JP3210415U - 薄膜封入マスクの予熱及び基板のバッファチャンバ - Google Patents

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Abstract

【課題】ディスプレイ基板の処理に用いられるサーマルチャンバを提供する。【解決手段】サーマルチャンバ100は、OLEDデバイスを製造するように構成された大規模の処理システムの一部であってよい。サーマルチャンバ100は、処理システムの堆積プロセスで用いられるマスク122及び/又は基板200を加熱し冷却するように構成されうる。サーマルチャンバ100は、複数のマスク122及び/又は基板200を収容した一又は複数のカセット120を受け入れるようにサイズ設定された空間104を画定するチャンバ本体102を含みうる。空間104内でチャンバ本体102に連結されたヒータは、堆積プロセスの前にマスク122及び/又は基板200を制御可能に加熱して、堆積プロセスの後でマスク122及び/又は基板200を冷却するように構成されうる。【選択図】図2B

Description

[0001]本発明の実施形態は概して、大面積基板用の基板処理システムに関する。更に具体的には、本明細書に記載される実施形態は、基板が一時的に保管されうるマスク予熱チャンバに関する。
[0002]有機発光ダイオード(OLED)は、情報を表示するためのテレビのスクリーン、コンピュータのモニター、携帯電話等の製造に使用される。典型的なOLEDには、個別に通電可能なピクセルを有するマトリクスディスプレイパネルを形成するために、ある方法で基板に全て堆積された2つの電極間に位置する有機材料の層が含まれうる。OLEDは概して、2つのガラスパネルの間に配置され、ガラスパネルのエッジは中にOLEDを封入するために密閉される。
[0003]市場に平面パネル技術が受け入れられるに伴い、大きいディスプレイの需要、製造の増加、及び低い製造コストにより、機器の製造会社は、平面パネルディスプレイの製作者向けにより大きなサイズのガラス基板を収容する新たなシステムを開発せざるを得なかった。加えて、様々なシステム構成要素を効率的に、またコスト効率よく複雑な処理工程に組み入れる能力により、所有コストが低下する。しかしながら、大面積基板を処理するために上記の大きな機器を適応させることにより、システムの様々な構成要素を組み入れることは、時間がかかり困難なものとなる。更に、基板の待機時間が同期していないために、一又は複数の基板を一時的に保管する必要がありうる場合がある。
[0004]従って、当技術分野に必要とされるのは、OLEDディスプレイデバイスを製造するための、改善された装置である。
[0005]一実施形態では、サーマルチャンバが提供されている。サーマルチャンバは、一又は複数のマスク及び/又は基板を中に受け入れるようにサイズ設定された空間を画定するチャンバ本体と、空間の外でチャンバ本体に摺動自在に連結されうるリッド部材とを含む。加熱部材と温度測定装置は、チャンバ本体に連結されうる。加熱部材は空間内に配置され得、温度測定装置はチャンバ本体に連結されうる。プラットフォームは、リッド部材の反対側の空間内に配置され得、プラットフォームはチャンバ本体に移動可能に連結されうる。
[0006]別の実施形態では、サーマルチャンバが提供されている。サーマルチャンバは、空間を画定するチャンバ本体と、空間の外でチャンバ本体に連結されたリッド部材とを含む。反射式加熱部材は、空間内でチャンバ本体に連結され得、熱電対はチャンバ本体に連結されうる。プラットフォームはチャンバ本体に連結され得、空間内に移動可能に配置されうる。
[0007]更に別の実施形態では、サーマルチャンバが提供されている。サーマルチャンバは、空間を画定するチャンバ本体と、チャンバ本体に摺動自在に連結されたリッドアセンブリとを含む。スリットバルブは、リッドアセンブリの下でチャンバ本体に連結され得、熱電対は、スリットバルブの下でチャンバ本体に連結されうる。複数の反射式ヒータは、空間内でチャンバ本体に連結されうる。プラットフォームもまた、空間内に移動可能に配置され得、位置合わせ装置はプラットフォームに連結され、プラットフォームから延在しうる。位置合わせ装置は、ベアリング部材を含みうる。
[0008]上述の本開示の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は、付随する図面に例示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面は本開示の典型的な実施形態しか例示しておらず、従って、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
サーマルチャンバの斜視図である。 リッドアセンブリが取り外された状態の図1のサーマルチャンバの平面図である。 図1のサーマルチャンバの一部を示す概略断面図である。 図1のサーマルチャンバを示す概略断面図である。 プラットフォームカセット位置合わせ装置の一部を切り取った側面図である。 処理システムを示す概略斜視図である。
[0015]理解しやすくするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素および特徴は、特記しない限り、他の実施形態にも有益に組み込むことができる。
[0016]本明細書に記載される実施形態は、ディスプレイ基板の処理に用いられるサーマルチャンバに関するものである。サーマルチャンバは、熱的に制御された環境においてマスク及び/又は基板を保管するために使用されうる。サーマルチャンバは、OLEDデバイスを製造するように構成された大規模の処理システム(図5参照)の一部であってよい。サーマルチャンバは、処理システムの堆積プロセスの間に用いられるマスクを加熱し冷却するように構成されうる。サーマルチャンバはまた、必要とあれば一又は複数の基板を保管するようにも用いられうる。サーマルチャンバは、複数のマスクを収容している一又は複数のカセットを受け入れるようにサイズ設定された空間を画定するチャンバ本体を含みうる。空間内でチャンバ本体に連結されたヒータは、堆積処理チャンバにおいてマスクを用いる前にマスクを制御可能に加熱して、堆積処理チャンバにおいて使用した後でマスクを冷却するように構成されうる。
[0017]図1に、サーマルチャンバ100の斜視図を示す。サーマルチャンバ100は、空間104を画定するチャンバ本体102を含む。空間104は、中に取り外し可能に配置された一又は複数のマスク122を有する一又は複数のカセット120を受け入れるようにサイズ設定されうる。カセット120は、クレーン又は同様の装置によってチャンバ100に送られ、空間104内に位置決めされうる。フレーム部材130はチャンバ本体102に連結され得、一又は複数の位置合わせアクチュエータ124はフレーム部材130に連結されうる。位置合わせアクチュエータ124は、カセット120の一部と嵌合して、空間104の中へ移送する時にカセット120の位置決めを支援するように構成されうる。一実施形態では、位置合わせアクチュエータ124はエアシリンダーである。
[0018]リッド部材106はまた、チャンバ本体102にも連結されうる。リッド部材106は、リッド部材106が閉位置に位置づけされている時に、空間104を囲むように構成されうる。リッド支持部材110はまた、チャンバ本体102にも連結され得、(図1に示すように)リッド部材106が開位置に位置づけされている時に、リッド部材106を支持し位置決めするように構成されうる。リッド部材106は、リッド支持部材110に連結されうる。軌道部材126はリッド支持部材110に連結され得、軌道部材126はチャンバ本体102に対して平行移動しうる。一実施形態では、軌道部材126はリッド部材106を第1の方向に平行移動させ得、カセット120は空間104の中へ、及び空間104から外へ第2の方向に平行移動しうる。第1及び第2の方向は、互いにほぼ直交しうる。
[0019]リッドアクチュエータ128は、軌道部材126に隣接するチャンバ本体102に連結されうる。リッドアクチュエータ128は、リッド部材106を開位置又は閉位置のいずれかに位置決めするために、軌道部材126に移動可能に連結されうる。一実施形態では、リッドアクチュエータ128は、エアシリンダーである。リッド部材106、リッド支持部材110、及び軌道部材126の平行移動能力により、チャンバ100内にカセット120及びマスク122を効率的に配置することが可能になる。
[0020]例えば、洗浄する又は調整する必要がある使用済マスクは、リッド部材106を開けて、使用済マスクを収容しているカセットを取り外すことによって、チャンバ100から取り外されうる。新しいマスクは、新しいカセットによってチャンバ100に供給され得、その後リッド部材106が閉じられうる。マスクとカセットの交換は、図5を参照して更に詳しく記載される、基板が処理システムで処理されている間に実施され得、これによりシステムの処理チャンバに新しいマスクが必要となった時に適切なマスクがすでにあり、サーマルチャンバ100で利用可能となる。一実施形態では、チャンバ100に配置された第1のカセットは未使用のマスクを収納し得、チャンバ100に配置された第2のカセットは使用済マスクを収納し得る。新しいマスクが第1のカセットから引き出され、システムの処理チャンバで用いられ、処理チャンバからの使用済マスクが第2のカセットに戻されうる。所望される場合、使用済マスクを収納している第2のカセットがチャンバ100から取り外され得、新しいマスクを有する第3のカセットがチャンバ100内に位置決めされうる。
[0021]スリットバルブ118もチャンバ本体102に連結されうる。スリットバルブは一般には、処理システム(図5参照)の移送チャンバに連結され、スリットバルブ118は空間104へ、及び空間104からのマスク122の通過を可能にするように構成される。センサ114はチャンバ本体102に連結され、空間104の中に延在しうる。センサ114は光センサ又は接触センサ等であってよく、空間104内のマスク122(及び/又は基板200)の存在を検出するように構成されうる。カセットセンサ116もまた、チャンバ本体102に連結され、空間104の中に延在しうる。カセットセンサ116は光センサ又は接触センサ等であってよく、空間104内のカセット120の存在を検出するように構成されうる。加えて、温度センサ108はチャンバ本体102に連結され、空間104の中に延在しうる。一実施形態では、温度センサ108は、マスク122(及び/又は基板200)と接触するように構成された熱電対であってよい。
[0022]加えて、チャンバ100は、一又は複数の基板(図示せず)を保管するために用いられるカセット120を含みうる。基板は、チャンバ100に一時的に保管され、チャンバ100がより大きいシステム内のバッファチャンバとなりうる。
[0023]チャンバ100は、マスク122を調整する、より具体的にはマスク122を加熱する及び冷却するのに適切な環境を空間104内に作り出すように構成されうる。カセット120に位置決めされうる基板(図示せず)も、チャンバ100で加熱又は冷却されうる。ポンプ装置112がチャンバ本体102に連結され得、空間内に真空を生成するように構成されうる。一実施形態では、ポンプ装置112は低温ポンプである。ポンプ装置112は、空間においてチャンバ100が連結された移送チャンバの環境と同様のものであってよい真空環境を生成しうる。つまり、スリットバルブ118が開いてマスク122(又は基板)のうちの一つを受け入れる又は排出する時に、真空が破られることがないため、移送効率が上がりうる。
[0024]図2Aに、リッド部材106が取り外された状態の図1のチャンバ100の平面図を示す。図2Bは、図1のチャンバ100の一部の概略断面図である。
[0025]図2Aに示すように、基板200を収容しているカセット120がチャンバ100に配置される。加熱部材204は、空間104内で、及びカセット120と基板200に隣接してチャンバ本体102に連結されうる。加熱部材204は、カセット120と基板200に熱を供給するように構成されうる。加熱部材204はまた、基板200の冷却も支援しうる。一実施形態では、加熱部材204は反射式ヒータ又は抵抗ヒータであってよい。加熱部材204は、摂氏40度から摂氏約80度の間等の摂氏約20度から摂氏約100度の間の温度に基板200(及び/又は(図1に示す)マスク122)を加熱及び冷却するように構成され得る。一般に、新しいマスクが加熱され得、使用済マスクが冷却されうる。同様に、所望に応じて基板が加熱され又は冷却されうる。
[0026]図2Aのカセット120には1つの基板200を示したが、図2Bに示すように基板200の下に別の基板を配置しうる。加えて、図2Aに示すようにカセット120の下に別のカセット120が配置されうる。一実施例において、カセット120は中に配置された一又は複数の基板200を有しうる。基板200は、カセット120の内壁から延在している支持部材203上に置かれうる。カセット120は、一又は複数のマスク122を含みうる。基板200は、カセット120の内壁から延在している支持部材205上に置かれうる。カセット120に配置されたマスク122は、化学蒸着堆積(CVD)プロセス及び原子層堆積(ALD)プロセス用のマスクのうちの一方又は組み合わせを含みうる。支持部材203は、支持部材205と比較して(延在方向内向きに)より長いものであってよい。支持部材203がより長いことを用いて、一般にマスク122よりも柔軟である基板200の更なる支持が提供されうる。
[0027]加熱部材204はマスク122(及び/又は基板200)を徐々に加熱し、加熱部材204の温度は約1°C/分を超える速さで上昇しうる。一実施例では、加熱部材204はマスク(及び/又は基板)を所望の温度、例えば約6時間未満で摂氏約80度まで加熱しうる。徐々に加熱するプロセスは、マスク材料の熱応力耐性を超過することを防止するため実施されうる。更に、加熱部材204はマスク122(及び/又は基板200)を、摂氏約3度未満の差で、例えば摂氏約80度等の所望の目標温度に維持しうる。使用済マスクは、加熱部材204によって約10時間未満の間に徐々に冷却されうる。例えば、摂氏約80度の温度を有する使用済マスクは、加熱部材204によって摂氏約40度の温度に徐々に冷却されうる。
[0028]一実施形態では、加熱部材204は第1の時間間隔において第1の温度に設定され、第2の時間間隔において第2の温度に設定される。第1の温度は、第2の温度より高くてよい。第1の温度は急速な上昇温度であってよく、第2の温度は維持温度(すなわち、長時間にわたって維持される所望の温度)であってよい。一実施例では、第1の時間間隔は約4時間であってよく、第2の時間間隔は何分、何時間、又は最大数日であってよい。第1の温度は摂氏約200度から摂氏約250度、例えば摂氏約225度であってよい。第2の温度は、摂氏約100度から摂氏約150度、例えば摂氏約125度であってよい。一実施例では、基板200(及び/又は(図1に示す)マスク122)は、サーマルチャンバ100において第1の時間間隔で第1の温度から摂氏約90度のピーク温度まで加熱されうる。ピーク温度に達すると、加熱部材204は第2の温度に設定され、第2の時間間隔が開始されうる。基板200(及び/又は(図1に示す)マスク122)の温度は、第2の時間間隔で摂氏約80度の維持温度(すなわち、長時間にわたって維持される所望の温度)まで低下しうる。
[0029]一又は複数の線形アクチュエータ202もチャンバ本体102に連結されうる。線形アクチュエータ202を2つだけ示したが、より多くの又はより少ない数の線形アクチュエータ202がチャンバ本体102に連結されうる。線形アクチュエータ202は、図3〜4に更に詳しく説明するように、プラットフォームに連結され、空間104全体でプラットフォームを平行移動させるように構成されうる。一実施形態では、線形アクチュエータ202はボールねじである。
[0030]図3に、図1のチャンバ100の斜視断面図を示す。線形アクチュエータ202に連結され、空間104内に配置されたプラットフォーム302は、カセット120に接触して、空間104全体でカセット120を平行移動させるように構成されうる。一般に、プラットフォーム302を介したカセット120の平行移動は、リッド部材106の第1の平行移動方向に対して垂直である第2の方向におけるものであってよい。一実施形態では、プラットフォーム302は、約2200mmと約2300mmの間など、約1500mmと約2500mmの間のストローク距離で第2の方向に平行移動するように構成されうる。
[0031]プラットフォーム302はカセット120と係合し、カセット120を空間104内に位置決めしうる。例えば、カセット120が空間104に導入されると、カセット120を受け入れるためにプラットフォーム302が持ち上がり、カセット120が空間104内の所望の位置まで下がり得、これによりリッド部材106が閉位置まで移動しうる。プラットフォーム302は更に、空間104内でカセット120をスリットバルブ118に対して位置決めし、これによりマスク122がカセット120から取り外され、又はカセット120に配置されうる。図3に示すように、チャンバ100内に、各々5つのマスク122を収容している2つのカセット120が配置される。しかしながら、以下に記載される処理システム内で所望の処理スループットを達成するために、より多くの、又はより少ない数のカセット120及びマスク122(及び/又は基板200)がチャンバ100に用いられうる。
[0032]図4に、位置合わせ装置402の部分的に切り取られた側面図を示す。位置合わせ装置402は、プラットフォーム302の最上面408に連結され、そこから延在しうる。位置合わせ装置402は、ベアリング部材404に連結されたピン状、棒状、又はチューブ状の構造物であってよい。ベアリング部材404は、位置合わせ装置402に固定して又は移動可能に連結され得、カセット120の底面410と係合するように構成されうる。位置合わせ領域406は、カセット120の底面410に形成され得、位置合わせ装置402のベアリング部材404と接触しうる。位置合わせ領域406は、カセット120の底面に形成された凹部等の形態であってよい。
[0033]位置合わせ装置402を1つだけ図示したが、2つ以上の位置合わせ装置、例えば約4つの位置合わせ装置がプラットフォーム302に連結されうる。工程では、プラットフォーム302が空間104内で持ち上げられ得、カセットがチャンバ100に導入された時に、位置合わせ装置402のベアリング部材404が位置合わせ領域406と係合しうる。位置合わせ装置402により、プラットフォーム302とカセット120との間の接点の位置合わせが改善し得、チャンバ100内での粒子の生成も低減されうると考えられる。更に、位置合わせ装置402は、位置合わせ領域406と共に、空間104全体でプラットフォーム302とカセット120とを平行移動させている間、プラットフォーム302からカセット120が外れるのを防止しうる。
[0034]図5に、処理システム500の概略斜視図を示す。一実施形態では、チャンバ100は、処理システム500に有益に組み入れられうる。処理システム500は、連結チャンバ506によって接合された第1のクラスタツール502と第2のクラスタツール504とを含む。連結チャンバ506は、チャンバを通る第1の経路514、ターンチャンバ516、チャンバを通る第2の経路520、及び任意選択的なバッファチャンバ518を含む。ある実施形態では、バッファチャンバ518は、一又は複数の基板が中に保管されうるように、第1のクラスタツール502と第2のクラスタツール504の一方又は両方のチャンバ100に差し替えられうる。
[0035]第1のクラスタツール502は、一又は複数の第1の処理チャンバ512A〜512E、第1の移送チャンバ511、及びチャンバ100を含みうる。第1の処理チャンバ512A〜512E及びサーマルチャンバ100は、第1の移送チャンバ511に連結され、第1の移送チャンバ511を中心として放射状に配置されうる。第2のクラスタツール504は、一又は複数の第2の処理チャンバ522A〜522E、第2の移送チャンバ521、及びチャンバ100を含みうる。第1のクラスタツール502と同様に、第2の処理チャンバ522A〜522E、及びサーマルチャンバ100は、第2の移送チャンバ521に連結され、第2の移送チャンバ521を中心として放射状に配置されうる。
[0036]工程において、第1のマスクは、第1の移送チャンバ511に配置されたロボットによってサーマルチャンバ100から引き出され、第1の処理チャンバ512A〜512Eに位置決めされうる。基板は、基板上に第1の層を堆積させるために、第1の処理チャンバ512A〜512Eにおいて、第1のマスクを用いて処理されうる。第1の層が堆積された後、基板は、チャンバを通る第1の経路514と、ターンチャンバ516と、チャンバを通る第2の経路520を通って、第2のクラスタツール504に移送されうる。第2のクラスタツール504において基板を処理する前に、第2の移送チャンバ521に配置されたロボットが、第2の移送チャンバ512に連結されたサーマルチャンバ100から第2のマスクを引き出して、第2のマスクを第2の処理チャンバ522A〜522Eに位置決めしうる。基板上に第2の層を堆積させるために、第2の移送チャンバ521に配置されたロボットが、チャンバを通る第2の経路520から基板を受け入れて、第2のマスクを用いて第2の処理チャンバ522A〜522Eに基板を位置決めしうる。図示した移送チャンバ511、521は、それに連結された最大8つのチャンバを収容できる八面の移送チャンバであるが、例えば六面の移送チャンバ等のその他の面の移送チャンバでも考えられることを理解すべきである。更に、処理チャンバ512A〜512E、522A〜522Eが、例えばPECVD、CVD、ALD、PVD、アニーリング、エッチング、及び他のチャンバ等の基板を処理するのに適切なチャンバを含みうることを理解すべきである。
[0037]上述したように、チャンバ100は、システム500内でのマスクの使用効率を改善することによって、処理システム500を改善しうる。処理チャンバに対し、新しいマスクと使用済マスクが効率的に交換されて、システムのスループットが改善されうる。サーマルチャンバ100において実施されるマスクの加熱と冷却により、マスクが処理チャンバにおいて加熱される又は冷却される必要がないため、処理システムがより迅速に基板を処理することが可能になる。更に、サーマルチャンバ100は、処理ラインにおいて基板を保管することによって、クラスタツール内のバッファチャンバとして用いられうる。
[0038]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、下記の実用新案登録請求の範囲によって決定される。
100 サーマルチャンバ
102 チャンバ本体
104 空間
106 リッド部材
108 温度センサ
110 リッド支持部材
112 ポンプ装置
114 センサ
116 カセットセンサ
118 スリットバルブ
120 カセット
122 マスク
124 位置合わせアクチュエータ
126 軌道部材
128 リッドアクチュエータ
130 フレーム部材
200 基板
202 線形アクチュエータ
202 2つの線形アクチュエータ
203 支持部材
204 加熱部材
205 支持部材
302 プラットフォーム
402 位置合わせ装置
404 ベアリング部材
406 位置合わせ領域
408 最上面
410 底面
500 処理システム
502 第1のクラスタツール
504 第2のクラスタツール
506 連結チャンバ
511 移送チャンバ
512A〜E 第1の処理チャンバ
514 チャンバを通る第1の経路
516 ターンチャンバ
518 バッファチャンバ
520 チャンバを通る第2の経路
521 移送チャンバ
522A〜E 第2の処理チャンバ

Claims (15)

  1. サーマルチャンバであって、
    一又は複数のマスク及び/又は基板を中に受け入れるようにサイズ設定された空間を画定するチャンバ本体と、
    前記空間の外で前記チャンバ本体に摺動自在に連結されたリッド部材と、
    前記空間内で前記チャンバ本体に連結された加熱部材と、
    前記チャンバ本体に連結された温度測定部材と、
    前記空間内で前記リッド部材の反対側に配置されたプラットフォームであって、前記チャンバ本体に移動可能に連結されたプラットフォームと
    を備えるサーマルチャンバ。
  2. 前記プラットフォームが、前記空間を通って前記プラットフォームを平行移動させるように構成された第1の線形アクチュエータに連結されている、請求項1に記載のサーマルチャンバ。
  3. 前記線形アクチュエータがボールねじ装置である、請求項2に記載のサーマルチャンバ。
  4. 前記線形アクチュエータが、前記プラットフォームを第1の方向に平行移動させるように構成されている、請求項2に記載のサーマルチャンバ。
  5. 軌道部材が前記リッド部材を前記第1の方向に対して垂直である第2の方向に摺動自在に平行移動させるように構成されている、請求項4に記載のサーマルチャンバ。
  6. 軌道部材が、前記リッド部材を前記チャンバ本体に対して摺動自在に平行移動させるように構成されている、請求項5に記載のサーマルチャンバ。
  7. 前記軌道部材が前記チャンバ本体に連結されている、請求項5に記載のサーマルチャンバ。
  8. 一又は複数の第2のアクチュエータが、前記リッド部材を前記チャンバ本体から連結解除するように構成されている、請求項1に記載のサーマルチャンバ。
  9. 前記加熱部材が反射式ヒータである、請求項1に記載のサーマルチャンバ。
  10. 前記温度測定装置が熱電対である、請求項1に記載のサーマルチャンバ。
  11. 前記空間に真空を生成するように構成されたポンプ装置を更に備える、請求項1に記載のサーマルチャンバ。
  12. 前記ポンプ装置が低温ポンプである、請求項11に記載のサーマルチャンバ。
  13. サーマルチャンバであって、
    一又は複数のマスク及び/又は基板を中に受け入れるようにサイズ設定された空間を画定するチャンバ本体と
    前記空間の外で前記チャンバ本体に連結されたリッド部材と、
    前記空間内で前記チャンバ本体に連結された反射式加熱部材と、
    前記チャンバ本体に連結された熱電対と、
    前記チャンバ本体に連結され、前記空間内に移動可能に配置されたプラットフォームと
    を備えるサーマルチャンバ。
  14. 前記チャンバ本体に連結された第1のアクチュエータであって、前記空間を通って前記プラットフォームを第1の方向に平行移動させるように構成されている第1のアクチュエータを更に備える、請求項13に記載のサーマルチャンバ。
  15. 前記チャンバ本体に連結された第2のアクチュエータであって、前記リッド部材を前記第1の方向に対して垂直である第2の方向に平行移動させるように構成されている第2のアクチュエータを更に備える、請求項14に記載のサーマルチャンバ。
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