JP3221576B2 - 半導体レーザジャイロ - Google Patents
半導体レーザジャイロInfo
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- JP3221576B2 JP3221576B2 JP08408892A JP8408892A JP3221576B2 JP 3221576 B2 JP3221576 B2 JP 3221576B2 JP 08408892 A JP08408892 A JP 08408892A JP 8408892 A JP8408892 A JP 8408892A JP 3221576 B2 JP3221576 B2 JP 3221576B2
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- Japan
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- gain waveguide
- semiconductor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザジャイロ
に関し、特に半導体基板上に集積された小型、高精度で
安価な半導体レーザジャイロに関するものである。
に関し、特に半導体基板上に集積された小型、高精度で
安価な半導体レーザジャイロに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、移動する物体の角速度を検出する
ためのジャイロとしては、回転子をもつ機械的ジャイロ
や光ファイバを用いた光ファイバジャイロが知られてい
る。特に光ファイバジャイロは、軽量化が図れる利点を
有するため精力的に開発が進められている。
ためのジャイロとしては、回転子をもつ機械的ジャイロ
や光ファイバを用いた光ファイバジャイロが知られてい
る。特に光ファイバジャイロは、軽量化が図れる利点を
有するため精力的に開発が進められている。
【０００３】光ファイバジャイロは図２に示すごとく、
基本的にはレーザ光源１、ハーフミラー２、ファイバリ
ング干渉計３、光検出器４より構成される。レーザ光源
１より出射されたレーザ光５は、ハーフミラー２におい
て２方向に分岐され、ファイバリング干渉計３の相対す
る２方向から入射される。ファイバリング干渉計３を時
計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬したレーザ光
は、ファイバリング干渉計３より出射された後、再びハ
ーフミラー２により加え合わされて光検出器４の位置で
干渉させられる。この時、ファイバリング干渉計３が回
転運動をうけると、ファイバリング内を時計回転方向、
及び反時計回転方向に伝搬するそれぞれのレーザ光は、
サグナック効果により伝搬後に位相差を生じる。この位
相差は、干渉フリンジ６のシフト量Ｚとなってあらわ
れ、回転運動の角速度が大きくなると位相差が増加し、
シフト量Ｚの増加となって測定される。実際には干渉面
に配置した光検出器４から出力される信号の強度変化に
よりシフト量を算出し、この光ファイバジャイロを取付
けた物体の移動を検知することができる。
基本的にはレーザ光源１、ハーフミラー２、ファイバリ
ング干渉計３、光検出器４より構成される。レーザ光源
１より出射されたレーザ光５は、ハーフミラー２におい
て２方向に分岐され、ファイバリング干渉計３の相対す
る２方向から入射される。ファイバリング干渉計３を時
計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬したレーザ光
は、ファイバリング干渉計３より出射された後、再びハ
ーフミラー２により加え合わされて光検出器４の位置で
干渉させられる。この時、ファイバリング干渉計３が回
転運動をうけると、ファイバリング内を時計回転方向、
及び反時計回転方向に伝搬するそれぞれのレーザ光は、
サグナック効果により伝搬後に位相差を生じる。この位
相差は、干渉フリンジ６のシフト量Ｚとなってあらわ
れ、回転運動の角速度が大きくなると位相差が増加し、
シフト量Ｚの増加となって測定される。実際には干渉面
に配置した光検出器４から出力される信号の強度変化に
よりシフト量を算出し、この光ファイバジャイロを取付
けた物体の移動を検知することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の光ファイバジャイロにおいてはレーザ光源、ハ
ーフミラー、光ファイバ、光検出器といった光学部品
を、高い位置精度でもって配置することが要求され、装
置としては大型で高価なものとなっていた。また、経時
変化による光学部品の位置精度劣化が問題となってい
た。
た従来の光ファイバジャイロにおいてはレーザ光源、ハ
ーフミラー、光ファイバ、光検出器といった光学部品
を、高い位置精度でもって配置することが要求され、装
置としては大型で高価なものとなっていた。また、経時
変化による光学部品の位置精度劣化が問題となってい
た。
【０００５】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、経時
変化による光学部品の位置精度劣化を低減した半導体レ
ーザジャイロを提供することにある。さらには、小型で
高精度な半導体レーザジャイロを提供することを目的と
する。
変化による光学部品の位置精度劣化を低減した半導体レ
ーザジャイロを提供することにある。さらには、小型で
高精度な半導体レーザジャイロを提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、請求項１では、移動する物体の角速度
を検出するための半導体レーザジャイロであって、リン
グ形状の共振器構造をなす四角形状の半導体利得導波路
と、前記半導体利得導波路の四隅に設けられ且つ導波光
に交差して反射鏡として作用する面と、前記半導体利得
導波路内にキャリアを注入するキャリア注入手段と、前
記半導体利得導波路内を時計回転方向、及び反時計回転
方向に伝搬する光の一部をそれぞれ出力するため、前記
面のうちの隣り合う２箇所の面の一部の領域を反射角が
前記半導体利得導波路を伝搬する光の光軸に対して全反
射角以下の角度を有する面とした部分透過鏡として作用
させる光出力手段とを具備し、前記光出力手段から出射
された前記時計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬す
る光が重なり合う位置に、受光強度に対応した電気信号
を出力する光検出器を設けた半導体レーザジャイロを提
案する。
達成するために、請求項１では、移動する物体の角速度
を検出するための半導体レーザジャイロであって、リン
グ形状の共振器構造をなす四角形状の半導体利得導波路
と、前記半導体利得導波路の四隅に設けられ且つ導波光
に交差して反射鏡として作用する面と、前記半導体利得
導波路内にキャリアを注入するキャリア注入手段と、前
記半導体利得導波路内を時計回転方向、及び反時計回転
方向に伝搬する光の一部をそれぞれ出力するため、前記
面のうちの隣り合う２箇所の面の一部の領域を反射角が
前記半導体利得導波路を伝搬する光の光軸に対して全反
射角以下の角度を有する面とした部分透過鏡として作用
させる光出力手段とを具備し、前記光出力手段から出射
された前記時計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬す
る光が重なり合う位置に、受光強度に対応した電気信号
を出力する光検出器を設けた半導体レーザジャイロを提
案する。
【０００７】また、請求項２では、請求項１記載の半導
体レーザジャイロにおいて、前記リング形状の半導体利
得導波路、キャリア注入手段、光出力手段、及び光検出
器が同一の半導体基板上に形成されてなる半導体レーザ
ジャイロを提案する。
体レーザジャイロにおいて、前記リング形状の半導体利
得導波路、キャリア注入手段、光出力手段、及び光検出
器が同一の半導体基板上に形成されてなる半導体レーザ
ジャイロを提案する。
【０００８】
【作用】本発明の請求項１によれば、リング形状の共振
器構造をなす四角形状に構成された半導体利得導波路内
に、キャリア注入手段によりキャリアが注入される。こ
れにより、前記半導体利得導波路内にレーザ発振が生
じ、前記半導体利得導波路の四隅に設けられた導波光に
交差し反射鏡として作用する面に反射されながら前記半
導体利得導波路内の時計回転方向及び反時計回転方向に
レーザ光が伝搬する。これにより、従来の光ファイバジ
ャイロにおける光源とリング干渉計とを一体構造とした
半導体リング共振器レーザが構成される。さらに、前記
半導体利得導波路に形成された前記面のうちの隣り合う
２箇所の面に設けられた部分透過鏡を介して、前記半導
体利得導波路内を時計回転方向及び反時計回転方向に伝
搬するレーザ光のそれぞれの一部が出力光として取り出
される。これらの出力光は、光検出器が構成された位置
において干渉し、この干渉光の強度に対応した電気信号
が前記光検出器によって出力される。
器構造をなす四角形状に構成された半導体利得導波路内
に、キャリア注入手段によりキャリアが注入される。こ
れにより、前記半導体利得導波路内にレーザ発振が生
じ、前記半導体利得導波路の四隅に設けられた導波光に
交差し反射鏡として作用する面に反射されながら前記半
導体利得導波路内の時計回転方向及び反時計回転方向に
レーザ光が伝搬する。これにより、従来の光ファイバジ
ャイロにおける光源とリング干渉計とを一体構造とした
半導体リング共振器レーザが構成される。さらに、前記
半導体利得導波路に形成された前記面のうちの隣り合う
２箇所の面に設けられた部分透過鏡を介して、前記半導
体利得導波路内を時計回転方向及び反時計回転方向に伝
搬するレーザ光のそれぞれの一部が出力光として取り出
される。これらの出力光は、光検出器が構成された位置
において干渉し、この干渉光の強度に対応した電気信号
が前記光検出器によって出力される。
【０００９】また、請求項２によれば、前記リング形状
の半導体利得導波路、キャリア注入手段、光出力手段、
及び光検出器が同一の半導体基板上に形成される。
の半導体利得導波路、キャリア注入手段、光出力手段、
及び光検出器が同一の半導体基板上に形成される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す平面図、
図３は一実施例における部分透過鏡の構成を示す斜視図
である。図において、１０はｐｎ接合を有する半導体基
板で、この半導体基板１０上には幅４μｍ、一辺の長さ
６００μｍの四角形状の半導体利得導波路（以下、利得
導波路と称する）１１が構成されている。この利得導波
路１１はリング共振器の機能を有し、その四隅には、交
差する導波路の光軸に対し４５度の角度をもつ面１２が
形成されており、利得導波路１１の基部がｐｎ接合下１
μｍになるまで反応性イオンビームエッチングで加工す
ることにより、この面１２を反射鏡として作用させてい
る。
明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す平面図、
図３は一実施例における部分透過鏡の構成を示す斜視図
である。図において、１０はｐｎ接合を有する半導体基
板で、この半導体基板１０上には幅４μｍ、一辺の長さ
６００μｍの四角形状の半導体利得導波路（以下、利得
導波路と称する）１１が構成されている。この利得導波
路１１はリング共振器の機能を有し、その四隅には、交
差する導波路の光軸に対し４５度の角度をもつ面１２が
形成されており、利得導波路１１の基部がｐｎ接合下１
μｍになるまで反応性イオンビームエッチングで加工す
ることにより、この面１２を反射鏡として作用させてい
る。
【００１１】また、図３に示すごとく利得導波路１１の
四隅のうちの隣合う２箇所の面（反射鏡）１２の一部の
領域には、その反射角が利得導波路１１内を伝搬する光
の光軸に対して全反射角以下の角度を有するような面１
３、及び面１４が光出力面として設けられている。この
様な構造とすることにより、面１３、１４を有する面１
２によって構成される反射鏡を部分透過鏡として動作さ
せている。即ち、光出力面１３は利得導波路１１内を時
計回転方向に伝搬する光１５の一部を出力光１８として
出射し、光出力面１４は利得導波路１１内を反時計回転
方向に伝搬する光１６の一部を出力光１９として出射す
る。
四隅のうちの隣合う２箇所の面（反射鏡）１２の一部の
領域には、その反射角が利得導波路１１内を伝搬する光
の光軸に対して全反射角以下の角度を有するような面１
３、及び面１４が光出力面として設けられている。この
様な構造とすることにより、面１３、１４を有する面１
２によって構成される反射鏡を部分透過鏡として動作さ
せている。即ち、光出力面１３は利得導波路１１内を時
計回転方向に伝搬する光１５の一部を出力光１８として
出射し、光出力面１４は利得導波路１１内を反時計回転
方向に伝搬する光１６の一部を出力光１９として出射す
る。
【００１２】これら２箇所の光出力面１３，１４のそれ
ぞれから出射された光１８，１９は半導体基板１０上に
設けらた光吸収領域（光検出器）１７の位置において重
ね合わされる。この光吸収領域１７は利得導波路１１と
同一組成の材料からなっている。さらに、利得導波路１
１と光吸収領域１７にはそれぞれ独立した電極２２，２
３が設けられており、この電極２２を介して利得導波路
１１へ電流を流すことにより利得導波路１１内にキャリ
アを注入し、利得導波路１１内でレーザ発振を生じさせ
る。また、光吸収領域１７に電極２３を設けることによ
り、周知の光検出器が構成され、前述した２箇所の光出
力面１３，１４から出射された光の干渉光強度を電気信
号としてモニタすることができる。
ぞれから出射された光１８，１９は半導体基板１０上に
設けらた光吸収領域（光検出器）１７の位置において重
ね合わされる。この光吸収領域１７は利得導波路１１と
同一組成の材料からなっている。さらに、利得導波路１
１と光吸収領域１７にはそれぞれ独立した電極２２，２
３が設けられており、この電極２２を介して利得導波路
１１へ電流を流すことにより利得導波路１１内にキャリ
アを注入し、利得導波路１１内でレーザ発振を生じさせ
る。また、光吸収領域１７に電極２３を設けることによ
り、周知の光検出器が構成され、前述した２箇所の光出
力面１３，１４から出射された光の干渉光強度を電気信
号としてモニタすることができる。
【００１３】上記の構成からなる素子において、利得導
波路１１に電流を流した状態で、いろいろな角速度で半
導体基板１０を回転させたところ、光吸収領域１７に流
れる電流はそれらの回転角速度に対応した周波数を示し
た。これは、利得導波路１１によって構成されるリング
共振器内を時計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬す
るレーザ光が、素子の回転によりサグナック効果を受け
たことでレーザ発振周波数シフトを生じ、これらのレー
ザ光の干渉によるビート周波数が光吸収領域１７の光電
流の周波数となって測定されているからである。
波路１１に電流を流した状態で、いろいろな角速度で半
導体基板１０を回転させたところ、光吸収領域１７に流
れる電流はそれらの回転角速度に対応した周波数を示し
た。これは、利得導波路１１によって構成されるリング
共振器内を時計回転方向、及び反時計回転方向に伝搬す
るレーザ光が、素子の回転によりサグナック効果を受け
たことでレーザ発振周波数シフトを生じ、これらのレー
ザ光の干渉によるビート周波数が光吸収領域１７の光電
流の周波数となって測定されているからである。
【００１４】一般にビート周波数ｆｒは、リング共振器
の光路長Ｌ、光路の囲む面積をＡ、光の波長をλ、リン
グ面の法線と回転軸のなす角度をΦ、回転角速度をωと
すると、ｆｒ＝４ＡωｃｏｓΦ／λＬで与えられる。前
述した素子においては、一辺の長さ６００μｍ、レーザ
の発振波長1.0 μｍであり、Φ＝０度の状態で回転させ
た際にｆｒ＝３６０ＫＨｚを観測しており、このことか
ら回転角速度ω＝600sec-1であることがわかる。
の光路長Ｌ、光路の囲む面積をＡ、光の波長をλ、リン
グ面の法線と回転軸のなす角度をΦ、回転角速度をωと
すると、ｆｒ＝４ＡωｃｏｓΦ／λＬで与えられる。前
述した素子においては、一辺の長さ６００μｍ、レーザ
の発振波長1.0 μｍであり、Φ＝０度の状態で回転させ
た際にｆｒ＝３６０ＫＨｚを観測しており、このことか
ら回転角速度ω＝600sec-1であることがわかる。
【００１５】前述したように本実施例によれば、リング
形状の利得導波路１１内にレーザ発振が生じ、利得導波
路１１内の時計回転方向及び反時計回転方向にレーザ光
を伝搬させることができ、従来の光ファイバジャイロに
おける光源とリング干渉計とを一体構造とすることがで
きるので、従来における光源とリング干渉計の高精度な
位置合わせ作業の手間を省くことができると共に、経時
変化による光学部品の位置精度劣化をなくすことができ
る。さらに、従来例における各光学部品を利得導波路１
１及び光吸収領域１７として同一の半導体基板１０上に
一体に形成したので、小型、且つ高精度なジャイロを構
成することができると共に、安価にて供給することがで
きる。
形状の利得導波路１１内にレーザ発振が生じ、利得導波
路１１内の時計回転方向及び反時計回転方向にレーザ光
を伝搬させることができ、従来の光ファイバジャイロに
おける光源とリング干渉計とを一体構造とすることがで
きるので、従来における光源とリング干渉計の高精度な
位置合わせ作業の手間を省くことができると共に、経時
変化による光学部品の位置精度劣化をなくすことができ
る。さらに、従来例における各光学部品を利得導波路１
１及び光吸収領域１７として同一の半導体基板１０上に
一体に形成したので、小型、且つ高精度なジャイロを構
成することができると共に、安価にて供給することがで
きる。
【００１６】尚、本実施例では、利得導波路１１にｐｎ
接合を設けて電流を流し、利得導波路１１内にキャリア
を注入してレーザ発振させているが、これに限定される
ことはなく、利得導波路１１の外部から利得導波路１１
に光を照射してキャリアを注入し、レーザ発振させても
良い。
接合を設けて電流を流し、利得導波路１１内にキャリア
を注入してレーザ発振させているが、これに限定される
ことはなく、利得導波路１１の外部から利得導波路１１
に光を照射してキャリアを注入し、レーザ発振させても
良い。
【００１７】また、本実施例では光出力面１３，１４か
ら出射された光は空間を伝搬した後、光検知器１７の位
置で重ね合わせられているが、光出力面１３，１４のそ
れぞれと光検知器１７の間に光導波路を形成し、光出力
面１３，１４のそれぞれからの出力光１８，１９を光導
波路内を伝搬させて光検知器１７に入射させる構造とす
ることも可能である。
ら出射された光は空間を伝搬した後、光検知器１７の位
置で重ね合わせられているが、光出力面１３，１４のそ
れぞれと光検知器１７の間に光導波路を形成し、光出力
面１３，１４のそれぞれからの出力光１８，１９を光導
波路内を伝搬させて光検知器１７に入射させる構造とす
ることも可能である。
【００１８】さらに、本実施例においては、光検出器１
７を利得導波路１１の外部に設けたが、相反する方向に
伝搬するレーザ光は利得導波路１１内においても干渉を
生じている。従って、光検出器を利得導波路１１内に設
けること、即ちリング形状利得導波路１１の一部の領域
をその他の領域から電気的に分離した構造とすることで
上記のビート周波数を検知することも可能である。
７を利得導波路１１の外部に設けたが、相反する方向に
伝搬するレーザ光は利得導波路１１内においても干渉を
生じている。従って、光検出器を利得導波路１１内に設
けること、即ちリング形状利得導波路１１の一部の領域
をその他の領域から電気的に分離した構造とすることで
上記のビート周波数を検知することも可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の請求項１によ
れば、従来の光ファイバジャイロにおける光源とリング
干渉計とを一体構造とすることができるので、従来にお
ける光源とリング干渉計の高精度な位置合わせ作業の手
間を省くことができると共に、経時変化による光学部品
の位置精度劣化をなくすことができる。さらに、簡単な
構成により容易に前記半導体利得導波路から出力光を取
り出すことができるという非常に優れた効果を奏するも
のである。
れば、従来の光ファイバジャイロにおける光源とリング
干渉計とを一体構造とすることができるので、従来にお
ける光源とリング干渉計の高精度な位置合わせ作業の手
間を省くことができると共に、経時変化による光学部品
の位置精度劣化をなくすことができる。さらに、簡単な
構成により容易に前記半導体利得導波路から出力光を取
り出すことができるという非常に優れた効果を奏するも
のである。
【００２０】また、請求項２によれば、上記の効果に加
えて、従来例における各光学部品が同一の半導体基板上
に一体に形成されるため、集積化が可能であると共に、
各光学部品の位置精度を厳密に設定することができるの
で、小型、且つ高精度なジャイロを構成することができ
ると共に、安価にて供給することができる。
えて、従来例における各光学部品が同一の半導体基板上
に一体に形成されるため、集積化が可能であると共に、
各光学部品の位置精度を厳密に設定することができるの
で、小型、且つ高精度なジャイロを構成することができ
ると共に、安価にて供給することができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体利得導波路からなる
リング共振器を用いた半導体レーザジャイロの構成を示
す平面図
リング共振器を用いた半導体レーザジャイロの構成を示
す平面図
【図２】従来の光ファイバジャイロを示す構成図
【図３】本発明の一実施例における部分透過鏡の構成を
示す斜視図
示す斜視図
１…レーザ光源、２…ハーフミラー、３…光ファイバ干
渉計、４…光検知器、５…レーザ光、６…干渉フリン
ジ、１０…半導体基板、１１…リング形状半導体利得導
波路、１２…反射鏡、１３，１４…光出力面、１５…時
計回転方向に伝搬するレーザ光、１６…反時計回転方向
に伝搬するレーザ光、１７…光吸収領域、１８，１９…
出力光、２２，２３…電極。
渉計、４…光検知器、５…レーザ光、６…干渉フリン
ジ、１０…半導体基板、１１…リング形状半導体利得導
波路、１２…反射鏡、１３，１４…光出力面、１５…時
計回転方向に伝搬するレーザ光、１６…反時計回転方向
に伝搬するレーザ光、１７…光吸収領域、１８，１９…
出力光、２２，２３…電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−148185（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−40480（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−242982（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01C 19/00 - 19/72 H01S 3/00 - 3/30 H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】 移動する物体の角速度を検出するための
半導体レーザジャイロであって、 リング形状の共振器構造をなす四角形状の半導体利得導
波路と、 前記半導体利得導波路の四隅に設けられ且つ導波光に交
差して反射鏡として作用する面と、 前記半導体利得導波路内にキャリアを注入するキャリア
注入手段と、 前記半導体利得導波路内を時計回転方向、及び反時計回
転方向に伝搬する光の一部をそれぞれ出力するため、前
記面のうちの隣り合う２箇所の面の一部の領域を反射角
が前記半導体利得導波路を伝搬する光の光軸に対して全
反射角以下の角度を有する面とした部分透過鏡として作
用させる光出力手段とを具備し、 前記光出力手段から出射された前記時計回転方向、及び
反時計回転方向に伝搬する光が重なり合う位置に、受光
強度に対応した電気信号を出力する光検出器を設けた、 ことを特徴とする半導体レーザジャイロ。 - 【請求項２】 前記リング形状の半導体利得導波路、キ
ャリア注入手段、光出力手段、及び光検出器が同一の半
導体基板上に形成されてなることを特徴とする請求項１
記載の半導体レーザジャイロ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08408892A JP3221576B2 (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 半導体レーザジャイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08408892A JP3221576B2 (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 半導体レーザジャイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05288556A JPH05288556A (ja) | 1993-11-02 |
| JP3221576B2 true JP3221576B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=13820753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08408892A Expired - Lifetime JP3221576B2 (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 半導体レーザジャイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221576B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8153558B2 (en) | 2004-02-13 | 2012-04-10 | Bayer Cropscience Lp | Method of improving grass quality |
| US8747874B2 (en) | 2004-05-18 | 2014-06-10 | Suncor Energy Inc. | Spray oil and method of use thereof for controlling turfgrass pests |
| US8853128B2 (en) | 2008-06-26 | 2014-10-07 | Suncor Energy Inc. | Turfgrass fungicide formulation with pigment |
| US9226504B2 (en) | 2010-09-09 | 2016-01-05 | Suncor Energy Inc. | Synergistic paraffinic oil and boscalid fungicides |
| US9801369B2 (en) | 2006-10-05 | 2017-10-31 | Suncor Energy Inc. | Herbicidal composition with increased herbicidal efficacy |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304329B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro and semiconductor device having a plurality of laser diodes |
| EP0995969A3 (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, semiconductor laser and gyro |
| EP0995970A3 (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro and method of operating the same |
| US6297883B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Ring laser gas gyro with beat signal detection from current, voltage, or impedance of the ring laser |
| EP0995971A3 (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Gyro and method of operating the same |
| JP3323844B2 (ja) | 1999-01-18 | 2002-09-09 | キヤノン株式会社 | ジャイロ |
| JP3363862B2 (ja) | 1999-01-22 | 2003-01-08 | キヤノン株式会社 | ジャイロ、それを備えたカメラ、レンズ及び自動車 |
| JP2000298024A (ja) | 1999-02-10 | 2000-10-24 | Canon Inc | ジャイロ |
| JP2000329565A (ja) | 1999-03-16 | 2000-11-30 | Canon Inc | ジャイロ装置 |
| US6665330B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a semiconductor ring laser with a circularly formed ridge optical waveguide |
| US6631002B1 (en) | 1999-11-11 | 2003-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Control of laser beams in a ring laser gyro |
| US6639680B1 (en) | 1999-11-11 | 2003-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Ring laser gyro and driving method therefor with improved driving current |
| JP2001159521A (ja) | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Canon Inc | 角速度検出装置 |
| JP3535813B2 (ja) | 2000-07-11 | 2004-06-07 | キヤノン株式会社 | ジャイロ装置、ジャイロ装置の駆動方法、および信号検出方法 |
| JP3531917B2 (ja) | 2000-07-12 | 2004-05-31 | キヤノン株式会社 | リングレーザー |
| JP2009103646A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザジャイロ |
| WO2009054467A1 (ja) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Advanced Telecommunications Research Institute International | 半導体レーザジャイロ |
| JP2009103647A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザジャイロ |
| JP2009124046A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Advanced Telecommunication Research Institute International | 半導体レーザ素子および半導体レーザジャイロ |
| JP2014059170A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-04-03 | V Technology Co Ltd | 半導体リングレーザー装置 |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP08408892A patent/JP3221576B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8153558B2 (en) | 2004-02-13 | 2012-04-10 | Bayer Cropscience Lp | Method of improving grass quality |
| US8426343B2 (en) | 2004-02-13 | 2013-04-23 | Bayer Cropscience Lp | Method of improving grass quality |
| US8747874B2 (en) | 2004-05-18 | 2014-06-10 | Suncor Energy Inc. | Spray oil and method of use thereof for controlling turfgrass pests |
| US9801369B2 (en) | 2006-10-05 | 2017-10-31 | Suncor Energy Inc. | Herbicidal composition with increased herbicidal efficacy |
| US8853128B2 (en) | 2008-06-26 | 2014-10-07 | Suncor Energy Inc. | Turfgrass fungicide formulation with pigment |
| US9485988B2 (en) | 2008-06-26 | 2016-11-08 | Suncor Energy Inc. | Turfgrass fungicide formulation with pigment |
| US9226504B2 (en) | 2010-09-09 | 2016-01-05 | Suncor Energy Inc. | Synergistic paraffinic oil and boscalid fungicides |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05288556A (ja) | 1993-11-02 |
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