JP3242438B2 - 発光半導体装置 - Google Patents
発光半導体装置Info
- Publication number
- JP3242438B2 JP3242438B2 JP06041092A JP6041092A JP3242438B2 JP 3242438 B2 JP3242438 B2 JP 3242438B2 JP 06041092 A JP06041092 A JP 06041092A JP 6041092 A JP6041092 A JP 6041092A JP 3242438 B2 JP3242438 B2 JP 3242438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- light emitting
- light
- emitting semiconductor
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光半導体装置に関
し、詳しくは、発光半導体チップの側面からの光を制限
した発光半導体装置に関するものである。
し、詳しくは、発光半導体チップの側面からの光を制限
した発光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の発光半導体装置の断面図
であり、コバールガラス等の絶縁材料からなるベース基
材１（ステムと呼ぶこともある）と、発光半導体チップ
２をダイボンディングするための金属層３を有し、前記
ベース基材１を貫通して取付けられた電極リード４ａ，
４ｂの一方の電極リード４ａは、前記金属層３と電気的
に接続される。また、光半導体チップ２の主表面に形成
された電極と、もう一方の前記電極リード４ｂとは、金
（Ａｕ）等の金属細線５で接続されている。
であり、コバールガラス等の絶縁材料からなるベース基
材１（ステムと呼ぶこともある）と、発光半導体チップ
２をダイボンディングするための金属層３を有し、前記
ベース基材１を貫通して取付けられた電極リード４ａ，
４ｂの一方の電極リード４ａは、前記金属層３と電気的
に接続される。また、光半導体チップ２の主表面に形成
された電極と、もう一方の前記電極リード４ｂとは、金
（Ａｕ）等の金属細線５で接続されている。
【０００３】また、前記発光半導体チップ２は、側面か
らの発光をカットし、一様な面発光を得るために遮光材
として、例えば、シリコーン樹脂６がその側面にコート
されている。
らの発光をカットし、一様な面発光を得るために遮光材
として、例えば、シリコーン樹脂６がその側面にコート
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の発光半導体装置は、側面からの発光をカットし、
一様な面発光（平行光ともいう）を得るためにコーティ
ングする遮光材の塗布ムラにより、均一な輝度特性が得
られないこと及び、狭いエリアに塗布する為、遮光材が
前記発光半導体チップの発光面にはい上がり、該発光面
を塞ぐ事故も少なくない。更に作業性も悪い等幾つかの
重大な問題点を有するものである。
従来の発光半導体装置は、側面からの発光をカットし、
一様な面発光（平行光ともいう）を得るためにコーティ
ングする遮光材の塗布ムラにより、均一な輝度特性が得
られないこと及び、狭いエリアに塗布する為、遮光材が
前記発光半導体チップの発光面にはい上がり、該発光面
を塞ぐ事故も少なくない。更に作業性も悪い等幾つかの
重大な問題点を有するものである。
【０００５】本発明は、以上述べた問題点を解決し均一
な輝度特性をもち且つ、煩雑な作業から開放される発光
半導体装置を提供することを目的とする。
な輝度特性をもち且つ、煩雑な作業から開放される発光
半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、上記目
的を達成するために、発光半導体装置において、主表面
に内壁面と底面とのなす角度が直角以下である凹部が形
成されたステムと、前記凹部の底面とＰＮ接合面とが略
平行となるように該凹部に収納された発光半導体チップ
とからなり、前記ＰＮ接合面は前記ＰＮ接合面は前記ス
テムの主表面より低い位置にあるようにしたものであ
る。
的を達成するために、発光半導体装置において、主表面
に内壁面と底面とのなす角度が直角以下である凹部が形
成されたステムと、前記凹部の底面とＰＮ接合面とが略
平行となるように該凹部に収納された発光半導体チップ
とからなり、前記ＰＮ接合面は前記ＰＮ接合面は前記ス
テムの主表面より低い位置にあるようにしたものであ
る。
【０００７】また、第２の発明は、発光半導体装置にお
いて、ステムと、前記ステムの主表面とＰＮ接合面とが
略平行となるように該ステムの主表面上に固着された発
光半導体チップと、前記ステム主表面上に固着され、前
記ＰＮ接合面より高い前記発光半導体チップの側面を包
囲する遮光体とからなり、前記ステムの主表面に対する
前記遮光体の内壁の角度が直角以下を有するようにした
ものである。
いて、ステムと、前記ステムの主表面とＰＮ接合面とが
略平行となるように該ステムの主表面上に固着された発
光半導体チップと、前記ステム主表面上に固着され、前
記ＰＮ接合面より高い前記発光半導体チップの側面を包
囲する遮光体とからなり、前記ステムの主表面に対する
前記遮光体の内壁の角度が直角以下を有するようにした
ものである。
【０００８】さらに、第３の発明は、発光半導体チップ
の製造方法において、発光半導体チップのＰＮ接合面よ
り高い発光半導体チップの側面をテーパ状に包囲する中
空部を遮光体に形成する準備工程と、ステムの主表面と
発光半導体チップのＰＮ接合面が略平行となるように該
ステムの主表面上に該発光半導体チップ固着する工程
と、前記中空部が前記発光半導体チップの側面を前記ス
テムの主表面に対して直角以下の角度で包囲するように
該ステム主表面上に前記遮光体を固着する工程とからな
るものである。
の製造方法において、発光半導体チップのＰＮ接合面よ
り高い発光半導体チップの側面をテーパ状に包囲する中
空部を遮光体に形成する準備工程と、ステムの主表面と
発光半導体チップのＰＮ接合面が略平行となるように該
ステムの主表面上に該発光半導体チップ固着する工程
と、前記中空部が前記発光半導体チップの側面を前記ス
テムの主表面に対して直角以下の角度で包囲するように
該ステム主表面上に前記遮光体を固着する工程とからな
るものである。
【０００９】
【作用】第１の発明は、以上のように発光半導体装置を
構成したので、発光半導体チップの側面から発光する光
が、ステムの凹部の内壁面と底面とでなす直角以下の角
度の前記内壁面で反射・減衰し、上方に光が飛び出すこ
とがない。
構成したので、発光半導体チップの側面から発光する光
が、ステムの凹部の内壁面と底面とでなす直角以下の角
度の前記内壁面で反射・減衰し、上方に光が飛び出すこ
とがない。
【００１０】第２の発明は、以上のように発光半導体チ
ップを構成したので、発光半導体チップの側面から発光
する光が、遮光体の内壁と前記ステムの主表面とでなす
直角以下の角度の前記内壁面で反射・減衰し、上方に光
が飛び出すことがない。
ップを構成したので、発光半導体チップの側面から発光
する光が、遮光体の内壁と前記ステムの主表面とでなす
直角以下の角度の前記内壁面で反射・減衰し、上方に光
が飛び出すことがない。
【００１１】第３の発明は、以上のように発光半導体装
置の製造方法を構成したので、発光半導体チップの側面
から発光する光が、中空部を有する遮光体の中空部側壁
面と前記ステムの主表面とでなす直角以下の角度の前記
周壁面で、反射・減衰し、上方に光が飛び出すことがな
い。
置の製造方法を構成したので、発光半導体チップの側面
から発光する光が、中空部を有する遮光体の中空部側壁
面と前記ステムの主表面とでなす直角以下の角度の前記
周壁面で、反射・減衰し、上方に光が飛び出すことがな
い。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例を示す発光半
導体装置の断面図である。発光半導体チップ１０は、ス
テムを成すコバールガラス等の絶縁材料からなるベース
基材１１の主表面ほぼ中央部に設けられた、該チップ１
０を収納するに十分な深さを有する凹部１２内に、金属
層１３を介してダイボンディングされている。該凹部１
２の底部に設けられた前記金属層１３は、前記ベース基
材１１を貫通して取付けられた電極リード１４ａと電気
的接続されている。
導体装置の断面図である。発光半導体チップ１０は、ス
テムを成すコバールガラス等の絶縁材料からなるベース
基材１１の主表面ほぼ中央部に設けられた、該チップ１
０を収納するに十分な深さを有する凹部１２内に、金属
層１３を介してダイボンディングされている。該凹部１
２の底部に設けられた前記金属層１３は、前記ベース基
材１１を貫通して取付けられた電極リード１４ａと電気
的接続されている。
【００１３】また、前記発光半導体チップ１０の主表面
に形成された電極と、もう一方の前記電極リード１４ｂ
とは、金（Ａｕ）等の金属細線１５で接続されている。
更に、前記凹部１２の周壁面１２ａは、その角度が直角
以下（この実施例では直角）の角度を有しており、前記
発光半導体チップ１０のＰＮ接合面から前記周壁面１２
ａに向かって放出される発光を、該凹部１２内から外部
に飛び出さないようにしてある。
に形成された電極と、もう一方の前記電極リード１４ｂ
とは、金（Ａｕ）等の金属細線１５で接続されている。
更に、前記凹部１２の周壁面１２ａは、その角度が直角
以下（この実施例では直角）の角度を有しており、前記
発光半導体チップ１０のＰＮ接合面から前記周壁面１２
ａに向かって放出される発光を、該凹部１２内から外部
に飛び出さないようにしてある。
【００１４】従って、前記発光半導体チップ１０が固着
収納される前記凹部１２の深さは、該発光半導体チップ
１０のＰＮ接合面が、前記ステムの主表面より飛び出さ
ないように設計されている。
収納される前記凹部１２の深さは、該発光半導体チップ
１０のＰＮ接合面が、前記ステムの主表面より飛び出さ
ないように設計されている。
【００１５】図２は、本発明の第２の実施例を示す発光
半導体装置の断面図である。発光半導体チップ１０は、
ステムを成すコバールガラス等の絶縁材料からなるベー
ス基材１６の主表面ほぼ中央部に、金属層１７を介して
ダイボンディングされている。このダイボンディングの
際は、前記発光半導体チップ１０のＰＮ接合面１０ａが
該ベース基材１６の主表面とほぼ平行に固着される。そ
して、中空部１８ａを有する遮光体１８が、このチップ
１０の前記ＰＮ接合面１０ａを包囲するように前記ベー
ス基材１６上に固着されている。該遮光体１８の中空部
１８ａの側壁面と、前記ベース基材１６の主表面とでな
す角度は、直角以下（実施例では４５°）の角度となっ
ており、前記ＰＮ接合面１０ａから放出した発光は、前
記ベース基材１６の主表面と前記遮光体１８とで作られ
た凹部から外部に飛び出さないように設計されている。
半導体装置の断面図である。発光半導体チップ１０は、
ステムを成すコバールガラス等の絶縁材料からなるベー
ス基材１６の主表面ほぼ中央部に、金属層１７を介して
ダイボンディングされている。このダイボンディングの
際は、前記発光半導体チップ１０のＰＮ接合面１０ａが
該ベース基材１６の主表面とほぼ平行に固着される。そ
して、中空部１８ａを有する遮光体１８が、このチップ
１０の前記ＰＮ接合面１０ａを包囲するように前記ベー
ス基材１６上に固着されている。該遮光体１８の中空部
１８ａの側壁面と、前記ベース基材１６の主表面とでな
す角度は、直角以下（実施例では４５°）の角度となっ
ており、前記ＰＮ接合面１０ａから放出した発光は、前
記ベース基材１６の主表面と前記遮光体１８とで作られ
た凹部から外部に飛び出さないように設計されている。
【００１６】また、前記ベース基材１６には、電極リー
ド１４ａ，１４ｂが取付けられており、一方の電極リー
ド１４ａは、前記金属層１７と電気的に接続され、もう
一方の前記電極リード１４ｂは、前記発光半導体チップ
１０の主表面に形成された電極と、金（Ａｕ）等の金属
細線１５で接続されている。
ド１４ａ，１４ｂが取付けられており、一方の電極リー
ド１４ａは、前記金属層１７と電気的に接続され、もう
一方の前記電極リード１４ｂは、前記発光半導体チップ
１０の主表面に形成された電極と、金（Ａｕ）等の金属
細線１５で接続されている。
【００１７】図３（ａ）乃至（ｃ）は、図２で示した本
発明の第２の実施例の発光半導体装置を製造する方法を
説明する工程断面図である。従って、図３において、図
２と同一部分は同一符号を付してある。
発明の第２の実施例の発光半導体装置を製造する方法を
説明する工程断面図である。従って、図３において、図
２と同一部分は同一符号を付してある。
【００１８】まず、図３（ａ）工程では、ベース基材１
６と同心円または、やや小さい外径を有する遮光体１８
を準備し、該遮光体１８のほぼ中央部に側壁面がテーパ
ーを有し且つ、前記発光半導体チップ１０の外径よりや
や大きい中空部１８ａを形成する。該テーパーは、該遮
光体１８の底部と側壁面とでなす角度が９０°より小さ
い角度で、形成されている。この実施例では４５°であ
る。また、前記遮光体１８の周縁部の電極リード１４ｂ
に対応する位置に、該電極リード１４ｂを迂回させる切
り欠き、或いは第２の中空部１８ｂを設ける。該遮光体
１８は、前記電極リード１４ｂとのショートを避けるた
め、絶縁性材料で構成すると良い。
６と同心円または、やや小さい外径を有する遮光体１８
を準備し、該遮光体１８のほぼ中央部に側壁面がテーパ
ーを有し且つ、前記発光半導体チップ１０の外径よりや
や大きい中空部１８ａを形成する。該テーパーは、該遮
光体１８の底部と側壁面とでなす角度が９０°より小さ
い角度で、形成されている。この実施例では４５°であ
る。また、前記遮光体１８の周縁部の電極リード１４ｂ
に対応する位置に、該電極リード１４ｂを迂回させる切
り欠き、或いは第２の中空部１８ｂを設ける。該遮光体
１８は、前記電極リード１４ｂとのショートを避けるた
め、絶縁性材料で構成すると良い。
【００１９】次に、（ｂ）工程では、コバールガラス等
の絶縁材料からなるベース基材１６の主表面に金属層１
７が形成されたステムを準備し、該ステムの主表面ほぼ
中央部の前記金属層１７上に発光半導体チップ１０をダ
イボンディングする。このダイボンディングの際は、前
記発光半導体チップ１０のＰＮ接合面１０ａが該ステム
の主表面とほぼ平行に固着される。
の絶縁材料からなるベース基材１６の主表面に金属層１
７が形成されたステムを準備し、該ステムの主表面ほぼ
中央部の前記金属層１７上に発光半導体チップ１０をダ
イボンディングする。このダイボンディングの際は、前
記発光半導体チップ１０のＰＮ接合面１０ａが該ステム
の主表面とほぼ平行に固着される。
【００２０】また、前記ステムには、電極リード１４
ａ，１４ｂが取付けられており、一方の電極リード１４
ａは、前記金属層１７と電気的に接続され、もう一方の
前記電極リード１４ｂの先端部分は、前記発光半導体チ
ップ１０の主表面に形成された電極と後に、金（Ａｕ）
等の金属細線１５で接続されるように、前記ベース基材
１６を貫通し、該ベース基材１６の主表面上に固着され
る遮光体１８の主表面より上方に飛び出している。
ａ，１４ｂが取付けられており、一方の電極リード１４
ａは、前記金属層１７と電気的に接続され、もう一方の
前記電極リード１４ｂの先端部分は、前記発光半導体チ
ップ１０の主表面に形成された電極と後に、金（Ａｕ）
等の金属細線１５で接続されるように、前記ベース基材
１６を貫通し、該ベース基材１６の主表面上に固着され
る遮光体１８の主表面より上方に飛び出している。
【００２１】次に（ｃ）工程では、前記（ｂ）工程が終
了した前記ベース基材１６上と、前記（ａ）工程が終了
した前記遮光体１８を準備し、該ベース基材１６上の前
記発光半導体チップ１０の外周を囲むように、中空部１
８ａを有する前記遮光体１８を取付ける。この取付けに
際し、該遮光体１８を１８０度回転させる。つまり、該
遮光体１８の表裏を逆にして前記ベース基材１６に固着
する。これにより、前記側壁面と前記ベース基材１６の
主表面とでなす角度が直角より小さい角度になる。その
後、前記発光半導体チップ１０の表面に形成された外部
引出電極と前記電極リード１４ｂとを金（Ａｕ）等の金
属細線１５で接続し、更に図示しない光透過性キャップ
を施して完成する。
了した前記ベース基材１６上と、前記（ａ）工程が終了
した前記遮光体１８を準備し、該ベース基材１６上の前
記発光半導体チップ１０の外周を囲むように、中空部１
８ａを有する前記遮光体１８を取付ける。この取付けに
際し、該遮光体１８を１８０度回転させる。つまり、該
遮光体１８の表裏を逆にして前記ベース基材１６に固着
する。これにより、前記側壁面と前記ベース基材１６の
主表面とでなす角度が直角より小さい角度になる。その
後、前記発光半導体チップ１０の表面に形成された外部
引出電極と前記電極リード１４ｂとを金（Ａｕ）等の金
属細線１５で接続し、更に図示しない光透過性キャップ
を施して完成する。
【００２２】この実施例では、（ｂ）工程で、前記ベー
ス基材１６上に、前記発光半導体チップ１０をダイボン
ディングした後、（ｃ）工程で、中空部１８ａ，１８ｂ
を有する前記遮光体１８を取付けたが、（ｂ）工程で、
前記ベース基材１６上に、中空部１８ａ，１８ｂを有す
る前記遮光体１８を取付けた後、（ｃ）工程で、前記発
光半導体チップ１０をダイボンディングしても良い。
ス基材１６上に、前記発光半導体チップ１０をダイボン
ディングした後、（ｃ）工程で、中空部１８ａ，１８ｂ
を有する前記遮光体１８を取付けたが、（ｂ）工程で、
前記ベース基材１６上に、中空部１８ａ，１８ｂを有す
る前記遮光体１８を取付けた後、（ｃ）工程で、前記発
光半導体チップ１０をダイボンディングしても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、第１の発
明の発光半導体装置に依れば、主表面に内壁面と底面と
のなす角度が直角以下である凹部が形成されたステムを
設けて、前記凹部の底面とＰＮ接合面とが略平行となる
ように該凹部に収納された発光半導体チップとからな
り、前記ＰＮ接合面は前記ステムの主表面より低い位置
にあるようにしたので、前記発光半導体チップの側面か
らの発光を上方に放出することを抑止できる。また、第
２の発明の発光半導体装置に依れば、ステムと、前記ス
テムの主表面とＰＮ接合面とが略平行となるように該ス
テムの主表面上に固着された発光半導体チップと、前記
ステム主表面上に固着され、前記ＰＮ接合面より高い前
記発光半導体チップの側面を包囲する遮光体とからな
り、前記ステムの主表面に対する前記遮光体の内壁の角
度が直角以下を有するようにしたので、前記発光半導体
チップの側面からの発光を上方に放出することを抑止で
きる。
明の発光半導体装置に依れば、主表面に内壁面と底面と
のなす角度が直角以下である凹部が形成されたステムを
設けて、前記凹部の底面とＰＮ接合面とが略平行となる
ように該凹部に収納された発光半導体チップとからな
り、前記ＰＮ接合面は前記ステムの主表面より低い位置
にあるようにしたので、前記発光半導体チップの側面か
らの発光を上方に放出することを抑止できる。また、第
２の発明の発光半導体装置に依れば、ステムと、前記ス
テムの主表面とＰＮ接合面とが略平行となるように該ス
テムの主表面上に固着された発光半導体チップと、前記
ステム主表面上に固着され、前記ＰＮ接合面より高い前
記発光半導体チップの側面を包囲する遮光体とからな
り、前記ステムの主表面に対する前記遮光体の内壁の角
度が直角以下を有するようにしたので、前記発光半導体
チップの側面からの発光を上方に放出することを抑止で
きる。
【００２４】さらに、この発明の発光半導体装置の製造
方法に依れば、前記遮光体を前記ステム上に固着するに
先立って、該遮光体のほぼ中央部に側壁面がテーパー面
で且つ、前記光半導体チップ外径を越える大きさの中空
部をなす貫通穴をドリル等で形成でき、その後、前記貫
通穴側壁面と前記ステム表面とでなす角度が直角より小
さい角度になるように、該遮光体を１８０度回転させて
前記ステムに固着して製造することができるので、特別
な加工を必要としない。そして、一様な面発光を得るた
めに、前記発光半導体チップの側面にコーティングして
いた遮光材の塗布が不要となるので、塗布ムラによる不
均一な輝度特性や、狭いエリアに塗布する為、遮光材が
前記発光半導体チップの発光面にはい上がり、該発光面
を塞ぐ事故も全く起こらない等の利益がある。
方法に依れば、前記遮光体を前記ステム上に固着するに
先立って、該遮光体のほぼ中央部に側壁面がテーパー面
で且つ、前記光半導体チップ外径を越える大きさの中空
部をなす貫通穴をドリル等で形成でき、その後、前記貫
通穴側壁面と前記ステム表面とでなす角度が直角より小
さい角度になるように、該遮光体を１８０度回転させて
前記ステムに固着して製造することができるので、特別
な加工を必要としない。そして、一様な面発光を得るた
めに、前記発光半導体チップの側面にコーティングして
いた遮光材の塗布が不要となるので、塗布ムラによる不
均一な輝度特性や、狭いエリアに塗布する為、遮光材が
前記発光半導体チップの発光面にはい上がり、該発光面
を塞ぐ事故も全く起こらない等の利益がある。
【図１】本発明の第１の実施例の発光半導体装置を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の第２の実施例の発光半導体装置を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例の発光半導体装置の製造方法を
示す図である。
示す図である。
【図４】従来の発光半導体装置を示す図である。
【符号の説明】 １０ 発光半導体チップ １１，１６ ベース基材 １２ 凹部 １３，１７ 金属層 １４ａ，１４ｂ 電極リード １５ 金属細線 １８ 遮光体 １８ａ 中空部 １８ｂ 第２の中空部
Claims (2)
- 【請求項１】 主表面及び下面を有するステムと、 絶縁体からなり、表面及び裏面を有し、前記ステムの前
記主表面に前記裏面が固着され、前記裏面側の開口部が
前記表面側の開口部よりも大きい貫通孔を有する遮光体
と、 前記貫通孔内に配置された発光素子と、 第１の電極リードの先端部が前記遮光体の前記表面より
も突出し、かつ前記ステムを貫通する前記第１の電極リ
ードであって、前記遮光体の前記表面上方でワイヤを用
いて前記発光素子と電気的に接続されている前記先端部
を有する前記第１の電極リードと、 前記ステムに埋め込まれ、前記ステムの前記下面側から
突出し、前記発光素子と電気的に接続されている第２の
電極リードとを有することを特徴とする発光半導体装
置。 - 【請求項２】 主表面及び下面を有するステムと、 前記ステムの前記主表面を覆う金属層と、 絶縁体からなり、表面及び裏面を有し、前記金属層を介
して前記ステムの前記主表面に前記裏面が固着され、前
記裏面側の開口部が前記表面側の開口部よりも大きい貫
通孔を有する遮光体と、 前記貫通孔内に配置され、前記金属層上に配置された発
光素子と前記ステムの前記主表面から突出するように前
記ステムを貫通し、前記発光素子と電気的に接続されて
いる第１の電極リードと、 前記ステムに埋め込まれ、前記ステムの前記下面側から
突出し、前記金属層の前記ステムと対向する面と接触し
ている第２の電極リードとを有することを特徴とする発
光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06041092A JP3242438B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06041092A JP3242438B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 発光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267719A JPH05267719A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3242438B2 true JP3242438B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=13141384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06041092A Expired - Fee Related JP3242438B2 (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3242438B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101917875B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2018-11-13 | 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP06041092A patent/JP3242438B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101917875B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2018-11-13 | 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267719A (ja) | 1993-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005175048A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS62260384A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3242438B2 (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP3187482B2 (ja) | パッケージ型半導体レーザ装置 | |
| US7307288B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2605856Y2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPS60217687A (ja) | 発光電子装置 | |
| JPS6195590A (ja) | 光電子装置 | |
| US7227877B2 (en) | Semiconductor laser devices | |
| JP2002246653A (ja) | 光半導体パッケージ | |
| JP2674214B2 (ja) | 半導体装置のパッケージ | |
| JPH03120849A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6271289A (ja) | 光電子装置 | |
| JPH05129712A (ja) | パツケージ型半導体レーザ装置 | |
| JPH11186465A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05211250A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0964383A (ja) | 光電子装置 | |
| JPS5858785A (ja) | 半導体レ−ザ−装置 | |
| JPH06283805A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63269579A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63200551A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPS63226979A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0199266A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH05218279A (ja) | 高周波パッケージのリード取付構造 | |
| JPS6058591B2 (ja) | ガラス封止半導体装置とその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011002 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081019 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081019 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091019 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091019 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091019 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |