JP3222614B2 - 立体表面への膜形成方法 - Google Patents
立体表面への膜形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、立体的な表面、例えば
回路基板や電子材料、機能材料、構造材料などの立体表
面への膜の形成方法に関するものである。
回路基板や電子材料、機能材料、構造材料などの立体表
面への膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】立体回路基板など、立体的な表面に回路
パターン等のパターン膜を形成する方法として、特開昭
６３−５０４８２号公報や特開昭６３−１２８１８１号
公報などで提供されている二色成形の方法や、特開平３
−２１４６８６号公報などで提供されているフォトリソ
グラフィによって、アディティブメッキ又はセミアディ
ティブメッキしたり、あるいは予め一様に形成した導体
膜をサブトラクティブ法でエッチングしたりする方法が
ある。
パターン等のパターン膜を形成する方法として、特開昭
６３−５０４８２号公報や特開昭６３−１２８１８１号
公報などで提供されている二色成形の方法や、特開平３
−２１４６８６号公報などで提供されているフォトリソ
グラフィによって、アディティブメッキ又はセミアディ
ティブメッキしたり、あるいは予め一様に形成した導体
膜をサブトラクティブ法でエッチングしたりする方法が
ある。
【０００３】前者の二色成形法は、触媒入り成形材料又
は表面に触媒を付着した成形品を一次成形し、次に一次
成形品のメッキの不要な部分にめっきの析出しない成形
材料を二次成形し、そして無電解メッキして触媒の露出
した部分にメッキを析出させて立体表面にパターン膜を
形成するようにしたものである。
は表面に触媒を付着した成形品を一次成形し、次に一次
成形品のメッキの不要な部分にめっきの析出しない成形
材料を二次成形し、そして無電解メッキして触媒の露出
した部分にメッキを析出させて立体表面にパターン膜を
形成するようにしたものである。
【０００４】また後者のフォトリソグラフィによる方法
のうちサブトラクティブ法の一例を挙げると、基体の立
体表面に金属を積層して導電性表面を形成すると共にそ
の表面にフォトレジストを電気泳動塗装して形成し、こ
のフォトレジストを露光・現像して不要部分の導電性表
面を露出させ、次にエッチングによりこの露出した導電
性表面を除去した後にフォトレジストを剥離することに
よって、立体表面にパターン膜を形成するようにしたも
のである。
のうちサブトラクティブ法の一例を挙げると、基体の立
体表面に金属を積層して導電性表面を形成すると共にそ
の表面にフォトレジストを電気泳動塗装して形成し、こ
のフォトレジストを露光・現像して不要部分の導電性表
面を露出させ、次にエッチングによりこの露出した導電
性表面を除去した後にフォトレジストを剥離することに
よって、立体表面にパターン膜を形成するようにしたも
のである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の二色成
形法では、パターン膜のパターン形成を金型による成形
でおこなう必要があって、微細パターンでパターン膜を
形成することが困難であり、またパターン膜の形成のた
めに触媒入り成形材料を用いたり成形品の表面に触媒を
付着させたりする必要があって、この触媒のために絶縁
性が悪くなってパターン膜を電気回路や電子回路として
使用する場合には回路間の絶縁性が不十分になり、さら
に一次成形用と二次成形用に金型が２面必要になって製
造コストが高くなる等の問題があった。
形法では、パターン膜のパターン形成を金型による成形
でおこなう必要があって、微細パターンでパターン膜を
形成することが困難であり、またパターン膜の形成のた
めに触媒入り成形材料を用いたり成形品の表面に触媒を
付着させたりする必要があって、この触媒のために絶縁
性が悪くなってパターン膜を電気回路や電子回路として
使用する場合には回路間の絶縁性が不十分になり、さら
に一次成形用と二次成形用に金型が２面必要になって製
造コストが高くなる等の問題があった。
【０００６】また、後者のフォトリソグラフィによる方
法では、立体表面の大きな凹み部や垂直面部には平行光
を用いても正確に露光することが難しく、大きな凹み部
や垂直面部にパターン膜を形成することが困難である等
の問題があった。
法では、立体表面の大きな凹み部や垂直面部には平行光
を用いても正確に露光することが難しく、大きな凹み部
や垂直面部にパターン膜を形成することが困難である等
の問題があった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、凹み部や垂直面部を有する立体表面に微細パター
ンでパターン膜を形成することが可能になる立体表面へ
の膜形成方法を提供することを目的とするものである。
あり、凹み部や垂直面部を有する立体表面に微細パター
ンでパターン膜を形成することが可能になる立体表面へ
の膜形成方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る立体表面へ
の膜形成方法は、粒径が１μｍ以下の超微粒子１をキャ
リアガスとともにノズル２の微小孔から基体３の立体表
面４に吹き付けると共にノズル２と基体３を相対的に移
動させ、基体３の立体表面４に超微粒子１のパターン膜
５を付着させるにあたって、基体３の立体表面４のうち
超微粒子１の吹き出し方向が設定された基準面Ａに対し
て傾斜する斜面４ｅを、パターン膜５の厚みの寸法とパ
ターン膜５の厚みの１／２の寸法の間の範囲の段差の階
段状に形成し、基準面Ａに略垂直になるようにノズル２
あるいは基体３を操作して基体３の立体表面４に超微粒
子１のパターン膜５を付着させることを特徴とするもの
である。
の膜形成方法は、粒径が１μｍ以下の超微粒子１をキャ
リアガスとともにノズル２の微小孔から基体３の立体表
面４に吹き付けると共にノズル２と基体３を相対的に移
動させ、基体３の立体表面４に超微粒子１のパターン膜
５を付着させるにあたって、基体３の立体表面４のうち
超微粒子１の吹き出し方向が設定された基準面Ａに対し
て傾斜する斜面４ｅを、パターン膜５の厚みの寸法とパ
ターン膜５の厚みの１／２の寸法の間の範囲の段差の階
段状に形成し、基準面Ａに略垂直になるようにノズル２
あるいは基体３を操作して基体３の立体表面４に超微粒
子１のパターン膜５を付着させることを特徴とするもの
である。
【０００９】また本発明は、ノズル２から吹き出される
超微粒子１を電子シャワー又は高周波放電により荷電さ
せると共に、基体３にバイアス電圧を印加するようにし
てもよい。
超微粒子１を電子シャワー又は高周波放電により荷電さ
せると共に、基体３にバイアス電圧を印加するようにし
てもよい。
【００１０】さらに本発明は、超微粒子１として表面に
突起を有する突起状超微粒子６を用いるようにしてもよ
い。
突起を有する突起状超微粒子６を用いるようにしてもよ
い。
【００１１】また本発明では、上記のようにして基体３
の立体表面４にパターン膜５を付着させた後、このパタ
ーン膜５を中間層７としてこの上にさらに上記と同様に
してパターン膜５を付着させるようにすることもでき
る。
の立体表面４にパターン膜５を付着させた後、このパタ
ーン膜５を中間層７としてこの上にさらに上記と同様に
してパターン膜５を付着させるようにすることもでき
る。
【００１２】さらに本発明では、上記のようにして基体
３の立体表面４にパターン膜５を付着させた後、このパ
ターン膜５の上にメッキを施してメッキ膜８を形成する
ようにすることもできる。
３の立体表面４にパターン膜５を付着させた後、このパ
ターン膜５の上にメッキを施してメッキ膜８を形成する
ようにすることもできる。
【００１３】
【作用】超微粒子１をキャリアガスとともにノズル２の
微小孔から基体３の立体表面４に吹き付け、そしてこの
ときにノズル２と基体３を相対的に移動させることによ
って、二色成形をおこなったり、フォトリソグラフィの
手法を用いたりする必要なく、基体３の立体表面４に超
微粒子１のパターン膜５をパターン状に付着させること
ができる。
微小孔から基体３の立体表面４に吹き付け、そしてこの
ときにノズル２と基体３を相対的に移動させることによ
って、二色成形をおこなったり、フォトリソグラフィの
手法を用いたりする必要なく、基体３の立体表面４に超
微粒子１のパターン膜５をパターン状に付着させること
ができる。
【００１４】
【実施例】以下本発明を実施例によって詳述する。
【００１５】基体３は立体的な表面を有する樹脂成形品
やセラミック成形品、金属等で形成されるものであり、
本発明では超微粒子ビーム法として提供されている方法
によって基体３の立体表面４にパターン膜５を設ける。
超微粒子ビーム法は、１μｍ以下の超微粒子１をキャリ
アガスとともにノズル２の微小孔から基体３の立体表面
４に吹き付けて付着させる方法である。
やセラミック成形品、金属等で形成されるものであり、
本発明では超微粒子ビーム法として提供されている方法
によって基体３の立体表面４にパターン膜５を設ける。
超微粒子ビーム法は、１μｍ以下の超微粒子１をキャリ
アガスとともにノズル２の微小孔から基体３の立体表面
４に吹き付けて付着させる方法である。
【００１６】超微粒子１としては銅やニッケル、コバル
ト等の金属やあるいは鉄−ニッケル、鉄−コバルト等の
合金を用いることができるものであり、例えば図１の実
施例に示すように超微粒子生成室１２内に設けたルツボ
１３で上記金属を溶かし、この溶融金属１４から発生す
る金属の蒸気を凝集させることによって超微粒子１を生
成させることができる。この超微粒子１の粒径は０．１
〜０．０１μｍ程度が好ましい。また図１の実施例では
成膜室１５内に基体操作装置１６が配置してあり、基体
操作装置１６には縦・横・上下任意の方向に動かすこと
ができるＸＹＺテーブル１７が設けてある。このＸＹＺ
テーブル１７の上方にはノズル２が配設してあり、ノズ
ル２は搬送パイプ１８によって超微粒子生成室１２内に
接続してある。
ト等の金属やあるいは鉄−ニッケル、鉄−コバルト等の
合金を用いることができるものであり、例えば図１の実
施例に示すように超微粒子生成室１２内に設けたルツボ
１３で上記金属を溶かし、この溶融金属１４から発生す
る金属の蒸気を凝集させることによって超微粒子１を生
成させることができる。この超微粒子１の粒径は０．１
〜０．０１μｍ程度が好ましい。また図１の実施例では
成膜室１５内に基体操作装置１６が配置してあり、基体
操作装置１６には縦・横・上下任意の方向に動かすこと
ができるＸＹＺテーブル１７が設けてある。このＸＹＺ
テーブル１７の上方にはノズル２が配設してあり、ノズ
ル２は搬送パイプ１８によって超微粒子生成室１２内に
接続してある。
【００１７】超微粒子ビーム法で基体３の立体表面４に
パターン膜５を設けるにあたっては、基体操作装置１６
のＸＹＺテーブル１７の上に基体３をセットし、まず排
気口１９から排気して成膜室１５内を真空にする。また
前処理として基体３を１００〜２００℃に加熱する。こ
の際にＡｒガスをガス導入口２０から１〜１０Ｐａの圧
力で成膜室１５内に導入して高周波放電装置２１等によ
ってプラズマ２２を発生させることによって、基体３の
表面をプラズマクリーニングしておくのが好ましい。
パターン膜５を設けるにあたっては、基体操作装置１６
のＸＹＺテーブル１７の上に基体３をセットし、まず排
気口１９から排気して成膜室１５内を真空にする。また
前処理として基体３を１００〜２００℃に加熱する。こ
の際にＡｒガスをガス導入口２０から１〜１０Ｐａの圧
力で成膜室１５内に導入して高周波放電装置２１等によ
ってプラズマ２２を発生させることによって、基体３の
表面をプラズマクリーニングしておくのが好ましい。
【００１８】一方、上記超微粒子生成室１２で生成され
た銅やニッケル等の超微粒子１は超微粒子生成室１２内
にガス導入口２３から導入されるＨｅ等のキャリアガス
と混合される。キャリアガスとしてはＨｅ等の不活性ガ
スの他にＨ2等の還元性ガス、Ｎ2等の非酸化性ガスを用
いることができる。そして超微粒子１はキャリアガスと
ともに搬送パイプ１８を通して成膜室１５内のノズル２
に供給され、ノズル２の先端の微小孔から噴出されるよ
うになっている。微小孔の口径は０．０１〜１ｍｍ程度
が適当である。
た銅やニッケル等の超微粒子１は超微粒子生成室１２内
にガス導入口２３から導入されるＨｅ等のキャリアガス
と混合される。キャリアガスとしてはＨｅ等の不活性ガ
スの他にＨ2等の還元性ガス、Ｎ2等の非酸化性ガスを用
いることができる。そして超微粒子１はキャリアガスと
ともに搬送パイプ１８を通して成膜室１５内のノズル２
に供給され、ノズル２の先端の微小孔から噴出されるよ
うになっている。微小孔の口径は０．０１〜１ｍｍ程度
が適当である。
【００１９】このようにしてノズル２の微小孔から超微
粒子１をキャリアガスとともに噴出させて基体３の立体
表面４に吹き付けると、超微粒子１はキャリアガスの噴
出圧力で立体表面４に押し付けられて堆積し、接着剤の
使用なしに超微粒子１のみからなる緻密な膜を立体表面
４に生成させることができる。この現象は粒径が１μｍ
以下の超微粒子１を用いる場合にのみ生じるものであ
り、粒径が１μｍを超える粒子を用いた場合には膜を得
ることはできない。膜生成にあたって、キャリアガスの
圧力は１〜５ａｔｍが好ましく、成膜室１５内の真空度
は１００Ｐａ以下が好ましい。ここで、ノズル２の微小
孔と基体１の立体表面との間隔距離は、キャリアガスの
圧力や成膜室１５内の真空度等によって変化するが、通
常は１．５ｍｍ以下で０．５ｍｍ程度が好ましい。
粒子１をキャリアガスとともに噴出させて基体３の立体
表面４に吹き付けると、超微粒子１はキャリアガスの噴
出圧力で立体表面４に押し付けられて堆積し、接着剤の
使用なしに超微粒子１のみからなる緻密な膜を立体表面
４に生成させることができる。この現象は粒径が１μｍ
以下の超微粒子１を用いる場合にのみ生じるものであ
り、粒径が１μｍを超える粒子を用いた場合には膜を得
ることはできない。膜生成にあたって、キャリアガスの
圧力は１〜５ａｔｍが好ましく、成膜室１５内の真空度
は１００Ｐａ以下が好ましい。ここで、ノズル２の微小
孔と基体１の立体表面との間隔距離は、キャリアガスの
圧力や成膜室１５内の真空度等によって変化するが、通
常は１．５ｍｍ以下で０．５ｍｍ程度が好ましい。
【００２０】そして上記のようにノズル２の微小孔から
超微粒子１をキャリアガスとともに基体３の立体表面４
に吹き付けて膜を生成させる際に、ノズル２と基体３の
一方を移動させて両者を相対的に移動させることによっ
て、この移動軌跡に沿った所望のパターンでパターン膜
５を基体３の立体表面４に形成することができるもので
あり、また立体表面４の突部４ａや凹部４ｂの凹凸に沿
ってノズル２と基体３を相対的に移動させることによっ
て、立体表面４の凹凸に沿ってパターン膜５を形成する
ことができるものである。パターン膜５の厚みは任意に
設定することができるが、例えば１〜１０μｍ程度の厚
みで形成することができる。図１の実施例ではＸＹＺテ
ーブル１７を操作することによって基体３を動かすよう
にしてある。勿論、基体３を動かす代わりにノズル２を
操作して動かすようにしても、基体３とノズル２の両者
を動かすようにしてもよい。
超微粒子１をキャリアガスとともに基体３の立体表面４
に吹き付けて膜を生成させる際に、ノズル２と基体３の
一方を移動させて両者を相対的に移動させることによっ
て、この移動軌跡に沿った所望のパターンでパターン膜
５を基体３の立体表面４に形成することができるもので
あり、また立体表面４の突部４ａや凹部４ｂの凹凸に沿
ってノズル２と基体３を相対的に移動させることによっ
て、立体表面４の凹凸に沿ってパターン膜５を形成する
ことができるものである。パターン膜５の厚みは任意に
設定することができるが、例えば１〜１０μｍ程度の厚
みで形成することができる。図１の実施例ではＸＹＺテ
ーブル１７を操作することによって基体３を動かすよう
にしてある。勿論、基体３を動かす代わりにノズル２を
操作して動かすようにしても、基体３とノズル２の両者
を動かすようにしてもよい。
【００２１】このようにパターン膜５を形成するにあた
って、パターンの幅（太さ）はノズル２の微小孔の口径
によって任意に設定することができるものであり、従っ
て極細の微細なパターンでパターン膜５を基体３の立体
表面４に形成することが可能になり、基体３から立体回
路基板を作成するにあたっては微細な回路を形成するこ
とができるものである。このパターン膜５は超微粒子ビ
ーム法によって密着性高く基体３の立体表面４に形成す
ることができるものであり、またパターン膜５を形成す
る材料である超微粒子１は特に材質が限定されないもの
であり、従ってメッキ等をおこなうことができない材質
のものでも超微粒子ビーム法でパターン膜５を形成する
ことができ、パターン膜５の材質の選択の自由度が高く
なるものである。
って、パターンの幅（太さ）はノズル２の微小孔の口径
によって任意に設定することができるものであり、従っ
て極細の微細なパターンでパターン膜５を基体３の立体
表面４に形成することが可能になり、基体３から立体回
路基板を作成するにあたっては微細な回路を形成するこ
とができるものである。このパターン膜５は超微粒子ビ
ーム法によって密着性高く基体３の立体表面４に形成す
ることができるものであり、またパターン膜５を形成す
る材料である超微粒子１は特に材質が限定されないもの
であり、従ってメッキ等をおこなうことができない材質
のものでも超微粒子ビーム法でパターン膜５を形成する
ことができ、パターン膜５の材質の選択の自由度が高く
なるものである。
【００２２】そして本発明では、超微粒子１の吹き出し
方向が設定された基準面Ａに略垂直になるようにノズル
２あるいは基体３を操作して基体３の立体表面４に超微
粒子１のパターン膜５を付着させるようにしてある。そ
の他の操作は上記図１で説明したものをそのまま援用す
ることができる。図２の実施例ではこの基準面Ａは基体
１の平坦面となった裏面、つまり基体３をセットするＸ
ＹＺテーブル１７の上面に設定してあり、基準面Ａに対
してノズル２が常にほぼ垂直になるようにしつつ（８０
〜９０°の角度が好ましい）、ＸＹＺテーブル１７で基
体３を動かすことによって、立体表面４の凹凸に沿って
ノズル２を相対的に移動させてパターン膜５を形成する
ようにしてある。勿論、ＸＹＺテーブル１７を操作して
基体３を動かす代わりにノズル２を操作して動かすよう
にしても、基体３とノズル２の両者を動かすようにして
もよい。
方向が設定された基準面Ａに略垂直になるようにノズル
２あるいは基体３を操作して基体３の立体表面４に超微
粒子１のパターン膜５を付着させるようにしてある。そ
の他の操作は上記図１で説明したものをそのまま援用す
ることができる。図２の実施例ではこの基準面Ａは基体
１の平坦面となった裏面、つまり基体３をセットするＸ
ＹＺテーブル１７の上面に設定してあり、基準面Ａに対
してノズル２が常にほぼ垂直になるようにしつつ（８０
〜９０°の角度が好ましい）、ＸＹＺテーブル１７で基
体３を動かすことによって、立体表面４の凹凸に沿って
ノズル２を相対的に移動させてパターン膜５を形成する
ようにしてある。勿論、ＸＹＺテーブル１７を操作して
基体３を動かす代わりにノズル２を操作して動かすよう
にしても、基体３とノズル２の両者を動かすようにして
もよい。
【００２３】このように超微粒子１の吹き出し方向が設
定された基準面Ａに略垂直になるようにすれば、ノズル
２の向きは常に一定の方向でよく、ノズル２や基体３を
動かす操作が容易になると共に、これらを動かす装置の
構造も簡単になって設備コストを安価にすることができ
るものである。
定された基準面Ａに略垂直になるようにすれば、ノズル
２の向きは常に一定の方向でよく、ノズル２や基体３を
動かす操作が容易になると共に、これらを動かす装置の
構造も簡単になって設備コストを安価にすることができ
るものである。
【００２４】図２の実施例のように基準面Ａに対して超
微粒子１の吹き出し方向を常に略垂直にすると、基体３
の立体表面４のうち基準面Ａに対して傾斜する傾斜面４
ｅにはノズル２から立体表面４への超微粒子１の入射角
度が垂直にならないために、傾斜面４ｅでは立体表面４
で跳ね返る超微粒子１の割合が多くなり、またパターン
膜５の密着強度も低くなるおそれがある。そこで本発明
では、図３に示すように基体３の立体表面４のうち基準
面に対して傾斜する斜面４ｅを多数の段２８を連ねてミ
クロ的に見て階段状に形成するようにすればよい。この
場合の階段状に形成する斜面４ｅの各段２８の段差Ｈ
（すなわち段２８の垂直面２８ｂの高さ）は立体表面４
に設けられるパターン膜５の厚み（図３でいえば段２８
の水平面２８ａに設けられるパターン膜５の厚みｈ）と
同等の寸法から、このパターン膜５の厚みｈの１／２の
厚みの寸法までの範囲で設定するものである。例えばパ
ターン膜５の厚みを１〜１０μｍ程度に形成する場合、
段差は０．５〜５μｍ程度に設定するのが好ましい。そ
して図２の場合と同様にして基準面Ａに対してノズル２
が常にほぼ垂直になるようにしつつ（８０〜９０°の角
度が好ましい）、ＸＹＺテーブル１７で基体３を動かす
ことによって、立体表面４の凹凸に沿ってノズル２を相
対的に移動させてパターン膜５を形成することができ
る。このようにノズル２から超微粒子１を噴出させる
と、マクロ的にみれば立体表面４の傾斜面４ｅに対して
超微粒子１は斜めに入射しているが、ミクロ的にみると
傾斜面４ｅの各段２８の水平面２８ａに対して超微粒子
１はほぼ垂直に入射しているものであり、超微粒子１が
跳ね返る割合が少なくなって、立体表面４への超微粒子
１の付着効率が高くなってパターン膜５の生成効率を向
上させることができると共に、パターン膜５の密着性も
高くなるものである。
微粒子１の吹き出し方向を常に略垂直にすると、基体３
の立体表面４のうち基準面Ａに対して傾斜する傾斜面４
ｅにはノズル２から立体表面４への超微粒子１の入射角
度が垂直にならないために、傾斜面４ｅでは立体表面４
で跳ね返る超微粒子１の割合が多くなり、またパターン
膜５の密着強度も低くなるおそれがある。そこで本発明
では、図３に示すように基体３の立体表面４のうち基準
面に対して傾斜する斜面４ｅを多数の段２８を連ねてミ
クロ的に見て階段状に形成するようにすればよい。この
場合の階段状に形成する斜面４ｅの各段２８の段差Ｈ
（すなわち段２８の垂直面２８ｂの高さ）は立体表面４
に設けられるパターン膜５の厚み（図３でいえば段２８
の水平面２８ａに設けられるパターン膜５の厚みｈ）と
同等の寸法から、このパターン膜５の厚みｈの１／２の
厚みの寸法までの範囲で設定するものである。例えばパ
ターン膜５の厚みを１〜１０μｍ程度に形成する場合、
段差は０．５〜５μｍ程度に設定するのが好ましい。そ
して図２の場合と同様にして基準面Ａに対してノズル２
が常にほぼ垂直になるようにしつつ（８０〜９０°の角
度が好ましい）、ＸＹＺテーブル１７で基体３を動かす
ことによって、立体表面４の凹凸に沿ってノズル２を相
対的に移動させてパターン膜５を形成することができ
る。このようにノズル２から超微粒子１を噴出させる
と、マクロ的にみれば立体表面４の傾斜面４ｅに対して
超微粒子１は斜めに入射しているが、ミクロ的にみると
傾斜面４ｅの各段２８の水平面２８ａに対して超微粒子
１はほぼ垂直に入射しているものであり、超微粒子１が
跳ね返る割合が少なくなって、立体表面４への超微粒子
１の付着効率が高くなってパターン膜５の生成効率を向
上させることができると共に、パターン膜５の密着性も
高くなるものである。
【００２５】ここで、パターン膜５を回路として使用し
て基体３から立体回路基板を作成する場合に、傾斜面４
ａにパターン膜５を形成するにあたっては、図３に矢印
で示すように傾斜面４ａの下側から上側へとノズル２が
相対的に移動するように操作をおこなうのが好ましい。
このようにノズル２を相対的に移動させるようにすると
各段２８の垂直面２８ｂに付着するパターン膜５の膜厚
を厚く形成することができ、パターン膜５で形成される
回路の電気抵抗を小さくすることができるものである。
て基体３から立体回路基板を作成する場合に、傾斜面４
ａにパターン膜５を形成するにあたっては、図３に矢印
で示すように傾斜面４ａの下側から上側へとノズル２が
相対的に移動するように操作をおこなうのが好ましい。
このようにノズル２を相対的に移動させるようにすると
各段２８の垂直面２８ｂに付着するパターン膜５の膜厚
を厚く形成することができ、パターン膜５で形成される
回路の電気抵抗を小さくすることができるものである。
【００２６】図４は、ノズル２からキャリアガスととも
に吹き出される超微粒子１を電子シャワー又は高周波放
電により荷電させると共に、基体３にバイアス電圧を印
加するようにしたものである。図４の実施例ではノズル
２の先端近傍に熱陰極２９を設けて熱電子を放出して超
微粒子１の流れに電子シャワー３０を作用させることに
よって超微粒子１を荷電するようにしてあるが、高周波
放電用アンテナをノズル２の先端近傍に設けて高周波を
印加し、キャリアガス及び超微粒子１に高周波放電を生
じさせて超微粒子１を荷電するようにすることもでき
る。また基体３には数十Ｖ〜数百Ｖのバイアス電圧３１
を印加し、超微粒子１が正に荷電している場合には基体
３に負の電圧を、超微粒子１が負に荷電している場合に
は基体３に正の電圧を印加するようにバイアス電圧を選
択する。そして、立体表面４の凹凸に沿ってノズル２を
移動させることによって立体表面４の凹凸に沿ってパタ
ーン膜５を形成することができる。勿論、このようにノ
ズル２を操作する他に、基体３を動かすように操作して
も、ノズル２と基体３の両方を操作するようにしてもよ
いのはいうまでもない。
に吹き出される超微粒子１を電子シャワー又は高周波放
電により荷電させると共に、基体３にバイアス電圧を印
加するようにしたものである。図４の実施例ではノズル
２の先端近傍に熱陰極２９を設けて熱電子を放出して超
微粒子１の流れに電子シャワー３０を作用させることに
よって超微粒子１を荷電するようにしてあるが、高周波
放電用アンテナをノズル２の先端近傍に設けて高周波を
印加し、キャリアガス及び超微粒子１に高周波放電を生
じさせて超微粒子１を荷電するようにすることもでき
る。また基体３には数十Ｖ〜数百Ｖのバイアス電圧３１
を印加し、超微粒子１が正に荷電している場合には基体
３に負の電圧を、超微粒子１が負に荷電している場合に
は基体３に正の電圧を印加するようにバイアス電圧を選
択する。そして、立体表面４の凹凸に沿ってノズル２を
移動させることによって立体表面４の凹凸に沿ってパタ
ーン膜５を形成することができる。勿論、このようにノ
ズル２を操作する他に、基体３を動かすように操作して
も、ノズル２と基体３の両方を操作するようにしてもよ
いのはいうまでもない。
【００２７】このように超微粒子１を電子シャワー又は
高周波放電により荷電させると共に基体３にバイアス電
圧を印加しつつ基体３の立体表面４に超微粒子１を吹き
付けることによって、基体３と超微粒子１との間の電気
的吸引力を付加して基体３の立体表面４に超微粒子１を
付着させることができ、緻密で密着強度の高いパターン
膜５を得ることができるものである。
高周波放電により荷電させると共に基体３にバイアス電
圧を印加しつつ基体３の立体表面４に超微粒子１を吹き
付けることによって、基体３と超微粒子１との間の電気
的吸引力を付加して基体３の立体表面４に超微粒子１を
付着させることができ、緻密で密着強度の高いパターン
膜５を得ることができるものである。
【００２８】上記各実施例のように基体３の立体表面４
に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて基体３
の立体表面４に超微粒子１のパターン膜５を付着させる
にあたって、超微粒子１として表面に突起６ａを有する
突起状超微粒子６を用いることができる。この突起状超
微粒子６としては例えば粒径が１μｍ以下の酸化亜鉛ウ
ィスカを用いることができる。このように表面に突起６
ａを有する突起状超微粒子６を用いることによって、図
５に示すように基体３の立体表面４に突起状超微粒子６
の突起６ａがめり込み、密着性の良いパターン膜５を得
ることができるものである。
に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて基体３
の立体表面４に超微粒子１のパターン膜５を付着させる
にあたって、超微粒子１として表面に突起６ａを有する
突起状超微粒子６を用いることができる。この突起状超
微粒子６としては例えば粒径が１μｍ以下の酸化亜鉛ウ
ィスカを用いることができる。このように表面に突起６
ａを有する突起状超微粒子６を用いることによって、図
５に示すように基体３の立体表面４に突起状超微粒子６
の突起６ａがめり込み、密着性の良いパターン膜５を得
ることができるものである。
【００２９】また上記各実施例のように基体３の立体表
面４に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて基
体３の立体表面４に超微粒子１のパターン膜５を付着さ
せるにあたって、このパターン膜５を中間層７として、
この中間層７の上にさらに上記と同様にしてパターン膜
５を付着させるようにすることもできるものであり、こ
のようにして図６に示すように二層構成でパターン膜５
を形成することができる。例えば、超微粒子１として突
起状超微粒子６を用いて中間層７としてパターン膜５を
基体３の立体表面４に形成し、この中間層７の上に所望
する材料の超微粒子１、例えば電気抵抗の小さい銅等の
超微粒子１を用いてパターン膜５を形成することによっ
て、中間層７の突起状超微粒子６で基体３の立体表面４
への密着性が優れると共に表面のパターン膜５によって
電気抵抗の小さい回路を形成することができるものであ
る。図６の実施例では二層構成でパターン膜５を形成す
るようにしたが、層の数は二層に限定されることはな
く、さらに多層に形成することもできる。
面４に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて基
体３の立体表面４に超微粒子１のパターン膜５を付着さ
せるにあたって、このパターン膜５を中間層７として、
この中間層７の上にさらに上記と同様にしてパターン膜
５を付着させるようにすることもできるものであり、こ
のようにして図６に示すように二層構成でパターン膜５
を形成することができる。例えば、超微粒子１として突
起状超微粒子６を用いて中間層７としてパターン膜５を
基体３の立体表面４に形成し、この中間層７の上に所望
する材料の超微粒子１、例えば電気抵抗の小さい銅等の
超微粒子１を用いてパターン膜５を形成することによっ
て、中間層７の突起状超微粒子６で基体３の立体表面４
への密着性が優れると共に表面のパターン膜５によって
電気抵抗の小さい回路を形成することができるものであ
る。図６の実施例では二層構成でパターン膜５を形成す
るようにしたが、層の数は二層に限定されることはな
く、さらに多層に形成することもできる。
【００３０】さらに上記各実施例のように基体３の立体
表面４に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて
基体３の立体表面４に超微粒子１のパターン膜５を付着
させ、このパターン膜５の上に選択的に電気メッキや無
電解メッキを施して、図７（ａ）（ｂ）に示すようにメ
ッキ膜８を形成することもできる。このようにパターン
膜５の上にメッキ膜８を積層することによって、パター
ンの厚みを厚くしたり、表面の光沢を出して装飾性を高
めたりすることができるものである。
表面４に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて
基体３の立体表面４に超微粒子１のパターン膜５を付着
させ、このパターン膜５の上に選択的に電気メッキや無
電解メッキを施して、図７（ａ）（ｂ）に示すようにメ
ッキ膜８を形成することもできる。このようにパターン
膜５の上にメッキ膜８を積層することによって、パター
ンの厚みを厚くしたり、表面の光沢を出して装飾性を高
めたりすることができるものである。
【００３１】尚、超微粒子１として図８（ａ）に示すよ
うな、銅等の金属超微粒子１ａの表面に金等の膜１ｂを
形成したものを用い、上記各実施例のように基体３の立
体表面４に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付け
て基体３の立体表面４に導体膜としてパターン膜５を形
成することもできる。この場合、パターン膜５を形成し
た後に加圧又は加熱することによって、図８（ｂ）に示
すように金属超微粒子１ａの粒子間に膜１ｂを形成する
材料が充填され、パターン膜５を緻密化することができ
ると共に、パターン膜５で回路を形成するにあたっては
電気抵抗を低下させることができるものである。またこ
の場合、図４と同様にノズル２からキャリアガスととも
に吹き出される超微粒子１を電子シャワー又は高周波放
電により荷電させると共に、基体３にバイアス電圧を印
加することによって、密着強度の高いパターン膜５を得
ることができる。
うな、銅等の金属超微粒子１ａの表面に金等の膜１ｂを
形成したものを用い、上記各実施例のように基体３の立
体表面４に超微粒子１をキャリアガスとともに吹き付け
て基体３の立体表面４に導体膜としてパターン膜５を形
成することもできる。この場合、パターン膜５を形成し
た後に加圧又は加熱することによって、図８（ｂ）に示
すように金属超微粒子１ａの粒子間に膜１ｂを形成する
材料が充填され、パターン膜５を緻密化することができ
ると共に、パターン膜５で回路を形成するにあたっては
電気抵抗を低下させることができるものである。またこ
の場合、図４と同様にノズル２からキャリアガスととも
に吹き出される超微粒子１を電子シャワー又は高周波放
電により荷電させると共に、基体３にバイアス電圧を印
加することによって、密着強度の高いパターン膜５を得
ることができる。
【００３２】また、超微粒子１として銅等の金属粒子を
用い、上記各実施例のように基体３の立体表面４に超微
粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて基体３の立体
表面４にパターン膜５を図９（ａ）のように形成した
後、基体３又はパターン膜５を加熱して超微粒子１を焼
結又は溶融・固化させることによって、図９（ｂ）のよ
うにパターン膜５を緻密化すると共に、パターン膜５で
回路を形成するにあたっては電気抵抗を小さくすること
ができるものである。加熱はパターン膜５への通電によ
る方法や、高周波誘導加熱による方法や、レーザー照射
による方法などを用いておこなうことができる。また、
レーザー照射によって基体３の表面を粗化して粗面３２
にした後、同様にパターン膜５を図１０（ａ）のように
形成し、そしてさらに同様にパターン膜５を加熱して超
微粒子１を焼結又は溶融することによって、図１０
（ｂ）のように焼結又は溶融された超微粒子１が粗面３
２の凹部内に入り込んで密着性が高い中間層３３が形成
され、パターン膜５の密着強度を高めることができるも
のである。
用い、上記各実施例のように基体３の立体表面４に超微
粒子１をキャリアガスとともに吹き付けて基体３の立体
表面４にパターン膜５を図９（ａ）のように形成した
後、基体３又はパターン膜５を加熱して超微粒子１を焼
結又は溶融・固化させることによって、図９（ｂ）のよ
うにパターン膜５を緻密化すると共に、パターン膜５で
回路を形成するにあたっては電気抵抗を小さくすること
ができるものである。加熱はパターン膜５への通電によ
る方法や、高周波誘導加熱による方法や、レーザー照射
による方法などを用いておこなうことができる。また、
レーザー照射によって基体３の表面を粗化して粗面３２
にした後、同様にパターン膜５を図１０（ａ）のように
形成し、そしてさらに同様にパターン膜５を加熱して超
微粒子１を焼結又は溶融することによって、図１０
（ｂ）のように焼結又は溶融された超微粒子１が粗面３
２の凹部内に入り込んで密着性が高い中間層３３が形成
され、パターン膜５の密着強度を高めることができるも
のである。
【００３３】
【発明の効果】上記のように本発明は、粒径が１μｍ以
下の超微粒子をキャリアガスとともにノズルの微小孔か
ら基体の立体表面に吹き付けると共にノズルと基体を相
対的に移動させ、基体の立体表面に超微粒子のパターン
膜を付着させるようにしたので、超微粒子をキャリアガ
スとともに基体の立体表面に吹き付けると共にノズルと
基体を相対的に移動させることによって所望のパターン
で立体表面にパターン膜を形成することができ、二色成
形をおこなったり、フォトリソグラフィの手法を用いた
りする必要なく、凹み部や垂直面部を有する立体表面に
微細パターンでパターン膜を形成することができるもの
である。
下の超微粒子をキャリアガスとともにノズルの微小孔か
ら基体の立体表面に吹き付けると共にノズルと基体を相
対的に移動させ、基体の立体表面に超微粒子のパターン
膜を付着させるようにしたので、超微粒子をキャリアガ
スとともに基体の立体表面に吹き付けると共にノズルと
基体を相対的に移動させることによって所望のパターン
で立体表面にパターン膜を形成することができ、二色成
形をおこなったり、フォトリソグラフィの手法を用いた
りする必要なく、凹み部や垂直面部を有する立体表面に
微細パターンでパターン膜を形成することができるもの
である。
【００３４】また、超微粒子の吹き出し方向が設定され
た基準面に略垂直になるようにノズルあるいは基体を操
作して基体の立体表面に超微粒子のパターン膜を付着さ
せるようにしたので、ノズルの向きは常に一定の方向で
よく、ノズルや基体を動かす操作が容易になると共に、
これらを動かす装置の構造も簡単になって設備コストを
安価にすることができるものである。
た基準面に略垂直になるようにノズルあるいは基体を操
作して基体の立体表面に超微粒子のパターン膜を付着さ
せるようにしたので、ノズルの向きは常に一定の方向で
よく、ノズルや基体を動かす操作が容易になると共に、
これらを動かす装置の構造も簡単になって設備コストを
安価にすることができるものである。
【００３５】しかも、基体の立体表面のうち基準面に対
して傾斜する斜面を、パターン膜の厚みの寸法とパター
ン膜の厚みの１／２の寸法の間の範囲の段差の階段状に
形成するようにしたので、超微粒子の吹き出し方向が設
定された基準面に略垂直になるようにしてノズルや基体
を動かす操作が容易になるようにしても、マクロ的にみ
れば立体表面の傾斜面に対して超微粒子は斜めに入射し
ているが、ミクロ的にみると傾斜面の各段に対して超微
粒子はほぼ垂直に入射しているものであり、超微粒子が
跳ね返る割合が少なくなって、立体表面への超微粒子の
付着効率が高くなると共に、パターン膜の密着性も高く
なるものである。
して傾斜する斜面を、パターン膜の厚みの寸法とパター
ン膜の厚みの１／２の寸法の間の範囲の段差の階段状に
形成するようにしたので、超微粒子の吹き出し方向が設
定された基準面に略垂直になるようにしてノズルや基体
を動かす操作が容易になるようにしても、マクロ的にみ
れば立体表面の傾斜面に対して超微粒子は斜めに入射し
ているが、ミクロ的にみると傾斜面の各段に対して超微
粒子はほぼ垂直に入射しているものであり、超微粒子が
跳ね返る割合が少なくなって、立体表面への超微粒子の
付着効率が高くなると共に、パターン膜の密着性も高く
なるものである。
【００３６】また、ノズルから吹き出される超微粒子を
電子シャワー又は高周波放電により荷電させると共に、
基体にバイアス電圧を印加するようにしたので、基体と
超微粒子との間の電気的吸引力を付加して基体の立体表
面に超微粒子を付着させることができ、緻密で密着強度
の高いパターン膜を得ることができるものである。
電子シャワー又は高周波放電により荷電させると共に、
基体にバイアス電圧を印加するようにしたので、基体と
超微粒子との間の電気的吸引力を付加して基体の立体表
面に超微粒子を付着させることができ、緻密で密着強度
の高いパターン膜を得ることができるものである。
【００３７】さらに、超微粒子として表面に突起を有す
る突起状超微粒子を用いるようにしたので、基体の立体
表面に突起状超微粒子の突起がめり込み、密着性の良い
パターン膜を得ることができるものである。
る突起状超微粒子を用いるようにしたので、基体の立体
表面に突起状超微粒子の突起がめり込み、密着性の良い
パターン膜を得ることができるものである。
【００３８】また、上記のようにして基体の立体表面に
パターン膜を付着させた後、このパターン膜を中間層と
してこの上にさらに上記と同様にしてパターン膜を付着
させるようにしたので、中間層のパターン層と表面のパ
ターン層の超微粒子の組み合わせによって、種々の性能
のパターン層を形成することができるものである。
パターン膜を付着させた後、このパターン膜を中間層と
してこの上にさらに上記と同様にしてパターン膜を付着
させるようにしたので、中間層のパターン層と表面のパ
ターン層の超微粒子の組み合わせによって、種々の性能
のパターン層を形成することができるものである。
【００３９】さらに、上記のようにして基体の立体表面
にパターン膜を付着させた後、このパターン膜の上にメ
ッキを施してメッキ膜を形成するようにしたので、メッ
キ膜の積層によってパターンの厚みを厚くしたり、表面
の光沢を出して装飾性を高めたりすることができるもの
である。
にパターン膜を付着させた後、このパターン膜の上にメ
ッキを施してメッキ膜を形成するようにしたので、メッ
キ膜の積層によってパターンの厚みを厚くしたり、表面
の光沢を出して装飾性を高めたりすることができるもの
である。
【図１】本発明の一実施例の概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の一部の概略正面図であ
る。
る。
【図３】本発明のさらに他の実施例の一部の拡大した概
略断面図である。
略断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例の一部の概略正面図
である。
である。
【図５】本発明のさらに他の実施例の一部の拡大した概
略断面図である。
略断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施例の一部の拡大した概
略断面図である。
略断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施例を示すものであり、
（ａ）は一部の拡大した概略断面図、（ｂ）は斜視図で
ある。
（ａ）は一部の拡大した概略断面図、（ｂ）は斜視図で
ある。
【図８】本発明のさらに他の実施例を示すものであり、
（ａ）は超微粒子の断面図、（ｂ）はパターン膜の断面
図である。
（ａ）は超微粒子の断面図、（ｂ）はパターン膜の断面
図である。
【図９】本発明のさらに他の実施例を示すものであり、
（ａ）はパターン膜の断面図、（ｂ）は焼結又は溶融後
のパターン膜の断面図である。
（ａ）はパターン膜の断面図、（ｂ）は焼結又は溶融後
のパターン膜の断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施例を示すものであ
り、（ａ）はパターン膜の断面図、（ｂ）は焼結又は溶
融後のパターン膜の断面図である。
り、（ａ）はパターン膜の断面図、（ｂ）は焼結又は溶
融後のパターン膜の断面図である。
１ 超微粒子 ２ ノズル ３ 基体 ４ 立体表面 ５ パターン膜 ６ 突起状超微粒子 ７ 中間層 ８ メッキ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/10 Ｈ０５Ｋ 3/10 Ｚ (72)発明者 鎌田 策雄 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 内野々 良幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 鈴木 俊之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 岡本 剛 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−175573（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−139949（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−234565（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−140073（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−150468（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−293049（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−163263（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B05D 1/00 - 7/26 C23C 24/02 H01L 21/52 H05K 3/10
Claims (5)
- 【請求項１】 粒径が１μｍ以下の超微粒子をキャリア
ガスとともにノズルの微小孔から基体の立体表面に吹き
付けると共にノズルと基体を相対的に移動させ、基体の
立体表面に超微粒子のパターン膜を付着させるにあたっ
て、基体の立体表面のうち超微粒子の吹き出し方向が設
定された基準面に対して傾斜する斜面を、パターン膜の
厚みの寸法とパターン膜の厚みの１／２の寸法の間の範
囲の段差の階段状に形成し、基準面に略垂直になるよう
にノズルあるいは基体を操作して基体の立体表面に超微
粒子のパターン膜を付着させることを特徴とする立体表
面への膜形成方法。 - 【請求項２】 ノズルから吹き出される超微粒子を電子
シャワー又は高周波放電により荷電させると共に、基体
にバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項１に
記載の立体表面への膜形成方法。 - 【請求項３】 超微粒子として表面に突起を有する突起
状超微粒子を用いることを特徴とする請求項１又は２に
記載の立体表面への膜形成方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかの方法で基体
の立体表面にパターン膜を付着させた後、このパターン
膜を中間層としてこの上にさらに請求項１乃至３のいず
れかの方法でパターン膜を付着させることを特徴とする
立体表面への膜形成方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれかの方法で基体
の立体表面にパターン膜を付着させた後、このパターン
膜の上にメッキを施してメッキ膜を形成することを特徴
とする立体表面への膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08835793A JP3222614B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 立体表面への膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08835793A JP3222614B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 立体表面への膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06296920A JPH06296920A (ja) | 1994-10-25 |
| JP3222614B2 true JP3222614B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=13940569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08835793A Expired - Lifetime JP3222614B2 (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | 立体表面への膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3222614B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005161185A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Fujimori Gijutsu Kenkyusho:Kk | 金属膜形成方法及びその装置 |
| JP4335746B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2009-09-30 | アルプス電気株式会社 | スプレーコート装置及びこれを用いたスプレーコート方法 |
| CA2667004C (en) * | 2006-10-19 | 2014-09-02 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Methods and apparatus for making coatings using electrostatic spray |
| US20130323422A1 (en) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for CVD and ALD with an Elongate Nozzle and Methods Of Use |
| JP6099453B2 (ja) * | 2012-11-28 | 2017-03-22 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 電子部品搭載基板およびその製造方法 |
| DE102012222791A1 (de) * | 2012-12-11 | 2014-06-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiters und Halbleiterbauelement mit erhöhter Stabilität gegenüber thermomechanischen Einflüssen |
| JP6262968B2 (ja) * | 2013-09-09 | 2018-01-17 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 電子部品搭載基板およびその製造方法 |
| DE102015210460B4 (de) * | 2015-06-08 | 2021-10-07 | Te Connectivity Germany Gmbh | Verfahren zur Veränderung mechanischer und/oder elektrischer Eigenschaften zumindest eines Bereichs eines elektrischen Kontaktelements |
| CN109676328B (zh) * | 2019-02-12 | 2023-11-21 | 黄山学院 | 一种斜面工件表面改性方法及装置 |
| JP7309544B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-07-18 | 株式会社東芝 | コーティング方法及びコーティング構造 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54139949A (en) * | 1978-04-22 | 1979-10-30 | Ishikawa Takashi | Production of sandy decorative surfaced plate for building use |
| JPS5929108B2 (ja) * | 1979-09-19 | 1984-07-18 | 大日本塗料株式会社 | 金属メッキ体の製造方法 |
| JPS59140073A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電記録ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS60175573A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-09 | Res Dev Corp Of Japan | 超微粒子スプレ−膜の形成法 |
| JPS62234565A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-14 | Honda Motor Co Ltd | 塗装装置 |
| JP2645496B2 (ja) * | 1988-11-30 | 1997-08-25 | 日本ペイント株式会社 | 耐チッピング性塗料組成物 |
| JPH03293049A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Kawasaki Steel Corp | ２層型静電粉体塗装方法および装置 |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP08835793A patent/JP3222614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06296920A (ja) | 1994-10-25 |
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