JP3219257B2 - 有機ケイ素化合物及びその製造方法 - Google Patents
有機ケイ素化合物及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3219257B2 JP3219257B2 JP01343393A JP1343393A JP3219257B2 JP 3219257 B2 JP3219257 B2 JP 3219257B2 JP 01343393 A JP01343393 A JP 01343393A JP 1343393 A JP1343393 A JP 1343393A JP 3219257 B2 JP3219257 B2 JP 3219257B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- phenoxycarbonyl
- liquid crystal
- phenoxy
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 title claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 30
- -1 silicon hydride compound Chemical class 0.000 claims description 27
- 125000006678 phenoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 26
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 16
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 6
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 6
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LWXQXDZGHKMSFW-SFHVURJKSA-N CC[C@H](C)COC(=O)C1=CC=C(C=C1)OC(=O)C2=CC=C(C=C2)OCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl Chemical compound CC[C@H](C)COC(=O)C1=CC=C(C=C1)OC(=O)C2=CC=C(C=C2)OCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LWXQXDZGHKMSFW-SFHVURJKSA-N 0.000 description 5
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005359 phenoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFGLMHGCRSRSMH-SFHVURJKSA-N CC[C@H](C)COC(=O)C1=CC=C(C=C1)OC(=O)C2=CC=C(C=C2)OCCCC=C Chemical compound CC[C@H](C)COC(=O)C1=CC=C(C=C1)OC(=O)C2=CC=C(C=C2)OCCCC=C BFGLMHGCRSRSMH-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- LODSETKRCKHTIW-UHFFFAOYSA-N (4-hexoxycarbonylphenyl) 4-(3-trichlorosilylpropoxy)benzoate Chemical compound C1=CC(C(=O)OCCCCCC)=CC=C1OC(=O)C1=CC=C(OCCC[Si](Cl)(Cl)Cl)C=C1 LODSETKRCKHTIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQQKUZDJSZVTFZ-UHFFFAOYSA-N 4-pent-4-enoxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(OCCCC=C)C=C1 RQQKUZDJSZVTFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXIKSNUGGNDBEZ-SFHVURJKSA-N CCC[C@H](C)COC(C(C=C1)=CC=C1OC(C(C=C1)=CC=C1OCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl)=O)=O Chemical compound CCC[C@H](C)COC(C(C=C1)=CC=C1OC(C(C=C1)=CC=C1OCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl)=O)=O LXIKSNUGGNDBEZ-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- JZWFQYZEUASEIE-UHFFFAOYSA-N CCOC(C(C=C1)=CC=C1OC(C(C=C1)=CC=C1OCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)Cl)=O)=O Chemical compound CCOC(C(C=C1)=CC=C1OC(C(C=C1)=CC=C1OCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)Cl)=O)=O JZWFQYZEUASEIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXMMMTPGEHIFBB-OAQYLSRUSA-N CC[C@@H](C)COC(C(C=C1)=CC=C1OC(C(C=C1)=CC=C1OCCCCC[Si](OC)(OC)OC)=O)=O Chemical compound CC[C@@H](C)COC(C(C=C1)=CC=C1OC(C(C=C1)=CC=C1OCCCCC[Si](OC)(OC)OC)=O)=O MXMMMTPGEHIFBB-OAQYLSRUSA-N 0.000 description 1
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCVMFKRVGOAHAA-VIFPVBQESA-N [(2s)-2-methylbutyl] 4-hydroxybenzoate Chemical compound CC[C@H](C)COC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 YCVMFKRVGOAHAA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- WHYRMRWGLUKQTI-UHFFFAOYSA-N chloro(diethoxy)silane Chemical compound CCO[SiH](Cl)OCC WHYRMRWGLUKQTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007033 dehydrochlorination reaction Methods 0.000 description 1
- XAFJSPPHVXDRIE-UHFFFAOYSA-N dichloroplatinum;triphenylphosphanium Chemical compound Cl[Pt]Cl.C1=CC=CC=C1[PH+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1[PH+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XAFJSPPHVXDRIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000011356 non-aqueous organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- QBERHIJABFXGRZ-UHFFFAOYSA-M rhodium;triphenylphosphane;chloride Chemical compound [Cl-].[Rh].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QBERHIJABFXGRZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N tribromosilane Chemical compound Br[SiH](Br)Br IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWDQAHIRKOXFAV-UHFFFAOYSA-N trichloro(pentyl)silane Chemical compound CCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl KWDQAHIRKOXFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
ターの画像等を表示する液晶を用いた平面表示パネル等
に用いる液晶配向膜等を形成する材料として有用な新規
物質である有機ケイ素化合物及びその製造方法に関す
る。
示装置は、マトリックス状に配置された対向電極を形成
した2つの電極の間に、ポリビニルアルコールやポリイ
ミドを塗布して形成した液晶配向膜を介して液晶を封入
した装置が一般的であった。
製造方法としてはLangmuir−Blodgett
法による膜(LB膜)を用いる方法がある。この方法は
水面上に形成された界面吸着剤の単分子膜を電極上に移
し取り、単分子層を電極上に固定、またはこれを繰り返
すことによって単分子膜を累積したものを電極上に固定
するというものであり、その後熱処理をして配向膜とし
て用いる。また化学吸着膜についてもいくつかの提案が
なされている(EPC0476543A、特公昭58−
57082号公報、特開平3−7913号公報)。
液晶配向膜の作成はポリビニルアルコールやポリイミド
を有機溶媒に溶解させ回転塗布法等を用いて塗布形成し
た後、フェルト布等を用いてラビングを行なう方法が用
いられていたため、大面積パネルでは液晶配向膜の均一
コーティングが難しく、また、回転塗布では塗布厚が数
μm程度にもなり、強誘電性液晶のような100オング
ストローム程度の厚みの液晶配向膜を必要とする表示パ
ネルでは、性能が大幅に低減されるという大きな欠点が
あった。
るための方法としては、長鎖の有機化合物を使用しLa
ngmuir−Blodgett法(LB法)によって
単分子膜の液晶配向膜を形成する方法が考えられが、L
B法によって形成された単分子膜は本質的に基体に物理
吸着しているだけであるため、基体表面から簡単に蒸
発、飛散等により離脱してしまうという問題点を有して
いた。さらに化学吸着膜についても改良が望まれてい
た。
め、基体表面に単分子膜の液晶配向膜を形成するにあた
り、単分子膜を基体表面に容易にしかも均一で強固に吸
着させることのできる新規な長鎖の有機ケイ化合物及び
その製造方法を提供することを目的とする。
めになされた本発明の新規物質は、前記一般式(化1)
(式中、Rは炭素数1以上10以下のアルキル基、
X1 ,X2 ,X3 は同一または異種のハロゲン原子また
は炭素数1以上4以下のアルコキシ基、nは3以上10
以下の整数)で示される有機ケイ素化合物である。
る炭素数4以上10以下のアルキル基であることが、液
晶配向膜を形成するには好ましい。次に本発明の製造方
法は、前記一般式(化2)(式中、Rは炭素数1以上1
0以下のアルキル基、nは3以上10以下の整数)で示
される4−(4−(アルキルオキシカルボニル)フェノ
キシカルボニル)フェノキシアルケン化合物と、前記一
般式(化3)(式中、X1,X2,X3は同一または異種
のハロゲン原子または炭素数1以上4以下のアルコキシ
基)で示される水素化ケイ素化合物とを、白金触媒の存
在下に反応させることを特徴とする。
素化合物は、Si−X基が基体表面のヒドロキシ基と反
応したり、加水分解してシロキサン結合等の共有結合を
起こす。これにより、基体表面に化学吸着する。本発明
の化合物から得られる単分子膜は、基体表面で化学的に
強固に結合しているので蒸発、飛散等による脱離がなく
強固に均一膜を形成している。
大面積表示パネルあるいは強誘電性液晶パネルの液晶配
向膜として応用される。
説明する。本発明の新規化合物は、たとえば4−(4−
(アルキルオキシカルボニル)フェノキシカルボニル)
フェノキシアルキル)トリハロゲノシラン、4−(4−
(アルキルオキシカルボニル)フェノキシカルボニル)
フェノキシアルキル)アルコキシジハロゲノシラン、4
−(4−(アルキルオキシカルボニル)フェノキシカル
ボニル)フェノキシアルキル)ジアルコキシハロゲノシ
ラン、4−(4−(アルキルオキシカルボニル)フェノ
キシカルボニル)フェノキシアルキル)トリアルコキシ
シラン等である。酸素に結合しているアルキル基は炭素
数1から10の直鎖または枝分かれしたアルキル基で、
用途によっては不斉炭素を有することが好ましい。ケイ
素に直接結合しているアルキル基は直鎖であり、炭素数
は3から10である。アルコキシの炭素数は1から4で
ある。ハロゲンは塩素でもよく臭素でもよい。
を挙げることができる。下記式(化4)に示す、(3−
(4−(4−(ヘキシルオキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)プロピル)トリクロロシラン
−(エトキシカルボニル)フェノキシカルボニル)フェ
ノキシ)オクチル)クロロジエトキシシラン
−((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキ
シカルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリクロロシラ
ン
−((R)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキ
シカルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリメトキシシ
ラン
−((S)−2−メチルペンチルオキシカルボニル)フ
ェノキシカルボニル)フェノキシ)ブチル)トリクロロ
シラン
化合物とアルキルオキシカルボニルアルケン化合物とを
反応させることにより得られる。水素化ケイ素化合物と
反応させる(4−(4−(アルキルオキシカルボニル)
フェノキシカルボニル)フェノキシアルケン化合物は、
炭素数3から10の直鎖状1−アルケンの末端に(4−
(4−(アルキルオキシカルボニル)フェノキシカルボ
ニル)フェノキシ基を結合している化合物で、例えば下
記式(化9)に示す、3−(4−(4−(ヘキシルオキ
シカルボニル)フェノキシカルボニル)フェノキシ)−
1−プロペン
−(エトキシカルボニル)フェノキシカルボニル)フェ
ノキシ)−1−オクテン
−((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキ
シカルボニル)フェノキシ)−1−ペンテン
−((R)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキ
シカルボニル)フェノキシ)−1−ペンテン
−((S)−2−メチルペンチルオキシカルボニル)フ
ェノキシカルボニル)フェノキシ)−1−ブテンなどが
挙げられる。
(アルキルオキシカルボニル)フェノール化合物と4−
アルケニルオキシ安息香酸より容易に合成できる。(4
−(4−(アルキルオキシカルボニル)フェノキシカル
ボニル)フェノキシアルケン化合物と反応させる水素化
ケイ素化合物は、モノシランの4個の水素原子のうちの
3個をハロゲンまたはアルキロキシ基で置換したモノシ
ラン誘導体化合物である。ハロゲンは、塩素、臭素など
である。アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基
等が例示される。
は、例えば、トリクロロシラン[HSiCl3 ]、トリ
ブロモシラン[HSiBr3 ]、トリメトキシシラン
[HSi(OCH3 )3 、トリエトキシシラン[HSi
(OCH2 CH3 )3 ]、ジエトキシクロロシラン[H
SiCl(OCH2 CH3 )2 ]等が挙げられる。
キルオキシカルボニル)フェノキシカルボニル)フェノ
キシアルケン化合物との反応には白金触媒が用いられ
る。具体的には、ヘキサクロロ白金(IV)酸水素[H2
PtCl6]、ジクロロビス(トリフェニルホスフィ
ン)白金(II)[PtCl2(PPh3)2]等が用いら
れる。これらの白金触媒に、ジクロロビス(トリフェニ
ルホスフィン)パラジウム(II)[PdCl2(PP
h3)2]、またはクロロトリス(トリフェニルホスフィ
ン)ロジウム(I)[RhCl(PPh3)3]等を組み
合わせて用いてもよい。
オキシカルボニルアルケン化合物に対し、10から50
0ppmが適当である。上記の反応には、反応釜に撹拌
機、温度計、還流冷却器、滴下ロートを備えた反応器を
使用するとよい。反応温度は20から150℃とし、上
記の水素化ケイ素化合物を反応釜中のアルキルオキシカ
ルボニルアルケン化合物に滴下しながら行うとよい。必
要に応じ、反応溶媒としてトルエン、キシレン、テトラ
ヒドロフラン(THF)などの非プロトン系溶媒を用い
てもよい。
高純度のアルキルオキシカルボニルアルケン化合物が得
られる。得られた化合物についての確認は、質量スペク
トル、核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペクトルなど
を用いて測定すればよい。
カルボニル基含有ケイ素化合物からは、以下の方法で基
体表面に単分子膜を形成できる。上記の化合物をヘキサ
ン、クロロホルム、四塩化炭素などの非水系有機溶媒に
溶解する。得られた溶媒中に単分子膜を形成しようとす
る基体を浸漬して引き上げる。基体表面にはその溶液を
スプレーやローラー等で塗布してもよい。塗布終了後、
基体を水洗処理し、常温で放置するかあるいは加熱下で
乾燥すると(4−(4−(アルキルオキシカルボニル)
フェノキシカルボニル)フェノキシ基含有ケイ素化合物
の単分子膜が定着する。単分子膜の膜厚は(4−(4−
(アルキルオキシカルボニル)フェノキシカルボニル)
フェノキシアルケン化合物のアルキル基の炭素数で調節
出来る。
ニル)フェノキシカルボニル)フェノキシ)−1−ペン
テンの合成 撹拌機、還流冷却器、温度計および滴下ロートを備えた
200mlガラスフラスコの反応器に4−(4−ペンテ
ニルオキシ)安息香酸8.0g(0.04mol)及び
クロロホルム20mlを仕込んだ。ここへ、塩化チオニ
ル4.8g(0.04mol)を滴下ロートより滴下し
反応させた。さらにここへ、4−((S)−2−メチル
ブトキシカルボニル)フェノールタール8.0g(0.
04mol)とピリジン3.2g(0.04mol)お
よびクロロホルム60mlの混合液を滴下ロートより加
え3時間還流し反応させた。この反応液へ水20mlを
添加した後、有機層を分離し溶媒除去後、残査をエタノ
ールより再結晶することにより、5−(4−(4−
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)−1−ペンテン13.8gを
得た。 (A)質量スペクトル(MS):m/z(帰属) 396 (分子イオンピーク) (B)核磁気共鳴スペクトル(NMR):δ(ppm) スペクトルチャートは図1に示す通りである。 (C)赤外吸収スペクトル(IR):cm-1 スペクトルチャートは図2に示す通りである。
−(4−(4−((S)−2−メチルブトキシカルボニ
ル)フェノキシカルボニル)フェノキシ)−1−ペンテ
ンであることが確認された。
ボニル)フェノキシカルボニル)フェノキシ)ペンチ
ル)トリクロロシランの合成 撹拌機、還流冷却器、温度計および滴下ロートを備えた
200mlガラスフラスコの反応器に5−(4−(4−
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)−1−ペンテン10.0g
(0.025mol)及びH2 PtCl6 ・6H2 Oの
4容量%イソプロピルアルコール溶液0.07gおよび
トルエン100mlを仕込み、そこに滴下ロートよりト
リクロロシラン4.1g(0.03mol)を60から
70℃にて1時間かけて滴下し、70℃にて2時間熟成
した。この反応液を活性炭で処理したのち、減圧下で低
沸点成分を留去することにより、(5−(4−(4−
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリクロロシラン
12.7gを得た。
(NMR)、及び赤外吸収スペクトル(IR)の測定結
果を以下に示す。 (A)核磁気共鳴スペクトル(NMR):δ(ppm) スペクトルチャートは図3に示す通りである。 (B)赤外吸収スペクトル(IR):cm-1 スペクトルチャートは図4に示す通りである。
(5−(4−(4−((S)−2−メチルブトキシカル
ボニル)フェノキシカルボニル)フェノキシ)ペンチ
ル)トリクロロシランであることが確認できた。
る。まず、(5−(4−(4−((S)−2−メチルブ
トキシカルボニル)フェノキシカルボニル)フェノキ
シ)ペンチル)トリクロロシランの化学吸着単分子膜の
作成を行った。
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリクロロシラン
(化学吸着化合物)を1.0容量%の濃度で非水系混合
溶媒に溶かし、化学吸着剤を調整した。前記非水系混合
溶媒は、80容量%n−ヘキサデカン、12容量%四塩
化炭素、8容量%クロロホルム溶液からなる。この化学
吸着剤の中にガラス基板1および2を乾燥雰囲気下で浸
漬した。浸漬時間は1時間である。なお、前記ガラス基
板上の片側にはインジウム−錫合金酸化物の膜(ITO
蒸着膜)3,4が電極として形成されているため、表面
は自然酸化膜が存在し、水酸基(−OH)が存在する。
従って前記化学吸着化合物のクロロシリル基と、ITO
膜の表面の水酸基(−OH)とが下記式(化14)に示
すように脱塩化水素反応する。なお下記式(化14〜1
6)において、Qは(5−(4−(4−((S)−2−
メチルブトキシカルボニル)フェノキシカルボニル)フ
ェノキシ)ペンチル)基を示す。
0分間乾燥雰囲気下で洗浄し、未反応物を除去した。次
いで、乾燥雰囲気を解除して水洗を行なった。これによ
り下記式(化15)に示すようにクロロ基が水酸基に置
換する。
ように水酸基が脱水により架橋し、安定な結合となる。
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリクロロシラン
を用いた化学吸着膜5,6が、ITO膜の表面に共有結
合により形成できた。
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリクロロシラン
を原料に用いて化学吸着膜が形成された基板を用いて液
晶セルを作成した。
1および2を電極としてのITO蒸着膜3,4部分が互
いに向かい合うようにして前述のガラス基板の間にスペ
ーサー7,8を入れて挟み、そのガラス基板間に液晶9
を注入し、液晶セルを作製した。このようにして作製し
た液晶セルは電圧無印加時には一様なドメイン構造を形
成していると思われ、ホメオトロピック配向を示し、ま
た電圧印加時には均一な配向性を得ることができた。
実施例を図6を参照にして以下に説明する。
一の電極群10と、この電極を駆動するトランジスター
群11を有する第一の基板12上と、第一の電極群と対
向するようにカラーフィルター群13と、第二の電極1
4を有する第二の基板15とを用意する。
実施例の(5−(4−(4−((S)−2−メチルブト
キシカルボニル)フェノキシカルボニル)フェノキシ)
ペンチル)トリクロロシランのシラン系化学吸着化合物
を1.0容量%の濃度で溶かした80容量%n−ヘキサ
デカン、12容量%四塩化炭素、8容量%クロロホルム
溶液に乾燥雰囲気下で浸漬し、前記化学吸着化合物を吸
着させ、それぞれの基板表面の自然酸化膜とを前記実施
例2に示したと同様に化学結合させて、液晶配向膜16
を作製した。
第一の基板12と第二の基板15とをそれぞれ電極が対
向するように位置合わせして、互いの基板にスペーサー
17で間隙を設け、接着剤18で固定した。このように
して形成された間隙に液晶19を注入した。その後、偏
光板20、21を組み合わせて完成した。このようなデ
バイスでは、バックライト22を全面に照射しながら、
ビデオ信号を用いて各々のトランジスターを駆動すれば
矢印Aの方向に映像を表示できる。
て用いるシラン系化学吸着化合物に関するもので、配向
膜に自発分極を有する化学吸着化合物を用いていること
より、ラビング処理を必要としないため、従来のラビン
グ処理における問題点を解決するだけでなく、液晶の応
答速度を速くし、強誘電性液晶素子における双安定性を
得ることができるという優れたものである。
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)−1−ペンテンの核磁気共鳴
スペクトル(NMR)
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)−1−ペンテンの赤外吸収ス
ペクトル(IR)
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリクロロシラン
の核磁気共鳴スペクトル(NMR)
((S)−2−メチルブトキシカルボニル)フェノキシ
カルボニル)フェノキシ)ペンチル)トリクロロシラン
の赤外吸収スペクトル(IR)
シカルボニル)フェノキシカルボニル)フェノキシ)ペ
ンチル)トリクロロシランの化学吸着膜 7,8 スペーサー 9 液晶 10 第一の電極群 11 トランジスター群 12 第一の基板 13 カラーフィルター群 14 第二の電極 15 第二の基板 16 液晶配向膜 17 スペーサー 18 接着剤 19 液晶 20 偏光板 21 偏光板 22 バックライト
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式(化1)(式中、Rは炭素数1以
上10以下のアルキル基、X1 ,X2 ,X3 は同一また
は異種のハロゲン原子または炭素数1以上4以下のアル
コキシ基、nは3以上10以下の整数)で示される有機
ケイ素化合物。 【化1】 - 【請求項2】 Rが不斉炭素を有する炭素数4以上10
以下のアルキル基である請求項1記載の有機ケイ素化合
物。 - 【請求項3】 一般式(化2)(式中、Rは炭素数1以
上10以下のアルキル基、nは3以上10以下の整数)
で示される4−(4−(アルキルオキシカルボニル)フ
ェノキシカルボニル)フェノキシアルケン化合物と、一
般式(化3)(式中、X1,X2,X3は同一または異種
のハロゲン原子または炭素数1以上4以下のアルコキシ
基)で示される水素化ケイ素化合物とを、白金触媒の存
在下に反応させることを特徴とする有機ケイ素化合物の
製造方法。 【化2】 【化3】
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01343393A JP3219257B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01343393A JP3219257B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06234775A JPH06234775A (ja) | 1994-08-23 |
JP3219257B2 true JP3219257B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=11833005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01343393A Expired - Fee Related JP3219257B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3219257B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7070839B2 (en) | 1998-09-16 | 2006-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Functional film, method of fabricating the same, liquid crystal display device using functional film, and method of fabricating the same |
WO2000015428A1 (fr) * | 1998-09-16 | 2000-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film fonctionnel, procede de fabrication de ce film, element d'affichage a cristaux liquides utilisant ce film et procede de production de cet element d'affichage |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP01343393A patent/JP3219257B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06234775A (ja) | 1994-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2002086913A1 (fr) | Film mince organique conducteur et son procede de production, electrode et cable electrique utilisant ce film | |
JP2889768B2 (ja) | 3−チエニル基含有ケイ素化合物及びその製造方法 | |
Shimada et al. | Unusual reactivity of group 14 hydrides toward organic halides: Synthetic studies and application to functional materials | |
JP2000515923A (ja) | 液晶組成物および配列層 | |
JP3219257B2 (ja) | 有機ケイ素化合物及びその製造方法 | |
JP5295266B2 (ja) | エレクトロクロミック組成物、エレクトロクロミック組成物の形成方法、およびエレクトロクロミック装置 | |
US20120092602A1 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device and liquid crystal display device | |
US5702777A (en) | Silane couplers containing cyclic structural elements as alignment films | |
JP3109632B2 (ja) | アルキルオキシカルボニル基含有ケイ素化合物及びその製造方法 | |
JP3334812B2 (ja) | シラン系化学吸着化合物及びそれを用いた液晶配向膜並びに液晶表示装置 | |
JP2771926B2 (ja) | 化学吸着超薄膜とその製造方法及びその原料とその製造方法 | |
Arase et al. | Hydrophobic modification of SiO2 surface by aminosilane derivatives | |
JPH04217973A (ja) | 液晶性化合物、これを含む液晶組成物およびこれを利用した液晶素子、表示装置 | |
WO2004108845A1 (ja) | 透明被膜形成用塗布液、該被膜付基材および液晶表示セル | |
JP2558903B2 (ja) | 液晶配向膜とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置 | |
JP5762932B2 (ja) | シラノール基を有するトリアリールアミン誘導体 | |
Ohshita et al. | Synthesis and ring-opening reactions of 1, 8-silanonaphthalenes | |
KR20010072900A (ko) | 박막형성용 화학흡착물질 및 그 제조방법 및 그 용도 | |
JP2003223814A (ja) | 導電性有機薄膜とその製造方法、それを用いた電極および電気ケーブル | |
JP2003221258A (ja) | 導電性ガラス及びその製造方法 | |
JP3537709B2 (ja) | 液晶配向膜およびこれを用いた液晶表示装置 | |
JPH0586073A (ja) | 新規化合物及びその化合物を伝導性ガラス基体の表面に非ホメオトロピツク配向をする方法 | |
JP2907171B2 (ja) | 液晶添加剤、液晶組成物およびそれを用いた液晶表示素子 | |
JP3440035B2 (ja) | 薄膜形成用化学吸着物質及びその製造方法 | |
JPH11149077A (ja) | 液晶配向膜の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090810 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090810 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |