JP3219723B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JP3219723B2 JP3219723B2 JP30963097A JP30963097A JP3219723B2 JP 3219723 B2 JP3219723 B2 JP 3219723B2 JP 30963097 A JP30963097 A JP 30963097A JP 30963097 A JP30963097 A JP 30963097A JP 3219723 B2 JP3219723 B2 JP 3219723B2
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、１ＭＨｚ程度の
周波領域での使用に特に適した、０．１〜２０ｐＦ程度
の低容量型の磁器コンデンサとその製造方法に関するも
のである。
周波領域での使用に特に適した、０．１〜２０ｐＦ程度
の低容量型の磁器コンデンサとその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】この種の低容量型の磁器コンデンサの誘
電体層の材料としては、例えば、珪酸マグネシウム・亜
鉛（ＭＺＳ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）及びチタン酸ス
トロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）を主成分とする混合物を
９５０〜１１００℃程度の温度で焼成して形成した誘電
体磁器組成物がある。ここで、ＭＺＳは、ＭｇＯ、Ｚｎ
Ｏ及びＳｉＯ2 からなる混合物を９００〜１２００℃程
度の温度で仮焼することにより合成した化合物である。
電体層の材料としては、例えば、珪酸マグネシウム・亜
鉛（ＭＺＳ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）及びチタン酸ス
トロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）を主成分とする混合物を
９５０〜１１００℃程度の温度で焼成して形成した誘電
体磁器組成物がある。ここで、ＭＺＳは、ＭｇＯ、Ｚｎ
Ｏ及びＳｉＯ2 からなる混合物を９００〜１２００℃程
度の温度で仮焼することにより合成した化合物である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ及びＳｉＯ2 からなる混合物を９００〜１２００℃
程度の温度で仮焼することによりＭＺＳを合成した場
合、得られた磁器コンデンサのＱ値が信頼性試験後に大
幅に劣化することがあるという問題点があった。ここ
で、信頼性試験とは、磁器コンデンサに過負荷を掛けた
後の電気的特性の低下を調べる試験で、例えば、１２５
℃のオイル中で試料に６００ＶのＤＣを印加し、２４時
間後の静電容量Ｃ及び１ＭＨｚでのＱ値を求めるという
方法で行なわれる。
ｎＯ及びＳｉＯ2 からなる混合物を９００〜１２００℃
程度の温度で仮焼することによりＭＺＳを合成した場
合、得られた磁器コンデンサのＱ値が信頼性試験後に大
幅に劣化することがあるという問題点があった。ここ
で、信頼性試験とは、磁器コンデンサに過負荷を掛けた
後の電気的特性の低下を調べる試験で、例えば、１２５
℃のオイル中で試料に６００ＶのＤＣを印加し、２４時
間後の静電容量Ｃ及び１ＭＨｚでのＱ値を求めるという
方法で行なわれる。
【０００４】この発明は、信頼性試験後にＱ値の劣化が
ない磁器コンデンサとその製造方法を提供することを目
的とする。
ない磁器コンデンサとその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁器コンデ
ンサは、誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電
体磁器層と、該誘電体磁器層を挟持している少なくとも
２以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組成物が、
珪酸マグネシウム・亜鉛（ＭＺＳ）とＡｌ2 Ｏ3 とＳｒ
ＴｉＯ3 とを含有する混合物の焼結体からなり、該ＭＺ
Ｓ中に含まれているＳｉＯ2 が結晶質のＳｉＯ2 のみか
らなるものである。
ンサは、誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電
体磁器層と、該誘電体磁器層を挟持している少なくとも
２以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組成物が、
珪酸マグネシウム・亜鉛（ＭＺＳ）とＡｌ2 Ｏ3 とＳｒ
ＴｉＯ3 とを含有する混合物の焼結体からなり、該ＭＺ
Ｓ中に含まれているＳｉＯ2 が結晶質のＳｉＯ2 のみか
らなるものである。
【０００６】また、本発明に係る磁器コンデンサの製造
方法は、ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＳｉＯ2 を混合して仮焼す
ることにより珪酸マグネシウム・亜鉛（ＭＺＳ）を形成
する工程と、この工程で得られたものにＡｌ2 Ｏ3 とＳ
ｒＴｉＯ3 を加えて混合する工程と、この工程で得られ
た混合物からなる１又は２以上の未焼成誘電体磁器層を
少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟持させてなる
積層体を形成する工程と、該積層体を焼成する工程とを
備え、前記ＭＺＳを形成する工程で原料として使用され
たＳｉＯ2 が結晶質のＳｉＯ2 のみからなるものであ
る。
方法は、ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＳｉＯ2 を混合して仮焼す
ることにより珪酸マグネシウム・亜鉛（ＭＺＳ）を形成
する工程と、この工程で得られたものにＡｌ2 Ｏ3 とＳ
ｒＴｉＯ3 を加えて混合する工程と、この工程で得られ
た混合物からなる１又は２以上の未焼成誘電体磁器層を
少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟持させてなる
積層体を形成する工程と、該積層体を焼成する工程とを
備え、前記ＭＺＳを形成する工程で原料として使用され
たＳｉＯ2 が結晶質のＳｉＯ2 のみからなるものであ
る。
【０００７】ここで、結晶質のＳｉＯ2 のみからなると
は、ＳｉＯ2 の全てが結晶質ＳｉＯ2 からなる場合のみ
ならず、不純物程度の非晶質ＳｉＯ2 を含む場合を含む
意味である。ＭｇＯとＺｎＯに結晶質ＳｉＯ2 を過剰に
混合して仮焼すると、これらが固相反応してＭＺＳが生
成し、結晶質のＳｉＯ2 の一部が未反応の状態で残る。
仮焼温度は９００〜１２００℃、仮焼時間は２〜４時間
が好ましい。前記結晶質のＳｉＯ2 の平均一次粒子径は
２μｍ以下が好ましい。
は、ＳｉＯ2 の全てが結晶質ＳｉＯ2 からなる場合のみ
ならず、不純物程度の非晶質ＳｉＯ2 を含む場合を含む
意味である。ＭｇＯとＺｎＯに結晶質ＳｉＯ2 を過剰に
混合して仮焼すると、これらが固相反応してＭＺＳが生
成し、結晶質のＳｉＯ2 の一部が未反応の状態で残る。
仮焼温度は９００〜１２００℃、仮焼時間は２〜４時間
が好ましい。前記結晶質のＳｉＯ2 の平均一次粒子径は
２μｍ以下が好ましい。
【０００８】また、前記誘電体磁器組成物又は前記混合
物は、一般式 Ｘ（Ｍｇa Ｚｎ(1-a) ）X ＳｉＯX+2 −ＹＡｌ2 Ｏ3 −
ＺＳｒＴｉＯ3 で表される主成分と、Ｎｂ，Ｔａ及びＷから選択された
１種又は２種以上の元素の化合物からなる添加成分を含
有し、前記主成分を構成する珪酸マグネシウム・亜鉛
（ＭＺＳ）、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｒＴｉＯ3 のモル比
［％］が、これら３種の化合物のモル比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）
を示す３成分組成図、すなわち図１に於いて、 Ａ（９４．９， ０．１， ５．０） Ｂ（８５．０， １０．０， ５．０） Ｃ（６５．０， １０．０， ２５．０） Ｄ（６５．０， ０．１， ３４．９） で示される各点Ａ〜Ｄを頂点とする多角形で囲まれた範
囲にあり、前記主成分を表す一般式中のａ及びｘの値
が、 ０．１≦ａ≦０．８ ０．６７≦ｘ≦１．５ の範囲にあり、前記添加成分がＮｂＯ5/2 ，ＴａＯ5/2
又はＷＯ3 に換算して０．０１〜０．２モル％含有され
ているものが特に好ましい。
物は、一般式 Ｘ（Ｍｇa Ｚｎ(1-a) ）X ＳｉＯX+2 −ＹＡｌ2 Ｏ3 −
ＺＳｒＴｉＯ3 で表される主成分と、Ｎｂ，Ｔａ及びＷから選択された
１種又は２種以上の元素の化合物からなる添加成分を含
有し、前記主成分を構成する珪酸マグネシウム・亜鉛
（ＭＺＳ）、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｒＴｉＯ3 のモル比
［％］が、これら３種の化合物のモル比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）
を示す３成分組成図、すなわち図１に於いて、 Ａ（９４．９， ０．１， ５．０） Ｂ（８５．０， １０．０， ５．０） Ｃ（６５．０， １０．０， ２５．０） Ｄ（６５．０， ０．１， ３４．９） で示される各点Ａ〜Ｄを頂点とする多角形で囲まれた範
囲にあり、前記主成分を表す一般式中のａ及びｘの値
が、 ０．１≦ａ≦０．８ ０．６７≦ｘ≦１．５ の範囲にあり、前記添加成分がＮｂＯ5/2 ，ＴａＯ5/2
又はＷＯ3 に換算して０．０１〜０．２モル％含有され
ているものが特に好ましい。
【０００９】ここで、ＭＺＳのモル比［％］を上記の範
囲としたのは、ＭＺＳのモル比［％］が上記の範囲を逸
脱すると、１１００℃以下の焼成で緻密な焼結体が得ら
れなくなるか、誘電率εr が１５より大きくなり、温度
係数ＴＣＣもマイナス側に大きくなり過ぎるからであ
る。
囲としたのは、ＭＺＳのモル比［％］が上記の範囲を逸
脱すると、１１００℃以下の焼成で緻密な焼結体が得ら
れなくなるか、誘電率εr が１５より大きくなり、温度
係数ＴＣＣもマイナス側に大きくなり過ぎるからであ
る。
【００１０】また、Ａｌ2 Ｏ3 のモル比［％］を上記の
範囲としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 のモル比［％］が上記の範
囲を逸脱すると、１１００℃以下の焼成で緻密な焼結体
が得られなくなるからである。
範囲としたのは、Ａｌ2 Ｏ3 のモル比［％］が上記の範
囲を逸脱すると、１１００℃以下の焼成で緻密な焼結体
が得られなくなるからである。
【００１１】また、ＳｒＴｉＯ3 のモル比［％］を上記
の範囲としたのは、ＳｒＴｉＯ3 のモル比［％］が上記
の範囲より大きくなると、誘電率εr が１５より大きく
なったり、温度係数ＴＣＣがマイナス側に大きくなり過
ぎ、また、ＳｒＴｉＯ3 のモル比［％］が上記の範囲よ
り小さくなると、１１００℃以下の焼成で緻密な焼結体
が得られなくなるからである。
の範囲としたのは、ＳｒＴｉＯ3 のモル比［％］が上記
の範囲より大きくなると、誘電率εr が１５より大きく
なったり、温度係数ＴＣＣがマイナス側に大きくなり過
ぎ、また、ＳｒＴｉＯ3 のモル比［％］が上記の範囲よ
り小さくなると、１１００℃以下の焼成で緻密な焼結体
が得られなくなるからである。
【００１２】また、ａの値を上記の範囲としたのは、ａ
の値が上記の範囲より大きくなると、１１００℃以下の
焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、ａの値が上記の
範囲より小さくなると、焼結体の内部にポアが多く生成
し、Ｑ値が１０００より小さくなるからである。
の値が上記の範囲より大きくなると、１１００℃以下の
焼成で緻密な焼結体が得られなくなり、ａの値が上記の
範囲より小さくなると、焼結体の内部にポアが多く生成
し、Ｑ値が１０００より小さくなるからである。
【００１３】また、ｘの値を上記の範囲としたのは、ｘ
の値が上記の範囲より大きくなると、１１００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなり、ｘの値が上記の範囲
より小さくなると、焼成の際の適正温度幅が非常に狭く
なって融着し易くなり、焼結体中にポアが多く生成し、
Ｑ値が１０００より小さくなるからである。
の値が上記の範囲より大きくなると、１１００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなり、ｘの値が上記の範囲
より小さくなると、焼成の際の適正温度幅が非常に狭く
なって融着し易くなり、焼結体中にポアが多く生成し、
Ｑ値が１０００より小さくなるからである。
【００１４】前記添加成分をＮｂＯ5/2 ，ＴａＯ5/2 又
はＷＯ3 に換算して０．０１〜０．２モル％としたの
は、０．０１モル％より少ないと、リーク電流の改善効
果がなく、０．２モル％を越えると１１００℃以下の焼
成で、緻密な焼結体が得られなくなるからである。これ
らの添加成分は単独で添加しても、混合状態で添加して
も同様の効果がある。
はＷＯ3 に換算して０．０１〜０．２モル％としたの
は、０．０１モル％より少ないと、リーク電流の改善効
果がなく、０．２モル％を越えると１１００℃以下の焼
成で、緻密な焼結体が得られなくなるからである。これ
らの添加成分は単独で添加しても、混合状態で添加して
も同様の効果がある。
【００１５】ＭＺＳ，Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｒＴｉＯ3 から
なる混合物の仮焼は行っても、行わなくても、所望の特
性は得られるが、仮焼の有無で電気的特性は変化する。
ただし、仮焼は添加成分と主成分、或いは添加成分同志
で反応が起こり、結晶系が変化し、急激に収縮が生じた
り、収縮率が大きくなる場合に有効である。すなわち、
デラミネーション、クラック等の構造欠陥の抑制に有効
である。この仮焼は７００〜９００℃で２〜４時間が好
ましい。また、前記積層体は９５０〜１１００℃で１〜
４時間焼成するのが好ましい。
なる混合物の仮焼は行っても、行わなくても、所望の特
性は得られるが、仮焼の有無で電気的特性は変化する。
ただし、仮焼は添加成分と主成分、或いは添加成分同志
で反応が起こり、結晶系が変化し、急激に収縮が生じた
り、収縮率が大きくなる場合に有効である。すなわち、
デラミネーション、クラック等の構造欠陥の抑制に有効
である。この仮焼は７００〜９００℃で２〜４時間が好
ましい。また、前記積層体は９５０〜１１００℃で１〜
４時間焼成するのが好ましい。
【００１６】内部電極の材料としてはＰｄを使用するこ
とができるが、Ａｇ，Ｐｔを用いてもよい。磁器コンデ
ンサは単層タイプのもの及び積層タイプのもののいずれ
にも適用でき、更には、前記積層コンデンサを構成要素
の一つとする複合部品にも適用できる。また、この発明
に係る磁器コンデンサは、１ＭＨｚ程度の周波領域で
も、また、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波領域でも使
用できる。
とができるが、Ａｇ，Ｐｔを用いてもよい。磁器コンデ
ンサは単層タイプのもの及び積層タイプのもののいずれ
にも適用でき、更には、前記積層コンデンサを構成要素
の一つとする複合部品にも適用できる。また、この発明
に係る磁器コンデンサは、１ＭＨｚ程度の周波領域で
も、また、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波領域でも使
用できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、出発原料として、ＭｇＯ、
ＺｎＯ及びＳｉＯ2 を表１に示すような配合比率（ｍｏ
ｌ％）になるように秤量し、これらの化合物をボールミ
ルに入れ、湿式で１５時間粉砕混合し、これらの混合物
からな泥漿を得た。ここで、ＳｉＯ2は、平均１次粒子
径（ＳＥＭによる）が０．１μｍの非晶質シリカと、平
均１次粒子径（ＳＥＭによる）が１．５μｍの結晶質シ
リカを使用した。そして、この泥漿をボールミルから取
り出して濾過し、ケーキの部分を熱風式乾燥器に入れ、
１５０℃で充分に乾燥させ、上記化合物からなる混合物
の粉末を得た。
ＺｎＯ及びＳｉＯ2 を表１に示すような配合比率（ｍｏ
ｌ％）になるように秤量し、これらの化合物をボールミ
ルに入れ、湿式で１５時間粉砕混合し、これらの混合物
からな泥漿を得た。ここで、ＳｉＯ2は、平均１次粒子
径（ＳＥＭによる）が０．１μｍの非晶質シリカと、平
均１次粒子径（ＳＥＭによる）が１．５μｍの結晶質シ
リカを使用した。そして、この泥漿をボールミルから取
り出して濾過し、ケーキの部分を熱風式乾燥器に入れ、
１５０℃で充分に乾燥させ、上記化合物からなる混合物
の粉末を得た。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、この混合物の粉末を加熱炉に入れ、
大気中において１１００℃で３時間仮焼し、混合物を構
成している化合物を相互に反応させ、ＭＺＳを得た。こ
のＭＺＳは（Ｍｇ0.8 Ｚｎ0.2 ）ＳｉＯ3 となるものと
考えられる。そして、このＭＺＳをボールミルに入れ、
湿式で充分に粉砕してＭＺＳの泥漿を形成した。更に、
この泥漿を取り出して濾過し、ケーキの部分を乾燥器に
入れ、１５０℃で充分に乾燥させ、ＭＺＳの乾燥粉末を
得た。
大気中において１１００℃で３時間仮焼し、混合物を構
成している化合物を相互に反応させ、ＭＺＳを得た。こ
のＭＺＳは（Ｍｇ0.8 Ｚｎ0.2 ）ＳｉＯ3 となるものと
考えられる。そして、このＭＺＳをボールミルに入れ、
湿式で充分に粉砕してＭＺＳの泥漿を形成した。更に、
この泥漿を取り出して濾過し、ケーキの部分を乾燥器に
入れ、１５０℃で充分に乾燥させ、ＭＺＳの乾燥粉末を
得た。
【００２０】次に、ＭＺＳ、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｒＴｉＯ
3 を表２に示すような配合比率（ｍｏｌ％）になるよう
に秤量し、これらをボールミルに入れ、湿式で充分に混
合し、これらの混合物からなる泥漿を得た。そして、こ
の泥漿を取り出して濾過し、ケーキの部分を乾燥器に入
れ、１５０℃で充分に乾燥させ、上記化合物からなる混
合物の粉末を得た。
3 を表２に示すような配合比率（ｍｏｌ％）になるよう
に秤量し、これらをボールミルに入れ、湿式で充分に混
合し、これらの混合物からなる泥漿を得た。そして、こ
の泥漿を取り出して濾過し、ケーキの部分を乾燥器に入
れ、１５０℃で充分に乾燥させ、上記化合物からなる混
合物の粉末を得た。
【００２１】
【表２】
【００２２】次に、この混合物の粉末に有機溶剤、有機
バインダー、可塑剤等を加えて混合し、上記混合物のス
ラリーを形成し、このスラリーを用い、ドクターブレー
ド法で厚さ４０μｍのセラミックグリーンシートを形成
した。そして、このセラミックグリーンシートにＰｄペ
ーストからなる内部電極パターンを印刷し、このセラミ
ックグリーンシートを交互に１１枚積層・圧着して１０
層の積層体を作成し、得られた積層体を切断して複数の
チップ積層体を得た。
バインダー、可塑剤等を加えて混合し、上記混合物のス
ラリーを形成し、このスラリーを用い、ドクターブレー
ド法で厚さ４０μｍのセラミックグリーンシートを形成
した。そして、このセラミックグリーンシートにＰｄペ
ーストからなる内部電極パターンを印刷し、このセラミ
ックグリーンシートを交互に１１枚積層・圧着して１０
層の積層体を作成し、得られた積層体を切断して複数の
チップ積層体を得た。
【００２３】次に、このチップ積層体を大気中で加熱
し、まず、セラミックグリーンシート中に含まれている
有機バインダーを燃焼除去させ、その後、１１００℃で
２時間焼成し、チップ積層体を焼結させた。
し、まず、セラミックグリーンシート中に含まれている
有機バインダーを燃焼除去させ、その後、１１００℃で
２時間焼成し、チップ積層体を焼結させた。
【００２４】次に、チップ積層体の両端部にＡｇペース
トを塗布し、７００℃で１５分間焼き付けて、積層磁器
コンデンサを形成した。この積層磁器コンデンサは、試
料サイズ１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、有効交
差面積０．０５ｍｍ2 、誘電体層１層当たりの厚み３０
μｍである。
トを塗布し、７００℃で１５分間焼き付けて、積層磁器
コンデンサを形成した。この積層磁器コンデンサは、試
料サイズ１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、有効交
差面積０．０５ｍｍ2 、誘電体層１層当たりの厚み３０
μｍである。
【００２５】次に、この積層磁器コンデンサの静電容量
Ｃ及びＱ値を信頼性試験の前後に測定したところ、表３
に示す通りであった。ここで、積層磁器コンデンサの静
電容量Ｃ及びＱ値は、インピーダンスアナライザー（Ｈ
Ｐ４２８４Ａ）を用い、室温・１ＭＨｚ・１Ｖrms の条
件で求めた。また、信頼性試験は、１２５℃のオイル中
で試料に６００ＶのＤＣを印加し、２４時間後の静電容
量Ｃ及びＱ値を求めるという方法で行なった。
Ｃ及びＱ値を信頼性試験の前後に測定したところ、表３
に示す通りであった。ここで、積層磁器コンデンサの静
電容量Ｃ及びＱ値は、インピーダンスアナライザー（Ｈ
Ｐ４２８４Ａ）を用い、室温・１ＭＨｚ・１Ｖrms の条
件で求めた。また、信頼性試験は、１２５℃のオイル中
で試料に６００ＶのＤＣを印加し、２４時間後の静電容
量Ｃ及びＱ値を求めるという方法で行なった。
【００２６】
【表３】
【００２７】以上の結果から、積層磁器コンデンサのＱ
値は、誘電体磁器組成物の原料の１つであるＳｉＯ2 と
して非晶質シリカを用いたものが信頼性試験の後で１２
４３から６０８に低下しているのに対し、結晶質シリカ
を用いたものは信頼性試験の後で１４５０から１４７８
とほゞ同じ水準を保っていることがわかる。
値は、誘電体磁器組成物の原料の１つであるＳｉＯ2 と
して非晶質シリカを用いたものが信頼性試験の後で１２
４３から６０８に低下しているのに対し、結晶質シリカ
を用いたものは信頼性試験の後で１４５０から１４７８
とほゞ同じ水準を保っていることがわかる。
【００２８】また、各積層磁器コンデンサの誘電体層の
誘電体磁器組成物をＸ線回折で調べたところ、誘電体磁
器組成物の原料の１つとして結晶性のシリカのみを用い
たものは図２のＸＲＤ中に黒丸で示したように、ＳｉＯ
2 のピークが現われ、非晶質のシリカを用いたものは図
３に示されているようにＳｉＯ2 のピークが現われなか
った。
誘電体磁器組成物をＸ線回折で調べたところ、誘電体磁
器組成物の原料の１つとして結晶性のシリカのみを用い
たものは図２のＸＲＤ中に黒丸で示したように、ＳｉＯ
2 のピークが現われ、非晶質のシリカを用いたものは図
３に示されているようにＳｉＯ2 のピークが現われなか
った。
【００２９】なお、上記実施例ではＭＺＳ，Ａｌ2 Ｏ3
及びＳｒＴｉＯ3 からなる混合物の仮焼は行なっていな
いが、７００〜９００℃で２〜４時間の条件で仮焼する
ことによって特性の安定化が若干図られた。また、上記
実施例では積層タイプの磁器コンデンサについて説明し
たが、単層タイプの磁器コンデンサでも同様の結果が得
られた。
及びＳｒＴｉＯ3 からなる混合物の仮焼は行なっていな
いが、７００〜９００℃で２〜４時間の条件で仮焼する
ことによって特性の安定化が若干図られた。また、上記
実施例では積層タイプの磁器コンデンサについて説明し
たが、単層タイプの磁器コンデンサでも同様の結果が得
られた。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、１ＭＨｚ程度の周波
数領域におけるＱ値が信頼性験（負荷試験）後に低下し
ない磁器コンデンサを得ることができるという効果があ
る。
数領域におけるＱ値が信頼性験（負荷試験）後に低下し
ない磁器コンデンサを得ることができるという効果があ
る。
【図１】ＭＺＳ、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｒＴｉＯ3 のモル比
［％］を示す３成分組成図である。
［％］を示す３成分組成図である。
【図２】結晶質シリカを用いて形成した誘電体磁器組成
物のＸ線回折の結果を示すグラフである。
物のＸ線回折の結果を示すグラフである。
【図３】非晶質シリカを用いて形成した誘電体磁器組成
物のＸ線回折の結果を示すグラフである。
物のＸ線回折の結果を示すグラフである。
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、該誘電体磁器層を挟持している少な
くとも２以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組成
物が、珪酸マグネシウム・亜鉛[(MgaZn(1-a))xSiOx+2]
（以下、「ＭＺＳ」という。）とＡｌ2 Ｏ3 とＳｒＴｉ
Ｏ3 とを含有する混合物の焼結体からなり、該ＭＺＳ中
に含まれているＳｉＯ2 が結晶質のＳｉＯ2 のみからな
ることを特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 前記誘電体磁器組成物が、一般式 Ｘ（Ｍｇa Ｚｎ(1-a) ）X ＳｉＯX+2 −ＹＡｌ2 Ｏ3 −
ＺＳｒＴｉＯ3 で表される主成分と、Ｎｂ，Ｔａ及びＷから選択された
１種又は２種以上の元素の化合物からなる添加成分を含
有し、前記主成分を構成する珪酸マグネシウム・亜鉛
（ＭＺＳ）、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｒＴｉＯ3 のモル比
［％］が、これら３種の化合物のモル比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）
を示す３成分組成図に於いて、 Ａ（９４．９， ０．１， ５．０） Ｂ（８５．０， １０．０， ５．０） Ｃ（６５．０， １０．０， ２５．０） Ｄ（６５．０， ０．１， ３４．９） で示される各点Ａ〜Ｄを頂点とする多角形で囲まれた範
囲にあり、 前記主成分を表す一般式中のａ及びｘの値が、 ０．１≦ａ≦０．８ ０．６７≦ｘ≦１．５ の範囲にあり、 前記添加成分がＮｂＯ5/2 ，ＴａＯ5/2 又はＷＯ3 に換
算して０．０１〜０．２モル％含有されていることを特
徴とする請求項１に記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項３】 ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＳｉＯ2 を混合して
仮焼することにより珪酸マグネシウム・亜鉛（ＭＺＳ）
を形成する工程と、この工程で得られたものにＡｌ2 Ｏ
3 とＳｒＴｉＯ3 を加えて混合する工程と、この工程で
得られた混合物からなる１又は２以上の未焼成誘電体磁
器層を少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟持させ
てなる積層体を形成する工程と、該積層体を焼成する工
程とを備え、前記ＭＺＳを形成する工程で原料として使
用されたＳｉＯ2 が結晶質のＳｉＯ2 のみからなること
を特徴とする磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 前記ＳｉＯ2 の平均一次粒子径が２μｍ
以下であることを特徴とする請求項３に記載の磁器コン
デンサの製造方法。 - 【請求項５】 前記混合物が、一般式 Ｘ（Ｍｇa Ｚｎ(1-a) ）X ＳｉＯX+2 −ＹＡｌ2 Ｏ3 −
ＺＳｒＴｉＯ3 で表される主成分と、Ｎｂ，Ｔａ及びＷから選択された
１種又は２種以上の元素の化合物からなる添加成分を含
有し、 前記主成分を構成する珪酸マグネシウム・亜鉛（ＭＺ
Ｓ）、Ａｌ2 Ｏ3 及びＳｒＴｉＯ3 のモル比［％］が、
これら３種の化合物のモル比（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を示す３成
分組成図に於いて、 Ａ（９４．９， ０．１， ５．０） Ｂ（８５．０， １０．０， ５．０） Ｃ（６５．０， １０．０， ２５．０） Ｄ（６５．０， ０．１， ３４．９） で示される各点Ａ〜Ｄを頂点とする多角形で囲まれた範
囲にあり、 前記主成分を表す一般式中のａ及びｘの値が、 ０．１≦ａ≦０．８ ０．６７≦ｘ≦１．５ の範囲にあり、 前記添加成分がＮｂＯ5/2 ，ＴａＯ5/2 又はＷＯ3 に換
算して０．０１〜０．２モル％含有されていることを特
徴とする請求項３又は４に記載の磁器コンデンサの製造
方法。 - 【請求項６】 前記ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＳｉＯ2 を混合
して仮焼する際の仮焼温度が９００〜１２００℃、仮焼
時間が２〜５時間であることを特徴とする請求項３〜５
のいずれかに記載の磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項７】 前記混合物を７００〜９００℃で２〜４
時間仮焼することを特徴とする請求項３〜６のいずれか
に記載の磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項８】 前記積層体を９５０〜１１００℃で１〜
４時間焼成することを特徴とする請求項３〜７のいずれ
かに記載の磁器コンデンサの製造方法。
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| JP30963097A JP3219723B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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| JPH11126726A JPH11126726A (ja) | 1999-05-11 |
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| KR200495769Y1 (ko) * | 2020-03-30 | 2022-08-16 | (주) 자바라이프 | 고양이 화장실용 모래튀김 방지장치 |
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