスプ
リツタ膜32に接合され、ビームスプリツタ膜32を透
過した戻り光LA2の偏光面を45度回転させて透過する
媒体33と、媒体33に接合され、媒体33を透過した
戻り光LA2をそれぞれ異なる偏光方向でなる第1及び
第2の偏光成分に分離し、第1の偏光成分を第1の受光
素子22に入射させると共に第2の偏光成分をビームス
プリツタ膜32において反射させた後、第2の受光素子
24に入射させる偏光ビームスプリツタ膜34とを備え
るようにする。
【0010】また本発明においては、媒体33は、第1
の面41にビームスプリツタ膜32を形成し、第1の面
41の一部にビームスプリツタ膜32を介して非晶質媒
体31を接合し、非晶質媒体31を介して光磁気デイス
ク10からの戻り光を入射すると共に、非晶質媒体31
が接合されていない領域に形成されたビームスプリツタ
膜32に、偏光ビームスプリツタ膜34において反射し
た第2の偏光成分を入射するようにする。
の面41にビームスプリツタ膜32を形成し、第1の面
41の一部にビームスプリツタ膜32を介して非晶質媒
体31を接合し、非晶質媒体31を介して光磁気デイス
ク10からの戻り光を入射すると共に、非晶質媒体31
が接合されていない領域に形成されたビームスプリツタ
膜32に、偏光ビームスプリツタ膜34において反射し
た第2の偏光成分を入射するようにする。
【0011】
【作用】媒体33にビームスプリツタ膜32及び偏光ビ
ームスプリツタ膜34を接合することにより、これら光
学系を一体化することができる。従つて光学部品の煩雑
な位置決め工程を回避することができる。
ームスプリツタ膜34を接合することにより、これら光
学系を一体化することができる。従つて光学部品の煩雑
な位置決め工程を回避することができる。
【0012】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【0013】図4との対応部分に同一符号を付して示す
図1において30は全体として光磁気検出器を示し、第
1の面に光分岐用のビームスプリツタ膜32を形成する
と共に第2の面に偏光ビームスプリツタ膜34を形成し
た水晶等の複屈折又は旋光性を有する結晶部材33の第
1の面の一部にガラス部材31、ガラス部材35を固着
した複合プリズム40を受光素子22及び24が設けら
れた基板36上に固着する。
図1において30は全体として光磁気検出器を示し、第
1の面に光分岐用のビームスプリツタ膜32を形成する
と共に第2の面に偏光ビームスプリツタ膜34を形成し
た水晶等の複屈折又は旋光性を有する結晶部材33の第
1の面の一部にガラス部材31、ガラス部材35を固着
した複合プリズム40を受光素子22及び24が設けら
れた基板36上に固着する。
【0014】結晶部材33におけるガラス部材31を固
着する領域は、当該結晶部材33の傾斜面41の略半分
の領域とする。
着する領域は、当該結晶部材33の傾斜面41の略半分
の領域とする。
【0015】以上の構成において、半導体レーザ2から
射出された射出光ビームLA1は、ガラス部材31を透
過してビームスプリツタ膜32において反射され、さら
に対物レンズ8を介して光磁気デイスク10に焦光す
る。
射出された射出光ビームLA1は、ガラス部材31を透
過してビームスプリツタ膜32において反射され、さら
に対物レンズ8を介して光磁気デイスク10に焦光す
る。
【0016】また当該光磁気デイスク10に焦光した射
出光ビームLA1は、当該光磁気デイスク10の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光L
A2は再びガラス部材31を介してビームスプリツタ膜
32に入射され、これを透過した後、結晶部材33に入
射する。
出光ビームLA1は、当該光磁気デイスク10の磁界強
度に応じて偏光面が回転しながら反射し、当該戻り光L
A2は再びガラス部材31を介してビームスプリツタ膜
32に入射され、これを透過した後、結晶部材33に入
射する。
【0017】当該戻り光LA2は結晶部材33を透過す
る際、当該結晶部材33の偏光特性(複屈折及び旋光
性)により、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプ
リツタ膜34に導かれる。
る際、当該結晶部材33の偏光特性(複屈折及び旋光
性)により、偏光方向が45°回転されて偏光ビームスプ
リツタ膜34に導かれる。
【0018】従つて45°傾いた偏光方向で偏光ビームス
プリツタ膜34に入射した戻り光LA2はP偏光及びS
偏光に分離され、P偏光成分はガラス部材35を透過し
て受光素子22に入射する。これに対して偏光ビームス
プリツタ膜34において反射したS偏光成分は、結晶部
材33内を透過してビームスプリツタ膜32に入射す
る。ここで当該ビームスプリツタ膜32は結晶部材33
及び空気中の境界に形成されていることにより、結晶部
材33内部を透過した戻り光LA2ののS偏光成分を全
反射させ、これにより当該戻り光LA2のS偏光成分は
受光素子24に導びかれる。
プリツタ膜34に入射した戻り光LA2はP偏光及びS
偏光に分離され、P偏光成分はガラス部材35を透過し
て受光素子22に入射する。これに対して偏光ビームス
プリツタ膜34において反射したS偏光成分は、結晶部
材33内を透過してビームスプリツタ膜32に入射す
る。ここで当該ビームスプリツタ膜32は結晶部材33
及び空気中の境界に形成されていることにより、結晶部
材33内部を透過した戻り光LA2ののS偏光成分を全
反射させ、これにより当該戻り光LA2のS偏光成分は
受光素子24に導びかれる。
【0019】偏光ビームスプリツタ膜34において分離
されたP偏光成分及びS偏光成分はそれぞれ光磁気デイ
スク10における磁気カー効果によつて生じた偏光面の
回転を逆成分として含むため、受光素子22及び24に
入射する光束の差を検出することにより、光磁気デイス
ク10上の記録磁区を検出することができる。
されたP偏光成分及びS偏光成分はそれぞれ光磁気デイ
スク10における磁気カー効果によつて生じた偏光面の
回転を逆成分として含むため、受光素子22及び24に
入射する光束の差を検出することにより、光磁気デイス
ク10上の記録磁区を検出することができる。
【0020】すなわち図2は受光素子22及び24の受
光部を示し、それぞれ3つの受光部22A、22B、2
2C及び24A、24B、24Cを有し、それぞれの受
光部における受光量に応じて光磁気デイスク10に対す
るトラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号、R
F和信号(位相ピツト検出信号)、RF差信号(光磁気
検出信号)を検出することができる。
光部を示し、それぞれ3つの受光部22A、22B、2
2C及び24A、24B、24Cを有し、それぞれの受
光部における受光量に応じて光磁気デイスク10に対す
るトラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号、R
F和信号(位相ピツト検出信号)、RF差信号(光磁気
検出信号)を検出することができる。
【0021】ここで受光部24Aにおける受光量をA、
受光部24Bにおける受光量をB、受光部24Cに於け
る受光量をC、受光部22Aにおける受光量をD、受光
部22Bにおける受光量をE、受光部22Cにおける受
光量をFとすると、トラツキングエラー信号は(A−
C)+(F−D)によつて表され、フオーカスエラー信
号は(A+C−B)−(D+F−E)によつて表され、
RF和信号は(A+B+C)+(D+E+F)によつて
表され、RF差信号は(A+B+C)−(D+E+F)
によつて表される。
受光部24Bにおける受光量をB、受光部24Cに於け
る受光量をC、受光部22Aにおける受光量をD、受光
部22Bにおける受光量をE、受光部22Cにおける受
光量をFとすると、トラツキングエラー信号は(A−
C)+(F−D)によつて表され、フオーカスエラー信
号は(A+C−B)−(D+F−E)によつて表され、
RF和信号は(A+B+C)+(D+E+F)によつて
表され、RF差信号は(A+B+C)−(D+E+F)
によつて表される。
【0022】かくして光磁気検出器30においては、一
体化された複合プリズム40を基板36上に固着するよ
うにしたことにより、ビームスプリツタ膜32、偏光ビ
ームスプリツタ膜34等の光学部材の煩雑な位置決めを
することなく容易に光磁気検出信号等を得ることができ
る。
体化された複合プリズム40を基板36上に固着するよ
うにしたことにより、ビームスプリツタ膜32、偏光ビ
ームスプリツタ膜34等の光学部材の煩雑な位置決めを
することなく容易に光磁気検出信号等を得ることができ
る。
【0023】以上の構成によれば、ビームスプリツタ膜
32及び偏光ビームスプリツタ膜34等の光学部品を複
合プリズム40として一体化したことにより、当該光学
部品の煩雑な位置決めの必要性を回避し得る。従つて当
該光磁気検出器30を一段と小型化し得る。
32及び偏光ビームスプリツタ膜34等の光学部品を複
合プリズム40として一体化したことにより、当該光学
部品の煩雑な位置決めの必要性を回避し得る。従つて当
該光磁気検出器30を一段と小型化し得る。
【0024】なお上述の実施例においては、それぞれ3
つの受光部を有する受光素子22及び24を用いた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図3
に示すように、それぞれ4つの受光部52A、52B、
52C、52D及び54A、54B、54C、54Dを
有する受光素子52及び54を用いるようにしても良
い。
つの受光部を有する受光素子22及び24を用いた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図3
に示すように、それぞれ4つの受光部52A、52B、
52C、52D及び54A、54B、54C、54Dを
有する受光素子52及び54を用いるようにしても良
い。
【0025】この場合、受光部54Aにおける受光量を
A、受光部54Bにおける受光量をB、受光部54Cに
おける受光量をC、受光部54Dにおける受光量をD、
受光部52Aにおける受光量をE、受光部52Bにおけ
る受光量をF、受光部52Cにおける受光量をG、受光
部52Dにおける受光量をHとすると、トラツキングエ
ラー信号は((A+B)−(C+D))+((G+H)
−(E+F))によつて表され、フオーカスエラー信号
は(A+D−(B+C))−(E+H−(F+G))に
よつて表され、RF和信号は(A+B+C+D)+(E
+F+G+H)によつて表され、RF差信号は(A+B
+C+D)−(E+F+G+H)によつて表される。
A、受光部54Bにおける受光量をB、受光部54Cに
おける受光量をC、受光部54Dにおける受光量をD、
受光部52Aにおける受光量をE、受光部52Bにおけ
る受光量をF、受光部52Cにおける受光量をG、受光
部52Dにおける受光量をHとすると、トラツキングエ
ラー信号は((A+B)−(C+D))+((G+H)
−(E+F))によつて表され、フオーカスエラー信号
は(A+D−(B+C))−(E+H−(F+G))に
よつて表され、RF和信号は(A+B+C+D)+(E
+F+G+H)によつて表され、RF差信号は(A+B
+C+D)−(E+F+G+H)によつて表される。
【0026】また上述の実施例においては、ガラス部材
31及び35を用いた場合について述べたが、本発明は
これに限らず、要は非晶質媒体であれば種々の材質のも
のを用いることができる。
31及び35を用いた場合について述べたが、本発明は
これに限らず、要は非晶質媒体であれば種々の材質のも
のを用いることができる。
【0027】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、光磁気デ
イスクからの戻り光の偏光面を回転させる媒体の第1及
び第2の面にビームスプリツタ膜及び偏光ビームスプリ
ツタ膜を接合することにより、光磁気デイスクからの戻
り光を受光素子に入射させる光学系を一体化することが
でき、これにより光学部品の煩雑な位置決め工程を回避
し得ると共に一段と小型の光磁気検出器及び当該光磁気
検出器を有する光磁気デイスク装置を実現できる。
イスクからの戻り光の偏光面を回転させる媒体の第1及
び第2の面にビームスプリツタ膜及び偏光ビームスプリ
ツタ膜を接合することにより、光磁気デイスクからの戻
り光を受光素子に入射させる光学系を一体化することが
でき、これにより光学部品の煩雑な位置決め工程を回避
し得ると共に一段と小型の光磁気検出器及び当該光磁気
検出器を有する光磁気デイスク装置を実現できる。
【図1】本発明による光磁気検出器の一実施例を示す側
面図である。
面図である。
【図2】受光素子の構成を示す略線図である。
【図3】受光素子の構成を示す略線図である。
【図4】従来の光磁気検出器を示す略線図である。
2……半導体レーザ、10……光磁気デイスク、22、
24……受光素子、30……光磁気検出器、31、35
……ガラス部材、32……ビームスプリツタ膜、33…
…結晶部材、34……偏光ビームスプリツタ膜、36…
…基板。
24……受光素子、30……光磁気検出器、31、35
……ガラス部材、32……ビームスプリツタ膜、33…
…結晶部材、34……偏光ビームスプリツタ膜、36…
…基板。
Claims (4)
- 【請求項1】所定の光ビームを射出する光源と、 上記光ビームを光磁気デイスク方向に反射させると共
に、上記光磁気デイスクにおいて反射した戻り光を透過
させるビームスプリツタ膜と、 上記ビームスプリツタ膜に接合され、上記ビームスプリ
ツタ膜を透過した上記戻り光の偏光面を45度回転させて
透過する媒体と、 上記媒体に接合され、上記媒体を透過した上記戻り光を
それぞれ異なる偏光方向でなる第1及び第2の偏光成分
に分離し、上記第1の偏光成分を第1の受光素子に入射
させると共に上記第2の偏光成分を上記ビームスプリツ
タ膜において反射させた後、第2の受光素子に入射させ
る偏光ビームスプリツタ膜とを具えたことを特徴とする
光磁気検出器。 - 【請求項2】上記媒体は、第1の面に上記ビームスプリ
ツタ膜を形成し、上記第1の面の一部に上記ビームスプ
リツタ膜を介して非晶質媒体を接合し、上記非晶質媒体
を介して上記光磁気デイスクからの戻り光を入射すると
共に、上記非晶質媒体が接合されていない領域に形成さ
れた上記ビームスプリツタ膜に、上記偏光ビームスプリ
ツタ膜において反射した上記第2の偏光成分を入射する
ようにしたことを特徴とする請求項1に記載の光磁気検
出器。 - 【請求項3】 所定の光ビームを光磁気デイスクに照射し
上記光磁気デイスクで反射した戻り光を検出する光磁気
検出器を有する光磁気デイスク装置において、 上記光磁気検出器は、 上記光ビームを射出する光源と、 上記光ビームを上記光磁気デイスク方向に反射させると
共に、上記光磁気デイスクにおいて反射した上記戻り光
を透過させるビームスプリツタ膜と、 上記ビームスプリツタ膜に接合され、上記ビームスプリ
ツタ膜を透過した上記戻り光の偏光面を45度回転させて
透過する媒体と、 上記媒体に接合され、上記媒体を透過した上記戻り光を
それぞれ異なる偏光方 向でなる第1及び第2の偏光成分
に分離し、上記第1の偏光成分を第1の受光素子に入射
させると共に上記第2の偏光成分を上記ビームスプリツ
タ膜において反射させた後、第2の受光素子に入射させ
る偏光ビームスプリツタ膜と を具えたことを特徴とする
光磁気デイスク装置。 - 【請求項4】 上記媒体は、第1の面に上記ビームスプリ
ツタ膜を形成し、上記第1の面の一部に上記ビームスプ
リツタ膜を介して非晶質媒体を接合し、上記非晶質媒体
を介して上記光磁気デイスクからの戻り光を入射すると
共に、上記非晶質媒体が接合されていない領域に形成さ
れた上記ビームスプリツタ膜に、上記偏光ビームスプリ
ツタ膜において反射した上記第2の偏光成分を入射する
ようにした ことを特徴とする請求項3に記載の光磁気デ
イスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36020392A JP3255306B2 (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36020392A JP3255306B2 (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06203420A JPH06203420A (ja) | 1994-07-22 |
JP3255306B2 true JP3255306B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18468355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36020392A Expired - Fee Related JP3255306B2 (ja) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 光磁気検出器及び光磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3255306B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2806293B2 (ja) * | 1994-10-06 | 1998-09-30 | 松下電器産業株式会社 | 光ピックアップ及びその製造方法 |
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