JP3230230B2 - 検出装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物理量、例えば磁
界の強さなどに感応して抵抗値が変化する素子の抵抗値
を検出する検出装置に関するものである。
界の強さなどに感応して抵抗値が変化する素子の抵抗値
を検出する検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】物理量の一つである磁界の強さに応じて
抵抗値を変化させる素子として、磁気抵抗素子（ＭＲ素
子）があり、この磁気抵抗素子を用いた回転センサが特
開昭６２−６６１１５号公報に開示されている。
抵抗値を変化させる素子として、磁気抵抗素子（ＭＲ素
子）があり、この磁気抵抗素子を用いた回転センサが特
開昭６２−６６１１５号公報に開示されている。
【０００３】この回転センサは、磁性体からなる歯車
と、磁気バイアスを与える永久磁石と、歯車の回転方向
に対して所定寸法離間させて歯車と対向配置された２個
の磁気抵抗素子とを備え、歯車の回転に伴って２個の磁
気抵抗素子が置かれた場所の磁界が変化することを利用
し、磁気抵抗素子の抵抗値変化から歯車と一体になった
回転体の回転速度を検出するものである。
と、磁気バイアスを与える永久磁石と、歯車の回転方向
に対して所定寸法離間させて歯車と対向配置された２個
の磁気抵抗素子とを備え、歯車の回転に伴って２個の磁
気抵抗素子が置かれた場所の磁界が変化することを利用
し、磁気抵抗素子の抵抗値変化から歯車と一体になった
回転体の回転速度を検出するものである。
【０００４】磁気抵抗素子の抵抗値変化を検出するには
素子に定電流を流し、端子間電圧の変化を取り出せばよ
い。そして、２つの磁気抵抗素子の抵抗値変化を検出す
る回路として、図４に示すように２つの磁気抵抗素子１
および２を直列接続し、その直列回路にさらに定電流源
３を直列接続して上位電圧電源線４と接地５との間に接
続したものが考えられる。
素子に定電流を流し、端子間電圧の変化を取り出せばよ
い。そして、２つの磁気抵抗素子の抵抗値変化を検出す
る回路として、図４に示すように２つの磁気抵抗素子１
および２を直列接続し、その直列回路にさらに定電流源
３を直列接続して上位電圧電源線４と接地５との間に接
続したものが考えられる。
【０００５】このように磁気抵抗素子１および２を定電
流でバイアスして抵抗値変化を電圧値変化として検出す
る場合には、出力端子６および７の電圧を磁気抵抗素子
１および２の抵抗値変化を示すものとしてそのまま利用
することはできない。なぜなら、出力端子７の出力電圧
Ｖ２は磁気抵抗素子２の抵抗値変化のみにより変化する
が、出力端子６の出力電圧Ｖ１は磁気抵抗素子１の抵抗
値変化だけでなく磁気抵抗素子２の抵抗値変化の影響も
受けるからである。したがって、この回路によって磁気
抵抗素子１の抵抗値変化を独立に検出するためには、出
力電圧Ｖ２とＶ１の差電圧を得るための引き算回路を付
加的に設けなければならない。
流でバイアスして抵抗値変化を電圧値変化として検出す
る場合には、出力端子６および７の電圧を磁気抵抗素子
１および２の抵抗値変化を示すものとしてそのまま利用
することはできない。なぜなら、出力端子７の出力電圧
Ｖ２は磁気抵抗素子２の抵抗値変化のみにより変化する
が、出力端子６の出力電圧Ｖ１は磁気抵抗素子１の抵抗
値変化だけでなく磁気抵抗素子２の抵抗値変化の影響も
受けるからである。したがって、この回路によって磁気
抵抗素子１の抵抗値変化を独立に検出するためには、出
力電圧Ｖ２とＶ１の差電圧を得るための引き算回路を付
加的に設けなければならない。
【０００６】一方、このような引き算回路の追加による
回路規模の増大を嫌う場合には、図５に示すように、磁
気抵抗素子１および２に対してそれぞれ別々の定電流源
８および９を接続し、並列的に定電流バイアスしてそれ
ぞれの出力端子１０および１１からそれぞれの抵抗値変
化による出力電圧をとっていた。
回路規模の増大を嫌う場合には、図５に示すように、磁
気抵抗素子１および２に対してそれぞれ別々の定電流源
８および９を接続し、並列的に定電流バイアスしてそれ
ぞれの出力端子１０および１１からそれぞれの抵抗値変
化による出力電圧をとっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気抵抗素子
に対して個別に定電流バイアスする図５に示す回路の場
合、磁気抵抗素子が増加すれば増加しただけ回路の消費
電流が増えてしまう。消費電流の増加は電源規模の増大
化をもたらすだけでなく、回路自身の発熱を促進し、使
用環境温度が高い場合には回路動作可能な温度を越えて
しまい、回路動作できなくなるという問題もある。
に対して個別に定電流バイアスする図５に示す回路の場
合、磁気抵抗素子が増加すれば増加しただけ回路の消費
電流が増えてしまう。消費電流の増加は電源規模の増大
化をもたらすだけでなく、回路自身の発熱を促進し、使
用環境温度が高い場合には回路動作可能な温度を越えて
しまい、回路動作できなくなるという問題もある。
【０００８】特に、磁気抵抗素子の抵抗変化率が小さい
場合に、抵抗値変化を大きな出力電圧変化に変換するた
めには定電流バイアスを大きくする必要があり、定電流
源の増加による消費電流の増加は非常に大きな問題とな
る。
場合に、抵抗値変化を大きな出力電圧変化に変換するた
めには定電流バイアスを大きくする必要があり、定電流
源の増加による消費電流の増加は非常に大きな問題とな
る。
【０００９】また、このような問題は、磁気抵抗素子の
抵抗値変化を検出する場合だけでなく、その他のセンサ
素子、すなわち、検出すべき物理量に応じて抵抗値が変
化する物理量検出素子の抵抗値変化を検出する場合にも
生じる。
抵抗値変化を検出する場合だけでなく、その他のセンサ
素子、すなわち、検出すべき物理量に応じて抵抗値が変
化する物理量検出素子の抵抗値変化を検出する場合にも
生じる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の検出装置はこの
ような問題を解決するものであり、検出すべき物理量に
応じて抵抗値が変化する複数の物理量検出素子のそれぞ
れの抵抗値変化を検出する検出装置であって、複数の物
理量検出素子および定電流源を上位電位の電源線と下位
電位の電源線との間に接続し、各物理量検出素子の電流
上流側にそれぞれ出力端子を設け、物理量検出素子の電
流下流側に電源線の電位に対する電圧を一定に保つ回路
を設けたことを特徴とするものである。
ような問題を解決するものであり、検出すべき物理量に
応じて抵抗値が変化する複数の物理量検出素子のそれぞ
れの抵抗値変化を検出する検出装置であって、複数の物
理量検出素子および定電流源を上位電位の電源線と下位
電位の電源線との間に接続し、各物理量検出素子の電流
上流側にそれぞれ出力端子を設け、物理量検出素子の電
流下流側に電源線の電位に対する電圧を一定に保つ回路
を設けたことを特徴とするものである。
【００１１】また、検出すべき物理量に応じて抵抗値が
変化する複数の物理量検出素子のそれぞれの抵抗値変化
を検出する検出装置において、複数の物理量検出素子お
よび定電流源を上位電位の電源線と下位電位の電源線と
の間に接続し、各物理量検出素子の電流下流側にそれぞ
れ出力端子を設け、物理量検出素子の電流上流側に前記
電源線の電位に対する電圧を一定に保つ回路を設けたこ
とを特徴とするものである。
変化する複数の物理量検出素子のそれぞれの抵抗値変化
を検出する検出装置において、複数の物理量検出素子お
よび定電流源を上位電位の電源線と下位電位の電源線と
の間に接続し、各物理量検出素子の電流下流側にそれぞ
れ出力端子を設け、物理量検出素子の電流上流側に前記
電源線の電位に対する電圧を一定に保つ回路を設けたこ
とを特徴とするものである。
【００１２】電圧を一定に保つ回路により各物理量検出
素子の一端は定電位に固定され、この状態で各物理量検
出素子には定電流が流れるので、各物理量検出素子の他
端に設けられた出力端子に現れる電圧値はそれぞれの素
子の抵抗値変化にのみ応じて変化する。したがって、定
電流源が単一であるにもかかわらず、各出力端子の電圧
値変化からそれぞれ対応する物理量検出素子の抵抗値変
化を独立に知ることができる。
素子の一端は定電位に固定され、この状態で各物理量検
出素子には定電流が流れるので、各物理量検出素子の他
端に設けられた出力端子に現れる電圧値はそれぞれの素
子の抵抗値変化にのみ応じて変化する。したがって、定
電流源が単一であるにもかかわらず、各出力端子の電圧
値変化からそれぞれ対応する物理量検出素子の抵抗値変
化を独立に知ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態の検出
装置を示す回路図である。この回路は２つの磁気抵抗素
子１および２の抵抗値変化を電圧値変化に変換する回路
である。
装置を示す回路図である。この回路は２つの磁気抵抗素
子１および２の抵抗値変化を電圧値変化に変換する回路
である。
【００１４】電圧値Ｖ４の高電位電源線４には定電流源
１３の一端が接続され、定電流源１３の他端は磁気抵抗
素子１の一方の端子に接続されている。定電流源１３と
磁気抵抗素子１との接続点には出力端子１８が接続さ
れ、磁気抵抗素子１の他方の端子には電圧固定回路１４
の構成要素であるｐｎｐバイポーラトランジスタ１５の
エミッタが接続されている。
１３の一端が接続され、定電流源１３の他端は磁気抵抗
素子１の一方の端子に接続されている。定電流源１３と
磁気抵抗素子１との接続点には出力端子１８が接続さ
れ、磁気抵抗素子１の他方の端子には電圧固定回路１４
の構成要素であるｐｎｐバイポーラトランジスタ１５の
エミッタが接続されている。
【００１５】トランジスタ１５のコレクタには磁気抵抗
素子２の一方の端子が接続され、磁気抵抗素子２の他方
の端子は低電位電源線である接地線５に接続されてい
る。トランジスタ１５のコレクタと磁気抵抗素子２との
接続点には出力端子１９が接続されており、これによっ
て、定電流源１３、磁気抵抗素子１、トランジスタ１５
および磁気抵抗素子２による直列回路が高電位電源線４
と接地線５との間に接続されたことになる。
素子２の一方の端子が接続され、磁気抵抗素子２の他方
の端子は低電位電源線である接地線５に接続されてい
る。トランジスタ１５のコレクタと磁気抵抗素子２との
接続点には出力端子１９が接続されており、これによっ
て、定電流源１３、磁気抵抗素子１、トランジスタ１５
および磁気抵抗素子２による直列回路が高電位電源線４
と接地線５との間に接続されたことになる。
【００１６】電圧固定回路１４はトランジスタ１５の他
に演算増幅器１６および直流電源１７を備えており、演
算増幅器１６の反転入力端子がトランジスタ１５のエミ
ッタに接続され、非反転入力端子が電圧値Ｖ０（０＜Ｖ
０＜Ｖ４）の直流電源１７の正極に接続され、出力端子
がトランジスタのベースに接続されている。そして、直
流電源１７の負極は接地線５に接続されている。
に演算増幅器１６および直流電源１７を備えており、演
算増幅器１６の反転入力端子がトランジスタ１５のエミ
ッタに接続され、非反転入力端子が電圧値Ｖ０（０＜Ｖ
０＜Ｖ４）の直流電源１７の正極に接続され、出力端子
がトランジスタのベースに接続されている。そして、直
流電源１７の負極は接地線５に接続されている。
【００１７】つぎに、この回路の動作を説明する。定電
流源１３、磁気抵抗素子１、トランジスタ１５および磁
気抵抗素子２による直列回路には定電流Ｉが流れ、出力
端子１９に現れる出力電圧Ｖ２は、磁気抵抗素子２の抵
抗値をＲ２とすると、 Ｖ２＝Ｒ２×Ｉ …（１） となる。したがって、電圧値変化ΔＶ２は磁気抵抗素子
２の抵抗値変化ΔＲ２により、 ΔＶ２＝ΔＲ２×Ｉ …（２） となり、出力端子１９に現れる出力電圧値変化ΔＶ２か
ら磁気抵抗素子２の抵抗値変化ΔＲ２を知ることができ
る。
流源１３、磁気抵抗素子１、トランジスタ１５および磁
気抵抗素子２による直列回路には定電流Ｉが流れ、出力
端子１９に現れる出力電圧Ｖ２は、磁気抵抗素子２の抵
抗値をＲ２とすると、 Ｖ２＝Ｒ２×Ｉ …（１） となる。したがって、電圧値変化ΔＶ２は磁気抵抗素子
２の抵抗値変化ΔＲ２により、 ΔＶ２＝ΔＲ２×Ｉ …（２） となり、出力端子１９に現れる出力電圧値変化ΔＶ２か
ら磁気抵抗素子２の抵抗値変化ΔＲ２を知ることができ
る。
【００１８】出力端子１８に現れる出力電圧Ｖ１は、磁
気抵抗素子１の抵抗値をＲ１、トランジスタ１５のエミ
ッタ端子の電位をＶ１５とすると、 Ｖ１＝Ｒ１×Ｉ＋Ｖ１５ …（３） となる。
気抵抗素子１の抵抗値をＲ１、トランジスタ１５のエミ
ッタ端子の電位をＶ１５とすると、 Ｖ１＝Ｒ１×Ｉ＋Ｖ１５ …（３） となる。
【００１９】一方、電圧固定回路１４は、トランジスタ
１５のエミッタ端子の電位Ｖ１５を一定値に固定する回
路である。すなわち、演算増幅器１６はトランジスタ１
５を介して負帰還が掛かっており、反転入力端子の電
位、すなわちトランジスタ１５のエミッタの電位が非反
転入力端子の入力電位と等しくなるように動作する。演
算増幅器１６の非反転入力端子には直流電源１７の正極
が接続されてるため、トランジスタ１５のエミッタ端子
の電位Ｖ１５はＶ０に常に固定される。
１５のエミッタ端子の電位Ｖ１５を一定値に固定する回
路である。すなわち、演算増幅器１６はトランジスタ１
５を介して負帰還が掛かっており、反転入力端子の電
位、すなわちトランジスタ１５のエミッタの電位が非反
転入力端子の入力電位と等しくなるように動作する。演
算増幅器１６の非反転入力端子には直流電源１７の正極
が接続されてるため、トランジスタ１５のエミッタ端子
の電位Ｖ１５はＶ０に常に固定される。
【００２０】したがって、（３）式は、 Ｖ１＝Ｒ１×Ｉ＋Ｖ０ …（４） となる。したがって、出力端子１８に現れる出力電圧の
電圧値変化ΔＶ１は、磁気抵抗素子１の抵抗値変化ΔＲ
１により、 ΔＶ１＝ΔＲ１×Ｉ …（５） となり、磁気抵抗素子１の抵抗値変化Ｒ１を出力端子１
８に現れる出力電圧の電圧値変化として検出できる。
電圧値変化ΔＶ１は、磁気抵抗素子１の抵抗値変化ΔＲ
１により、 ΔＶ１＝ΔＲ１×Ｉ …（５） となり、磁気抵抗素子１の抵抗値変化Ｒ１を出力端子１
８に現れる出力電圧の電圧値変化として検出できる。
【００２１】図２は本発明の第２実施形態の検出装置を
示す回路図である。第１実施形態の検出装置は、２つの
磁気抵抗素子１および２の抵抗値変化を検出するもので
あったが、この第２実施形態の検出装置は、３つの磁気
抵抗素子の抵抗値変化を検出できる。
示す回路図である。第１実施形態の検出装置は、２つの
磁気抵抗素子１および２の抵抗値変化を検出するもので
あったが、この第２実施形態の検出装置は、３つの磁気
抵抗素子の抵抗値変化を検出できる。
【００２２】構成としては、図示のように第１実施形態
の回路に、磁気抵抗素子２０、電圧固定回路２１、出力
端子２２がさらに付加されている。電圧固定回路２１
は、電圧固定回路１４と同様にｐｎｐトランジスタ２
３、演算増幅器２４および直流電源２５を備えており、
演算増幅器２４の反転入力端子がトランジスタ２３のエ
ミッタに接続され、非反転入力端子が電圧値Ｖ０´（０
＜Ｖ０＜Ｖ０´＜Ｖ４）の直流電源２５の正極に接続さ
れ、出力端子がトランジスタのベースに接続されてい
る。
の回路に、磁気抵抗素子２０、電圧固定回路２１、出力
端子２２がさらに付加されている。電圧固定回路２１
は、電圧固定回路１４と同様にｐｎｐトランジスタ２
３、演算増幅器２４および直流電源２５を備えており、
演算増幅器２４の反転入力端子がトランジスタ２３のエ
ミッタに接続され、非反転入力端子が電圧値Ｖ０´（０
＜Ｖ０＜Ｖ０´＜Ｖ４）の直流電源２５の正極に接続さ
れ、出力端子がトランジスタのベースに接続されてい
る。
【００２３】この電圧固定回路２１により、トランジス
タ２３のエミッタ電圧はＶ０´に固定されるため、出力
端子２２に現れる出力電圧Ｖ２０は、磁気抵抗素子２０
の抵抗値をＲ２０とすると、 Ｖ２０＝Ｒ２０×Ｉ＋Ｖ０´ …（６） となる。したがって、電圧値変化ΔＶ２０は磁気抵抗素
子２０の抵抗値変化ΔＲ２０により、 ΔＶ２０＝ΔＲ２０×Ｉ …（７） となり、出力端子２２に現れる出力電圧値変化ΔＶ２０
から磁気抵抗素子２０の抵抗値変化ΔＲ２０を知ること
ができる。
タ２３のエミッタ電圧はＶ０´に固定されるため、出力
端子２２に現れる出力電圧Ｖ２０は、磁気抵抗素子２０
の抵抗値をＲ２０とすると、 Ｖ２０＝Ｒ２０×Ｉ＋Ｖ０´ …（６） となる。したがって、電圧値変化ΔＶ２０は磁気抵抗素
子２０の抵抗値変化ΔＲ２０により、 ΔＶ２０＝ΔＲ２０×Ｉ …（７） となり、出力端子２２に現れる出力電圧値変化ΔＶ２０
から磁気抵抗素子２０の抵抗値変化ΔＲ２０を知ること
ができる。
【００２４】磁気抵抗素子１および２の抵抗値変化ΔＲ
１およびΔＲ２は、第１実施形態で説明したように、そ
れぞれ出力端子１８および１９に現れる出力電圧値変化
ΔＶ１およびΔＶ２から得ることができる。
１およびΔＲ２は、第１実施形態で説明したように、そ
れぞれ出力端子１８および１９に現れる出力電圧値変化
ΔＶ１およびΔＶ２から得ることができる。
【００２５】以上のように、第２実施形態では、第１実
施形態の回路に、抵抗値変化を検出すべき磁気抵抗素子
と、これに対応する電圧固定回路および出力端子を付加
して、３つの磁気抵抗素子の抵抗値変化をそれぞれ独立
に検出できようにしたが、同様にして、磁気抵抗素子、
電圧固定回路および出力端子をさらに付加すれば、４個
以上の磁気抵抗素子の抵抗値変化をそれぞれ独立に検出
する回路を構成できる。
施形態の回路に、抵抗値変化を検出すべき磁気抵抗素子
と、これに対応する電圧固定回路および出力端子を付加
して、３つの磁気抵抗素子の抵抗値変化をそれぞれ独立
に検出できようにしたが、同様にして、磁気抵抗素子、
電圧固定回路および出力端子をさらに付加すれば、４個
以上の磁気抵抗素子の抵抗値変化をそれぞれ独立に検出
する回路を構成できる。
【００２６】図３は本発明の第３実施形態の検出装置を
示す回路図である。第１実施形態と同様に２つの磁気抵
抗素子１および２の抵抗値変化を出力端子３５および３
６に現れる電圧値変化として検出する回路である。しか
し、第１実施形態では定電流回路１３が電源線間の最も
上流側に設けられおり、磁気抵抗素子１および２に定電
流を流し込む構成となっていたが、第３実施形態では定
電流源３０が最も下流側に設けれられており、磁気抵抗
素子１および２から定電流を引っ張る構成となってい
る。
示す回路図である。第１実施形態と同様に２つの磁気抵
抗素子１および２の抵抗値変化を出力端子３５および３
６に現れる電圧値変化として検出する回路である。しか
し、第１実施形態では定電流回路１３が電源線間の最も
上流側に設けられおり、磁気抵抗素子１および２に定電
流を流し込む構成となっていたが、第３実施形態では定
電流源３０が最も下流側に設けれられており、磁気抵抗
素子１および２から定電流を引っ張る構成となってい
る。
【００２７】電圧値Ｖ４の高電位電源線４には磁気抵抗
素子１の一端が接続され、磁気抵抗素子１の他端には電
圧固定回路３１の構成要素であるｎｐｎバイポーラトラ
ンジスタ３２のコレクタが接続されている。このコレク
タと磁気抵抗素子１との接続点には出力端子３５が接続
されている。トランジスタ３２のエミッタには磁気抵抗
素子２の一方の端子が接続され、磁気抵抗素子２の他方
の端子は定電流Ｉを流す定電流源３０を介して低電位電
源線である接地線５に接続されている。磁気抵抗素子２
と定電流源３０との接続点には出力端子３６が接続され
ており、これによって、磁気抵抗素子１、トランジスタ
３２、磁気抵抗素子２および定電流源３０による直列回
路が高電位電源線４と接地線５との間に接続されたこと
になる。
素子１の一端が接続され、磁気抵抗素子１の他端には電
圧固定回路３１の構成要素であるｎｐｎバイポーラトラ
ンジスタ３２のコレクタが接続されている。このコレク
タと磁気抵抗素子１との接続点には出力端子３５が接続
されている。トランジスタ３２のエミッタには磁気抵抗
素子２の一方の端子が接続され、磁気抵抗素子２の他方
の端子は定電流Ｉを流す定電流源３０を介して低電位電
源線である接地線５に接続されている。磁気抵抗素子２
と定電流源３０との接続点には出力端子３６が接続され
ており、これによって、磁気抵抗素子１、トランジスタ
３２、磁気抵抗素子２および定電流源３０による直列回
路が高電位電源線４と接地線５との間に接続されたこと
になる。
【００２８】電圧固定回路３１はトランジスタ３２の他
に演算増幅器３３および直流電源３４を備えており、演
算増幅器３３の反転入力端子がトランジスタ３２のエミ
ッタに接続され、非反転入力端子が電圧値Ｖ０（０＜Ｖ
０＜Ｖ４）の直流電源３４の正極に接続され、出力端子
がトランジスタ３２のベースに接続されている。
に演算増幅器３３および直流電源３４を備えており、演
算増幅器３３の反転入力端子がトランジスタ３２のエミ
ッタに接続され、非反転入力端子が電圧値Ｖ０（０＜Ｖ
０＜Ｖ４）の直流電源３４の正極に接続され、出力端子
がトランジスタ３２のベースに接続されている。
【００２９】この回路によれば、出力端子３５の出力電
圧Ｖ１は、 Ｖ１＝Ｖ４−Ｒ１×Ｉ …（８） となる。そして、電圧値変化ΔＶ１は磁気抵抗素子１の
抵抗値変化ΔＲ１により、 ΔＶ１＝−ΔＲ１×Ｉ …（９） となり、出力端子３５に現れる出力電圧値変化ΔＶ１か
ら磁気抵抗素子１の抵抗変化ΔＲ１を知ることができ
る。
圧Ｖ１は、 Ｖ１＝Ｖ４−Ｒ１×Ｉ …（８） となる。そして、電圧値変化ΔＶ１は磁気抵抗素子１の
抵抗値変化ΔＲ１により、 ΔＶ１＝−ΔＲ１×Ｉ …（９） となり、出力端子３５に現れる出力電圧値変化ΔＶ１か
ら磁気抵抗素子１の抵抗変化ΔＲ１を知ることができ
る。
【００３０】また、出力端子３６の出力電圧Ｖ２は、 Ｖ２＝Ｖ０−Ｒ２×Ｉ …（８） となる。そして、電圧値変化ΔＶ２は磁気抵抗素子２の
抵抗値変化ΔＲ２により、 ΔＶ２＝−ΔＲ２×Ｉ …（９） となり、出力端子３６に現れる出力電圧値変化ΔＶ２か
ら磁気抵抗素子２の抵抗変化ΔＲ２を知ることができ
る。
抵抗値変化ΔＲ２により、 ΔＶ２＝−ΔＲ２×Ｉ …（９） となり、出力端子３６に現れる出力電圧値変化ΔＶ２か
ら磁気抵抗素子２の抵抗変化ΔＲ２を知ることができ
る。
【００３１】この実施形態では、２つの磁気抵抗素子の
抵抗値変化をそれぞれ独立に検出できようにしたが、抵
抗値を検出すべき磁気抵抗素子と、これに対応する電圧
固定回路および出力端子を付加すれば、３個以上の磁気
抵抗素子の抵抗値変化をそれぞれ独立に検出する回路を
構成できる。
抵抗値変化をそれぞれ独立に検出できようにしたが、抵
抗値を検出すべき磁気抵抗素子と、これに対応する電圧
固定回路および出力端子を付加すれば、３個以上の磁気
抵抗素子の抵抗値変化をそれぞれ独立に検出する回路を
構成できる。
【００３２】上述した３つの実施形態では、抵抗値を検
出すべき素子が磁気抵抗素子であったが、検出すべき物
理量に応じて抵抗値が変化する物理量検出素子であれば
他の素子でもよい。たとえば、温度に応じて抵抗値が変
化する測温抵抗体の抵抗値変化を検出することもでき
る。
出すべき素子が磁気抵抗素子であったが、検出すべき物
理量に応じて抵抗値が変化する物理量検出素子であれば
他の素子でもよい。たとえば、温度に応じて抵抗値が変
化する測温抵抗体の抵抗値変化を検出することもでき
る。
【００３３】また、上記３つの実施形態では、電圧固定
回路の能動素子としてバイポーラトランジスタを用いた
が、これに代えて他の能動素子たとえば電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）を用いてもよい。
回路の能動素子としてバイポーラトランジスタを用いた
が、これに代えて他の能動素子たとえば電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）を用いてもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の検出装置
によれば、各物理量検出素子の他端に設けられた出力端
子に現れる電圧値はそれぞれの素子の抵抗値変化にのみ
応じて変化するので、各出力端子の電圧値変化からそれ
ぞれ対応する物理量検出素子の抵抗値変化を独立に知る
ことができる。しかも、複数の物理量検出素子に対して
一の定電流源を用いるので、一の物理量検出素子に対し
て一の定電流源を用いる場合に比べて消費電流を抑える
ことができる。消費電流の抑制は単に経済効果を有する
だけでなく、回路の発熱量も抑えることができ、高温に
よる誤動作も避けることができる。
によれば、各物理量検出素子の他端に設けられた出力端
子に現れる電圧値はそれぞれの素子の抵抗値変化にのみ
応じて変化するので、各出力端子の電圧値変化からそれ
ぞれ対応する物理量検出素子の抵抗値変化を独立に知る
ことができる。しかも、複数の物理量検出素子に対して
一の定電流源を用いるので、一の物理量検出素子に対し
て一の定電流源を用いる場合に比べて消費電流を抑える
ことができる。消費電流の抑制は単に経済効果を有する
だけでなく、回路の発熱量も抑えることができ、高温に
よる誤動作も避けることができる。
【図１】本発明の第１実施形態の検出装置を示す回路
図。
図。
【図２】本発明の第２実施形態の検出装置を示す回路
図。
図。
【図３】本発明の第３実施形態の検出装置を示す回路
図。
図。
【図４】従来の検出装置を示す回路図。
【図５】従来の検出装置を示す回路図。
１、２、２０…磁気抵抗素子、４…上位電圧電源線、５
…下位電圧電源線（接地線）、１３、３０…定電流源、
１４、２１、３１…電圧固定回路、１５、２３…ｐｎｐ
バイポーラトランジスタ、１６、２４、３３…演算増幅
器、１７、２５、３４…定電圧源、１８、１９、２２、
３５、３６…出力端子。
…下位電圧電源線（接地線）、１３、３０…定電流源、
１４、２１、３１…電圧固定回路、１５、２３…ｐｎｐ
バイポーラトランジスタ、１６、２４、３３…演算増幅
器、１７、２５、３４…定電圧源、１８、１９、２２、
３５、３６…出力端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ０１Ｒ 27/02 Ｇ０１Ｄ 5/16 Ｂ 33/09 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ
Claims (2)
- 【請求項１】 検出すべき物理量に応じて抵抗値が変化
する複数の物理量検出素子のそれぞれの抵抗値変化を検
出する検出装置において、 前記複数の物理量検出素子および定電流源を上位電位の
電源線と下位電位の電源線との間に接続し、前記各物理
量検出素子の電流上流側にそれぞれ出力端子を設け、前
記物理量検出素子の電流下流側に前記電源線の電位に対
する電圧を一定に保つ回路を設けたことを特徴とする検
出装置。 - 【請求項２】 検出すべき物理量に応じて抵抗値が変化
する複数の物理量検出素子のそれぞれの抵抗値変化を検
出する検出装置において、 前記複数の物理量検出素子および定電流源を上位電位の
電源線と下位電位の電源線との間に接続し、前記各物理
量検出素子の電流下流側にそれぞれ出力端子を設け、前
記物理量検出素子の電流上流側に前記電源線の電位に対
する電圧を一定に保つ回路を設けたことを特徴とする検
出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039597A JP3230230B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039597A JP3230230B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10293040A JPH10293040A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3230230B2 true JP3230230B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=14272807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10039597A Expired - Fee Related JP3230230B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3230230B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007218700A (ja) | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Tdk Corp | 磁気センサおよび電流センサ |
| WO2011141969A1 (ja) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | 株式会社日立製作所 | 磁界角計測装置およびこれを用いた回転角計測装置 |
| DE112014006248T5 (de) * | 2014-01-23 | 2016-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetische Erfassungsvorrichtung |
| CN108267640B (zh) * | 2018-01-23 | 2020-05-26 | 北京东方计量测试研究所 | 一种单电源供电测量电阻的装置 |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP10039597A patent/JP3230230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10293040A (ja) | 1998-11-04 |
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