JP3226063B2 - 半導体光増幅器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信における光信号
などの増幅を行うための半導体光増幅器及びそれを用い
た光通信システムに関するものである。
などの増幅を行うための半導体光増幅器及びそれを用い
た光通信システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光信号を光・電、電・光変換を介さずに
増幅する光増幅器は、光通信システムにおいて幅広い分
野に用いられ、伝送の中継間隔を長くする上で欠くこと
のできない重要なデバイスである。
増幅する光増幅器は、光通信システムにおいて幅広い分
野に用いられ、伝送の中継間隔を長くする上で欠くこと
のできない重要なデバイスである。
【０００３】光増幅器を実現する手段としては、ラマ
ン、ブリルアン等の光ファイバ内の非線形散乱を利用す
る方法も考えられるが、小型、低消費パワー、構成が簡
易等の点から、半導体レーザ（ＬＤ）の利得機能を利用
した進行波型光増幅器が広く研究されている。進行波型
光増幅器は、利得波長帯域が広く、温度変動に対して安
定に動作させることができるといった特性が期待でき
る。
ン、ブリルアン等の光ファイバ内の非線形散乱を利用す
る方法も考えられるが、小型、低消費パワー、構成が簡
易等の点から、半導体レーザ（ＬＤ）の利得機能を利用
した進行波型光増幅器が広く研究されている。進行波型
光増幅器は、利得波長帯域が広く、温度変動に対して安
定に動作させることができるといった特性が期待でき
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常の進行
波型光増幅器は、埋め込み構造レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）の両端面に反射防止膜を形成した構造をしており、
活性層は、典型的には、厚さ０．１μｍ、幅２μｍとい
った大きさである。従って、活性層のこの様な厚さと幅
の非対称性のため、利得の偏光依存性が大きく、数ｄＢ
の利得差を示すものが多かった。一方、光ファイバ中を
伝搬した信号光の偏光状態はランダムになってしまうた
め、このように光増幅器の利得の偏光依存性が強いと、
信号受信時の誤りの原因となる。一般に、利得の入射偏
光依存性を低減するには活性層の導波路構造を等方化
（厚さを厚く、幅を狭くする）すればよいが、基本横モ
ード条件を保つためには０．５μｍ角以下の大きさに制
御する必要があり、現状の技術では困難である。
波型光増幅器は、埋め込み構造レーザダイオード（Ｌ
Ｄ）の両端面に反射防止膜を形成した構造をしており、
活性層は、典型的には、厚さ０．１μｍ、幅２μｍとい
った大きさである。従って、活性層のこの様な厚さと幅
の非対称性のため、利得の偏光依存性が大きく、数ｄＢ
の利得差を示すものが多かった。一方、光ファイバ中を
伝搬した信号光の偏光状態はランダムになってしまうた
め、このように光増幅器の利得の偏光依存性が強いと、
信号受信時の誤りの原因となる。一般に、利得の入射偏
光依存性を低減するには活性層の導波路構造を等方化
（厚さを厚く、幅を狭くする）すればよいが、基本横モ
ード条件を保つためには０．５μｍ角以下の大きさに制
御する必要があり、現状の技術では困難である。
【０００５】よって、本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、利得の偏光依存性のない半導体光増幅器及びそれを
用いた光通信システムを提供することにある。
み、利得の偏光依存性のない半導体光増幅器及びそれを
用いた光通信システムを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、複数の半導体層から構成される半導体光
増幅器において、該半導体層のうち少なくとも１層にＴ
Ｅモード−ＴＭモード変換機能を有する半導体層が含ま
れることを特徴とする半導体光増幅器である。ＴＥモー
ド−ＴＭモード変換機能は磁気光学効果、電気光学効果
あるいは音響光学効果を用いることによって生じさせる
ものである。
に、本発明は、複数の半導体層から構成される半導体光
増幅器において、該半導体層のうち少なくとも１層にＴ
Ｅモード−ＴＭモード変換機能を有する半導体層が含ま
れることを特徴とする半導体光増幅器である。ＴＥモー
ド−ＴＭモード変換機能は磁気光学効果、電気光学効果
あるいは音響光学効果を用いることによって生じさせる
ものである。
【０００７】モード結合理論を用いて動作原理を説明す
る。
る。
【０００８】光導波路を伝搬するＴＥモード光とＴＭモ
ード光の複素振幅をそれぞれＡTE（ｚ）とＡTM（ｚ）と
すると、ＴＥ−ＴＭモード間で結合がある場合、Ａ
TE（ｚ）とＡTM（ｚ）が互いに独立でなく、ｚ軸に沿う
結合方程式はｚの関数だけが関係し、次のように書くこ
とができる。 ｄＡTE（ｚ）／ｄｚ＝−ｊκＡTM（ｚ）＋ｇTEＡTE（ｚ） ｄＡTM（ｚ）／ｄｚ＝−ｊκＡTE（ｚ）＋ｇTMＡTM（ｚ） （１） ここで、κはＴＥモード−ＴＭモード間の結合係数、ｇ
TEはＴＥモード光の増幅係数、ｇTMはＴＭモード光の増
幅係数である。一般に、半導体光増幅器の場合、ＴＥモ
ード光の方がＴＭモード光より増幅率は大きいので、ｇ
TE＞ｇTMの関係が成立する。
ード光の複素振幅をそれぞれＡTE（ｚ）とＡTM（ｚ）と
すると、ＴＥ−ＴＭモード間で結合がある場合、Ａ
TE（ｚ）とＡTM（ｚ）が互いに独立でなく、ｚ軸に沿う
結合方程式はｚの関数だけが関係し、次のように書くこ
とができる。 ｄＡTE（ｚ）／ｄｚ＝−ｊκＡTM（ｚ）＋ｇTEＡTE（ｚ） ｄＡTM（ｚ）／ｄｚ＝−ｊκＡTE（ｚ）＋ｇTMＡTM（ｚ） （１） ここで、κはＴＥモード−ＴＭモード間の結合係数、ｇ
TEはＴＥモード光の増幅係数、ｇTMはＴＭモード光の増
幅係数である。一般に、半導体光増幅器の場合、ＴＥモ
ード光の方がＴＭモード光より増幅率は大きいので、ｇ
TE＞ｇTMの関係が成立する。
【０００９】つぎに式（１）を解くために ＡTE（ｚ）＝ＡTEｅｘｐ（−ｊγｚ） ＡTM（ｚ）＝ＡTMｅｘｐ（−ｊγｚ） （２） と置いて、式（１）に代入することによりγの２次方程
式が導かれ、 γ＝［ｊ（ｇTE−ｇTM）±｛４κ2−（ｇTE−ｇTM）2｝1/2］／２≡γ± （ ３） ＡTM＝（ｇTE＋ｊγ）／ｊκ・ＡTE （４） が得られるので、解は ＡTE（ｚ）＝ＡTE+ｅｘｐ（−ｊγ+ｚ）＋ＡTE-ｅｘｐ（−ｊγ-ｚ） ＡTM（ｚ）＝ＡTM+ｅｘｐ（−ｊγ+ｚ）＋ＡTM-ｅｘｐ（−ｊγ-ｚ） （５） ＡTM±＝（ｇTE＋ｊγ±）／ｊκ・ＡTE± （６） と書ける。
式が導かれ、 γ＝［ｊ（ｇTE−ｇTM）±｛４κ2−（ｇTE−ｇTM）2｝1/2］／２≡γ± （ ３） ＡTM＝（ｇTE＋ｊγ）／ｊκ・ＡTE （４） が得られるので、解は ＡTE（ｚ）＝ＡTE+ｅｘｐ（−ｊγ+ｚ）＋ＡTE-ｅｘｐ（−ｊγ-ｚ） ＡTM（ｚ）＝ＡTM+ｅｘｐ（−ｊγ+ｚ）＋ＡTM-ｅｘｐ（−ｊγ-ｚ） （５） ＡTM±＝（ｇTE＋ｊγ±）／ｊκ・ＡTE± （６） と書ける。
【００１０】さらに、ある伝搬距離Ｌだけ伝搬させたと
きに ＡTE（Ｌ）＝ＧＡTE（０） ＡTM（Ｌ）＝ＧＡTM（０） （７） が、ＡTE（０）、ＡTM（０）に関係なく成立すれば、増
幅率がＧの偏光無依存光増幅器を構成できる。
きに ＡTE（Ｌ）＝ＧＡTE（０） ＡTM（Ｌ）＝ＧＡTM（０） （７） が、ＡTE（０）、ＡTM（０）に関係なく成立すれば、増
幅率がＧの偏光無依存光増幅器を構成できる。
【００１１】すなわち Ｌ＝２ｎπ／｛４κ2−（ｇTE−ｇTM）2｝1/2 （８） のときに式（７）の関係を満たし、そのときの増幅率Ｇ
は Ｇ＝±ｅｘｐ｛（ｇTE−ｇTM）／２・Ｌ｝ ｎ＝２ｍ： ＋ ｎ＝２ｍ＋１： − （９） で与えられる。
は Ｇ＝±ｅｘｐ｛（ｇTE−ｇTM）／２・Ｌ｝ ｎ＝２ｍ： ＋ ｎ＝２ｍ＋１： − （９） で与えられる。
【００１２】すなわち、光増幅器にＴＥ−ＴＭ変換機能
を付加し、ＴＥ−ＴＭ結合係数κ、増幅係数ｇTE，
ｇTM、伝搬距離Ｌを調整して式（８）を満たすようにす
ることにより、偏光無依存の半導体光増幅器を構成でき
る。
を付加し、ＴＥ−ＴＭ結合係数κ、増幅係数ｇTE，
ｇTM、伝搬距離Ｌを調整して式（８）を満たすようにす
ることにより、偏光無依存の半導体光増幅器を構成でき
る。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明に基づく半導体光増幅器の実
施例を示す図である。本実施例では、磁気光学効果を有
する材料であるＣｄＭｎＴｅを用いた場合について説明
する。
施例を示す図である。本実施例では、磁気光学効果を有
する材料であるＣｄＭｎＴｅを用いた場合について説明
する。
【００１４】Ｉｎドープｎ−ＣｄＴｅ基板１１上に、Ｉ
ｎドープｎ−Ｃｄ0.7Ｍｎ0.3Ｔｅクラッド層１３を１μ
ｍ、φ−ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ超格子活性層１
５を０．１μｍ、Ｂｅドープｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光
導波路層１６を０．２μｍ、Ａｓドープｐ−Ｃｄ0.7Ｍ
ｎ0.3Ｔｅクラッド層１７を１μｍ、Ａｓドープｐ−Ｃ
ｄＴｅキャップ層１９を順次エピタキシャル成長させ
る。次に、クラッド層１７、キャップ層１９をリッジ型
に加工してチャネル導波路を形成し、ｐ電極（Ｃｒ／Ａ
ｕ）２０およびｎ電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）２２を
所定位置に装荷する。さらに、所定の大きさに素子の切
り出しを行った後に、両端面にＳｉＯxを所定の厚さだ
け蒸着して反射防止膜２４を形成する。
ｎドープｎ−Ｃｄ0.7Ｍｎ0.3Ｔｅクラッド層１３を１μ
ｍ、φ−ＧａＡｓ／Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ超格子活性層１
５を０．１μｍ、Ｂｅドープｐ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ光
導波路層１６を０．２μｍ、Ａｓドープｐ−Ｃｄ0.7Ｍ
ｎ0.3Ｔｅクラッド層１７を１μｍ、Ａｓドープｐ−Ｃ
ｄＴｅキャップ層１９を順次エピタキシャル成長させ
る。次に、クラッド層１７、キャップ層１９をリッジ型
に加工してチャネル導波路を形成し、ｐ電極（Ｃｒ／Ａ
ｕ）２０およびｎ電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）２２を
所定位置に装荷する。さらに、所定の大きさに素子の切
り出しを行った後に、両端面にＳｉＯxを所定の厚さだ
け蒸着して反射防止膜２４を形成する。
【００１５】以上のようにして作製した半導体光増幅器
においては、注入電流を６５ｍＡとし、光の伝搬方向に
１５ｋＯｅの磁場を印加した場合に、ＴＥモード光の増
幅係数ｇTE＝５９［ｃｍ-1］、ＴＭモード光の増幅係数
ｇTM＝４１［ｃｍ-1］、ＴＥ−ＴＭ結合係数κ＝３４
［ｒａｄ／ｃｍ］の値が得られたので、式（８）より、
伝搬距離を０．９６ｍｍすなわち９６０μｍとすれば、
入射光の偏光状態に依存しない半導体光増幅器を構成す
ることができる。このときの利得は式（９）より４６ｄ
Ｂとなる。
においては、注入電流を６５ｍＡとし、光の伝搬方向に
１５ｋＯｅの磁場を印加した場合に、ＴＥモード光の増
幅係数ｇTE＝５９［ｃｍ-1］、ＴＭモード光の増幅係数
ｇTM＝４１［ｃｍ-1］、ＴＥ−ＴＭ結合係数κ＝３４
［ｒａｄ／ｃｍ］の値が得られたので、式（８）より、
伝搬距離を０．９６ｍｍすなわち９６０μｍとすれば、
入射光の偏光状態に依存しない半導体光増幅器を構成す
ることができる。このときの利得は式（９）より４６ｄ
Ｂとなる。
【００１６】また、切り出した素子の実際の伝搬距離に
応じて、注入電流や印加磁場を調整して式（８）を満た
すようにすることも可能である。
応じて、注入電流や印加磁場を調整して式（８）を満た
すようにすることも可能である。
【００１７】なお、上記実施例では、磁気光学効果を用
いた場合を示したが、これに限ったものではなく、ＴＥ
−ＴＭ変換機能があればよい。例えば、電気光学効果や
音響光学効果を有する材料を用いてＴＥ−ＴＭ変換を実
現することも可能である。
いた場合を示したが、これに限ったものではなく、ＴＥ
−ＴＭ変換機能があればよい。例えば、電気光学効果や
音響光学効果を有する材料を用いてＴＥ−ＴＭ変換を実
現することも可能である。
【００１８】また、上記実施例では、ＣｄＴｅを基板と
し、ＡｌＧａＡｓを活性層とする波長０．８μｍ帯の素
子について述べたが、用いる材料系はこれに限るもので
はなく、ＩｎＰ系等、他の材料を用いてもよく、例えば
ＩｎＰを用いた場合では、磁気光学効果を有する材料と
してＹＩＧ（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12）を用いればよい。また、基
板にＧａＡｓを用いてもよい。
し、ＡｌＧａＡｓを活性層とする波長０．８μｍ帯の素
子について述べたが、用いる材料系はこれに限るもので
はなく、ＩｎＰ系等、他の材料を用いてもよく、例えば
ＩｎＰを用いた場合では、磁気光学効果を有する材料と
してＹＩＧ（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12）を用いればよい。また、基
板にＧａＡｓを用いてもよい。
【００１９】さらに、反射防止膜としてＳｉＯxを用い
たが、他の材料、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＣｅＯ2や、これらの多層膜であってもよい。
たが、他の材料、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＣｅＯ2や、これらの多層膜であってもよい。
【００２０】加えて、特にリッジ型構造に限定されるわ
けではなく、埋め込み型構造などであってもよい。
けではなく、埋め込み型構造などであってもよい。
【００２１】
【他の実施例】本発明の半導体光増幅器は偏光無依存と
いう利点を有するので、これを光通信システムに応用し
た場合、その効果を発揮する。以下に、本発明による半
導体光増幅器をＮ対Ｎ光通信システムに応用した例を示
す。
いう利点を有するので、これを光通信システムに応用し
た場合、その効果を発揮する。以下に、本発明による半
導体光増幅器をＮ対Ｎ光通信システムに応用した例を示
す。
【００２２】図２に、本発明の実施例を示す。図２にお
いて１１１０、１１２０は送信端局、１１５０、１１７
０は分岐合流器、１１６０は中継装置、１１３０、１１
４０は受信端局、１１８０、１１９０は光伝送路であ
る。送信端局１１１０、１１２０は、信号処理部と電気
光変換部を含む光送信部１１１１、１１２１と、光送信
部１１１１、１１２１からの光信号出力を増幅するため
の光増幅器１１１２、１１２２より構成される。中継装
置１１６０は光増幅器１１６１で構成されている。受信
端局１１３０、１１４０は、入力光信号を増幅するため
の光増幅器１１３２、１１４２と、光電気変換部と信号
処理部を含む光受信部１１３１、１１４１より構成され
ている。
いて１１１０、１１２０は送信端局、１１５０、１１７
０は分岐合流器、１１６０は中継装置、１１３０、１１
４０は受信端局、１１８０、１１９０は光伝送路であ
る。送信端局１１１０、１１２０は、信号処理部と電気
光変換部を含む光送信部１１１１、１１２１と、光送信
部１１１１、１１２１からの光信号出力を増幅するため
の光増幅器１１１２、１１２２より構成される。中継装
置１１６０は光増幅器１１６１で構成されている。受信
端局１１３０、１１４０は、入力光信号を増幅するため
の光増幅器１１３２、１１４２と、光電気変換部と信号
処理部を含む光受信部１１３１、１１４１より構成され
ている。
【００２３】図２において、送信端局１１１０、１１２
０の光送信部１１１１及び１１２１より出力された光信
号は、光増幅器１１１２及び１１２２によりそれぞれ増
幅されて送信端局より出力される。その出力光信号は、
時分割多重、波長多重、あるいはＣＳＭＡ／ＣＤ等のあ
らかじめ決められた多重化方式を用いて、光伝送路１１
８０上で衝突しないように制御されて、分岐合流器１１
５０を通って光伝送路１１８０に送出される。光伝送路
中を光信号が伝送されると、光量が減衰するため、中継
装置１１６０で光信号を増幅させる。図２においては、
中継装置を１ケ所配置してあるが、必要に応じて数ケ所
配置しても良く、また中継装置が必要なければ用いなく
ても良い。
０の光送信部１１１１及び１１２１より出力された光信
号は、光増幅器１１１２及び１１２２によりそれぞれ増
幅されて送信端局より出力される。その出力光信号は、
時分割多重、波長多重、あるいはＣＳＭＡ／ＣＤ等のあ
らかじめ決められた多重化方式を用いて、光伝送路１１
８０上で衝突しないように制御されて、分岐合流器１１
５０を通って光伝送路１１８０に送出される。光伝送路
中を光信号が伝送されると、光量が減衰するため、中継
装置１１６０で光信号を増幅させる。図２においては、
中継装置を１ケ所配置してあるが、必要に応じて数ケ所
配置しても良く、また中継装置が必要なければ用いなく
ても良い。
【００２４】中継装置１１６０で増幅された光信号は、
光伝送路１１９０を通って分岐合流器１１７０に入力さ
れ、多重化方式に応じた分離方法で分離されて受信端局
１１３０と１１４０に入力される。各受信端局１１３
０、１１４０に入力された光信号は、光伝送路１１９０
や分岐合流器１１７０でのロスを補うべく、光増幅器１
１３２、１１４２で増幅されて光受信部１１３１、１１
４１に入力される。このようにして送信端局１１１０か
ら受信端局１１３０への通信と、送信端局１１２０から
受信端局１１４０への通信が１本の光伝送路を通して行
われる。
光伝送路１１９０を通って分岐合流器１１７０に入力さ
れ、多重化方式に応じた分離方法で分離されて受信端局
１１３０と１１４０に入力される。各受信端局１１３
０、１１４０に入力された光信号は、光伝送路１１９０
や分岐合流器１１７０でのロスを補うべく、光増幅器１
１３２、１１４２で増幅されて光受信部１１３１、１１
４１に入力される。このようにして送信端局１１１０か
ら受信端局１１３０への通信と、送信端局１１２０から
受信端局１１４０への通信が１本の光伝送路を通して行
われる。
【００２５】図２においては、送信端局２台、受信端局
２台の例を示したが、分岐合流器１１５０、１１７０の
分岐数を増やして、送信端局Ｎ台、受信端局Ｎ台でＮ対
Ｎの通信も可能である。また、分岐合流器を用いず、１
対１の通信でも良い。
２台の例を示したが、分岐合流器１１５０、１１７０の
分岐数を増やして、送信端局Ｎ台、受信端局Ｎ台でＮ対
Ｎの通信も可能である。また、分岐合流器を用いず、１
対１の通信でも良い。
【００２６】図２に示す光増幅器は、全箇所に配置する
必要はなく、各部の光信号の減衰を補償する必要のある
ところに配置すれば良い。
必要はなく、各部の光信号の減衰を補償する必要のある
ところに配置すれば良い。
【００２７】光通信システムにおいては、光伝送路とし
て光ファイバを用いるのが一般的である。通常の光ファ
イバでは、温度や曲がり等によって出力部での偏光状態
がゆらぐといったことが生じるが、本発明による半導体
光増幅器では偏光状態に依存せずに光信号の増幅を行う
ことができるので、偏光状態のゆらぎが生じても光通信
システムを安定に動作させることができる。
て光ファイバを用いるのが一般的である。通常の光ファ
イバでは、温度や曲がり等によって出力部での偏光状態
がゆらぐといったことが生じるが、本発明による半導体
光増幅器では偏光状態に依存せずに光信号の増幅を行う
ことができるので、偏光状態のゆらぎが生じても光通信
システムを安定に動作させることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、導
波路を構成する材料の一部にＴＥ−ＴＭ変換機能を有す
る材料を用いることによって入射光の偏光状態に依存し
ない半導体光増幅器を構成することができる。
波路を構成する材料の一部にＴＥ−ＴＭ変換機能を有す
る材料を用いることによって入射光の偏光状態に依存し
ない半導体光増幅器を構成することができる。
【図１】本発明による半導体光増幅器の実施例を示す図
である。
である。
【図２】本発明による半導体光増幅器を光通信システム
に応用した例を示す図である。
に応用した例を示す図である。
１１ 基板 １３、１７ クラッド層 １５ 活性層 １６ 光導波路層 １９ キャップ層 ２０ ｐ電極 ２２ ｎ電極 ２４ 反射防止膜 １１１２、１１２２、１１３２、１１４２、１１６１
光増幅器
光増幅器
Claims (6)
- 【請求項１】複数の半導体層から構成される半導体光増
幅器において、該半導体層のうち少なくとも１層にＴＥ
モード−ＴＭモード変換機能を有する半導体層を含み、
該変換機能が磁気光学効果、電気光学効果あるいは音響
光学効果によって生じることを特徴とする半導体光増幅
器。 - 【請求項２】複数の半導体層から構成される半導体光増
幅器において、該半導体層のうち少なくとも１層にＴＥ
モード−ＴＭモード変換機能を有する半導体層を含み、
該変換機能が磁気光学効果、電気光学効果あるいは音響
光学効果によって生じ、伝搬距離L［cm］が、 ＴＥモード光、ＴＭモード光の増幅係数をそれぞれ
ｇTE、ｇTM［ｃｍ-1］、ＴＥモード−ＴＭモード結合係
数をκ［ｒａｄ／ｃｍ］としたときに Ｌ＝２ｎπ／｛４κ2−（ｇTE−ｇTM）2｝1/2 （ｎ＝１，２，・・・） の関係を満たすように構成することを特徴とする半導体
光増幅器。 - 【請求項３】CdMnTeを前記磁気光学効果を有する材料と
して用いる請求項１あるいは２記載の半導体光増幅器。 - 【請求項４】YIG（Y3Fe5O12）を前記磁気光学効果を有
する材料として用いる請求項１あるいは２記載の半導体
光増幅器。 - 【請求項５】前記半導体光増幅器を構成する基板として
CdTe基板、InP基板、あるいはGaAs基板を用いる請求項
１あるいは２記載の半導体光増幅器。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体
光増幅器が光信号の減衰を補償する必要のある所に配置
されて構成されることを特徴とする光通信システム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07535293A JP3226063B2 (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 半導体光増幅器 |
| US08/203,355 US5526176A (en) | 1993-03-09 | 1994-03-01 | Semiconductor optical amplifier which functions independently of polarization and an optical communication system using the same |
| EP94103520A EP0615323B1 (en) | 1993-03-09 | 1994-03-08 | A semiconductor optical amplifier which functions independently of polarization and an optical communication system using the same |
| DE69404707T DE69404707T2 (de) | 1993-03-09 | 1994-03-08 | Optischer Halbleiterverstärker, der unabhängig von der Polarisation arbeitet, und diesen verwendendes optisches Kommunikationssystem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07535293A JP3226063B2 (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 半導体光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260726A JPH06260726A (ja) | 1994-09-16 |
| JP3226063B2 true JP3226063B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=13573768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07535293A Expired - Fee Related JP3226063B2 (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 半導体光増幅器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5526176A (ja) |
| EP (1) | EP0615323B1 (ja) |
| JP (1) | JP3226063B2 (ja) |
| DE (1) | DE69404707T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| FR2745961B1 (fr) * | 1996-03-05 | 1998-04-10 | Alcatel Optronics | Amplificateur optique a semi-conducteur |
| FR2813449B1 (fr) * | 2000-08-22 | 2003-01-17 | Cit Alcatel | Dispositif optique amplificateur |
| JP2004070338A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-03-04 | Canon Inc | 光波長変換装置、及び光波長変換方法 |
| JP4359035B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2009-11-04 | 富士通株式会社 | 光中継器 |
| JP4574396B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 光偏向器 |
| JP2007316443A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Canon Inc | 光偏向器、及びそれを用いた光学機器 |
| WO2012102358A1 (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | 日本電気株式会社 | 偏波多重光受信装置および偏波多重光受信方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH02235449A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-18 | Canon Inc | 光通信方式 |
| JPH03184388A (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-12 | Canon Inc | Ｔｍレーザー |
| JP2980723B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1999-11-22 | キヤノン株式会社 | 光増幅装置 |
| EP0470523B1 (en) * | 1990-08-04 | 1999-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical polarization-state converting apparatus for use as isolator, modulator and the like |
| JPH0590703A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光増幅器 |
| EP0543061B1 (en) * | 1991-11-20 | 1998-07-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light amplifying polarizer |
| JP3226061B2 (ja) * | 1993-02-19 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 偏光無依存な半導体光増幅器及びそれを用いた光通信システム |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP07535293A patent/JP3226063B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-01 US US08/203,355 patent/US5526176A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-08 EP EP94103520A patent/EP0615323B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-08 DE DE69404707T patent/DE69404707T2/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0615323A2 (en) | 1994-09-14 |
| JPH06260726A (ja) | 1994-09-16 |
| EP0615323A3 (en) | 1994-11-09 |
| DE69404707T2 (de) | 1998-01-15 |
| US5526176A (en) | 1996-06-11 |
| EP0615323B1 (en) | 1997-08-06 |
| DE69404707D1 (de) | 1997-09-11 |
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