KR200494769Y1 - 박막 캡슐화 마스크 예열 및 기판 버퍼 챔버 - Google Patents
박막 캡슐화 마스크 예열 및 기판 버퍼 챔버 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200494769Y1 KR200494769Y1 KR2020160007612U KR20160007612U KR200494769Y1 KR 200494769 Y1 KR200494769 Y1 KR 200494769Y1 KR 2020160007612 U KR2020160007612 U KR 2020160007612U KR 20160007612 U KR20160007612 U KR 20160007612U KR 200494769 Y1 KR200494769 Y1 KR 200494769Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- volume
- coupled
- chamber body
- masks
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H01L51/56—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B5/14—Arrangements of heating devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D11/00—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
- F27D11/08—Heating by electric discharge, e.g. arc discharge
- F27D11/10—Disposition of electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
-
- H01L51/0011—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본원에서 설명되는 실시예들은 디스플레이 기판들의 프로세싱에서 활용되는 열 챔버에 관한 것이다. 열 챔버는 OLED 디바이스들을 제조하도록 구성된 더 큰 프로세싱 시스템의 부분일 수 있다. 열 챔버는 프로세싱 시스템에서의 증착 프로세스들에서 활용되는 마스크들 및/또는 기판들을 가열 및 냉각하도록 구성될 수 있다. 열 챔버는 복수의 마스크들 및/또는 기판들을 포함하는 하나 또는 그 초과의 카세트들을 수용하도록 크기설정된 볼륨을 정의하는 챔버 몸체를 포함할 수 있다. 볼륨 내에서 챔버 몸체에 커플링된 가열기들은 제어가능하게, 증착 프로세스들 전에 마스크들 및/또는 기판들을 가열하고 그리고 증착 프로세스들 후에 마스크들 및/또는 기판들을 냉각하도록 구성될 수 있다.
Description
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 큰 면적의 기판들을 위한 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 실시예들은 기판들이 일시적으로 저장될 수 있는 마스크 예열 챔버에 관한 것이다.
[0002] 정보를 디스플레이하기 위한 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들 등의 제조에서 OLED(organic light emitting diode)들이 사용된다. 통상의 OLED는, 개별적으로 통전가능한(energizable) 픽셀들을 갖는 매트릭스 디스플레이 패널을 형성하는 방식으로 기판 상에 모두가 증착되는, 2개의 전극들 사이에 놓인 유기 재료의 층들을 포함할 수 있다. OLED는 일반적으로, 2개의 유리 패널들 사이에 위치되고, OLED를 유리 패널들 내에 캡슐화하기 위해 유리 패널들의 에지들이 실링된다.
[0003] 시장이 평판 기술을 수용함에 따라, 더 큰 디스플레이들에 대한 수요, 생산 증가 및 제조 비용 감소는, 장비 제조업체들로 하여금, 평판 디스플레이 제작자들을 위해 더 큰 크기의 유리 기판들을 수용하는 새로운 시스템들을 개발하게 했다. 부가하여, 다양한 시스템 컴포넌트들을 복잡한 프로세싱 동작들에 효과적으로 그리고 비용 효율적으로 통합하는 능력은 소유 비용을 감소시킨다. 그러나, 큰 면적의 기판들을 프로세싱하기 위한 이러한 큰 장비의 채택으로 인해, 시스템들의 다양한 컴포넌트들을 통합하는 것은 시간 소모적이게 되었고 어려워졌다. 부가적으로, 기판 큐 시간들이 동기화되지 않는 경우들이 있어서, 하나 또는 그 초과의 기판들이 일시적으로 저장될 필요가 있을 수 있다.
[0004] 따라서, OLED 디스플레이 디바이스들을 제조하기 위한 개선된 장치가 당해 기술분야에서 요구된다.
[0005] 일 실시예에서, 열 챔버가 제공된다. 열 챔버는 챔버 몸체를 포함하고, 챔버 몸체는 하나 또는 그 초과의 마스크들 및/또는 기판들을 챔버 몸체 내에 수용하도록 크기설정된 볼륨을 정의하며, 리드 부재가 볼륨 외부에서 챔버 몸체에 슬라이딩가능하게(slidably) 커플링될 수 있다. 가열 부재 및 온도 측정 장치가 챔버 몸체에 커플링될 수 있다. 가열 부재는 볼륨 내에 배치될 수 있고, 온도 측정 장치는 챔버 몸체에 커플링될 수 있다. 플랫폼이 볼륨 내에서 리드 부재에 대향하여 배치될 수 있고, 플랫폼은 챔버 몸체에 이동가능하게 커플링될 수 있다.
[0006] 다른 실시예에서, 열 챔버가 제공된다. 열 챔버는 볼륨을 정의하는 챔버 몸체 및 볼륨 외부에서 챔버 몸체에 커플링된 리드 부재를 포함한다. 반사성 가열 부재가 볼륨 내에서 챔버 몸체에 커플링될 수 있고, 서모커플이 챔버 몸체에 커플링될 수 있다. 플랫폼이 챔버 몸체에 커플링될 수 있고, 볼륨 내에서 이동가능하게 배치될 수 있다.
[0007] 또 다른 실시예에서, 열 챔버가 제공된다. 열 챔버는 볼륨을 정의하는 챔버 몸체 및 챔버 몸체에 슬라이딩가능하게 커플링된 리드 어셈블리를 포함한다. 슬릿 밸브가 리드 어셈블리 아래에서 챔버 몸체에 커플링될 수 있고, 서모커플이 슬릿 밸브 아래에서 챔버 몸체에 커플링될 수 있다. 복수의 반사성 가열기들이 볼륨 내에서 챔버 몸체에 커플링될 수 있다. 플랫폼이 또한, 볼륨 내에서 이동가능하게 배치될 수 있고, 정렬 장치가 플랫폼에 커플링되고 그리고 플랫폼으로부터 연장될 수 있다. 정렬 장치는 베어링 부재를 포함할 수 있다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들만을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 열 챔버의 사시도를 예시한다.
[0010] 도 2a는 리드 어셈블리가 제거된, 도 1의 열 챔버의 평면도를 예시한다.
[0011] 도 2b는 도 1의 열 챔버의 일부의 개략적 단면도이다.
[0012] 도 3은 도 1의 열 챔버의 사시 단면도를 예시한다.
[0013] 도 4는 플랫폼 카세트 정렬 장치의 부분 절단 측면도를 예시한다.
[0014] 도 5는 프로세싱 시스템의 개략적 사시도를 예시한다.
[0015] 이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에서 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지시하기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 추가적인 언급이 없이도, 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처들이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0009] 도 1은 열 챔버의 사시도를 예시한다.
[0010] 도 2a는 리드 어셈블리가 제거된, 도 1의 열 챔버의 평면도를 예시한다.
[0011] 도 2b는 도 1의 열 챔버의 일부의 개략적 단면도이다.
[0012] 도 3은 도 1의 열 챔버의 사시 단면도를 예시한다.
[0013] 도 4는 플랫폼 카세트 정렬 장치의 부분 절단 측면도를 예시한다.
[0014] 도 5는 프로세싱 시스템의 개략적 사시도를 예시한다.
[0015] 이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에서 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지시하기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 추가적인 언급이 없이도, 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처들이 다른 실시예들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0016] 본원에서 설명되는 실시예들은 디스플레이 기판들의 프로세싱에서 활용되는 열 챔버에 관한 것이다. 열 챔버는 열적으로 제어된 환경에서 마스크들 및/또는 기판들을 저장하기 위해 사용될 수 있다. 열 챔버는, OLED 디바이스들을 제조하도록 구성된 더 큰 프로세싱 시스템(도 5 참조)의 부분일 수 있다. 열 챔버는 프로세싱 시스템에서의 증착 프로세스들 동안 활용되는 마스크들을 가열 및 냉각하도록 구성될 수 있다. 열 챔버는 또한, 필요할 때 하나 또는 그 초과의 기판들을 저장하기 위해 활용될 수 있다. 열 챔버는 복수의 마스크들을 포함하는 하나 또는 그 초과의 카세트들을 수용하도록 크기설정된 볼륨을 정의하는 챔버 몸체를 포함할 수 있다. 볼륨 내에서 챔버 몸체에 커플링된 가열기들은 제어가능하게, 증착 프로세싱 챔버에서 마스크들을 활용하기 전에 마스크들을 가열하고 그리고 증착 프로세싱 챔버에서의 사용 후에 마스크들을 냉각하도록 구성될 수 있다.
[0017] 도 1은 열 챔버(100)의 사시도를 예시한다. 열 챔버(100)는 볼륨(104)을 정의하는 챔버 몸체(102)를 포함한다. 볼륨(104)은 하나 또는 그 초과의 카세트들(120)을 수용하도록 크기설정될 수 있는데, 하나 또는 그 초과의 카세트들(120)은 하나 또는 그 초과의 카세트들(120) 내에 제거가능하게 배치된 하나 또는 그 초과의 마스크들(122)을 갖는다. 카세트들(120)은 크레인 또는 유사한 장치에 의해 챔버(100)에 전달되어 볼륨(104) 내에 포지셔닝될 수 있다. 프레임 부재(130)가 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있고, 하나 또는 그 초과의 정렬 액추에이터들(124)이 프레임 부재(130)에 커플링될 수 있다. 정렬 액추에이터들(124)은 카세트(120)의 부분과 맞물리도록 그리고 볼륨(104)으로의 이송 동안 카세트(120)를 포지셔닝하는 것을 돕도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 정렬 액추에이터들(124)은 공기 실린더들이다.
[0018] 리드 부재(106)가 또한 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있다. 리드 부재(106)는, 리드 부재(106)가 폐쇄 포지션에 로케이팅될 때, 볼륨(104)을 밀봉하도록 구성될 수 있다. 리드 지지 부재(110)는 또한 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있고, 리드 부재(106)가 (도 1에 예시된 바와 같이) 개방 포지션에 로케이팅될 때, 리드 부재(106)를 지지 및 포지셔닝하도록 구성될 수 있다. 리드 부재(106)는 리드 지지 부재(110)에 커플링될 수 있다. 트랙 부재(126)가 리드 지지 부재(110)에 커플링될 수 있고, 트랙 부재(126)는 챔버 몸체(102)에 대해 병진(translate)할 수 있다. 일 실시예에서, 트랙 부재(126)는 리드 부재(106)를 제 1 방향으로 병진시킬 수 있고, 카세트들(120)은 제 2 방향에서 볼륨(104) 내외로 병진될 수 있다. 제 1 방향과 제 2 방향은 실질적으로 서로에 대해 수직일 수 있다.
[0019] 리드 액추에이터(128)가 트랙 부재(126)에 인접하게 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있다. 리드 액추에이터(128)는 리드 부재(106)를 개방 포지션 또는 폐쇄 포지션으로 포지셔닝하기 위해 트랙 부재(126)에 이동가능하게 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 리드 액추에이터(128)는 공기 실린더이다. 리드 부재(106), 리드 지지 부재(110), 및 트랙 부재(126)의 병진 능력은, 카세트들(120) 및 마스크들(122)이 챔버(100) 내에 효율적으로 위치되는 것을 가능하게 한다.
[0020] 예컨대, 세정되거나 또는 컨디셔닝될 필요가 있는 사용된 마스크들은, 리드 부재(106)를 개방하여, 사용된 마스크들을 포함하는 카세트를 제거함으로써, 챔버(100)로부터 제거될 수 있다. 새로운 카세트에 의해 새로운 마스크들이 챔버(100)에 제공될 수 있고, 그 다음에 리드 부재(106)는 폐쇄될 수 있다. 마스크들 및 카세트들의 교환은, 기판들이 프로세싱 시스템에서 프로세싱되는 동안 수행될 수 있어서(도 5를 참조하여 더 상세하게 설명됨), 시스템의 프로세싱 챔버들이 새로운 마스크를 요구할 때, 적절한 마스크가 열 챔버(100)에 이미 존재하고, 이용가능하다. 일 실시예에서, 챔버(100)에 배치된 제 1 카세트는 사용되지 않은 마스크들을 포함할 수 있고, 챔버(100)에 배치된 제 2 카세트는 사용된 마스크들을 포함할 수 있다. 새로운 마스크들은 제 1 카세트로부터 리트리브되어 시스템의 프로세싱 챔버들에서 활용될 수 있고, 프로세싱 챔버들로부터의 사용된 마스크들은 제 2 카세트에 리턴될 수 있다. 원하는 경우, 사용된 마스크들을 포함하는 제 2 카세트는 챔버(100)로부터 제거될 수 있고, 새로운 마스크들을 갖는 제 3 카세트가 챔버(100) 내에 포지셔닝될 수 있다.
[0021] 슬릿 밸브(118)가 또한 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있다. 슬릿 밸브는 일반적으로 프로세싱 시스템의 이송 챔버에 커플링되고(도 5 참조), 슬릿 밸브(118)는 볼륨(104)으로의 그리고 볼륨(104)으로부터의 마스크들(122)의 통과를 허용하도록 구성된다. 센서(114)가 챔버 몸체(102)에 커플링되고 볼륨(104) 내로 연장될 수 있다. 센서(114)는 광학 또는 접촉 센서 등일 수 있고, 볼륨(104) 내의 마스크들(122)(및/또는 기판들(200))의 존재를 검출하도록 구성될 수 있다. 카세트 센서(116)가 또한 챔버 몸체(102)에 커플링되고 볼륨(104) 내로 연장될 수 있다. 카세트 센서(116)는 광학 센서 또는 접촉 센서 등일 수 있고, 볼륨(104) 내의 카세트들(120)의 존재를 검출하도록 구성될 수 있다. 부가하여, 온도 센서(108)가 챔버 몸체(102)에 커플링되고 볼륨(104) 내로 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 온도 센서(108)는 마스크들(122)(및/또는 기판들(200))에 접촉하도록 구성된 서모커플일 수 있다.
[0022] 부가적으로, 챔버(100)는 하나 또는 그 초과의 기판들(도시되지 않음)을 저장하기 위해 활용되는 카세트(120)를 포함할 수 있다. 기판들이 챔버(100)에 일시적으로 저장될 수 있어서, 챔버(100)는 더 큰 시스템 내의 버퍼 챔버이다.
[0023] 챔버(100)는, 마스크들(122)을 컨디셔닝하기에 적절한, 더 구체적으로는 마스크들(122)을 가열 및 냉각하기에 적절한 환경을 볼륨(104) 내에 생성하도록 구성될 수 있다. 카세트들(120) 내에 포지셔닝될 수 있는 기판들(도시되지 않음)은 또한 챔버(100)에서 가열 또는 냉각될 수 있다. 펌핑 장치(112)가 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있고, 볼륨 내에 진공을 생성하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 펌핑 장치(112)는 극저온 펌프이다. 펌핑 장치(112)는, 챔버(100)가 커플링되는 이송 챔버의 환경과 유사할 수 있는 진공 환경을 볼륨 내에 생성할 수 있다. 이로써, 마스크들(122)(또는 기판) 중 하나를 수용 또는 방출하기 위해 슬릿 밸브(118)가 개방될 때, 진공이 파괴되지 않을 수 있으며, 이는 이송의 효율을 개선할 수 있다.
[0024] 도 2a는 리드 부재(106)가 제거된, 도 1의 챔버(100)의 평면도를 예시한다. 도 2b는 도 1의 챔버(100)의 일부의 개략적 단면도이다.
[0025] 도 2a에 예시된 바와 같이, 기판(200)을 포함하는 카세트(120)가 챔버(100)에 배치된다. 가열 부재들(204)이 볼륨(104) 내에 그리고 카세트(120) 및 기판(200)에 인접하게 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있다. 가열 부재들(204)은 열을 카세트(120) 및 기판(200)에 제공하도록 구성될 수 있다. 가열 부재들(204)은 또한 기판(200)을 냉각하는 것을 도울 수 있다. 일 실시예에서, 가열 부재들(204)은 반사성 가열기들 또는 저항성 가열기들일 수 있다. 가열 부재들(204)은 기판(200)(및/또는 마스크(122)(도 1에 도시됨))을, 약 20℃ 내지 약 100℃, 이를테면, 약 40℃ 내지 약 80℃의 온도로 가열 및 냉각하도록 구성될 수 있다. 일반적으로, 새로운 마스크들은 가열될 수 있고, 사용된 마스크들은 냉각될 수 있다. 마찬가지로, 기판들이 필요에 따라 가열 또는 냉각될 수 있다.
[0026] 도 2a의 카세트(120)에 하나의 기판(200)이 도시되지만, 도 2b에 도시된 바와 같이 다른 기판들이 기판(200) 아래에 배치될 수 있다. 부가적으로, 도 2a에 도시된 카세트(120) 아래에 다른 카세트들(120)이 배치될 수 있다. 일 예에서, 카세트(120)는 카세트(120) 내에 배치된 하나 또는 그 초과의 기판들(200)을 가질 수 있다. 기판들(200)은 카세트(120)의 내부 벽으로부터 연장되는 지지 부재들(203) 상에 놓일 수 있다. 카세트들(120)은 하나 또는 그 초과의 마스크들(122)을 포함할 수 있다. 마스크들(122)은 카세트(120)의 내부 벽으로부터 연장되는 지지 부재들(205) 상에 놓일 수 있다. 카세트들(120)에 배치된 마스크들(122)은, CVD(chemical vapor deposition) 프로세스들 및 ALD(atomic layer deposition) 프로세스들을 위한 마스크들 중 하나 또는 마스크들의 조합을 포함할 수 있다. 지지 부재들(203)은 지지 부재들(205)과 비교하여 (내부로 연장되는 방향으로) 더 길 수 있다. 지지 부재들(203)의 더 긴 길이는, 일반적으로 마스크들(122)보다 더 유연한 기판들(200)에 부가적인 지지를 제공하기 위해 활용될 수 있다.
[0027] 가열 부재들(204)은 마스크들(122)(및/또는 기판들(200))을 점진적으로 가열하고, 가열 부재들(204)은 약 1 ℃/minute보다 더 빠른 속도로 온도가 상승될 수 있다. 일 예에서, 가열 부재들(204)은 마스크들(및/또는 기판들)을 약 6시간 이내에서 원하는 온도, 이를테면, 약 80℃로 가열할 수 있다. 점진적 가열 프로세스는 마스크 재료의 열 응력 허용한계를 초과하는 것을 방지하도록 수행될 수 있다. 게다가, 가열 부재들(204)은, 약 3℃ 미만의 분산으로, 마스크들(122)(및/또는 기판들(200))을 원하는 타겟 온도, 이를테면, 약 80℃로 유지할 수 있다. 사용된 마스크들은 약 10 시간 미만의 지속기간 동안 가열 부재들(204)에 의해 점진적으로 냉각될 수 있다. 예컨대, 약 80℃의 온도를 갖는 사용된 마스크는 가열 부재들(204)에 의해 약 40℃의 온도까지 점진적으로 냉각될 수 있다.
[0028] 일 실시예에서, 가열 부재들(204)은 제 1 시간 기간 동안 제 1 온도로 설정되고, 제 2 시간 기간 동안 제 2 온도로 설정될 수 있다. 제 1 온도는 제 2 온도보다 더 높을 수 있다. 제 1 온도는 급속 램프-업(ramp-up) 온도일 수 있고, 제 2 온도는 유지 온도(즉, 연장된 시간 기간에 걸쳐 유지되는 원하는 온도)일 수 있다. 일 예에서, 제 1 시간 기간은 약 4시간일 수 있고, 제 2 시간 기간은 수분, 수시간, 또는 최대 수일일 수 있다. 제 1 온도는 약 200℃ 내지 약 250℃, 예컨대 약 225℃일 수 있다. 제 2 온도는 약 100℃ 내지 약 150℃, 예컨대 약 125℃일 수 있다. 일 예에서, 기판들(200)(및/또는 마스크들(122)(도 1에 도시됨))은 제 1 시간 기간에서, 제 1 온도에서 약 90℃의 피크 온도로 열 챔버(100)에서 가열될 수 있다. 피크 온도에 도달한 경우, 가열 부재들(204)은 제 2 온도로 설정될 수 있고, 제 2 시간 기간이 시작된다. 기판들(200)(및/또는 마스크들(122)(도 1에 도시됨))의 온도는 제 2 시간 기간에서 약 80℃까지 유지 온도(즉, 연장된 시간 기간에 걸쳐 유지되는 원하는 온도)로 감소될 수 있다.
[0029] 하나 또는 그 초과의 선형 액추에이터들(202)이 또한 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있다. 단지 2개의 선형 액추에이터들(202)이 도시되지만, 더 많은 수의 또는 더 적은 수의 선형 액추에이터들(202)이 챔버 몸체(102)에 커플링될 수 있다는 것이 고려된다. 선형 액추에이터들(202)은 플랫폼(도 3 및 도 4에서 더 상세하게 설명됨)에 커플링되고 그리고 볼륨(104)을 통해 플랫폼을 병진시키도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 선형 액추에이터들(202)은 볼 스크루들이다.
[0030] 도 3은 도 1의 챔버(100)의 사시 단면도를 예시한다. 선형 액추에이터들(202)에 커플링되고 볼륨(104) 내에 배치되는 플랫폼(302)은, 카세트들(120)에 접촉하도록 그리고 카세트들(120)을 볼륨(104)을 통해 병진시키도록 구성될 수 있다. 일반적으로, 플랫폼(302)을 통한 카세트들(120)의 병진은, 리드 부재(106)의 제 1 병진 방향에 수직하는 제 2 방향으로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 플랫폼(302)은 제 2 방향으로, 약 1500 mm 내지 약 2500 mm, 이를테면, 약 2200 mm 내지 약 2300 mm의 스트로크 거리(stroke distance)를 병진하도록 구성된다.
[0031] 플랫폼(302)은 카세트들(120)과 맞물리고, 카세트들(120)을 볼륨(104) 내에 포지셔닝할 수 있다. 예컨대, 카세트들(120)이 볼륨(104)에 도입될 때, 플랫폼(302)은, 카세트들(120)을 수용하기 위해 상승되고 그리고 카세트들(120)을 볼륨(104) 내의 원하는 포지션으로 하강시킬 수 있어서, 리드 부재(106)가 폐쇄 포지션으로 이동할 수 있다. 플랫폼(302)은 추가로, 마스크들(122)이 카세트들(120)로부터 제거되거나 또는 카세트들(120)에 위치될 수 있도록, 카세트들(120)을 볼륨(104) 내에서 슬릿 밸브(118)에 대해 포지셔닝할 수 있다. 도 3에 예시된 바와 같이, 5개의 마스크들(122)을 각각 포함하는 2개의 카세트들(120)이 챔버(100) 내에 배치된다. 그러나, 아래에서 설명되는 프로세싱 시스템 내에서 원하는 프로세싱 처리량을 달성하기 위해, 더 많은 수의 또는 더 적은 수의 카세트들(120) 및 마스크들(122)(및/또는 기판들(200))이 챔버(100)에서 활용될 수 있다는 것이 고려된다.
[0032] 도 4는 정렬 장치(402)의 부분 절단 측면도를 예시한다. 정렬 장치(402)는 플랫폼(302)의 상부 표면(408)에 커플링되어 그로부터 연장될 수 있다. 정렬 장치(402)는 베어링 부재(404)에 커플링된 핀-형, 로드-형, 또는 튜브-형 구조일 수 있다. 베어링 부재(404)는 정렬 장치(402)에 가요성으로 또는 이동가능하게 커플링될 수 있고, 카세트(120)의 하부 표면(410)과 맞물리도록 구성될 수 있다. 정렬 구역(406)은 카세트(120)의 하부 표면(410)에 형성될 수 있고, 정렬 장치(402)의 베어링 부재(404)와 접촉할 수 있다. 정렬 구역(406)은 카세트(120)의 하부 표면 상에 형성된 리세스 등의 형태일 수 있다.
[0033] 단지 하나의 정렬 장치(402)가 도시되지만, 둘 또는 그 초과의 정렬 장치, 이를테면, 약 4개의 정렬 장치가 플랫폼(302)에 커플링될 수 있다는 것이 고려된다. 동작 시에, 플랫폼(302)은 볼륨(104) 내에서 상승될 수 있고, 카세트가 챔버(100)에 도입될 때, 정렬 장치(402)의 베어링 부재(404)는 정렬 구역(406)과 맞물릴 수 있다. 정렬 장치(402)가 플랫폼(302)과 카세트들(120) 사이의 접촉 정렬을 개선할 수 있고, 그리고 또한 챔버(100) 내에서의 입자 생성을 감소시킬 수 있다고 여겨진다. 게다가, 정렬 장치(402)는 정렬 구역(406)과 함께, 볼륨(104)을 통한 플랫폼(302) 및 카세트(120)의 병진 동안, 플랫폼(302)으로부터의 카세트(120)의 이탈을 방지할 수 있다.
[0034] 도 5는 프로세싱 시스템(500)의 개략적 사시도를 예시한다. 일 실시예에서, 챔버(100)는 프로세싱 시스템(500)에 유리하게 통합될 수 있다. 프로세싱 시스템(500)은 커플링 챔버들(506)에 의해 연결된 제 1 클러스터 도구(502) 및 제 2 클러스터 도구(504)를 포함한다. 커플링 챔버들(506)은 제 1 통과 챔버(514), 턴 챔버(516), 제 2 통과 챔버(520), 및 선택적 버퍼 챔버(518)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 버퍼 챔버(518)는 제 1 클러스터 도구(502) 및 제 2 클러스터 도구(504) 중 하나 또는 둘 모두 상에서 챔버(100)로 대체될 수 있는데, 그 이유는 하나 또는 그 초과의 기판들이 챔버(100) 내에 저장될 수 있기 때문이다.
[0035] 제 1 클러스터 도구(502)는 하나 또는 그 초과의 제 1 프로세싱 챔버들(512A 내지 512E), 제 1 이송 챔버(511), 및 챔버(100)를 포함할 수 있다. 제 1 프로세싱 챔버들(512A 내지 512E) 및 열 챔버(100)는 제 1 이송 챔버(511)에 커플링되고 제 1 이송 챔버(511)를 중심으로 방사상으로 배치될 수 있다. 제 2 클러스터 도구(504)는 하나 또는 그 초과의 제 2 프로세싱 챔버들(522A 내지 522E), 제 2 이송 챔버(521), 및 챔버(100)를 포함할 수 있다. 제 1 클러스터 도구(502)와 유사하게, 제 2 프로세싱 챔버들(522A 내지 522E) 및 열 챔버(100)는 제 2 이송 챔버(521)에 커플링되고 제 2 이송 챔버(521)를 중심으로 방사상으로 배치될 수 있다.
[0036] 동작 시에, 제 1 마스크들은, 제 1 이송 챔버(511)에 배치된 로봇에 의해 열 챔버(100)로부터 리트리브되어, 제 1 프로세싱 챔버들(512A 내지 512E)에 포지셔닝될 수 있다. 기판은, 기판들 상에 제 1 층을 증착하기 위해 제 1 마스크들을 활용하는 제 1 프로세싱 챔버들(512A 내지 512E)에서 프로세싱될 수 있다. 제 1 층의 증착 후에, 기판들은 제 1 통과 챔버(514), 턴 챔버(516), 및 제 2 통과 챔버(520)를 통해 제 2 클러스터 도구(504)에 이송될 수 있다. 제 2 클러스터 도구(504)에서 기판들을 프로세싱하기 전에, 제 2 이송 챔버(521)에 배치된 로봇은 제 2 이송 챔버(512)에 커플링된 열 챔버(100)로부터 제 2 마스크들을 리트리브하여, 제 2 마스크들을 제 2 프로세싱 챔버들(522A 내지 522E)에 포지셔닝할 수 있다. 제 2 이송 챔버(521)에 배치된 로봇은 제 2 통과 챔버(520)로부터 기판들을 수신하고, 기판들 상에 제 2 층을 증착하기 위해 제 2 마스크들을 활용하는 제 2 프로세싱 챔버들(522A 내지 522E)에 기판들을 포지셔닝할 수 있다. 이송 챔버들(511, 521)이 자신에 커플링되는 최대 8개의 챔버들을 수용할 수 있는 8개의 면을 가진 이송 챔버들로서 도시되었지만, 6개의 면을 가진 이송 챔버들과 같은 다른 크기설정된 이송 챔버들이 고려된다는 것을 이해해야 한다. 부가적으로, 프로세싱 챔버들(512A 내지 512E, 522A 내지 522E)이 기판들을 프로세싱하기에 적절한 챔버들, 이를테면, PECVD, CVD, ALD, PVD, 어닐링, 에칭, 및 다른 챔버들을 포함할 수 있다는 것을 이해해야 한다.
[0037] 위에서 설명된 바와 같이, 챔버(100)는 프로세싱 시스템(500) 내에서의 마스크 활용의 효율을 개선함으로써 프로세싱 시스템(500)을 개선할 수 있다. 시스템의 처리량을 개선하기 위해, 새로운 마스크들 및 사용된 마스크들이 프로세싱 챔버들에 대해 효율적으로 교환될 수 있다. 열 챔버(100)에서 수행되는 마스크들의 가열 및 냉각은, 프로세싱 시스템이 기판을 더 신속하게 프로세싱하는 것을 가능하게 하는데, 그 이유는 마스크들이 프로세싱 챔버들에서 가열 또는 냉각될 필요가 없기 때문이다. 부가적으로, 열 챔버(100)는 프로세싱을 위한 기판들을 일렬로(in line) 저장함으로써 인트라-클러스터 도구 버퍼 챔버(intra-cluster tool buffer chamber)로서 활용될 수 있다.
[0038] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 열 챔버로서,
챔버 몸체 ― 상기 챔버 몸체는 하나 또는 그 초과의 마스크들 및/또는 기판들을 상기 챔버 몸체 내에 수용하도록 크기설정된 볼륨을 정의함 ―;
상기 볼륨 외부에서 상기 챔버 몸체에 슬라이딩가능하게(slidably) 커플링된 리드 부재;
상기 볼륨 내에서 상기 챔버 몸체에 커플링된 가열 부재;
챔버 몸체에 커플링된 온도 측정 부재;
상기 볼륨 내에서 상기 리드 부재에 대향하여 배치된 플랫폼 ― 상기 플랫폼은 상기 챔버 몸체에 이동가능하게 커플링됨 ―; 및
상기 볼륨 내에 진공을 생성하도록 구성된 펌핑 장치;를 포함하는,
열 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 플랫폼은 상기 플랫폼을 상기 볼륨을 통해 병진(translate)시키도록 구성된 제 1 선형 액추에이터에 커플링되는,
열 챔버. - 제 2 항에 있어서,
상기 선형 액추에이터는 볼 스크루 장치인,
열 챔버. - 제 2 항에 있어서,
상기 선형 액추에이터는 상기 플랫폼을 제 1 방향으로 병진시키도록 구성되는,
열 챔버. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 방향에 수직하는 제 2 방향으로 상기 리드 부재를 슬라이딩가능하게 병진시키도록 트랙 부재가 구성되는,
열 챔버. - 제 5 항에 있어서,
상기 리드 부재를 상기 챔버 몸체에 대해 슬라이딩가능하게 병진시키도록 트랙 부재가 구성되는,
열 챔버. - 제 5 항에 있어서,
상기 트랙 부재는 상기 챔버 몸체에 커플링되는,
열 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 리드 부재를 상기 챔버 몸체로부터 디커플링하도록 하나 또는 그 초과의 제 2 액추에이터들이 구성되는,
열 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 가열 부재는 반사성 가열기인,
열 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 온도 측정 부재는 서모커플인,
열 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 펌핑 장치는 극저온 펌프인,
열 챔버. - 열 챔버로서,
챔버 몸체 ― 상기 챔버 몸체는 하나 또는 그 초과의 마스크들 및/또는 기판들을 상기 챔버 몸체 내에 수용하도록 크기설정된 볼륨을 정의함 ―;
상기 볼륨 외부에서 상기 챔버 몸체에 커플링되고, 제 1 방향으로 이동가능한 리드 부재;
상기 볼륨 내에서 상기 챔버 몸체에 커플링된 반사성 가열 부재;
챔버 몸체에 커플링된 서모커플; 및
상기 챔버 몸체에 커플링되고 그리고 상기 볼륨 내에서 이동가능하게 배치된 플랫폼 ― 상기 플랫폼은 상기 볼륨을 통해 상기 제 1 방향에 수직하는 제 2 방향으로 이동가능함 ―;을 포함하는,
열 챔버. - 제 12 항에 있어서,
상기 챔버 몸체에 커플링된 제 1 액추에이터를 더 포함하고,
상기 제 1 액추에이터는 상기 플랫폼을 상기 볼륨을 통해 상기 제 2 방향으로 병진시키도록 구성되는,
열 챔버. - 제 13 항에 있어서,
상기 챔버 몸체에 커플링된 제 2 액추에이터를 더 포함하고,
상기 제 2 액추에이터는 상기 제 1 방향으로 상기 리드 부재를 병진시키도록 구성되는,
열 챔버. - 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662414092P | 2016-10-28 | 2016-10-28 | |
US62/414,092 | 2016-10-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180001346U KR20180001346U (ko) | 2018-05-09 |
KR200494769Y1 true KR200494769Y1 (ko) | 2021-12-21 |
Family
ID=58745561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2020160007612U KR200494769Y1 (ko) | 2016-10-28 | 2016-12-28 | 박막 캡슐화 마스크 예열 및 기판 버퍼 챔버 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10604846B2 (ko) |
JP (1) | JP3210415U (ko) |
KR (1) | KR200494769Y1 (ko) |
CN (1) | CN206332060U (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190055641A1 (en) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Vapor deposition machine |
US10962889B2 (en) | 2018-11-27 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for high throughput photomask curing |
JP6532622B1 (ja) * | 2019-02-12 | 2019-06-19 | 千住金属工業株式会社 | はんだ付け方法及びはんだ付け装置 |
CN110534665B (zh) * | 2019-07-16 | 2022-04-05 | 福建华佳彩有限公司 | 一种基板排片缓存装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060278629A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Western Industries, Inc. | Electronically controlled outdoor warmer |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5466060A (en) * | 1992-08-20 | 1995-11-14 | Knape & Vogt Manufacturing Company | Drawer slide with access holes |
US5607009A (en) | 1993-01-28 | 1997-03-04 | Applied Materials, Inc. | Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor |
US5904478A (en) * | 1997-03-07 | 1999-05-18 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing furnace heating subassembly |
US6825447B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection |
US8034691B2 (en) * | 2008-08-18 | 2011-10-11 | Macronix International Co., Ltd. | HDP-CVD process, filling-in process utilizing HDP-CVD, and HDP-CVD system |
JP5653941B2 (ja) * | 2009-02-22 | 2015-01-14 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 真空チャンバー内の真空を実現する方法および設備 |
-
2016
- 2016-12-16 CN CN201621383412.9U patent/CN206332060U/zh active Active
- 2016-12-21 JP JP2016006121U patent/JP3210415U/ja active Active
- 2016-12-28 KR KR2020160007612U patent/KR200494769Y1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-10-18 US US15/787,328 patent/US10604846B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060278629A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Western Industries, Inc. | Electronically controlled outdoor warmer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10604846B2 (en) | 2020-03-31 |
CN206332060U (zh) | 2017-07-14 |
US20180119285A1 (en) | 2018-05-03 |
KR20180001346U (ko) | 2018-05-09 |
JP3210415U (ja) | 2017-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR200494769Y1 (ko) | 박막 캡슐화 마스크 예열 및 기판 버퍼 챔버 | |
KR102072127B1 (ko) | Oled 캡슐화를 위한 마스크 관리 시스템 및 방법 | |
KR101903139B1 (ko) | 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치, 및 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법 | |
TWI394699B (zh) | 多狹槽負載鎖定室及其操作方法 | |
JP5677785B2 (ja) | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 | |
US20060231027A1 (en) | Load lock apparatus, processing system and substrate processing method | |
JP6298232B2 (ja) | 基板冷却を備えた搬送ロボット | |
KR20010031111A (ko) | 기판 가열 및 냉각을 개선한 진공 프로세싱 시스템 | |
CN106992134B (zh) | 用于制造显示装置的方法 | |
US20160057812A1 (en) | Vacuum processing device | |
US20150096685A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
US20190390322A1 (en) | Material deposition arrangement, vacuum deposition system and methods therefor | |
KR102267964B1 (ko) | 12각형 이송 챔버 및 이를 갖는 프로세싱 시스템 | |
US20160033205A1 (en) | Multi-substrate thermal management apparatus | |
KR20170090452A (ko) | 증발 목적들을 위한 도가니 조립체 | |
KR102456282B1 (ko) | 진공 장치, 증착 장치 및 게이트 밸브 | |
CN205508784U (zh) | 掩模腔室装置 | |
CN104919580A (zh) | 用于对物体进行热处理的装置和方法 | |
KR102150421B1 (ko) | 증착장비 및 이의 동작방법 | |
US20170047867A1 (en) | Electrostatic chuck with electrostatic fluid seal for containing backside gas | |
JP6484035B2 (ja) | 薄膜形成装置及びそれを用いた薄膜の製造方法、並びに有機el装置の製造方法 | |
JP4679369B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20150064324A (ko) | 화학 기상 증착장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
REGI | Registration of establishment |