JP3218202U - 太陽光発電モジュール - Google Patents
太陽光発電モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP3218202U JP3218202U JP2018002728U JP2018002728U JP3218202U JP 3218202 U JP3218202 U JP 3218202U JP 2018002728 U JP2018002728 U JP 2018002728U JP 2018002728 U JP2018002728 U JP 2018002728U JP 3218202 U JP3218202 U JP 3218202U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- adhesive layer
- power generation
- mesh
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 145
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylidenebutanoyloxy)ethyl 2-methylidenebutanoate Chemical compound CCC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(=C)CC QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005042 ethylene-ethyl acrylate Substances 0.000 claims description 5
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S90/00—Solar heat systems not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/20—Optical components
- H02S40/22—Light-reflecting or light-concentrating means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Abstract
【課題】発電効率の高い太陽光発電モジュールを提供する。【解決手段】順次重畳して配置される第１の基板１０１、複数の太陽電池セル２を含む光電変換素子、網状光反射層４及び第２の基板１０２を備える太陽光発電モジュールであって、複数の太陽電池セルの間には間隙３が設けられている。網状光反射層の網状枠体は間隙の下方に位置する。第１の基板と光電変換素子は第１の接着層５０１を介して接着され、網状光反射層と光電変換素子は第２の接着層５０２を介して接着される。また、網状光反射層は、第３の接着層５０３を介して第２の基板に接着される。【選択図】図１
Description
本出願は、２０１７年７月１７日に出願された中国登録実用新案２０１７２０８６７６３０．８号、「太陽光発電モジュール」の優先権を主張し、その記載内容は参照によって本願に組み込まれる。
本出願は、光起電力発電の技術分野に属する発電モジュールに関し、特に太陽光発電モジュールに関する。
光起電力発電はクリーンエネルギーとして広く認識されており、現在、各太陽電池の大手製造業者は、高効率の電池及び光起電力発電モジュールに適する両面発電技術の開発に多くの資源を投入している。よって、両面発電技術はかなりの進歩を見せている。
本考案のいくつかの実施形態は、太陽光発電モジュールを提供する。該太陽光発電モジュールは、順次重畳して配置される第１の基板、複数の太陽電池セルを含む光電変換素子、網状光反射層及び第２の基板を備え、前記複数の太陽電池セルの間には間隙が設けられ、前記網状光反射層の網状枠体は前記間隙の下方に位置する。
いくつかの実施形態では、前記太陽光発電モジュールは、更に、第１の接着層及び第２の接着層を備え、前記第１の基板と前記光電変換素子は、第１の接着層を介して接着され、前記網状光反射層と前記複数の太陽電池セルは、第２の接着層を介して接着されている。
いくつかの実施形態では、前記網状光反射層は、更に網状に配列された複数の貫通孔を有する。前記複数の貫通孔のうちの１つの貫通孔は、前記光電変換素子のうちの対応する１つの太陽電池セルの面積以上の横断面積を有し、前記対応する１つの太陽電池セルの前記第２の基板における正投影は、前記１つの貫通孔の前記第２の基板における正投影内に位置して、前記網状光反射層の網状枠体を前記複数の太陽電池セルの間に設けられた間隙の直下方に位置させる。
いくつかの実施形態では、前記網状光反射層はさらに複数の格子を有しても良い。前記複数の格子の各々は、前記複数の貫通孔のうちの１つの貫通孔及び前記１つの貫通孔を取り囲む前記網状枠体の対応するエッジを含み、前記光電変換素子のうちの１つの太陽電池セルは、前記複数の格子の対応する１つの格子の直上方に配置される。
いくつかの実施形態では、前記網状枠体の内の１つのエッジの幅は、前記複数の太陽電池セルの間に設けられた対応間隙の幅以下である。
いくつかの実施形態では、前記太陽光発電モジュールは第３の接着層をさらに有し、前記網状光反射層は、前記第３の接着層を介して前記第２の基板に接着される。
いくつかの実施形態では、前記第１の接着層、前記第２の接着層又は前記第３の接着層は、エチレン−酢酸ビニル共重合体接着層、エチレンーエチルアクリレート接着層及びポリアミド接着層からなる群より選択される何れか１つである。
いくつかの実施形態では、前記第１の基板又は前記第２の基板は、高透過強化ガラス、反射防止ガラス（ＡＲコート付き）、反射防止エンボス加工ガラス又は透光性重合体バックシートからなる群より選択される何れか１つである。
いくつかの実施形態では、前記複数の太陽電池セルは、両面太陽電池セルである。
いくつかの実施形態では、前記網状光反射層の材料は、両面反射材である。
いくつかの実施形態では、前記網状光反射層の厚さは０．１〜１ｍｍである。
いくつかの実施形態では、前記網状枠体の前記第２の基板における正投影は、前記間隙の前記第２の基板における正投影内に位置する。
いくつかの実施形態では、前記複数の貫通孔のうちの各々は、対向して配置される第１の開口と第２の開口を含み、前記第１の開口は前記間隙に隣接、前記第２の開口は前記第２の基板に隣接し、前記第１の開口の第２の基板における正投影は、第２の開口の第２の基板における正投影より大きく、前記対応する１つの太陽電池セルの前記第２の基板における正投影は、前記１つの貫通孔の第２の開口の前記第２の基板における正投影内に位置する。
いくつかの実施形態では、前記複数の貫通孔の少なくとも１つの貫通孔は、前記第２の基板に直交な平面における断面形状が台形状である。
いくつかの実施形態では、前記複数の貫通孔の各々の貫通孔の内壁には、前記内壁に照射する光線の反射角度を調整するための定方向反射構造が設けられている。
いくつかの実施形態では、前記太陽光発電モジュールは、第１の接着層及び第３の接着層をさらに備える。前記第１の基板と前記光電変換素子は第１の接着層を介して接着され、前記網状光反射層と前記第２の基板は前記第３の接着層を介して接着され、前記網状光反射層は両面光反射層であり、前記複数の太陽電池セルは両面太陽電池セルであり、前記第１の接着層の屈折率は前記第１の基板の屈折率よりも大きく、前記第１の基板の屈折率は空気の屈折率よりも大きく、前記第３の接着層の屈折率は前記第２の基板の屈折率よりも大きく、前記第２の基板の屈折率は前記空気の屈折率よりも大きい。
いくつかの実施形態では、前記網状光反射層は、第１の基板に隣接する表面の反射率が＞８０％であり、第２の基板に隣接する表面の反射率が＞６０％である。
図面は、本考案をより深く理解するためのものであって、明細書の一部をなすと共に、本出願の実施例と共に本考案を説明するものであり、本考案を限定するものとは意図していない。
本考案のいくつかの実施形態に係る太陽光発電モジュールを示す構造図である。
本考案のいくつかの実施形態に係る網状光反射層を示す構造図一である。
本考案のいくつかの実施形態に係る網状光反射層を示す構造図二である。
本考案のいくつかの実施形態に係る網状光反射層を示す構造図三である。
図４のａ−ａ’線断面図である。
本考案の目的、特徴および利点をより明確にするため、以下、図面を参照し、本考案の実施形態を詳しく説明する。なお、明らかに不可能な場合を除き、本考案の実施例および実施例の特徴は、適宜の組み合わせが可能である。
従来の技術では、光起電力発電モジュールは、裏面が透明ガラスや透明重合体材料によって封止されるため、透過光の損失が大きいという不具合が存する。太陽光発電モジュールは、電池セル、及び電池セルの裏面に位置して太陽電池モジュールを封止するための透明ガラス又は透明な重合体材料を備える。電池セルに入射する光の一部は、電池セル間の間隙３を通過して電池セルの裏面に到達する時、光起電力発電モジュールを封止する透明ガラス又は透明な重合体材料により、光損失が多く、この部分の光は有効に利用されない。
図１及び図３に示すように、本考案のいくつかの実施の形態に係わる太陽光発電モジュールは、第１の基板１０１、第２の基板１０２、複数の太陽電池セルを含む光電変換素子２、及び網状光反射層４を備える。第１の基板１０１、光電変換素子２、網状光反射層４、及び第２の基板１０２は、順次重畳して配置されている。光電変換素子２の複数の太陽電池セルの間には間隙３が設けられ、網状光反射層４の網状枠体４００は、複数の太陽電池セルの間の間隙３の下方に設けられている。
言うまでもなく、前記太陽電池セルは、片面太陽電池又は両面太陽電池である。複数の太陽電池セルは、様々な方式で配列される。例えば、複数の太陽電池セルは、複数の太陽電池セルの間に間隙３が設けられるように、間隔を置いて並列に配置される。複数の太陽電池セルは、組み合わされて規則的な形状を形成する。
いくつかの実施形態では、複数の太陽電池セルは、組み合わされて矩形を形成する。複数の太陽電池セルは、導電性材料を介して複数のバッテリーアレイを形成するように直列接続される。導電性材料は、溶接帯、導電性テープまたは銅帯を含むが、これに限定されない。
本考案の実施例に係わる太陽光発電モジュールを用いて発電する場合、外部より第１の基板１０１を透過した光の一部は、光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面に照射して、該光電変換素子を電力出力可能にする。外部より第１の基板１０１を透過した光の他の一部は、複数の太陽電池セルの間に設けられた間隙３を通過し、網状光反射層の網状枠体４００の第１の基板に隣接する表面に照射される。そして、この光の他の一部は、網状光反射層の網状枠体４００の第１の基板に隣接する表面によって反射され、再度間隙３を通過して第１の基板１０１に入射される。第１の基板１０１によって、これらの光は全部または一部が反射され、第１の基板１０１で反射された光は前記複数の太陽電池セルに照射される。これにより、光の利用効率が向上される。
いくつかの実施形態では、図２に示すように、前記太陽電池モジュールに含まれる複数の太陽電池セルは、両面太陽電池セルであり、網状光反射層４の材質は両面反射材料である場合、即ち網状光反射層４が両面光反射層でる場合、網状光反射層４の網状枠体４００が複数の太陽電池セルの間に設けられた間隙３の下方に位置し、網状光反射層４に含まれる網状枠体４００が太陽電池セル２を遮断しないので、外部より第２の基板１０２を透過した光は、網状枠体４００に実質的に遮蔽されることがなく、光電変換素子２の太陽電池セルに出射される。よって、網状枠体４００は、主として太陽電池セルの間隙３の下方、及び太陽電池セルのない他の領域に分布される。いくつかの実施形態では、第１の基板１０１は受光側に位置付けられる。
太陽電池モジュールを用いて発電する場合、外部より第１の基板１０１を透過して光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面に照射する光を利用する以外、外部より第２の基板１０２を透過して光電変換素子の第２の基板１０２に隣接する表面に照射する光を利用することもできる。また、網状光反射層４は両面光反射層なので、外部より第２の基板１０２を透過した光の一部は、光電変換素子の複数の太陽電池セルの第２の基板に隣接する表面に照射するとともに、外部より第２の基板１０２を透過した光の他の一部は、網状枠体４００の第２の基板１０２に隣接する表面に照射する。網状枠体４００の第２の基板１０２に隣接する表面によって、この光の他の一部は第２の基板１０２に反射され、そして、第２の基板１０２によって、光電変換素子の複数の太陽電池セルに部分的また全部反射されるので、該複数太陽電池セルの表裏両側での透過光の反射率は向上されるようになる。
また、網状光反射層４は、網状枠体４００が複数の太陽電池セルの間に設けられた間隙３の下方に位置する場合、光電変換素子の複数の太陽電池セルの第２セル１０２に隣接する表面の光吸収を影響しないと共に、外部より複数の太陽電池セル３の間に設けられた間隙を通過した光の反射率を効果的に向上して、透過光の損失を減少する。これにより、前記太陽光発電モジュールは、網状光反射層４で反射された光を十分に利用して発電することができるので、前記太陽光発電モジュールの発電効率は、従来の両面発電モジュールに比べて大幅に向上される。
いくつかの実施形態では、図２に示すように、前記網状光反射層４の厚さは０．１〜１ｍｍである。例えば、光反射層４の厚さは、０．１ｍｍ、０．６ｍｍ又は１ｍｍである。網状光反射層４の厚さが１ｍｍを上回ると、網状光反射層４は比較的厚くなり、太陽光発電モジュールの軽薄化に有利でない。網状光反射層４の厚さが０．１ｍｍを下回ると、網状光反射層４に含まれる網状枠体４００の光反射効果は抑制されるようになる。これに対して、網状光反射層４の厚さが０．１〜１ｍｍである場合、網状光反射層４に良好な反射効果を持たせると共に、太陽光発電モジュールの厚さを過度に増加させることがない。
いくつかの実施形態では、前記太陽電池モジュールに含まれる複数の太陽電池セルが両面太陽電池セルである場合、光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面を、該複数の太陽電池セルの主な太陽光吸収面、光電変換素子の第２の基板１０２に隣接する表面を該複数の太陽電池セルの補助的な太陽光吸収面とすると、網状光反射層４が両面光反射層である時、網状光反射層の第１の基板１０１に隣接する表面の反射率＞８０％であり、これに対して網状光反射層の第２の基板１０２に隣接する表面の反射率は＞６０％である。網状光反射層４としては、ＴＰＴ（Ｔｅｄｌａｒ／ＰＥＴ／Ｔｅｄｌａｒ）、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）又はアルミ箔であっても良い。反射率とは、物体によって反射された放射エネルギーが全放射エネルギーに占めるパーセンテージとして定義される。
図３に示すように、前記網状光反射層４は、更に網状に配列された複数の貫通孔４０２を有する。該複数の貫通孔４０２のうちの１つの貫通孔は、光電変換素子２のうちの対応する１つの太陽電池セルの面積以上の横断面積を有する。光電変換素子２のうちの１つの太陽電池セルは、第２の基板における正投影が、前記複数の貫通孔４０２のうちの対応する１つの貫通孔の第２の基板における正投影内に位置して、網状光反射層４に含まれる網状枠体４００を前記複数の太陽電池セル２の間に設けられた間隙の直下方に位置させる。これにより、発電モジュールの特性を確保すると共に、光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面及び第２の基板１０２に隣接する表面の太陽光吸収率（又は利用率）を高めることができ、発電モジュールの発電量は向上される。
図２に示すように、前記網状光反射層４は、複数の格子４０１を有する。該複数の格子４０１の各々は、複数の貫通孔４０２のうちの１つの貫通孔及び該１つの貫通孔を取り囲む網状枠体４００の対応するエッジを含む。前記光電変換素子２のうちの１つの太陽電池セルは、複数の格子４０１のうちの対応する１つの格子の直上方に配置されて、網状光反射層４の網状枠体４００を複数の太陽電池セルの間に設けられた間隙３の直下方に位置させ、これにより、網状光反射層４による、光電変換素子の第２の基板１０２に隣接する表面の太陽光吸収への影響を抑制乃至回避することができ、よって光電変換素子の第２の基板１０２に隣接する表面に太陽光を最大限に吸収させ、吸収した太陽光を発電に利用する。これと同時に、網状光反射層４が両面の網状光反射層である場合、網状光反射層４の網状枠体４００の両面反射特性を利用し、光電変換素子２の第１の基板に隣接する表面と、光電変換素子２の第２の基板１０２に隣接する表面の透過光の反射効率を効果的に向上して、透過光の損失を減少することにより、前記太陽光発電モジュールの発電効率を、従来の両面発電モジュールと比較して大幅に改善させる。
例示的には、網状枠体４００の各々のエッジの幅が過度に大きくならないように、網状枠体４００の１つのエッジは、複数の太陽電池セル２に設けられた対応間隙３以下の幅を有する。網状枠体４００の１つのエッジが過度に大きい場合、該網状枠体４００の第２の基板１０２における正投影は、光電変換素子２のうちの対応する１つの太陽電池セルの第２の基板１０２における正投影と多少重畳して、網状枠体４００は太陽電池セル２の第２の基板１０２に隣接する表面の太陽光吸収能力を影響し、ひいては複数の太陽電池セルの発電効率を低下させる。
いくつかの実施形態では、太陽光発電モジュール１０１は、順次重畳して配置される第１の基板１０１、第１の接着層５０１、複数の太陽電池セル２、第２の接着層５０２、光反射層４及び第２の基板１０２を備える。ここでは、第１の基板１０１と前記複数の太陽電池セル２は、第１の接着層５０１を介して接着され、網状光反射層４と前記複数の太陽電池セル２は、第２の接着層５０２を介して接着される。
いくつかの実施形態では、図１に示すように、太陽光発電モジュール１０１は、順次重畳して配置される第１の基板１０１、第１の接着層５０１、複数の太陽電池セルを含む光電変換素子２、第２の接着層５０２、光反射層４、第３の接着層５０３及び第２の基板１０２を備える。第１の基板１０１と第２の基板１０２は、高透過強化ガラス、エンボス加工ガラスを含む高透過強化ガラス、ＡＲコート付き反射防止ガラス、反射防止エンボス加工ガラス又は透光性重合体バックシート（例えば透明重合体バックシート）からなる群より選択される何れか１つである。第１の基板１０１と第２の基板１０２は、光電変換素子２の複数の太陽電池セルを固定、保護するように配置される。第１の基板１０１と光電変換素子２は、第１の接着層５０１を介して接着される。網状光反射層４と光電変換素子２は、第２の接着層５０２を介して接着される。網状光反射層４は、第３の接着層５０３を介して第２の基板１０２と接着される。網状光反射層４と太陽光発電モジュールの第１の接着層５０１、第２の接着層５０２及び第３の接着層５０３は相容性を有さない。第１の接着層５０１、第２の接着層層５０２および第３の接着層５０３は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｖｉｎｙｌ ａｃｅｔａｔｅ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｅｖａ）接着層、エチレンーエチルーアクリレート（ＥＥＡ：Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｙｌ Ａｃｒｙｌａｔｅ）、及びポリアミド接着層（ＰＡ：Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）からなる群より選択される何れか１つである。第１の接着層５０１、第２の接着層５０２と第３の接着層５０３は、太陽光発電モジュールの各層状構造を固定するように配置される。
いくつかの実施形態では、図１に示すように、第１の接着層５０１、第２の接着層５０２、および第３の接着層５０３は、太陽光発電モジュールに含まれる第１の基板１０１と、複数の太陽電池セルを含む光電変換素子２と、網状光反射層４と、第２の基板１０２と接着するように配置される。
いくつかの実施形態では、前記太陽光発電モジュールに含まれる複数の太陽電池セルは、両面太陽電池セルである。このとき、前記網状枠体４００は、第２の基板１０２における正投影が間隙３の第２の基板１０２における正投影内に位置する。これにより、第２の基板１０２を通過し複数の太陽電池セルの第２の基板１０２に隣接する表面へ照射する光は、網状枠体４００によって遮断されることが基本的に回避できるので、光電変換素子の第２の基板１０２に隣接する表面の光吸収率は向上される。
いくつかの実施形態では、前記複数の貫通孔４０２の各々は、対向して形成された第１の開口４０２ａと第２の開口４０２ｂを有する。第１の開口４０２ａは、間隙３に隣接する。第２の開口４０２ｂは、第２の基板１０２に隣接する。第１の開口４０２ａの第２の基板１０２における正投影は、第２の開口４０２ｂの第２の基板１０２における正投影よりも大きいので、貫通孔４０２はフレア構造に形成される。
例示的には、前記光電変換素子２のうちの１つの太陽電池セルは、第２の基板１０２における正投影が、対応する１つの貫通孔の第２の開口４０２ｂの第２の基板１０２の正投影内に位置して、光電変換素子２の第１の基板１０１に隣接する表面上の各位置で外部より第１の基板１０１を透過した太陽光を受けさせるようにする。
前記各々の貫通孔４０２の内壁は、網状枠体４００の側面である。よって、外部より第１の基板１０１を透過した光は、網状光反射層４に照射する時、網状枠体４００の第１の基板１０１に隣接する表面だけでなく、網状枠体４００の側面にも照射できる。また、各々の貫通孔４０２は、フレア構造である場合、網状枠体４００の側面は略斜面形状となる。従って、網状枠体４００の側面は外部より第１の基板１０１を透過した光を反射するだけでなく、これら反射された光を、光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面により良く入射させることができる。
例示的には、前記網状枠体４００の側面傾斜度は、該側面で反射される光の出射角を決定する。網状枠体４００の側面の傾斜度が大きいほど、該側面から反射された光は、光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面に入射しやすくなる。
いくつかの実施形態では、前記複数の貫通孔４０２のうちの１つの貫通孔４０２がフレア構造である場合、該１つの貫通孔は角柱構造または円錐台形状であり、この場合、該１つの貫通孔４０２の第１の基板１０１に直交な平面における断面形状は台形である。
いくつかの実施形態では、図５に示すように、前記複数の貫通孔４０２の各々の内壁には、該内壁に照射する光線の反射角度を調整するための定方向反射構造４０３が設けられて、該内壁に入射する光を少なくとも１つの太陽電池セルによりよく吸収させる。
例示的には、前記定方向反射構造体４０３は、円角状反射構造、面取り反射構造または異形状反射構造であるが、これに限定されるものではない。
いくつかの実施形態では、図１に示すように、前記網状光反射層４は、両面光反射層である。複数の太陽電池セルは、両面太陽電池セルである。第１の接着層５０１の屈折率は、第１の基板１０１の屈折率よりも大きい。第１の基板１０１の屈折率は、空気の屈折率よりも大きい。外部より第１の基板１０１を透過した光は、網状光反射層４に含まれる網状枠体４００に照射した後、網状枠体４００で反射された光は、対応する間隙３を通過して第１の接着層５０１に照射するとき、第１の接着層５０１の屈折率と第１の基板１０１の屈折率と空気の屈折率とは、網状枠体４００で反射された光が第１の基板１０１によって光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面に殆ど又は完全反射されるように互いに整合される。
同様に、図１に示すように、第３の接着層５０３の屈折率は第２の基板１０２の屈折率よりも大きく、第２の基板１０２の屈折率は空気の屈折率よりも大きい。外部より第２の基板１０２を透過した光が網状光反射層４に含まれる網状枠体４００に照射した後、網状枠体４００で反射された光は対応する間隙３を通過して第３の接着層５０３に照射するとき、第３の接着層５０３の屈折率と、第２の基板１０２の屈折率と、空気の屈折率とは、網状枠体４００によって反射された光が第２の基板１０２によって光電変換素子の第２の基板１０２に隣接する表面に殆ど又は完全に反射されるように互いに整合される。
いくつかの実施形態では、太陽光発電モジュールに含まれる複数の太陽電池セルは、両面太陽電池セルである。該光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面を主な太陽光吸収面、該光電変換素子の第２の基板１０２に隣接する表面を補助的な太陽光吸収面とする場合、網状光反射層の第１の基板に隣接する表面の反射率は＞８０％であり、網状光反射層の第２の基板に隣接する表面の反射率は＞６０％である。これにより、網状光反射層の第１の基板に隣接する表面により多くの光を第１の基板１０１の表面に反射されるので、この部分の光は、第１の基板１０１によって光電変換素子の第１の基板１０１に隣接する表面に反射され、よって太陽熱発電モジュールの発電効率は向上される。
以上は本考案の実施形態を例示的に説明した。その内容は本考案をより良く理解するためのものであり、本考案を限定するものではない。当業者であれば、本考案で開示された精神および範囲から逸脱することなく、実施の形態および細部を適宜に置き換え又は変更することができる。本考案の保護の範囲は、特許請求の範囲によって定義される範囲を準拠する。
Claims (17)
- 順次重畳して配置される第１の基板と、複数の太陽電池セルを含む光電変換素子と、網状光反射層と、第２の基板とを備え、
前記複数の太陽電池セルの間には間隙が設けられており、
前記網状光反射層の網状枠体は、前記間隙の下方に位置する、ことを特徴とする太陽光発電モジュール。 - 第１の接着層と第２の接着層とをさらに備え、
前記第１の基板と前記光電変換素子は前記第１の接着層を介して接着され、前記網状光反射層と前記光電変換素子は前記第２の接着層を介して接着される、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール。 - 前記網状光反射層は、網状に配列された複数の貫通孔を更に有し、
前記複数の貫通孔のうちの１つの貫通孔は、前記光電変換素子のうちの対応する１つの太陽電池セルの面積以上の横断面積を有し、前記対応する１つの太陽電池セルの前記第２の基板における正投影は、前記１つの貫通孔の前記第２の基板における正投影内に位置して、前記網状光反射層の網状枠体を前記複数の太陽電池セルの間に設けられた間隙の直下方に位置させる、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール。 - 前記網状光反射層は、複数の格子をさらに備え、
前記複数の格子の各々は、前記複数の貫通孔のうちの１つの貫通孔及び前記１つの貫通孔を取り囲む前記網状枠体の対応するエッジを含み、前記光電変換素子のうちの１つの太陽電池セルは、前記複数の格子の対応する１つの格子の直上方に配置される、ことを特徴とする請求項３に記載の太陽光発電モジュール。 - 前記網状枠体の内の１つのエッジの幅は、前記複数の太陽電池セルの間に設けられた対応間隙の幅以下である、ことを特徴とする請求項４に記載の太陽光発電モジュール。
- 第３の接着層をさらに備え、
前記網状光反射層は、前記第３の接着層を介して前記第２の基板に接着される、ことを特徴とする請求項２に記載の太陽光発電モジュール。 - 前記第１の接着層、前記第２の接着層又は前記第３の接着層は、エチレン−酢酸ビニル共重合体接着層、エチレンーエチルアクリレート接着層及びポリアミド接着層からなる群より選択される何れか１つである、ことを特徴とする請求項６に記載の太陽光発電モジュール。
- 前記第１の基板又は前記第２の基板は、高透過強化ガラス、ＡＲコート付き反射防止ガラス、反射防止エンボス加工ガラス又は透光性重合体バックシートからなる群より選択される何れか１つである、ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽光発電モジュール。
- 前記複数の太陽電池セルは両面太陽電池セルである、ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽光発電モジュール。
- 前記光反射層の材料は両面反射材である、ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の太陽光発電モジュール。
- 前記光反射層の厚さは０．１〜１ｍｍである、ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の太陽光発電モジュール。
- 前記網状枠体の前記第２の基板における正投影は、前記間隙の前記第２の基板における正投影内に位置する、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール。
- 前記複数の貫通孔のうちの各々は、対向して配置される第１の開口と第２の開口を含み、
前記第１の開口は前記間隙に隣接し、前記第２の開口は前記第２の基板に隣接し、前記第１の開口の第２の基板における正投影は、前記第２の開口の第２の基板における正投影より大きく、
前記対応する１つの太陽電池セルの前記第２の基板における正投影は、前記１つの貫通孔の第２の開口の前記第２の基板における正投影内に位置する、ことを特徴とする請求項３に記載の太陽光発電モジュール。 - 前記複数の貫通孔の少なくとも１つの貫通孔は、前記第２の基板に直交な平面における断面形状が台形状である、ことを特徴とする請求項１３に記載の太陽光発電モジュール。
- 前記複数の貫通孔の各々の貫通孔の内壁には、前記内壁に照射する光線の反射角度を調整するための定方向反射構造が設けられている、ことを特徴とする請求項１３に記載の太陽光発電モジュール。
- 第１の接着層および第３の接着層をさらに備え、
前記第１の基板と前記光電変換素子は第１の接着層を介して接着され、前記網状光反射層と前記第２の基板は前記第３の接着層を介して接着され、前記網状光反射層は両面光反射層で、前記複数の太陽電池セルは両面太陽電池セルであり、
前記第１の接着層の屈折率は前記第１の基板の屈折率よりも大きく、前記第１の基板の屈折率は空気の屈折率よりも大きく、前記第３の接着層の屈折率は前記第２の基板の屈折率よりも大きく、前記第２の基板の屈折率は前記空気の屈折率よりも大きい、ことを特徴とする請求項１２〜１３の何れか１項に記載の太陽光発電モジュール。 - 前記網状光反射層は、前記第１の基板に隣接する表面の反射率が＞８０％であり、前記第２の基板に隣接する表面の反射率が＞６０％である、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720867630.8 | 2017-07-17 | ||
| CN201720867630.8U CN207116454U (zh) | 2017-07-17 | 2017-07-17 | 一种太阳能发电组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3218202U true JP3218202U (ja) | 2018-09-27 |
Family
ID=61584437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018002728U Expired - Fee Related JP3218202U (ja) | 2017-07-17 | 2018-07-17 | 太陽光発電モジュール |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200303578A1 (ja) |
| EP (1) | EP3460857A4 (ja) |
| JP (1) | JP3218202U (ja) |
| KR (1) | KR20190000222U (ja) |
| CN (2) | CN207116454U (ja) |
| AU (1) | AU2018236885A1 (ja) |
| CA (1) | CA3020826A1 (ja) |
| WO (1) | WO2019015564A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN207116454U (zh) * | 2017-07-17 | 2018-03-16 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 一种太阳能发电组件 |
| KR102448204B1 (ko) * | 2018-03-20 | 2022-09-28 | 가부시키가이샤 가네카 | 태양 전지 모듈, 유리 건재 및 태양 전지 모듈의 제조 방법 |
| WO2019214061A1 (zh) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 太阳能电池组件、太阳能光电幕墙 |
| TWI827509B (zh) * | 2023-04-25 | 2023-12-21 | 龍佳欣實業股份有限公司 | 光電面板封裝結構及其方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3738129B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2006-01-25 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP3433224B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2003-08-04 | 東京農工大学長 | 平板集光太陽電池モジュール |
| JP2006073707A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| JP2010287688A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュール |
| CN104409550B (zh) * | 2014-11-19 | 2017-04-12 | 苏州尚善新材料科技有限公司 | 一种高反光率太阳能背板 |
| CN104332521B (zh) * | 2014-11-28 | 2017-02-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种光伏组件及其制作方法 |
| CN204441298U (zh) * | 2015-04-08 | 2015-07-01 | 晶科能源有限公司 | 一种光伏组件 |
| CN205385030U (zh) * | 2015-12-29 | 2016-07-13 | 乐叶光伏科技有限公司 | 一种高效光伏双玻组件 |
| CN105489683A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-04-13 | 常州亚玛顿股份有限公司 | 一种轻质双玻组件 |
| CN106024939A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-12 | 浙江京华激光科技股份有限公司 | 一种具有光转向膜的光伏组件 |
| CN207116454U (zh) * | 2017-07-17 | 2018-03-16 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 一种太阳能发电组件 |
-
2017
- 2017-07-17 CN CN201720867630.8U patent/CN207116454U/zh active Active
- 2017-07-17 US US16/089,915 patent/US20200303578A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-07-17 AU AU2018236885A patent/AU2018236885A1/en not_active Abandoned
- 2018-07-17 JP JP2018002728U patent/JP3218202U/ja not_active Expired - Fee Related
- 2018-07-17 WO PCT/CN2018/095914 patent/WO2019015564A1/zh active Application Filing
- 2018-07-17 CN CN201890000141.5U patent/CN209981251U/zh active Active
- 2018-07-17 KR KR2020180003284U patent/KR20190000222U/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-07-17 EP EP18769943.4A patent/EP3460857A4/en not_active Withdrawn
- 2018-07-17 CA CA3020826A patent/CA3020826A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200303578A1 (en) | 2020-09-24 |
| CN209981251U (zh) | 2020-01-21 |
| EP3460857A1 (en) | 2019-03-27 |
| EP3460857A4 (en) | 2019-10-09 |
| WO2019015564A1 (zh) | 2019-01-24 |
| AU2018236885A1 (en) | 2019-01-31 |
| KR20190000222U (ko) | 2019-01-25 |
| CA3020826A1 (en) | 2019-01-17 |
| CN207116454U (zh) | 2018-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3218202U (ja) | 太陽光発電モジュール | |
| US20170148942A1 (en) | Solar panel and method of manufacturing such a solar panel | |
| EP1732141A1 (en) | Optical concentrator for solar cells | |
| JP2002111035A (ja) | 両面発電型太陽電池モジュール | |
| CN102800730A (zh) | 光伏装置 | |
| JP2014207305A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP6611062B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP6671029B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN217881537U (zh) | 一种光伏背板、光伏组件和光伏系统 | |
| JP2002111034A (ja) | 両面発電型太陽電池モジュール | |
| JP5025597B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN211605167U (zh) | 光伏背板及光伏组件 | |
| JP2016517180A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN208970536U (zh) | 一种双面双玻光伏组件 | |
| JP2014036044A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN210156396U (zh) | 一种太阳能组件封装结构 | |
| CN210040222U (zh) | 太阳能电池组件 | |
| JP2006128329A (ja) | 両面受光型太陽電池モジュール及び太陽電池 | |
| JP6583698B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| CN113471315B (zh) | 一种可以提高光伏效率的背板组件 | |
| CN218089404U (zh) | 一种用于光伏组件的白色胶膜及光伏组件 | |
| CN216528920U (zh) | 一种光伏组件 | |
| CN218769573U (zh) | 太阳能板结构 | |
| CN215496752U (zh) | 全黑轻质太阳能组件 | |
| CN210640260U (zh) | 一种双面双玻光伏组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3218202 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |