JP3223295B2 - 低抵抗ｐ型ＧａＮ結晶の製造方法 - Google Patents
低抵抗ｐ型ＧａＮ結晶の製造方法Info
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- JP3223295B2 JP3223295B2 JP25805496A JP25805496A JP3223295B2 JP 3223295 B2 JP3223295 B2 JP 3223295B2 JP 25805496 A JP25805496 A JP 25805496A JP 25805496 A JP25805496 A JP 25805496A JP 3223295 B2 JP3223295 B2 JP 3223295B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、青色レーザ，青色発光
素子等の材料として有用な低抵抗のｐ型ＧａＮ結晶を製
造する方法に関する。
素子等の材料として有用な低抵抗のｐ型ＧａＮ結晶を製
造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮは、バンドギャップが青色の光に
対応していることから、青色レーザ，青色発光素子等の
材料として注目されている。ＧａＮ結晶は、モレキュラ
ー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）法で育成されてい
る。ＭＢＥ法では、超真空中で金属元素Ｇａを蒸発さ
せ、Ｎ2 分子（ガス）を電磁波ＲＦで分解し、Ｇａ蒸気
及び原子状Ｎ+ ガスの蒸気圧に比例した分子線強度を
得、原子層制御しながら結晶成長させている。ＧａＮを
ｐ型にするためには、ＧａＮの結晶成長中にＭｇ又はＢ
ｅをドーピングしている。Ｍｇ又はＢｅのドーピングで
は、Ｍｇ又はＢｅの金属単体を加熱蒸発させ、原子状ビ
ームとしてドーピングしている。
対応していることから、青色レーザ，青色発光素子等の
材料として注目されている。ＧａＮ結晶は、モレキュラ
ー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）法で育成されてい
る。ＭＢＥ法では、超真空中で金属元素Ｇａを蒸発さ
せ、Ｎ2 分子（ガス）を電磁波ＲＦで分解し、Ｇａ蒸気
及び原子状Ｎ+ ガスの蒸気圧に比例した分子線強度を
得、原子層制御しながら結晶成長させている。ＧａＮを
ｐ型にするためには、ＧａＮの結晶成長中にＭｇ又はＢ
ｅをドーピングしている。Ｍｇ又はＢｅのドーピングで
は、Ｍｇ又はＢｅの金属単体を加熱蒸発させ、原子状ビ
ームとしてドーピングしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、Ｇａ
Ｎの結晶成長中にＭｇ単独をドーピングしているため、
１０18ｃｍ-3程度しかドーピングできなかった。更にＭ
ｇをドーピングしようとしても、補償機構によってキャ
リア濃度をこれ以上増やすことはできなかった。すなわ
ち、Ｍｇ濃度が１０18ｃｍ-3を超えると、Ｇａ位置に入
っていたＭｇ原子が格子間位置に移り、それに伴ってｎ
型（ドナー）となる。その結果、ｐ型（アクセプター）
のＭｇをｎ型（ドナー）である格子間位置のＭｇが相殺
する。これは、ＭＯＣＶＤ法でｐ型ＧａＮ結晶を育成す
るときも同様である。本発明は、このような問題を解消
すべく案出されたものであり、ｎ型ドーパントであるＳ
ｉやＯとｐ型ドーパントであるＭｇ又はＢｅを同時にド
ーピングすることにより、１０19〜１０20ｃｍ-3の高濃
度にドーピングした低抵抗のＧａＮ単結晶作製を目的と
する。
Ｎの結晶成長中にＭｇ単独をドーピングしているため、
１０18ｃｍ-3程度しかドーピングできなかった。更にＭ
ｇをドーピングしようとしても、補償機構によってキャ
リア濃度をこれ以上増やすことはできなかった。すなわ
ち、Ｍｇ濃度が１０18ｃｍ-3を超えると、Ｇａ位置に入
っていたＭｇ原子が格子間位置に移り、それに伴ってｎ
型（ドナー）となる。その結果、ｐ型（アクセプター）
のＭｇをｎ型（ドナー）である格子間位置のＭｇが相殺
する。これは、ＭＯＣＶＤ法でｐ型ＧａＮ結晶を育成す
るときも同様である。本発明は、このような問題を解消
すべく案出されたものであり、ｎ型ドーパントであるＳ
ｉやＯとｐ型ドーパントであるＭｇ又はＢｅを同時にド
ーピングすることにより、１０19〜１０20ｃｍ-3の高濃
度にドーピングした低抵抗のＧａＮ単結晶作製を目的と
する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に従ったＧａＮ結
晶の製造方法は、その目的を達成するため、ＭＢＥ法又
はＭＯＣＶＤ法でＧａＮ結晶を成長させる際、Ｓｉ：Ｍ
ｇ＝１：２，Ｏ：Ｍｇ＝１：２，Ｓｉ：Ｂｅ＝１：２又
はＯ：Ｂｅ＝１：２に調製した原子状混合ガスを結晶成
長域に導入し、Ｓｉ又はＯをＭｇ又はＢｅと同時ドーピ
ングすることを特徴とする。Ｓｉ：Ｍｇ＝１：２，Ｏ：
Ｍｇ＝１：２，Ｓｉ：Ｂｅ＝１：２又はＯ：Ｂｅ＝１：
２に調製した原子状混合ガスは、Ｍｇ又はＢｅの金属単
体をオーブン加熱で蒸発させて分子ビームを作り、Ｓｉ
又はＯの分子ガス原料を電磁波で分解して原子状のガス
とし、両者を混合することにより調製される。
晶の製造方法は、その目的を達成するため、ＭＢＥ法又
はＭＯＣＶＤ法でＧａＮ結晶を成長させる際、Ｓｉ：Ｍ
ｇ＝１：２，Ｏ：Ｍｇ＝１：２，Ｓｉ：Ｂｅ＝１：２又
はＯ：Ｂｅ＝１：２に調製した原子状混合ガスを結晶成
長域に導入し、Ｓｉ又はＯをＭｇ又はＢｅと同時ドーピ
ングすることを特徴とする。Ｓｉ：Ｍｇ＝１：２，Ｏ：
Ｍｇ＝１：２，Ｓｉ：Ｂｅ＝１：２又はＯ：Ｂｅ＝１：
２に調製した原子状混合ガスは、Ｍｇ又はＢｅの金属単
体をオーブン加熱で蒸発させて分子ビームを作り、Ｓｉ
又はＯの分子ガス原料を電磁波で分解して原子状のガス
とし、両者を混合することにより調製される。
【０００５】
【作用】ｎ型ドーパントであるＳｉ又はＯとｐ型ドーパ
ントであるＭｇ又はＢｅを１：２の割合で同時にドーピ
ングするとき、Ｇａ位置を置換したＳｉ又はＮ位置を置
換したＯに起因するドナー（Ｓｉ- Ga 又はＯ- N）とＧａ
位置を置換したＭｇ又はＢｅに起因するアクセプター
（Ｍｇ+ Ga 又はＢｅ+ Ga ）が対を作り、静電エネルギー
（＋ｅと−ｅの対）による安定化が発生する。この静電
エネルギーにより、更に付け加えてドープしたＭｇ又は
Ｂｅがより安定化する。その結果、Ｍｇ又はＢｅ単独で
は１０18ｃｍ-3程度しかドーピングできないＧａＮに対
し、１０19〜１０20ｃｍ-3の高濃度にｐ型キャリア（正
孔）をドーピングすることができる。Ｓｉ又はＯとＭｇ
又はＢｅとの同時ドーピングがｐ型キャリア濃度を上げ
るメカニズムを、本発明者は次のように推察した。すな
わち、Ｓｉ又はＯとＭｇ又はＢｅを１：２の割合で同時
ドーピングするとき、図１のモデルに示すように、ｎ型
ドナーであるＳｉがＧａ位置を占め、ｎ型ドナーである
ＯはＮ位置を占める。他方、ｐ型アクセプターであるＭ
ｇ又はＢｅは、Ｇａ位置を占める。そして、ｎ型ドーパ
ントであるＳｉ又はＯとｐ型ドーパントであるＭｇ又は
Ｂｅが１：１の対を形成し、この原子対の周りに更に１
個のＭｇ又はＢｅ原子が配位し、アクセプターとして働
く。その結果、高濃度までアクセプターが活性化し、ｐ
型ドーパントのＭｇ又はＢｅを高濃度までドーピングさ
せることが可能となる。
ントであるＭｇ又はＢｅを１：２の割合で同時にドーピ
ングするとき、Ｇａ位置を置換したＳｉ又はＮ位置を置
換したＯに起因するドナー（Ｓｉ- Ga 又はＯ- N）とＧａ
位置を置換したＭｇ又はＢｅに起因するアクセプター
（Ｍｇ+ Ga 又はＢｅ+ Ga ）が対を作り、静電エネルギー
（＋ｅと−ｅの対）による安定化が発生する。この静電
エネルギーにより、更に付け加えてドープしたＭｇ又は
Ｂｅがより安定化する。その結果、Ｍｇ又はＢｅ単独で
は１０18ｃｍ-3程度しかドーピングできないＧａＮに対
し、１０19〜１０20ｃｍ-3の高濃度にｐ型キャリア（正
孔）をドーピングすることができる。Ｓｉ又はＯとＭｇ
又はＢｅとの同時ドーピングがｐ型キャリア濃度を上げ
るメカニズムを、本発明者は次のように推察した。すな
わち、Ｓｉ又はＯとＭｇ又はＢｅを１：２の割合で同時
ドーピングするとき、図１のモデルに示すように、ｎ型
ドナーであるＳｉがＧａ位置を占め、ｎ型ドナーである
ＯはＮ位置を占める。他方、ｐ型アクセプターであるＭ
ｇ又はＢｅは、Ｇａ位置を占める。そして、ｎ型ドーパ
ントであるＳｉ又はＯとｐ型ドーパントであるＭｇ又は
Ｂｅが１：１の対を形成し、この原子対の周りに更に１
個のＭｇ又はＢｅ原子が配位し、アクセプターとして働
く。その結果、高濃度までアクセプターが活性化し、ｐ
型ドーパントのＭｇ又はＢｅを高濃度までドーピングさ
せることが可能となる。
【０００６】
【実施の形態】ＭＢＥ法でＧａＮ結晶を成長させる際に
は、図２に示すように真空チャンバ１に基板２をセット
し、基板２にＧａ源３及びＳｉ又はＯ源４を臨ませる。
Ｇａ源３は、ヒータ５で加熱され、Ｇａ蒸気となって基
板２に送られる。Ｎ源では、ＲＦコイル７で発生した電
磁波をＮ2 ガスに照射し、原子状になったＮ+ ガスを結
晶成長空間に送り込む。Ｇａ蒸気及び原子状Ｎ+ ガス
は、基板２上でＧａＮ結晶６としてエピタキシャル成長
する。このとき、Ｍｇ又はＢｅ源８は、ヒータ５で加熱
され、Ｍｇ又はＢｅの蒸気となって基板２に送られ、ｐ
型ドーピングする。同時に、Ｏ又はＳｉ源は、電磁波Ｒ
Ｆ７で分解されて原子状のガスとなって基板２に送ら
れ、ｎ型ドーピングする。そして、Ｍｇ又はＢｅ蒸気と
Ｓｉ蒸気又は原子状Ｏ+ ガスとの原子比が２：１となる
ように、Ｍｇ又はＢｅ蒸気及びＳｉ蒸気又は原子状Ｏ+
ガスの流量を調整するとき、基板２上に成長するＧａＮ
結晶６は、高濃度でＭｇ又はＢｅドーピングしたｐ型結
晶となる。
は、図２に示すように真空チャンバ１に基板２をセット
し、基板２にＧａ源３及びＳｉ又はＯ源４を臨ませる。
Ｇａ源３は、ヒータ５で加熱され、Ｇａ蒸気となって基
板２に送られる。Ｎ源では、ＲＦコイル７で発生した電
磁波をＮ2 ガスに照射し、原子状になったＮ+ ガスを結
晶成長空間に送り込む。Ｇａ蒸気及び原子状Ｎ+ ガス
は、基板２上でＧａＮ結晶６としてエピタキシャル成長
する。このとき、Ｍｇ又はＢｅ源８は、ヒータ５で加熱
され、Ｍｇ又はＢｅの蒸気となって基板２に送られ、ｐ
型ドーピングする。同時に、Ｏ又はＳｉ源は、電磁波Ｒ
Ｆ７で分解されて原子状のガスとなって基板２に送ら
れ、ｎ型ドーピングする。そして、Ｍｇ又はＢｅ蒸気と
Ｓｉ蒸気又は原子状Ｏ+ ガスとの原子比が２：１となる
ように、Ｍｇ又はＢｅ蒸気及びＳｉ蒸気又は原子状Ｏ+
ガスの流量を調整するとき、基板２上に成長するＧａＮ
結晶６は、高濃度でＭｇ又はＢｅドーピングしたｐ型結
晶となる。
【０００７】ＭＯＣＶＤ法では、図３に示すようにＧａ
含有有機金属ガス源ｇ1 ，Ｍｇ又はＢｅ含有有機金属ガ
ス源ｇ2 ，Ｎ2 ガス源ｇ3 及びＳｉ又はＯ含有有機金属
ガス源ｇ4 を電磁波ＲＦで分解し、原子状ビームを作
り、基板２上でＧａＮ結晶６としてエピタキシャル成長
させる。この場合にも、Ｍｇ又はＢｅ蒸気とＳｉ又は原
子状Ｏ+ ガスとの原子比が２：１となるように、Ｍｇ又
はＢｅ蒸気及びＳｉ蒸気又は原子状Ｏ+ ガスの流量を調
整するとき、基板２上に成長するＧａＮ結晶６は、高濃
度でＭｇ又はＢｅドーピングしたｐ型結晶となる。
含有有機金属ガス源ｇ1 ，Ｍｇ又はＢｅ含有有機金属ガ
ス源ｇ2 ，Ｎ2 ガス源ｇ3 及びＳｉ又はＯ含有有機金属
ガス源ｇ4 を電磁波ＲＦで分解し、原子状ビームを作
り、基板２上でＧａＮ結晶６としてエピタキシャル成長
させる。この場合にも、Ｍｇ又はＢｅ蒸気とＳｉ又は原
子状Ｏ+ ガスとの原子比が２：１となるように、Ｍｇ又
はＢｅ蒸気及びＳｉ蒸気又は原子状Ｏ+ ガスの流量を調
整するとき、基板２上に成長するＧａＮ結晶６は、高濃
度でＭｇ又はＢｅドーピングしたｐ型結晶となる。
【０００８】このようにＧａＮ結晶に導入されたＭｇ又
はＢｅは、Ｇａ位置を置換し、ｐ型アクセプター（Ｍｇ
+ Ga 又はＢｅ+ Ga ）として働く。他方、Ｓｉは、Ｇａ位
置を置換しｎ型ドナー（Ｓｉ- Ga ）として働く。また、
Ｏは、Ｎ位置を置換しｎ型ドナー（Ｏ- N）として働く。
Ｍｇ又はＢｅ及びＳｉ又はＯを１：１でドープすると、
＋と−に帯電したアクセプターとドナーが対を作り、静
電エネルギーが安定化する。このように安定化したＧａ
Ｎ結晶に新たにもう一つＭｇを付け加えると、安定にＧ
ａ位置をＭｇ又はＢｅで置換でき、高濃度にＭｇ又はＢ
ｅをドープすることが可能になる。図４（ａ）でＧａＮ
中のＧａ位置を置換したＭｇ又はＢｅの電子状態密度
（ＤＯＳ）を示したが、Ｍｇはｐ型のアクセプターとし
て働くことが判る。また、図４（ｂ）でＧａＮ中のＧａ
位置を置換したＳｉ又はＯのＤＯＳから、Ｓｉ又はＯは
ｎ型のドナーとして働くことが判る。これらを同時ドー
ピングすることにより、静電エネルギーを安定化するこ
とが明らかである。
はＢｅは、Ｇａ位置を置換し、ｐ型アクセプター（Ｍｇ
+ Ga 又はＢｅ+ Ga ）として働く。他方、Ｓｉは、Ｇａ位
置を置換しｎ型ドナー（Ｓｉ- Ga ）として働く。また、
Ｏは、Ｎ位置を置換しｎ型ドナー（Ｏ- N）として働く。
Ｍｇ又はＢｅ及びＳｉ又はＯを１：１でドープすると、
＋と−に帯電したアクセプターとドナーが対を作り、静
電エネルギーが安定化する。このように安定化したＧａ
Ｎ結晶に新たにもう一つＭｇを付け加えると、安定にＧ
ａ位置をＭｇ又はＢｅで置換でき、高濃度にＭｇ又はＢ
ｅをドープすることが可能になる。図４（ａ）でＧａＮ
中のＧａ位置を置換したＭｇ又はＢｅの電子状態密度
（ＤＯＳ）を示したが、Ｍｇはｐ型のアクセプターとし
て働くことが判る。また、図４（ｂ）でＧａＮ中のＧａ
位置を置換したＳｉ又はＯのＤＯＳから、Ｓｉ又はＯは
ｎ型のドナーとして働くことが判る。これらを同時ドー
ピングすることにより、静電エネルギーを安定化するこ
とが明らかである。
【０００９】
【実施例】ＧａＮ結晶成長用基板２としてＧａＮ単結晶
を、真空度１０-10 トールに維持された真空チャンバ１
にセットした。流量１０-6トールでＧａ蒸気を、流量１
０ -6トールで原子状Ｎ+ を、流量２×１０-1トールでＭ
ｇ又はＢｅ蒸気を、流量１０-10 トールでＳｉ蒸気を基
板２上に流しながら、２５０〜４００℃でＧａＮ結晶を
エピタキシャル成長させた。なお、原子状Ｎ+ ガスは、
Ｎ2 ガスにマイクロ波領域の電磁波を照射することによ
り調製した。得られたＧａＮ結晶は、表１に示すように
結晶成長温度に応じてアクセプター濃度が異なってい
た。しかし、Ｓｉ蒸気を送り込むことなくＭｇ又はＢｅ
単独をドーピングした場合に比較して、何れの結晶成長
温度でも高いドーピング濃度を示した。
を、真空度１０-10 トールに維持された真空チャンバ１
にセットした。流量１０-6トールでＧａ蒸気を、流量１
０ -6トールで原子状Ｎ+ を、流量２×１０-1トールでＭ
ｇ又はＢｅ蒸気を、流量１０-10 トールでＳｉ蒸気を基
板２上に流しながら、２５０〜４００℃でＧａＮ結晶を
エピタキシャル成長させた。なお、原子状Ｎ+ ガスは、
Ｎ2 ガスにマイクロ波領域の電磁波を照射することによ
り調製した。得られたＧａＮ結晶は、表１に示すように
結晶成長温度に応じてアクセプター濃度が異なってい
た。しかし、Ｓｉ蒸気を送り込むことなくＭｇ又はＢｅ
単独をドーピングした場合に比較して、何れの結晶成長
温度でも高いドーピング濃度を示した。
【００１０】
【００１１】Ｓｉに替えＯをＭｇ又はＢｅと同時ドーピ
ングした場合にも、同様に高濃度にｐ型キャリアがドー
ピングされた。また、ＭＯＣＶＤ法でＳｉ又はＯ及びＭ
ｇ又はＢｅを同時ドーピングした場合にも、同様に１０
19〜１０20ｃｍ-3の高濃度にｐ型キャリアをドーピング
することができた。
ングした場合にも、同様に高濃度にｐ型キャリアがドー
ピングされた。また、ＭＯＣＶＤ法でＳｉ又はＯ及びＭ
ｇ又はＢｅを同時ドーピングした場合にも、同様に１０
19〜１０20ｃｍ-3の高濃度にｐ型キャリアをドーピング
することができた。
【００１２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、ｎ型ドーパントＳｉ又はＯ及びｐ型ドーパントＭｇ
又はＢｅを同時にドーピングすることにより、従来では
１０18ｃｍ-3程度までしかドーピングできなかったＧａ
Ｎを１０19〜１０20ｃｍ-3の高濃度にｐ型キャリアでド
ーピングすることが可能となる。このようにして得られ
た低抵抗のｐ型ＧａＮ結晶は、溶かし込んだＭｇ又はＢ
ｅ原子がほとんど全てアクセプターとして活性化するた
め、高いｐ型電気伝導度を示し、優れた電気的特性を呈
する。そのため、強力な青色レーザ，青色発光素子等の
材料として、高密度光記憶メモリー，フルカラーディス
プレイ等に使用される。
は、ｎ型ドーパントＳｉ又はＯ及びｐ型ドーパントＭｇ
又はＢｅを同時にドーピングすることにより、従来では
１０18ｃｍ-3程度までしかドーピングできなかったＧａ
Ｎを１０19〜１０20ｃｍ-3の高濃度にｐ型キャリアでド
ーピングすることが可能となる。このようにして得られ
た低抵抗のｐ型ＧａＮ結晶は、溶かし込んだＭｇ又はＢ
ｅ原子がほとんど全てアクセプターとして活性化するた
め、高いｐ型電気伝導度を示し、優れた電気的特性を呈
する。そのため、強力な青色レーザ，青色発光素子等の
材料として、高密度光記憶メモリー，フルカラーディス
プレイ等に使用される。
【図１】 Ｓｉ又はＯとＭｇ又はＢｅを同時ドーピング
したＧａＮ結晶のモデル
したＧａＮ結晶のモデル
【図２】 ＧａＮ結晶を成長させるＭＥＢ法で使用する
装置
装置
【図３】 ＧａＮ結晶を成長させるＭＯＣＶＤ法で使用
する装置
する装置
【図４】 Ｇａ位置を置換したＭｇ又はＢｅがアクセプ
ター（ｐ型）として働き、Ｇａ位置を置換したＳｉ又は
Ｎ位置を置換したＯがドナー（ｎ型）として働くことを
示した電子状態密度
ター（ｐ型）として働き、Ｇａ位置を置換したＳｉ又は
Ｎ位置を置換したＯがドナー（ｎ型）として働くことを
示した電子状態密度
１：真空チャンバ ２：基板 ３：Ｇａ源 ４：
Ｓｉ又はＯ源 ５：ヒータ ６：ＧａＮ結晶
７：ＲＦコイル ８：Ｍｇ又はＢｅ源 ｇ1 ：Ｇａ含有有機金属ガス源 ｇ2 ：Ｍｇ又はＢｅ
含有有機金属ガス源 ｇ3 ：Ｎ2 ガス源 ｇ4 ：Ｓｉ又はＯ含有有機金属ガ
ス源
Ｓｉ又はＯ源 ５：ヒータ ６：ＧａＮ結晶
７：ＲＦコイル ８：Ｍｇ又はＢｅ源 ｇ1 ：Ｇａ含有有機金属ガス源 ｇ2 ：Ｍｇ又はＢｅ
含有有機金属ガス源 ｇ3 ：Ｎ2 ガス源 ｇ4 ：Ｓｉ又はＯ含有有機金属ガ
ス源
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−3945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−29770（ＪＰ，Ａ) ＢＲＡＮＤＴ Ｏ．ｅｔ ａｌ．，" Ｈｉｇｈ ｐ−ｔｙｐｅ ｃｏｎｄｕｃ ｔｉｖｉｔｙ ｉｎ ｃｕｂｉｃ Ｇａ Ｎ／ＧａＡｓ（113）Ａ ｂｙ ｕｓｉ ｎｇ Ｂｅ ａｓ ｔｈｅ ａｃｃｅｐ ｔｏｒ ａｎｄ Ｏ ａｓ ｔｈｅ ｃ ｏｄｏｐａｎｔ，”Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ ｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ ｌ．69，Ｎｏ．18，28 Ｏｃｔｏｂｅｒ 1996，ｐｐ．2707−2709 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法でＧａＮ結晶
を成長させる際、Ｓｉ：Ｍｇ＝１：２，Ｏ：Ｍｇ＝１：
２，Ｓｉ：Ｂｅ＝１：２又はＯ：Ｂｅ＝１：２に調製し
た原子状混合ガスを結晶成長域に導入し、Ｓｉ又はＯを
Ｍｇ又はＢｅと同時ドーピングすることを特徴とする低
抵抗ｐ型ＧａＮ結晶の製造方法。 - 【請求項２】 金属単体をオーブン加熱で蒸発させてＭ
ｇ又はＢｅの分子ビームを作り、Ｓｉ又はＯの分子ガス
原料を電磁波で分解して原子状のガスとし、Ｓｉ：Ｍｇ
＝１：２，Ｏ：Ｍｇ＝１：２，Ｓｉ：Ｂｅ＝１：２又は
Ｏ：Ｂｅ＝１：２の比率で原子状混合ガスを調製する請
求項１記載の低抵抗ｐ型ＧａＮ結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25805496A JP3223295B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 低抵抗ｐ型ＧａＮ結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25805496A JP3223295B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 低抵抗ｐ型ＧａＮ結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10101496A JPH10101496A (ja) | 1998-04-21 |
| JP3223295B2 true JP3223295B2 (ja) | 2001-10-29 |
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ID=17314904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25805496A Expired - Fee Related JP3223295B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 低抵抗ｐ型ＧａＮ結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223295B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9269577B2 (en) | 2012-10-26 | 2016-02-23 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing nitride semiconductor device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3658892B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2005-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | ｐ型窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
| CN1062917C (zh) * | 1998-08-12 | 2001-03-07 | 北京大学 | 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术 |
| JP4553457B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2010-09-29 | ローム株式会社 | ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 |
| JP4511006B2 (ja) * | 2000-09-01 | 2010-07-28 | 独立行政法人理化学研究所 | 半導体の不純物ドーピング方法 |
| JP2007305630A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JP5163295B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2013-03-13 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体層の成長方法 |
| CN102597340B (zh) * | 2009-11-10 | 2015-04-08 | 株式会社德山 | 叠层体的制造方法 |
| US9219123B2 (en) | 2012-11-26 | 2015-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing a nitride semiconductor crystal with precursor containing carbon and oxygen, and nitride semiconductor crystal and semiconductor device made by the method |
| CN103215642B (zh) * | 2013-03-23 | 2015-11-18 | 北京工业大学 | 一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法 |
| JP6682391B2 (ja) | 2016-07-22 | 2020-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ |
| JP6848020B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2021-03-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25805496A patent/JP3223295B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＢＲＡＮＤＴ Ｏ．ｅｔ ａｌ．，"Ｈｉｇｈ ｐ−ｔｙｐｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｉｎ ｃｕｂｉｃ ＧａＮ／ＧａＡｓ（１１３）Ａ ｂｙ ｕｓｉｎｇ Ｂｅ ａｓ ｔｈｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ ａｎｄ Ｏ ａｓ ｔｈｅ ｃｏｄｏｐａｎｔ，"Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．６９，Ｎｏ．１８，２８ Ｏｃｔｏｂｅｒ １９９６，ｐｐ．２７０７−２７０９ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9269577B2 (en) | 2012-10-26 | 2016-02-23 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing nitride semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10101496A (ja) | 1998-04-21 |
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