JPH0590703A - 半導体光増幅器 - Google Patents
半導体光増幅器Info
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- JPH0590703A JPH0590703A JP25254391A JP25254391A JPH0590703A JP H0590703 A JPH0590703 A JP H0590703A JP 25254391 A JP25254391 A JP 25254391A JP 25254391 A JP25254391 A JP 25254391A JP H0590703 A JPH0590703 A JP H0590703A
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- Japan
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- signal light
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- optical amplifier
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/14—Mode converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5009—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-insensitive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5009—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-insensitive
- H01S5/5018—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement being polarisation-insensitive using two or more amplifiers or multiple passes through the same amplifier
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型・集積化可能で製作が容易な偏波依存性
のない光増幅器の提供。 【構成】 半導体レーザ構造を有する少なくとも２ヶ所
の利得領域と、前記利得領域間に上下・左右方向に非対
称な摂動を有する導波路により構成されたＴＥ−ＴＭモ
ード変換領域とを導波光の伝搬方向に接続したことを特
徴とする半導体光増幅器である。 【効果】 導波路幅を数ミクロンと広くできるために製
作が容易で、歩留まりを向上させることができる。さら
に、活性層にＭＱＷ構造を利用できるため増幅率を大き
くさせることができる。
のない光増幅器の提供。 【構成】 半導体レーザ構造を有する少なくとも２ヶ所
の利得領域と、前記利得領域間に上下・左右方向に非対
称な摂動を有する導波路により構成されたＴＥ−ＴＭモ
ード変換領域とを導波光の伝搬方向に接続したことを特
徴とする半導体光増幅器である。 【効果】 導波路幅を数ミクロンと広くできるために製
作が容易で、歩留まりを向上させることができる。さら
に、活性層にＭＱＷ構造を利用できるため増幅率を大き
くさせることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は小型・集積化が可能で、
偏波依存性のない半導体光増幅器に関するものである。
偏波依存性のない半導体光増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体光増幅器としては図３に示
す構成のものが用いられてきた。図３において、１は電
極、２はｐ型InGaAsからなるキャップ層、３はｐ型InP
からなる第一クラッド層、４はInGaAsPからなる第一ガ
イド層、５ａはInGaAsPからなる活性層、６はｎ型InPか
らなる基板、７は反射防止膜を示している。
す構成のものが用いられてきた。図３において、１は電
極、２はｐ型InGaAsからなるキャップ層、３はｐ型InP
からなる第一クラッド層、４はInGaAsPからなる第一ガ
イド層、５ａはInGaAsPからなる活性層、６はｎ型InPか
らなる基板、７は反射防止膜を示している。
【０００３】この半導体光増幅器は、光を発する活性層
５ａの両側にバンド幅の異なる半導体であるキャップ層
２と第一クラッド層３が接合されて、いわゆる二重ヘテ
ロ接合となっている。そこで、活性層５ａの片側に禁制
帯幅の大きいｐ型半導体を接合させておくと、活性領域
に注入された電子はエネルギーの壁のために活性領域に
閉じ込められてレーザー発光に有効に寄与する。さら
に、活性層５ａの両端面を結晶の壁開面である反射防止
膜７で構成し、これをファブリーペロー共振器のミラー
として利用することによって、活性層５ａ内で生じる自
然放射光は、共振器内の往復で徐々に利得を上げ、位相
の揃った誘導放射光を発生させる。
５ａの両側にバンド幅の異なる半導体であるキャップ層
２と第一クラッド層３が接合されて、いわゆる二重ヘテ
ロ接合となっている。そこで、活性層５ａの片側に禁制
帯幅の大きいｐ型半導体を接合させておくと、活性領域
に注入された電子はエネルギーの壁のために活性領域に
閉じ込められてレーザー発光に有効に寄与する。さら
に、活性層５ａの両端面を結晶の壁開面である反射防止
膜７で構成し、これをファブリーペロー共振器のミラー
として利用することによって、活性層５ａ内で生じる自
然放射光は、共振器内の往復で徐々に利得を上げ、位相
の揃った誘導放射光を発生させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この構造の光
増幅器では通常活性層５ａの厚さは0.1μm程度、また第
一ガイド層４の厚さは0.2μm程度であるに対し、導波路
幅は2μm程度あり上下・左右方向の構造ならびに形状に
異方性が生じている。そのためＴＥモードの光とＴＭモ
ードの光の電界分布が異なり、活性層５ａにおける閉じ
こめ係数に差が生じる。その結果、ＴＥモードとＴＭモ
ードで増幅率に差が生じてしまう。
増幅器では通常活性層５ａの厚さは0.1μm程度、また第
一ガイド層４の厚さは0.2μm程度であるに対し、導波路
幅は2μm程度あり上下・左右方向の構造ならびに形状に
異方性が生じている。そのためＴＥモードの光とＴＭモ
ードの光の電界分布が異なり、活性層５ａにおける閉じ
こめ係数に差が生じる。その結果、ＴＥモードとＴＭモ
ードで増幅率に差が生じてしまう。
【０００５】通常ＴＥモードの閉じこめ係数の方がＴＭ
モードの閉じこめ係数よりも大きいため増幅率もＴＥモ
ードの方が大きくなる。また、動作電流の低減のために
活性層５ａに量子井戸構造（ＭＱＷ）を用いた場合は、
活性層５ａのゲイン係数自体ＴＥモードの方が大きくな
ってしまうために増幅率の差はさらに大きくなってしま
う。
モードの閉じこめ係数よりも大きいため増幅率もＴＥモ
ードの方が大きくなる。また、動作電流の低減のために
活性層５ａに量子井戸構造（ＭＱＷ）を用いた場合は、
活性層５ａのゲイン係数自体ＴＥモードの方が大きくな
ってしまうために増幅率の差はさらに大きくなってしま
う。
【０００６】このように動作電流の低減と偏波無依存化
とを両立させることは難しく、通常はどちらか一方にチ
ューニングされている。偏波無依存を実現するためには
ＴＥモードとＴＭモードの閉じこめ係数を等しくする
か、あるいは活性層５ａのＴＭモードに対するゲイン係
数を大きくすることが必要となる。後者は、活性層５ａ
に歪超格子を導入すれば達成できるものの、歪超格子の
作製には非常に高度な技術が要求される。さらに、歪超
格子を用いた場合はＴＭモードのゲイン係数が大きくな
る代わりにＴＥモードのゲイン係数が小さくなってしま
うという問題もある。
とを両立させることは難しく、通常はどちらか一方にチ
ューニングされている。偏波無依存を実現するためには
ＴＥモードとＴＭモードの閉じこめ係数を等しくする
か、あるいは活性層５ａのＴＭモードに対するゲイン係
数を大きくすることが必要となる。後者は、活性層５ａ
に歪超格子を導入すれば達成できるものの、歪超格子の
作製には非常に高度な技術が要求される。さらに、歪超
格子を用いた場合はＴＭモードのゲイン係数が大きくな
る代わりにＴＥモードのゲイン係数が小さくなってしま
うという問題もある。
【０００７】前者のＴＥ・ＴＭ両モードの閉じ込め係数
を等しくする方法としては、活性層５ａに等方性の媒質
を用い、その断面形状を正方形にする方法が用いられ
る。この場合、導波路がシングルモードとなる条件から
活性層５ａの厚さ、幅ともに0.3〜0.4μmにする必要が
ある。この構造でＴＥ−ＴＭ増幅率差1dB以下が実現さ
れている。
を等しくする方法としては、活性層５ａに等方性の媒質
を用い、その断面形状を正方形にする方法が用いられ
る。この場合、導波路がシングルモードとなる条件から
活性層５ａの厚さ、幅ともに0.3〜0.4μmにする必要が
ある。この構造でＴＥ−ＴＭ増幅率差1dB以下が実現さ
れている。
【０００８】従って、以上説明したような構成で光増幅
器を構成するため、次のような欠点を有する。 １）導波路幅をサブミクロンにしなければならないため
プロセス上再現性に乏しい。 ２）活性層を等方性の媒質で構成する必要があり、ゲイ
ン係数の大きなＭＱＷ構造を用いることができない。
器を構成するため、次のような欠点を有する。 １）導波路幅をサブミクロンにしなければならないため
プロセス上再現性に乏しい。 ２）活性層を等方性の媒質で構成する必要があり、ゲイ
ン係数の大きなＭＱＷ構造を用いることができない。
【０００９】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、小型・集積化が可能で、かつ製作が容易な偏
波依存性のない光増幅器を実現することにある。
たもので、小型・集積化が可能で、かつ製作が容易な偏
波依存性のない光増幅器を実現することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体レーザ構造を有する少なくとも２ヶ所の利得
領域と、前記利得領域間に上下・左右方向に非対称な摂
動を有する導波路により構成された第１のＴＥ−ＴＭモ
ード変換領域とを導波光の伝搬方向に接続したことを特
徴とする半導体光増幅器である。
は、半導体レーザ構造を有する少なくとも２ヶ所の利得
領域と、前記利得領域間に上下・左右方向に非対称な摂
動を有する導波路により構成された第１のＴＥ−ＴＭモ
ード変換領域とを導波光の伝搬方向に接続したことを特
徴とする半導体光増幅器である。
【００１１】請求項２に記載の発明は、上下・左右方向
に非対称な摂動を有する導波路により構成された第２の
ＴＥ−ＴＭモード変換領域を、信号光の伝搬方向に対し
て最前部あるいは最後部に付加した事を特徴とする請求
項１に記載の半導体光増幅器である。
に非対称な摂動を有する導波路により構成された第２の
ＴＥ−ＴＭモード変換領域を、信号光の伝搬方向に対し
て最前部あるいは最後部に付加した事を特徴とする請求
項１に記載の半導体光増幅器である。
【００１２】請求項３に記載の発明は、上下・左右方向
に非対称な摂動を有する導波路により構成されたＴＥ−
ＴＭモード変換領域の長さを、モード変換を生じさせる
ために必要な完全結合長の（２ｎ＋１）倍（ｎ＝０、
１、２…）としたことを特徴とする請求項１または請求
項２に記載の半導体光増幅器である。
に非対称な摂動を有する導波路により構成されたＴＥ−
ＴＭモード変換領域の長さを、モード変換を生じさせる
ために必要な完全結合長の（２ｎ＋１）倍（ｎ＝０、
１、２…）としたことを特徴とする請求項１または請求
項２に記載の半導体光増幅器である。
【００１３】
【作用】本発明では、半導体光増幅器を半導体レーザ構
造を有する少なくとも２ヶ所の利得領域と、該利得領域
間に上下・左右方向に非対称的な摂動を有する導波路に
より構成されたＴＥ−ＴＭモード変換領域とを導波光の
伝搬方向に接続することによりなるもので、導波路幅を
数ミクロンと広くできるために製作が容易で歩留まりを
向上させることができる。また、活性層にＭＱＷ構造を
利用できるために増幅率を大きくすることが可能であ
る。
造を有する少なくとも２ヶ所の利得領域と、該利得領域
間に上下・左右方向に非対称的な摂動を有する導波路に
より構成されたＴＥ−ＴＭモード変換領域とを導波光の
伝搬方向に接続することによりなるもので、導波路幅を
数ミクロンと広くできるために製作が容易で歩留まりを
向上させることができる。また、活性層にＭＱＷ構造を
利用できるために増幅率を大きくすることが可能であ
る。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の第一の実施例を示した図で
あって図中１〜４、６〜７は、図３における１〜４、６
〜７と同一の構成要素、５ｂはバンドギャップ波長1.55
μmのInGaAsPウエル層、バンドギャップ波長1.30μmのI
nGaAsPバリア層からなるＭＱＷ活性層、８はバンドギャ
ップ波長1.30μmのInGaAsPからなる第二ガイド層、９は
InPからなる第二クラッド層を示している。また、Ａ
１、Ａ２は利得領域、ＢはＴＥ−ＴＭモード変換領域を
示している。これらは通常の半導体レーザ作製法と同様
にして形成される。利得領域Ａ、ＴＥ−ＴＭモード変換
領域Ｂはバットジョイント法（butt-joint法）により接
続されている。反射防止膜７はＡ１2Ｏ3膜をスパッタす
ることにより形成した。
あって図中１〜４、６〜７は、図３における１〜４、６
〜７と同一の構成要素、５ｂはバンドギャップ波長1.55
μmのInGaAsPウエル層、バンドギャップ波長1.30μmのI
nGaAsPバリア層からなるＭＱＷ活性層、８はバンドギャ
ップ波長1.30μmのInGaAsPからなる第二ガイド層、９は
InPからなる第二クラッド層を示している。また、Ａ
１、Ａ２は利得領域、ＢはＴＥ−ＴＭモード変換領域を
示している。これらは通常の半導体レーザ作製法と同様
にして形成される。利得領域Ａ、ＴＥ−ＴＭモード変換
領域Ｂはバットジョイント法（butt-joint法）により接
続されている。反射防止膜７はＡ１2Ｏ3膜をスパッタす
ることにより形成した。
【００１５】ここで、図１の構成における光増幅器の動
作について説明する。
作について説明する。
【００１６】まず、利得領域Ａ１に外部から信号光が入
射したとする。利得領域Ａ１ではＭＱＷ構造を用いたＭ
ＱＷ活性層５ｂを用いているために主にＴＥモードが増
幅される。このＴＥ成分が増幅された信号光はＴＥ−Ｔ
Ｍモード変換領域Ｂに入射する。本領域には上部第二ク
ラッド層９を第二ガイド層８直上までエッチングするこ
とにより上下方向への摂動が左右非対称に形成されてい
るため、ＴＥモードとＴＭモードとの間に結合が生じ
る。
射したとする。利得領域Ａ１ではＭＱＷ構造を用いたＭ
ＱＷ活性層５ｂを用いているために主にＴＥモードが増
幅される。このＴＥ成分が増幅された信号光はＴＥ−Ｔ
Ｍモード変換領域Ｂに入射する。本領域には上部第二ク
ラッド層９を第二ガイド層８直上までエッチングするこ
とにより上下方向への摂動が左右非対称に形成されてい
るため、ＴＥモードとＴＭモードとの間に結合が生じ
る。
【００１７】この摂動を周期的に形成しＴＥモードとＴ
Ｍモードの位相整合をとることによりＴＥ・ＴＭモード
変換が可能となる。ＴＥモードからＴＭモードへの完全
な変換、あるいはその逆変換が生じるために必要な長さ
を完全結合長Ｌcとすると、変換領域Ｂに入射したＴＥ
光は（２ｎ＋１）Ｌc、（ｎ＝０、１、２、…）だけ伝
搬したところでＴＭモードに、またはＴＭ光はＴＥモー
ドに変換されている。従って、領域Ｂの長さＬB＝（２
ｎ＋１）Ｌcとすると、領域Ｂを伝搬する間に信号光の
偏波面は、９０×（２ｎ＋１）度回転することになる。
この信号光は、今度は利得領域Ａ２に入射する。
Ｍモードの位相整合をとることによりＴＥ・ＴＭモード
変換が可能となる。ＴＥモードからＴＭモードへの完全
な変換、あるいはその逆変換が生じるために必要な長さ
を完全結合長Ｌcとすると、変換領域Ｂに入射したＴＥ
光は（２ｎ＋１）Ｌc、（ｎ＝０、１、２、…）だけ伝
搬したところでＴＭモードに、またはＴＭ光はＴＥモー
ドに変換されている。従って、領域Ｂの長さＬB＝（２
ｎ＋１）Ｌcとすると、領域Ｂを伝搬する間に信号光の
偏波面は、９０×（２ｎ＋１）度回転することになる。
この信号光は、今度は利得領域Ａ２に入射する。
【００１８】領域Ａ２に入射した時の信号光の偏波状態
を領域Ａ１における信号光の偏波状態と比較すると、領
域Ａ１でのＴＥ成分が領域Ａ２でのＴＭ成分に、また領
域Ａ１でのＴＭ成分が領域Ａ２でのＴＥ成分になってい
る。従って、領域Ａ２に入射した信号光は見かけ上、主
にＴＭ成分が増幅された信号光となっている。
を領域Ａ１における信号光の偏波状態と比較すると、領
域Ａ１でのＴＥ成分が領域Ａ２でのＴＭ成分に、また領
域Ａ１でのＴＭ成分が領域Ａ２でのＴＥ成分になってい
る。従って、領域Ａ２に入射した信号光は見かけ上、主
にＴＭ成分が増幅された信号光となっている。
【００１９】領域Ａ２の構造は領域Ａ１の構造と同一で
あるため、信号光は領域Ａ２で主にＴＥ成分が増幅され
る。その結果、領域Ａ１、Ｂ、Ａ２を透過した信号光は
ＴＥ・ＴＭ両成分とも増幅されたことになり、偏波無依
存化が実現できる。ただし、この時出力信号光の偏波面
は入射信号光の偏波面から見て９０×（２ｎ＋１）度だ
け回転している。
あるため、信号光は領域Ａ２で主にＴＥ成分が増幅され
る。その結果、領域Ａ１、Ｂ、Ａ２を透過した信号光は
ＴＥ・ＴＭ両成分とも増幅されたことになり、偏波無依
存化が実現できる。ただし、この時出力信号光の偏波面
は入射信号光の偏波面から見て９０×（２ｎ＋１）度だ
け回転している。
【００２０】本発明では、導波路幅を2μmとしＴＥ−Ｔ
Ｍモード変換領域Ｂを、リッジ幅を2μmのうち片側1μm
ずつ交互に上部第二クラッド層９をコア層直上までエッ
チングすることにより構成した。またＴＥモードとＴＭ
モードの位相整合をとるために周期を75μmとした。本
構成では結合長Ｌcは300μmとなるため、領域Ｄの長さ
ＬD＝Ｌc＝300μmとした。また、利得領域Ａ１、Ａ２の
長さＬA1、ＬA2は各200μmとした。以上より、図１の構
成における素子長は700μmとなる。
Ｍモード変換領域Ｂを、リッジ幅を2μmのうち片側1μm
ずつ交互に上部第二クラッド層９をコア層直上までエッ
チングすることにより構成した。またＴＥモードとＴＭ
モードの位相整合をとるために周期を75μmとした。本
構成では結合長Ｌcは300μmとなるため、領域Ｄの長さ
ＬD＝Ｌc＝300μmとした。また、利得領域Ａ１、Ａ２の
長さＬA1、ＬA2は各200μmとした。以上より、図１の構
成における素子長は700μmとなる。
【００２１】本構成の素子に波長1.55μmの信号光を入
射させ、利得領域Ａ１およびＡ２に各30mAの電流を注入
したところ、信号光の増幅率20dBが得られた。また、こ
のときの増幅率の偏波依存性は0.5dB以下となり、偏波
無依存化が実現された。
射させ、利得領域Ａ１およびＡ２に各30mAの電流を注入
したところ、信号光の増幅率20dBが得られた。また、こ
のときの増幅率の偏波依存性は0.5dB以下となり、偏波
無依存化が実現された。
【００２２】図２は本発明の第二の実施例を説明した図
で図１の構成の光増幅器の後段にさらにＴＥ−ＴＭモー
ド変換領域Ｂ’（長さ（２ｍ＋１）Ｌc、ｍ＝０、１、
２…）を付加したものである。この構成では図１の構成
の光増幅器の出力信号光の偏波面をさらに９０×（２ｍ
＋１）度だけ回転させるため、出力信号光の偏波面は入
力信号光の偏波面と完全に一致させることができる。領
域Ｂ’の長さを300μm（＝Ｌc）として素子を作製した
ところ、本構成においても偏波無依存の光増幅が実現さ
れた。
で図１の構成の光増幅器の後段にさらにＴＥ−ＴＭモー
ド変換領域Ｂ’（長さ（２ｍ＋１）Ｌc、ｍ＝０、１、
２…）を付加したものである。この構成では図１の構成
の光増幅器の出力信号光の偏波面をさらに９０×（２ｍ
＋１）度だけ回転させるため、出力信号光の偏波面は入
力信号光の偏波面と完全に一致させることができる。領
域Ｂ’の長さを300μm（＝Ｌc）として素子を作製した
ところ、本構成においても偏波無依存の光増幅が実現さ
れた。
【００２３】以上、半導体光増幅器について説明してき
たが、本発明は偏波依存性をもつ他の光素子の偏波無依
存化にも応用することができる。すなわち、本発明では
第１の利得領域で一偏波成分を増幅し、ＴＥ−ＴＭモー
ド変換領域で偏波面を回転させ、第２の利得領域でもう
一方の偏波成分を増幅したが、例えばこの利得領域の代
わりにスイッチ部を形成すれば光スイッチの偏波無依存
化が達成される。
たが、本発明は偏波依存性をもつ他の光素子の偏波無依
存化にも応用することができる。すなわち、本発明では
第１の利得領域で一偏波成分を増幅し、ＴＥ−ＴＭモー
ド変換領域で偏波面を回転させ、第２の利得領域でもう
一方の偏波成分を増幅したが、例えばこの利得領域の代
わりにスイッチ部を形成すれば光スイッチの偏波無依存
化が達成される。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように半導体光増幅器を
半導体レーザ構造を有する少なくとも２ヶ所の利得領域
と、前記少なくとも２ヶ所の利得領域間に上下・左右方
向に非対称な摂動を有する導波路により構成されたＴＥ
−ＴＭモード変換領域とを導波光の伝搬方向に接続する
ことにより構成するため以下のような利点がある。 （１）導波路幅を数ミクロンと広くできるために製作が
容易で歩留まりが高い。 （２）活性層にＭＱＷ構造を利用できるために増幅率が
大きい。
半導体レーザ構造を有する少なくとも２ヶ所の利得領域
と、前記少なくとも２ヶ所の利得領域間に上下・左右方
向に非対称な摂動を有する導波路により構成されたＴＥ
−ＴＭモード変換領域とを導波光の伝搬方向に接続する
ことにより構成するため以下のような利点がある。 （１）導波路幅を数ミクロンと広くできるために製作が
容易で歩留まりが高い。 （２）活性層にＭＱＷ構造を利用できるために増幅率が
大きい。
【図１】本発明の第一の実施例の構成図である。
【図２】本発明の第二の実施例の構成図である。
【図３】従来の光増幅器の構成図である。
１ 電極 ２ キャップ層 ３ 第一クラッド層 ４ 第一ガイド層 ５ａ 活性層 ５ｂ ＭＱＷ活性層 ６ 基板 ７ 反射防止膜 ８ 第二ガイド層 ９ 第二クラッド層
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザ構造を有する少なくとも２
ヶ所の利得領域と、前記利得領域間に上下・左右方向に
非対称な摂動を有する導波路により構成された第１のＴ
Ｅ−ＴＭモード変換領域とを導波光の伝搬方向に接続し
たことを特徴とする半導体光増幅器。 - 【請求項２】 上下・左右方向に非対称な摂動を有する
導波路により構成された第２のＴＥ−ＴＭモード変換領
域を、信号光の伝搬方向に対して最前部あるいは最後部
に付加した事を特徴とする請求項１に記載の半導体光増
幅器。 - 【請求項３】 上下・左右方向に非対称な摂動を有する
導波路により構成されたＴＥ−ＴＭモード変換領域の長
さを、モード変換を生じさせるために必要な完全結合長
の（２ｎ＋１）倍（ｎ＝０、１、２…）としたことを特
徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体光増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25254391A JPH0590703A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25254391A JPH0590703A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590703A true JPH0590703A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17238838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25254391A Pending JPH0590703A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590703A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0615323A2 (en) * | 1993-03-09 | 1994-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | A semiconductor optical amplifier which functions independently of polarization and an optical communication system using the same |
| WO2002017452A1 (fr) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Alcatel | Dispositif optique amplificateur |
| JP2018206899A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 富士通株式会社 | 光増幅器及び光増幅回路装置 |
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1991
- 1991-09-30 JP JP25254391A patent/JPH0590703A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0615323A2 (en) * | 1993-03-09 | 1994-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | A semiconductor optical amplifier which functions independently of polarization and an optical communication system using the same |
| EP0615323A3 (en) * | 1993-03-09 | 1994-11-09 | Canon Kk | Optical semiconductor amplifier that works independently of the polarization and optical communication system using it. |
| US5526176A (en) * | 1993-03-09 | 1996-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical amplifier which functions independently of polarization and an optical communication system using the same |
| WO2002017452A1 (fr) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Alcatel | Dispositif optique amplificateur |
| FR2813449A1 (fr) * | 2000-08-22 | 2002-03-01 | Cit Alcatel | Dispositif optique amplificateur |
| JP2018206899A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 富士通株式会社 | 光増幅器及び光増幅回路装置 |
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