JP3203749U - 表示パネル - Google Patents
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Abstract
【課題】能動層への光線の照射を効果的に遮断でき、ＴＦＴの電気特性を改善又は維持することが可能な表示パネルを提供する。【解決手段】表示パネルは、基板１００と、基板１００上に配置される第１遮光層１０２ａと、第１遮光層１０２ａ上に配置される半導体層１０６と、半導体層１０６上に配置される絶縁層１０８と、絶縁層１０８上に配置されるゲート線１１０と、半導体層１０６を露出させるように絶縁層１０８を貫通する接触孔１１３と、絶縁層１０８上に配置され、接触孔１１３を通じて半導体層１０６に電気的に接続される金属層１１４ｂと、を含み、第１遮光層１０２ａは、金属層１１４ｂと重なり、ゲート線１１０の延伸方向に対して実質的に垂直な第１方向に第１の幅を有する重畳領域を有し、第１方向において、金属層１１４ｂのゲート線１１０に近いエッジ１１４’と接触孔１１３の底部との間の最短距離を第２の幅とし、第１の幅と第２の幅との比の値が０．２〜０．８の範囲にある。【選択図】図２
Description
本考案は、表示パネルに関し、特に、画素セルを有する表示パネルに関するものである。
表示装置（例えば、液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）、アクティブマトリクス有機ＥＬディスプレイ（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ，ＡＭＯＬＥＤ））は、通常、例えば、ノートパソコン、携帯情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ，ＰＤＡ）、電子ブックリーダー（ｅ−ｂｏｏｋ ｒｅａｄｅｒ）、プロジェクタ、携帯電話などの電子装置に搭載される。
一般に、表示パネルでは、画素領域のスイッチ素子として、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）を用いたものが知られている。また、周辺回路領域（即ち、駆動回路領域）もＴＦＴにより構成されたＣＭＯＳ回路を用いる必要がある。能動層として用いられる材料に基づいて、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴとポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）ＴＦＴに分類される。アモルファスシリコンＴＦＴに比べ、ポリシリコンＴＦＴは、高キャリア移動度、駆動回路の高集積化の利点を有し、高速化が求められる製品によく用いられる。そのため、低温ポリシリコン（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）は、ディスプレイ技術の新しい応用となっている。
画素領域のスイッチ素子として用いられる薄膜トランジスタは、通常、トップゲート（ｔｏｐ ｇａｔｅ）構造又はボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）構造を有している。トップゲート型薄膜トランジスタを有する表示パネルにおいて、バックライトモジュールからの光線が、表示装置の下基板（例えば、ＴＦＴ基板）を通過してゲートの下方の能動層を照射するため、能動層にリーク電流が生じ、薄膜トランジスタの電気特性が低下するという問題があった。この問題を解決するために、能動層の下方に遮光層を配置することが考えられる。しかし、この場合、遮光層は、バックライトモジュールからの散乱光を効果的に遮断できず、薄膜トランジスタの電気特性を維持することができない。
したがって、ゲートの下方の能動層への光線の照射を効果的に遮断することができ、ＴＦＴの電気特性を改善又は維持することが可能な表示パネルの開発が強く望まれている。
本考案の一実施形態に係る表示パネルは、基板と、基板上に配置される第１遮光層と、第１遮光層上に配置される半導体層と、半導体層上に配置される絶縁層と、絶縁層上に配置されるゲート線と、半導体層を露出させるように絶縁層を貫通する接触孔と、絶縁層上に配置され、接触孔を通じて半導体層に電気的に接続される金属層と、を含み、第１遮光層は、金属層と重なり、ゲート線の延伸方向に対して実質的に垂直な第１方向に第１の幅を有する重畳領域を有し、第１方向において、金属層のゲート線に近いエッジと接触孔の底部との間の最短距離を第２の幅とし、第１の幅と第２の幅との比の値が０．２〜０．８の範囲にある。
本考案の他の実施形態に係る表示パネルは、基板と、基板上に配置される第１遮光層と、第１遮光層上に配置される半導体層と、半導体層上に配置される絶縁層と、絶縁層上に配置されるゲート線と、半導体層を露出させるように絶縁層を貫通する接触孔と、絶縁層上に配置され、接触孔を通じて半導体層に電気的に接続される金属層と、を含み、ゲート線は、半導体層と重なり、ゲート線の延伸方向に対して実質的に垂直な第１方向に延びる突出部を有し、第１遮光層は、金属層と重なり、ゲート線の延伸方向に対して実質的に平行な第２方向に第１の幅を有する重畳領域を有し、第２方向において、金属層の突出部に近いエッジと、接触孔の底部との間の最短距離を第２の幅とし、第１の幅と第２の幅との比の値が０．２〜０．８の範囲にある。
本考案の目的、特徴並びに考案の効果をより詳細に理解させるため、以下、好適な実施例及び添付の図面により、本考案の技術的事項をより詳細に説明する。なお、本考案は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
図１及び図２を参照する。図１は、本考案の一実施例に係る表示パネルに用いられる画素セル１０を示す概略平面図である。図２は、図１の２−２’線の概略断面図である。一実施例において、画素セル１０は、液晶表示パネルに適用可能である。画素セル１０は、基板１００と、第１遮光層１０２ａと、第２遮光層１０２ｂと、半導体層１０６と、絶縁層１０８と、接触孔１１３と、一対のゲート線１１０と、一対のデータ線１１４ａと、金属層１１４ｂとを含んでいる。基板１００は、一対のゲート線１１０及び一対のデータ線１１４ａによって定義された画素領域Ｐを有している。ここで、図面を簡単にするために、図１には、一対のデータ線１１４ａ及び一本のゲート線１１０のみが示されている。なお、基板１００は、表示パネルのＴＦＴ基板として用いられ、例えばガラス、石英、プラスチックなどの透明材料により構成されてもよい。
第１遮光層１０２ａ及び第２遮光層１０２ｂ（図２には示されていない）は、基板１００上に配置されている。第１遮光層１０２ａは、ゲート線１１０と重なる重畳領域を有し、第２遮光層１０２ｂの一部は、データ線１１４ａとゲート線１１０とが互いに交差する領域と重なっている。本実施例において、第１遮光層１０２ａ及び第２遮光層１０２ｂは、表示パネルにおけるバックライトモジュール（図示せず）からの光線を遮蔽するために用いられ、金属材料や他の非透光性材料で形成されてもよい。
本実施例において、画素セル１０は、基板１００上に配置されるとともに第１遮光層１０２ａ及び第２遮光層１０２ｂを覆う緩衝層１０４（図１には示されていない）をさらに含んでいる。本実施例において、緩衝層１０４は、単一層又は多重層構造であってもよく、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素又はこれら材料の組合せを含んでいる。
半導体層１０６は、緩衝層１０４上に配置され、薄膜トランジスタ（即ち、画素セル１０のスイッチ素子）の能動層として用いられる。また、半導体層１０６の一部は、第１遮光層１０２ａと重なり、半導体層１０６の他の一部は、第２遮光層１０２ｂと重なっている。一実施例において、半導体層１０６は、低温ポリシリコン（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ，ＬＴＰＳ）を含んでもよい。
絶縁層１０８は、緩衝層１０４上に配置され、半導体層１０６を覆い、薄膜トランジスタのゲート誘電体層として用いられる。本実施例において、絶縁層１０８は、単一層又は多重層構造であってもよく、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ハフニウム酸窒化物（ＨｆＯＮ）、又はこれらの組合せを含んでもよい。
ゲート線１１０は、絶縁層１０８上に配置され、薄膜トランジスタのゲート電極として用いられる。また、ゲート線１１０の一部は、半導体層１０６及び第１遮光層１０２ａと重なり、ゲート線１１０の他の一部は、半導体層１０６及び第２遮光層１０２ｂと重なっている。一実施例において、ゲート線１１０は、モリブデン、アルミニウム、銅、チタン又はこれらの組合せ、或いは他の適切な電極材料により構成されてもよい。
本実施例において、画素セル１０は、絶縁層１０８上に配置されるとともに、ゲート線１１０を覆うように配置される層間誘電体（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ，ＩＬＤ）層１１２（図１には示されていない）をさらに含んでいる。本実施例において、接触孔１１３は、半導体層１０６を露出させるように、層間誘電体層１１２及び絶縁層１０８を貫通する。また、本実施例において、層間誘電体層１１２は、単一層又は多重層構造であってもよく、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、又はこれらの組合せを含んでいる。
データ線１１４ａは、層間誘電体層１１２上に配置され、ゲート線１１０の上方に位置している。各データ線１１４ａは、各ゲート線１１０と交差する領域を有している。また、図１に示すように、第２遮光層１０２ｂの一部は、データ線１１４ａとゲート線１１０とが互いに交差する領域と重なっている。
金属層１１４ｂは、層間誘電体層１１２及び絶縁層１０８上に配置され、接触孔１１３の側壁及び底部にコンフォーマルに延びている。これにより、金属層１１４ｂは、接触孔１１３を通じて接触孔１１３から露出された半導体層１０６に電気的に接続されている。一実施例において、金属層１１４ｂは、データ線１１４ａと同一材料層で構成されてもよく、例えば、モリブデン、アルミニウム、銅、チタン又はこれらの組合せが挙げられる。
本実施例において、図１及び図２に示すように、第１遮光層１０２ａは、金属層１１４ｂと重なる重畳領域を有している。この重畳領域によって、第１遮光層１０２ａが半導体層１０６へのバックライトモジュール（図示せず）からの散乱光の照射を遮断することに寄与し、さらに、散乱光に起因する半導体層１０６内に形成されたリーク電流を改善又は低減することができる。ただし、この重畳領域が小さすぎる場合、金属層１１４ｂによって、第１遮光層１０２ａが半導体層１０６へのバックライトモジュール（図示せず）からの散乱光の照射を遮断することに効果的に寄与することができなくなる。一方、この重畳領域が大きすぎる場合、あまりに大きい寄生容量（ｐａｒａｓｉｔｉｃ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）が生じてしまう。
本実施例において、図１に示すように、金属層１１４ｂは、ゲート線１１０のエッジ１１０’の近くに位置するエッジ１１４’を有している。また、上述した重畳領域は、第１方向Ｄ１（第１方向Ｄ１は、ゲート線１１０の延伸方向に対して実質的に垂直となり、延伸方向は、第２方向Ｄ２に実質的に平行となる）に第１の幅Ａを有している。また、第１方向Ｄ１において、金属層１１４ｂのエッジ１１４’と、接触孔１１３の底部との間の最短距離を第２の幅Ｂとする場合には、第１の幅Ａと第２の幅Ｂとの比の値が０．２〜０．８の範囲にある。
本実施例において、画素セル１０は、平坦化層１１６及び接触孔１１７（図１には示されていない）をさらに含んでいる。平坦化層１１６は、層間誘電体層１１２上に配置され、データ線１１４ａ及び金属層１１４ｂを覆い、接触孔１１３内に埋め込まれている。また、接触孔１１７は、金属層１１４ｂを露出させるように平坦化層１１６を貫通している。一実施例において、平坦化層１１６は、例えば、パーフルオロアルコキシポリマー樹脂（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ（ＰＦＡ） ｐｏｌｙｍｅｒ ｒｅｓｉｎ）の絶縁材料を含んでもよい。
本実施例において、画素セル１０は、下層透明電極１１８と、上層透明電極１２４と、下層透明電極１１８と上層透明電極１２４との間に位置するパッシベーション層１２０（図１には示されていない）をさらに含んでいる。本実施例において、下層透明電極１１８は、平坦化層１１６上に配置され、画素セル１０の共通電極として用いられている。また、パッシベーション層１２０は、平坦化層１１６上に配置され、接触孔１１７内に金属層１１４ｂを露出させる接触孔１２１が形成されるように、下層透明電極１１８及び接触孔１１７の側壁を覆っている。上層透明電極１２４は、パッシベーション層１２０上に配置され、接触孔１２１を通じて接触孔１２１の底部から露出された金属層１１４ｂに電気的に接続され、且つ、パッシベーション層１２０によって下層透明電極１１８から電気的に隔離されている。上層透明電極１２４は、画素セル１０の画素電極として用いられている。本実施例において、下層透明電極１１８及び上層透明電極１２４は、透明導電材料（例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ））で構成されてもよい。また、パッシベーション層１２０は、窒化ケイ素で構成されてもよい。
他の実施例において、下層透明電極１１８は、平坦化層１１６上に配置され、接触孔１１７を通じて接触孔１１７の底部から露出された金属層１１４ｂに電気的に接続され、画素セル１０の画素電極として用いられている。そして、パッシベーション層１２０は、下層透明電極１１８を覆っている。上層透明電極１２４は、パッシベーション層１２０上に配置され、画素セル１０の共通電極とし、パッシベーション層１２０によって下層透明電極１１８から電気的に隔離されている。
図３Ａは、本考案の一実施例に係る表示パネルに用いられる画素セルを示す概略底面図であり、図１の構成と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略する。本実施例において、画素セル１０’の構造は、図１に示す画素セル１０の構造に類似している。その相違点は、第１遮光層１０２ａの面積を小さくするために、画素セル１０’の第１遮光層１０２ａが互いに対向して内向き凹入状の２つのエッジを有する点である。例えば、第１遮光層１０２ａは、ゲート線１１０と重な重畳領域を有し、重畳領域は、ゲート線１１０の互いに対向するエッジ１１０’と重なる２つの重畳線分１１１ａ’（点線で示している）と、２つの重畳線分１１１ａ’間に位置する第１中央領域１１１ａとを有している。第１遮光層１０２ａの２つの重畳線分１１１ａ’のうち一方は、第２方向Ｄ２に第１の長さＬ１を有し、第１中央領域１１１ａは、第２方向Ｄ２に第２の長さＬ２を有し、第１の長さＬ１が第２の長さＬ２より大きい。そうすると、第１遮光層１０２ａとゲート線１１０との間の寄生容量を効果的に低減することができる。他の実施例において、第２遮光層１０２ｂ（図示せず）は、第１遮光層１０２ａと同一又は類似の外形や輪郭を有してもよい。
図３Ｂは、本考案の一実施例に係る表示パネルに用いられる画素セルを示す概略底面図であり、図１の構成と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略する。本実施例において、画素セル１０”の構造は、図１に示す画素セル１０の構造に類似している。その相違点は、第１遮光層１０２ａの面積を小さくするために、画素セル１０”の第１遮光層１０２ａが互いに対向して内向き凹入状の２つのエッジを有する点である。例えば、第１遮光層１０２ａは、半導体層１０６と重な重畳領域を有し、重畳領域は、半導体層１０６の互いに対向するエッジ１０６’と重なる２つの重畳線分１１１ｂ’（点線で示す）と、２つの重畳線分１１１ｂ’間に位置する第２中央領域１１１ｂとを有している。第１遮光層１０２ａの２つの重畳線分１１１ｂ’のうちの一方は、第１方向Ｄ１に第３の長さＬ３を有し、第２中央領域１１１ｂは、第１方向Ｄ１に第４の長さＬ４を有し、第３の長さＬ３が第４の長さＬ４より大きい。そうすると、第１遮光層１０２ａと半導体層１０６との間の寄生容量を効果的に低減することができる。他の実施例において、第２遮光層１０２ｂ（図示せず）は、第１遮光層１０２ａと同一又は類似な外形を有してもよい。
特に、図１に示す画素セル１０において、第１遮光層１０２ａ及び／又は第２遮光層１０２ｂは、重畳線分１１１ａ’、第１中央領域１１１ａ（図３Ａに示す）、重畳線分１１１ｂ’及び第２中央領域１１１ｂ（図３Ｂに示す）を有してもよい。この場合、第１の長さＬ１が第２の長さＬ２より大きく、第３の長さＬ３が第４の長さＬ４より大きい。
図４は、本考案の一実施例に係る表示パネルに用いられる画素セルを示す概略底面図であり、図１の構成と同一又は類似の構成については同一又は類似の符号を付し、説明を省略する。本実施例において、画素セル２０の構造は、図１に示す画素セル１０の構造に類似しており、基板と、第１遮光層２０２ａと、第２遮光層２０２ｂと、半導体層と、絶縁層と、接触孔１１３と、一対のゲート線２１０と、一対のデータ線１１４ａと、金属層とを含んでいる。基板(図示せず)は、一対のゲート線２１０及び一対のデータ線１１４ａによって定義された画素領域Ｐを有している。ここで、図面を簡単にするために、図４には、一対のデータ線１１４ａ及び一本のゲート線２１０のみが示されている。
本実施例において、ゲート線２１０は、半導体層２０６と重なる突出部２２０（ゲート電極ともいう）を有している点で、図１に示すゲート線１１０と相違している。突出部２２０は、第１方向Ｄ１（ゲート線２１０の延伸方向に対して実質的に垂直となる）に延びている。
また、図４に示すように、第１遮光層２０２ａは、突出部２２０と部分的に重なっており、且つ金属層１１４ｃと重なる重畳領域を含んでいる。同様に、この重畳領域によって、第１遮光層２０２ａが半導体層２０６へのバックライトモジュール（図示せず）からの散乱光の照射を遮断することに寄与し、さらに、散乱光に起因する半導体層２０６内に形成されたリーク電流を改善又は低減することができる。本実施例において、金属層１１４ｃは、突出部２２０のエッジ２２０’に近いエッジ２１４’を有している。そして、重畳領域は、第２方向Ｄ２（ゲート線２１０の延伸方向に対して実質的に平行となる）に第１の幅Ｃを有している。また、第２方向Ｄ２において、金属層１１４ｃのエッジ２１４’と、接触孔１１３の底部との間の最短距離を第２の幅Ｄとする場合には、第１の幅Ｃと第２の幅Ｄとの比の値が０．２〜０．８の範囲にある。
本実施例において、第２遮光層２０２ｂの一部は、データ線１１４ａ及びゲート線２１０と重なる領域を有している。図１に示す第１遮光層１０２ａ及び第２遮光層１０２ｂと比較して、第１遮光層２０２ａは、半導体層２０６と重なる第１円弧縁２０３を有し、第２遮光層２０２ｂは、半導体層２０６と重なる第２円弧縁２０４を有し、第１円弧縁２０３及び第２円弧縁２０４は、隣り合って配置されている点において相違している。第１遮光層２０２ａ及び第２遮光層２０２ｂは、第１円弧縁２０３と第２円弧縁２０４とを有するため、第１遮光層２０２ａと第２遮光層２０２ｂとの間の距離を縮めることができ、画素セル２０の開口率を向上させることができる。
特に、画素セル２０の構造は、図２に示す画素セル１０の構造に類似の緩衝層と、絶縁層と、層間誘電体層と、平坦化層と、接触孔と、下層透明電極と、パッシベーション層と、上層透明電極とをさらに含んでいる。ここで、説明を簡単にするために省略する。
上記実施例によれば、表示パネルに用いられる画素セルにおいて、金属層と第１遮光層は適切な重畳領域を有することにより、あまりに大きい寄生容量が生じないうえ、半導体層へのバックライトモジュールからの散乱光の照射を効果的に遮断でき、リーク電流を改善又は低減することができる。また、第１遮光層及び/又は第２遮光層は、互いに対向して内向き凹入状の少なくとも２つのエッジを有することにより、さらに遮光層とゲート線との間の寄生容量、及び/又は遮光層と半導体層との間の寄生容量を効果的に低減することができる。また、ゲート線が突出部を有する場合、第１遮光層及び第２遮光層は、互いに対向して隣り合って配置される円弧縁を有することにより、第１遮光層と第２遮光層との間の距離を縮めることができ、画素セルの開口率を向上させることができる。
以上は本考案の好ましい具体的な実施例であるが、本考案の実用新案登録請求の範囲を限定するものではなく、本考案の内容を利用して変更した等価なものはいずれも本考案の範囲内に含まれる。
１０、１０’、１０”、２０ 画素セル
１００ 基板
１０２ａ、２０２ａ 第１遮光層
１０２ｂ、２０２ｂ 第２遮光層
１０４ 緩衝層
１０６、２０６ 半導体層
１０８ 絶縁層
１１０、２１０ ゲート線
１１０’、１０６’、１１４’、２１４’、２２０’ エッジ
１１１ａ 第１中央領域
１１１ａ’、１１１ｂ’ 重畳線分
１１１ｂ 第２中央領域
１１２ 層間誘電体層
１１３、１１７、１２１ 接触孔
１１４ａ データ線
１１４ｂ、１１４ｃ 金属層
１１６ 平坦化層
１１８ 下層透明電極
１２０ パッシベーション層
１２４ 上層透明電極
２０３ 第１円弧縁
２０４ 第２円弧縁
２２０ 突出部
Ａ、Ｃ 第１の幅
Ｂ、Ｄ 第２の幅
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ｌ１ 第１の長さ
Ｌ２ 第２の長さ
Ｌ３ 第３の長さ
Ｌ４ 第４の長さ
Ｐ 画素領域
１００ 基板
１０２ａ、２０２ａ 第１遮光層
１０２ｂ、２０２ｂ 第２遮光層
１０４ 緩衝層
１０６、２０６ 半導体層
１０８ 絶縁層
１１０、２１０ ゲート線
１１０’、１０６’、１１４’、２１４’、２２０’ エッジ
１１１ａ 第１中央領域
１１１ａ’、１１１ｂ’ 重畳線分
１１１ｂ 第２中央領域
１１２ 層間誘電体層
１１３、１１７、１２１ 接触孔
１１４ａ データ線
１１４ｂ、１１４ｃ 金属層
１１６ 平坦化層
１１８ 下層透明電極
１２０ パッシベーション層
１２４ 上層透明電極
２０３ 第１円弧縁
２０４ 第２円弧縁
２２０ 突出部
Ａ、Ｃ 第１の幅
Ｂ、Ｄ 第２の幅
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ｌ１ 第１の長さ
Ｌ２ 第２の長さ
Ｌ３ 第３の長さ
Ｌ４ 第４の長さ
Ｐ 画素領域
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に配置される第１遮光層と、
前記第１遮光層上に配置される半導体層と、
前記半導体層上に配置される絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されるゲート線と、
前記半導体層を露出させるように前記絶縁層を貫通する接触孔と、
前記絶縁層上に配置され、前記接触孔を通じて前記半導体層に電気的に接続される金属層と、を含み、
前記第１遮光層は、前記金属層と重なり、前記ゲート線の延伸方向に対して実質的に垂直な第１方向に第１の幅を有する重畳領域を有し、
前記第１方向において、前記金属層の前記ゲート線に近いエッジと、前記接触孔の底部との間の最短距離を第２の幅とし、
前記第１の幅と前記第２の幅との比の値が０．２〜０．８の範囲にあることを特徴とする表示パネル。 - 前記第１遮光層は、前記ゲート線と重なり、前記ゲート線の互いに対向するエッジと重なる２つの重畳線分と当該２つの重畳線分間に位置する第１中央領域とを有する重畳領域を有し、
前記第１遮光層の前記２つの重畳線分のうち一方は、前記ゲート線の延伸方向に対して実質的に平行な第２方向に第１の長さを有し、
前記第１中央領域は、前記第２方向に第２の長さを有し、
前記第１の長さが前記第２の長さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。 - 前記第１遮光層は、前記半導体層と重なり、前記半導体層の互いに対向するエッジと重なる２つの重畳線分と当該２つの重畳線分間に位置する第２中央領域とを有する重畳領域を有し、
前記第１遮光層の前記２つの重畳線分のうち一方は、前記第１方向に第３の長さを有し、
前記第２中央領域は、前記第１方向に第４の長さを有し、
前記第３の長さが前記第４の長さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。 - 前記基板と前記半導体層との間に配置される第２遮光層をさらに含み、
前記第２遮光層の一部は、前記半導体層及び前記ゲート線と重なることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。 - 前記第１遮光層と前記半導体層との間に配置される緩衝層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
- 基板と、
前記基板上に配置される第１遮光層と、
前記第１遮光層上に配置される半導体層と、
前記半導体層上に配置される絶縁層と、
前記絶縁層上に配置されるゲート線と、
前記半導体層を露出させるように前記絶縁層を貫通する接触孔と、
前記絶縁層上に配置され、前記接触孔を通じて前記半導体層に電気的に接続される金属層と、を含み、
前記ゲート線は、前記半導体層と重なり、前記ゲート線の延伸方向に対して実質的に垂直な第１方向に延びる突出部を有し、
前記第１遮光層は、前記金属層と重なり、前記ゲート線の延伸方向に対して実質的に平行な第２方向に第１の幅を有する重畳領域を有し、
前記第２方向において、前記金属層の前記突出部に近いエッジと、前記接触孔の底部との間の最短距離を第２の幅とし、
前記第１の幅と前記第２の幅との比の値が０．２〜０．８の範囲にあることを特徴とする表示パネル。 - 前記基板と前記半導体層との間に配置される第２遮光層をさらに含み、
前記第１遮光層は、前記半導体層と重なる第１円弧縁を有し、
前記第２遮光層は、前記半導体層と重なる第２円弧縁を有し、
前記第１円弧縁及び前記第２円弧縁は、隣り合って配置されることを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。 - 前記第１遮光層の一部は、前記半導体層と前記ゲート線とが互いに交差する領域と重なることを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
- 前記第１遮光層の一部は、前記突出部と重なり、
前記第２遮光層の一部は、前記半導体層と前記ゲート線とが互いに交差する他の領域と重なることを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。 - 前記第１遮光層と前記半導体層との間に配置される緩衝層をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
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