JP3227724B2 - 軟磁性膜 - Google Patents
軟磁性膜Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合型磁気ヘッドある
いは薄膜型磁気ヘッドのコア材料等として好適な軟磁性
薄膜に関する。
いは薄膜型磁気ヘッドのコア材料等として好適な軟磁性
薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ
ー）等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上さ
せるために記録信号の高密度化が進められており、これ
に対応して磁性粉にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属の
粉末を用いた，いわゆるメタルテープや強磁性金属材料
を蒸着等の手法により直接ベースフィルム上に被着し
た，いわゆる蒸着テープ等の高保磁力媒体の開発が進め
られている。
ー）等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上さ
せるために記録信号の高密度化が進められており、これ
に対応して磁性粉にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属の
粉末を用いた，いわゆるメタルテープや強磁性金属材料
を蒸着等の手法により直接ベースフィルム上に被着し
た，いわゆる蒸着テープ等の高保磁力媒体の開発が進め
られている。
【０００３】ところで、このように磁気記録媒体の高保
磁力化が進むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドと
しても高飽和磁束密度化が要求されるようになってきて
いる。しかしながら、従来より使用されているフェライ
ト材よりなる磁気ヘッドではこのような高飽和磁束密度
化の要求に十分に対応することは難しい。
磁力化が進むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドと
しても高飽和磁束密度化が要求されるようになってきて
いる。しかしながら、従来より使用されているフェライ
ト材よりなる磁気ヘッドではこのような高飽和磁束密度
化の要求に十分に対応することは難しい。
【０００４】そこで、このような状況から、磁気ヘッド
を構成する磁気コアをフェライトやセラミックス等と高
飽和磁束密度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁
性膜同志を突合せて磁気ギャップを構成するようにした
複合型磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術
により形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした
薄膜磁気ヘッド等が開発されている。
を構成する磁気コアをフェライトやセラミックス等と高
飽和磁束密度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁
性膜同志を突合せて磁気ギャップを構成するようにした
複合型磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術
により形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした
薄膜磁気ヘッド等が開発されている。
【０００５】上記複合型磁気ヘッドや薄膜磁気ヘッドに
使用される軟磁性材料としては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ合金，いわゆるセンダスト合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等
の非晶質軟磁性膜等が知られている。
使用される軟磁性材料としては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ合金，いわゆるセンダスト合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等
の非晶質軟磁性膜等が知られている。
【０００６】しかしながら、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金にお
いては最も軟磁気特性が得られる組成での飽和磁束密度
は１０ｋガウスであり、高保磁力媒体に使用する磁気ヘ
ッドのコア材料としては十分満足のいくものとは言えな
い。また、非晶質合金では、１０ｋガウス以上の飽和磁
束密度が得られる組成においては結晶化温度が低く、磁
気ヘッドの製造過程で行われるガラス融着において軟磁
気特性が損なわれてしまう。
いては最も軟磁気特性が得られる組成での飽和磁束密度
は１０ｋガウスであり、高保磁力媒体に使用する磁気ヘ
ッドのコア材料としては十分満足のいくものとは言えな
い。また、非晶質合金では、１０ｋガウス以上の飽和磁
束密度が得られる組成においては結晶化温度が低く、磁
気ヘッドの製造過程で行われるガラス融着において軟磁
気特性が損なわれてしまう。
【０００７】そこで、高飽和磁束密度，良好な軟磁気特
性，耐熱性を同時に達成する軟磁性薄膜としてＣｏ系の
非晶質膜に、あるいはＦｅ基合金膜に窒素を周期的に添
加した軟磁性薄膜が特開昭６３−２５４７０８号公報，
特開平１−２０９７０７号公報に報告されている。
性，耐熱性を同時に達成する軟磁性薄膜としてＣｏ系の
非晶質膜に、あるいはＦｅ基合金膜に窒素を周期的に添
加した軟磁性薄膜が特開昭６３−２５４７０８号公報，
特開平１−２０９７０７号公報に報告されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な窒素を含有する軟磁性薄膜においては、良好な軟磁気
特性を得るために窒素が１００ｎｍ以下の周期で周期的
に含有されているが、このように窒素が周期的に添加さ
れた軟磁性薄膜を作成するには、反応性スパッタリング
法を用いて、スパッタ雰囲気中の窒素分圧を周期的に変
化させるといった煩雑な操作が必要となる。このため、
製造に時間や手間を要し、磁気ヘッドコア材として十分
な量産性が得られないといった問題がある。
な窒素を含有する軟磁性薄膜においては、良好な軟磁気
特性を得るために窒素が１００ｎｍ以下の周期で周期的
に含有されているが、このように窒素が周期的に添加さ
れた軟磁性薄膜を作成するには、反応性スパッタリング
法を用いて、スパッタ雰囲気中の窒素分圧を周期的に変
化させるといった煩雑な操作が必要となる。このため、
製造に時間や手間を要し、磁気ヘッドコア材として十分
な量産性が得られないといった問題がある。
【０００９】そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、高飽和磁束密度を有し且つ
軟磁気特性，耐熱性に優れるとともに十分な量産性が得
られる軟磁性膜を提供することを目的とする。
て提案されたものであって、高飽和磁束密度を有し且つ
軟磁気特性，耐熱性に優れるとともに十分な量産性が得
られる軟磁性膜を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】Ｃｏ系非晶質膜，Ｆｅ基
合金膜等についてＸ線回折測定を行うと、散乱角度が小
さい範囲の散乱強度が膜によって大きく異なることが見
いだされている。すなわち、このことは、散乱角度が小
さい範囲の散乱強度が膜の特性を判断する一つの指標と
なることを示唆している。このような観点から、本発明
者らが膜の磁気特性について検討を重ねた結果、特定の
元素により構成された磁性薄膜のうち、Ｘ線回折測定を
行った場合に散乱角度が２度から６度の小角散乱領域に
散乱回折が観測されるものに良好な軟磁気特性，優れた
耐熱性が得られることを見いだすに至った。
合金膜等についてＸ線回折測定を行うと、散乱角度が小
さい範囲の散乱強度が膜によって大きく異なることが見
いだされている。すなわち、このことは、散乱角度が小
さい範囲の散乱強度が膜の特性を判断する一つの指標と
なることを示唆している。このような観点から、本発明
者らが膜の磁気特性について検討を重ねた結果、特定の
元素により構成された磁性薄膜のうち、Ｘ線回折測定を
行った場合に散乱角度が２度から６度の小角散乱領域に
散乱回折が観測されるものに良好な軟磁気特性，優れた
耐熱性が得られることを見いだすに至った。
【００１１】かかる知見に基づいて、本発明の軟磁性膜
は、Ｃｏ系非晶質膜又はＦｅ基合金膜からなり、ＣｏＫ
α放射線を使用したＸ線回折測定において、散乱角度が
２度から６度の範囲に散乱回折が観測され、散乱格子面
間隔が１．７ｎｍから５ｎｍである構造を含むことを特
徴とするものである。なお、ここでＣｏ系非晶質膜ある
いはＦｅ基合金膜は、Ｃｏ、Ｆｅから選ばれる少なくと
も１種とＺｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｙ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｃｕ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｇｄ、Ｄｙ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒ
ｅ、Ｓｎ、から選ばれる少なくとも１種とＮ、Ｃ、Ｏ、
Ｂ、Ｐから選ばれる少なくとも１種よりなる。
は、Ｃｏ系非晶質膜又はＦｅ基合金膜からなり、ＣｏＫ
α放射線を使用したＸ線回折測定において、散乱角度が
２度から６度の範囲に散乱回折が観測され、散乱格子面
間隔が１．７ｎｍから５ｎｍである構造を含むことを特
徴とするものである。なお、ここでＣｏ系非晶質膜ある
いはＦｅ基合金膜は、Ｃｏ、Ｆｅから選ばれる少なくと
も１種とＺｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｙ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｃｕ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｇｄ、Ｄｙ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒ
ｅ、Ｓｎ、から選ばれる少なくとも１種とＮ、Ｃ、Ｏ、
Ｂ、Ｐから選ばれる少なくとも１種よりなる。
【００１２】本発明において、良好な軟磁気特性，耐熱
性を得るためには所定元素により構成され、且つＣｏＫ
α放射線を使用するＸ線回折測定において、散乱角度が
２度から６度の範囲に散乱回折が観測されることが重要
である。すなわち、Ｘ線回折測定で観測される散乱角度
２θから、式１を使用して散乱格子面間隔ｄが求められ
る。
性を得るためには所定元素により構成され、且つＣｏＫ
α放射線を使用するＸ線回折測定において、散乱角度が
２度から６度の範囲に散乱回折が観測されることが重要
である。すなわち、Ｘ線回折測定で観測される散乱角度
２θから、式１を使用して散乱格子面間隔ｄが求められ
る。
【００１３】
【式１】 ＣｏＫα放射線の波長λは１．７９０２６Åであるの
で、散乱角度が２度から６度の範囲に散乱回折が観測さ
れる場合、散乱格子面間隔ｄは式１より１．７ｎｍ〜５
ｎｍである。すなわち、所定元素がこのような散乱格子
面間隔の結晶構造をとることにより、良好な軟磁気特
性，耐熱性が達成されることとなる。
で、散乱角度が２度から６度の範囲に散乱回折が観測さ
れる場合、散乱格子面間隔ｄは式１より１．７ｎｍ〜５
ｎｍである。すなわち、所定元素がこのような散乱格子
面間隔の結晶構造をとることにより、良好な軟磁気特
性，耐熱性が達成されることとなる。
【００１４】上記軟磁性膜は、スパッタリング等のいわ
ゆる気相メッキ技術等を用いて、スパッタ条件、ターゲ
ット組成を調節することによって得られる。ここで、タ
ーゲットとしては、所望の組成を有する所定元素よりな
る合金ターゲットを用いてもよく、あるいは各所定元素
をそれぞれターゲットとして用い、その面積や印加出力
等を調整して成膜される軟磁性膜の組成をコントロール
するようにしてもよい。特に、合金ターゲットを使用す
れば、軟磁性膜の組成はターゲットの組成によってほぼ
一意に決まるので、スパッタリング毎に組成に誤差が生
ずることがなく、大量生産する上で有利である。また、
窒素、酸素を添加するには、スパッタ雰囲気中に窒素ガ
スまたは酸素ガスを導入し、炭素を添加する場合には、
メタン，アセチレン等の炭化水素ガスをスパッタ雰囲気
中に導入すればよい。
ゆる気相メッキ技術等を用いて、スパッタ条件、ターゲ
ット組成を調節することによって得られる。ここで、タ
ーゲットとしては、所望の組成を有する所定元素よりな
る合金ターゲットを用いてもよく、あるいは各所定元素
をそれぞれターゲットとして用い、その面積や印加出力
等を調整して成膜される軟磁性膜の組成をコントロール
するようにしてもよい。特に、合金ターゲットを使用す
れば、軟磁性膜の組成はターゲットの組成によってほぼ
一意に決まるので、スパッタリング毎に組成に誤差が生
ずることがなく、大量生産する上で有利である。また、
窒素、酸素を添加するには、スパッタ雰囲気中に窒素ガ
スまたは酸素ガスを導入し、炭素を添加する場合には、
メタン，アセチレン等の炭化水素ガスをスパッタ雰囲気
中に導入すればよい。
【００１５】
【作用】所定元素から構成され且つＣｏＫα放射（波長
１．７９０２６Å）を用いたＸ線回折測定で、散乱角度
が２度から６度の範囲に散乱回折が観測される軟磁性膜
は、高飽和磁束密度を有するとともに、軟磁気特性，耐
熱性に優れる。この理由は明らかではないが、ＣｏＫα
放射を用いたＸ線回折測定において、散乱角度が２度か
ら６度の範囲に散乱回折が観測される場合、散乱格子面
間隔ｄは、１．７ｎｍから５ｎｍであり、所定元素がこ
のような散乱格子面間隔の結晶構造をとることにより、
良好な磁気特性，耐熱性が達成されるものと考えられ
る。
１．７９０２６Å）を用いたＸ線回折測定で、散乱角度
が２度から６度の範囲に散乱回折が観測される軟磁性膜
は、高飽和磁束密度を有するとともに、軟磁気特性，耐
熱性に優れる。この理由は明らかではないが、ＣｏＫα
放射を用いたＸ線回折測定において、散乱角度が２度か
ら６度の範囲に散乱回折が観測される場合、散乱格子面
間隔ｄは、１．７ｎｍから５ｎｍであり、所定元素がこ
のような散乱格子面間隔の結晶構造をとることにより、
良好な磁気特性，耐熱性が達成されるものと考えられ
る。
【００１６】また、本発明の軟磁性膜では、このように
結晶構造が重要であり、組成については、たとえば窒素
変調膜程には厳密でなくてよい（たとえば所定元素以外
の元素が１原子量％以内含まれていても特性は劣化しな
い。）ので、特性の安定性が高く、コア材料として信頼
性が得られる。さらに、このような散乱格子面間隔を有
する軟磁性膜は、スパッタリング法によって成膜される
が、この場合、はじめにスパッタ条件，ターゲット組成
を調節し、その条件のまま所望の膜厚となるまで続けて
スパッタリングを行えばよく、窒素変調膜のように周期
的にスパッタ雰囲気を変える必要がない。したがって、
成膜に手間や時間を要さず、量産性にも優れる。
結晶構造が重要であり、組成については、たとえば窒素
変調膜程には厳密でなくてよい（たとえば所定元素以外
の元素が１原子量％以内含まれていても特性は劣化しな
い。）ので、特性の安定性が高く、コア材料として信頼
性が得られる。さらに、このような散乱格子面間隔を有
する軟磁性膜は、スパッタリング法によって成膜される
が、この場合、はじめにスパッタ条件，ターゲット組成
を調節し、その条件のまま所望の膜厚となるまで続けて
スパッタリングを行えばよく、窒素変調膜のように周期
的にスパッタ雰囲気を変える必要がない。したがって、
成膜に手間や時間を要さず、量産性にも優れる。
【００１７】
【実施例】本発明の好適な実施例について実験結果に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１８】先ず、Ｃｏ85Ｚｒ15，Ｆｅ85Ａｌ15，Ｆｅ
90Ｓｉ10なる組成を有する合金（直径１００ｍｍ）をタ
ーゲットとして用い、スパッタ中にＡｒとＮ2 ガスの混
合ガスを導入しながらＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り成膜を行った。下記にスパッタ条件を示す。 スパッタ条件 到達真空度 ２×１０-4Ｐａ Ａｒガス圧 ０．１Ｐａ 投入電力 ３００Ｗ このとき得られた膜は、厚さが３μｍ，窒素の組成比が
０．２原子量％から２０原子量％であった。
90Ｓｉ10なる組成を有する合金（直径１００ｍｍ）をタ
ーゲットとして用い、スパッタ中にＡｒとＮ2 ガスの混
合ガスを導入しながらＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り成膜を行った。下記にスパッタ条件を示す。 スパッタ条件 到達真空度 ２×１０-4Ｐａ Ａｒガス圧 ０．１Ｐａ 投入電力 ３００Ｗ このとき得られた膜は、厚さが３μｍ，窒素の組成比が
０．２原子量％から２０原子量％であった。
【００１９】次に、Ｆｅ85Ｈｆ15なる組成を有する合金
（直径１００ｍｍ）をターゲットとして用いて、スパッ
タ中にＡｒとＮ2 ガスの混合ガスを導入しながらＤＣマ
グネトロンスパッタ法により成膜を行った。下記にスパ
ッタ条件を示す。 スパッタ条件 到達真空度 ２×１０-4Ｐａ Ａｒガス圧 ０．５Ｐａ 投入電力 ３００Ｗ このとき得られた膜は、厚さが３μｍ，窒素の組成比が
０．２原子量％から２０原子量％であった。
（直径１００ｍｍ）をターゲットとして用いて、スパッ
タ中にＡｒとＮ2 ガスの混合ガスを導入しながらＤＣマ
グネトロンスパッタ法により成膜を行った。下記にスパ
ッタ条件を示す。 スパッタ条件 到達真空度 ２×１０-4Ｐａ Ａｒガス圧 ０．５Ｐａ 投入電力 ３００Ｗ このとき得られた膜は、厚さが３μｍ，窒素の組成比が
０．２原子量％から２０原子量％であった。
【００２０】以上のようにして得られたＣｏ90Ｚｒ9 Ｎ
1 ，Ｃｏ80Ｚｒ8 Ｎ12，Ｆｅ80Ｈｆ10Ｎ10，Ｆｅ79Ａｌ
13Ｎ8 ，Ｆｅ81Ｓｉ8 Ｎ11の組成を有する膜について、
真空中で５００℃、１時間熱処理を行い、Ｘ線回折測定
および保磁力，飽和磁束密度の測定を行った。図１に各
膜のＸ線回折パターンを、また表１に各膜の小角散乱強
度，飽和磁束密度，保磁力を示す。
1 ，Ｃｏ80Ｚｒ8 Ｎ12，Ｆｅ80Ｈｆ10Ｎ10，Ｆｅ79Ａｌ
13Ｎ8 ，Ｆｅ81Ｓｉ8 Ｎ11の組成を有する膜について、
真空中で５００℃、１時間熱処理を行い、Ｘ線回折測定
および保磁力，飽和磁束密度の測定を行った。図１に各
膜のＸ線回折パターンを、また表１に各膜の小角散乱強
度，飽和磁束密度，保磁力を示す。
【００２１】なお、Ｘ線回折の測定は、波長１．７９０
２６ÅのＣｏＫα放射を用いてθ−２θ法により行っ
た。また、小角散乱強度は散乱角度が２度から６度の間
に観測される散乱ピークの強度をすべて足し合わせるこ
とによって評価した。保磁力Ｈｃは、Ｂ−Ｈループトレ
ーサーによって測定し、飽和磁束密度は試料振動型磁力
計によって測定した。
２６ÅのＣｏＫα放射を用いてθ−２θ法により行っ
た。また、小角散乱強度は散乱角度が２度から６度の間
に観測される散乱ピークの強度をすべて足し合わせるこ
とによって評価した。保磁力Ｈｃは、Ｂ−Ｈループトレ
ーサーによって測定し、飽和磁束密度は試料振動型磁力
計によって測定した。
【００２２】
【表１】
【００２３】図１からわかるように、Ｃｏ系非晶質膜，
Ｆｅ基合金膜においては、散乱角度が３０度から８０度
の高角散乱領域ではほとんど散乱強度に差はないが散乱
角度が２度から６度の小角散乱領域では膜によって散乱
強度が異なることがわかる。すなわち、このことは小角
散乱領域の散乱強度が膜の特性を判断する上での指標と
なることを示唆している。
Ｆｅ基合金膜においては、散乱角度が３０度から８０度
の高角散乱領域ではほとんど散乱強度に差はないが散乱
角度が２度から６度の小角散乱領域では膜によって散乱
強度が異なることがわかる。すなわち、このことは小角
散乱領域の散乱強度が膜の特性を判断する上での指標と
なることを示唆している。
【００２４】また、表１において、この小角散乱領域に
おける散乱強度を指標として磁気特性を見ると、小角散
乱強度が低い膜では、熱処理後の保磁力が高く、十分な
軟磁気特性が得られないが、小角散乱強度が大きい膜で
は、熱処理後においても高飽和磁束密度，低保磁力を有
している。このことから、所定元素よりなる膜におい
て、ＣｏＫα放射を使用して測定される小角散乱強度
は、その磁気特性と密接に関連しており、小角散乱強度
が高い組成の場合に、良好な軟磁気特性，耐熱性を示す
ことがわかった。
おける散乱強度を指標として磁気特性を見ると、小角散
乱強度が低い膜では、熱処理後の保磁力が高く、十分な
軟磁気特性が得られないが、小角散乱強度が大きい膜で
は、熱処理後においても高飽和磁束密度，低保磁力を有
している。このことから、所定元素よりなる膜におい
て、ＣｏＫα放射を使用して測定される小角散乱強度
は、その磁気特性と密接に関連しており、小角散乱強度
が高い組成の場合に、良好な軟磁気特性，耐熱性を示す
ことがわかった。
【００２５】次に、小角散乱領域における散乱強度と磁
気特性の関係をさらに確かなものとするために、ＣｏＺ
ｒＮ，ＣｏＮｂＮ，ＣｏＨｆＮ，ＣｏＴａＮおよびＣｏ
ＹＮよりなる膜を各種組成で作成し、小角散乱強度およ
び５００℃熱処理後の保磁力を測定した。その結果を図
２に示す。
気特性の関係をさらに確かなものとするために、ＣｏＺ
ｒＮ，ＣｏＮｂＮ，ＣｏＨｆＮ，ＣｏＴａＮおよびＣｏ
ＹＮよりなる膜を各種組成で作成し、小角散乱強度およ
び５００℃熱処理後の保磁力を測定した。その結果を図
２に示す。
【００２６】図２を見て明らかなように、小角散乱領域
におけるピーク強度が小さい膜では保磁力が高く、有効
な軟磁気特性が得られていないが、ピーク強度が大きい
膜では、保磁力が小さく、良好な軟磁気特性が得られ
る。したがって、このことからも、小角散乱強度が軟磁
気特性に優れた膜を得る上での指標となることがわか
り、良好な軟磁気特性を有する膜を得るには所定の元素
よりなる膜のうち、ＣｏＫα放射を使用するＸ線回折測
定において、小角散乱領域のピーク強度が大きいものを
選択すればよいことが示された。
におけるピーク強度が小さい膜では保磁力が高く、有効
な軟磁気特性が得られていないが、ピーク強度が大きい
膜では、保磁力が小さく、良好な軟磁気特性が得られ
る。したがって、このことからも、小角散乱強度が軟磁
気特性に優れた膜を得る上での指標となることがわか
り、良好な軟磁気特性を有する膜を得るには所定の元素
よりなる膜のうち、ＣｏＫα放射を使用するＸ線回折測
定において、小角散乱領域のピーク強度が大きいものを
選択すればよいことが示された。
【００２７】また、膜の小角散乱領域におけるピーク強
度は、膜作成時のスパッタ条件，ターゲット組成にほぼ
依存するので、小角散乱領域のピーク強度の大きい膜を
得るには、始めにスパッタ条件，ターゲット組成を調整
しておき、その条件で所望の膜厚となるまで続けてスパ
ッタリングを行えばよい。したがって、成膜条件を途中
で変える等の手間や時間を要さず、また特性の安定性に
も優れ、量産を行う上でも有利である。
度は、膜作成時のスパッタ条件，ターゲット組成にほぼ
依存するので、小角散乱領域のピーク強度の大きい膜を
得るには、始めにスパッタ条件，ターゲット組成を調整
しておき、その条件で所望の膜厚となるまで続けてスパ
ッタリングを行えばよい。したがって、成膜条件を途中
で変える等の手間や時間を要さず、また特性の安定性に
も優れ、量産を行う上でも有利である。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の軟磁性膜は、所定元素よりなり、且つＣｏＫα放射
線を使用したＸ線回折測定において、散乱角度２θが２
度から６度の範囲に散乱回折が観測されるので、高飽和
磁束密度，良好な軟磁気特性，耐熱性を得ることが可能
である。しかも、上記軟磁性膜は、スパッタリング法に
よって成膜するに際し、途中でスパッタ雰囲気等を変化
させる必要がないので、成膜に手間や時間をそれほど要
さず、量産に適するとともに、特性の安定性にも優れ、
コア材料として高い信頼性が得られる。
明の軟磁性膜は、所定元素よりなり、且つＣｏＫα放射
線を使用したＸ線回折測定において、散乱角度２θが２
度から６度の範囲に散乱回折が観測されるので、高飽和
磁束密度，良好な軟磁気特性，耐熱性を得ることが可能
である。しかも、上記軟磁性膜は、スパッタリング法に
よって成膜するに際し、途中でスパッタ雰囲気等を変化
させる必要がないので、成膜に手間や時間をそれほど要
さず、量産に適するとともに、特性の安定性にも優れ、
コア材料として高い信頼性が得られる。
【００２９】したがって、本発明によれば、メタルイン
ギャップヘッドの如き高保磁力媒体用のヘッドのコア材
料として十分対応でき、しかも生産性，特性の安定性の
上でも実用性の高い軟磁性膜を得ることが可能である。
ギャップヘッドの如き高保磁力媒体用のヘッドのコア材
料として十分対応でき、しかも生産性，特性の安定性の
上でも実用性の高い軟磁性膜を得ることが可能である。
【図１】Ｃｏ系非晶質膜およびＦｅ基合金膜についてＣ
ｏＫα放射線を使用してＸ線回折測定を行った場合の散
乱パターンを示すものである。
ｏＫα放射線を使用してＸ線回折測定を行った場合の散
乱パターンを示すものである。
【図２】各組成系における小角散乱領域における散乱ピ
ーク強度と熱処理後の保磁力の関係を示す特性図であ
る。
ーク強度と熱処理後の保磁力の関係を示す特性図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】ＣｏＸＮ（Ｘは、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｙのうち、何れか一種を含む。）からなり、ＣｏＫ
α放射線を使用したＸ線回折側定において、散乱角度が
２度から６度の範囲に散乱回折が観測され、散乱格子面
間隔が１．７ｎｍから５ｎｍであることを特徴とする柔
磁性膜。 - 【請求項２】ＦｅＸＮ（Ｘは、Ｈｆ、Ａｌ、Ｓｉのう
ち、何れか一種を含む。）からなり、ＣｏＫα放射線を
使用したＸ線回析測定において、散乱角度が２度から６
度の範囲に散乱回折が観測され、散乱格子面間隔が１．
７ｎｍから５ｎｍである結晶構造を含むことを特徴とす
る軟磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18160691A JP3227724B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 軟磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18160691A JP3227724B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 軟磁性膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056822A JPH056822A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3227724B2 true JP3227724B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=16103752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18160691A Expired - Fee Related JP3227724B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 軟磁性膜 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3227724B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08311642A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-11-26 | Toshiba Corp | マグネトロンスパッタリング法及びスパッタリングターゲット |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP18160691A patent/JP3227724B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH056822A (ja) | 1993-01-14 |
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