JP3203547B2

JP3203547B2 - 磁気検出素子

Info

Publication number: JP3203547B2
Application number: JP24507196A
Authority: JP
Inventors: 明宏磯村; 賢一荒井
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 1996-09-17
Filing date: 1996-09-17
Publication date: 2001-08-27
Anticipated expiration: 2016-09-17
Also published as: JPH1090381A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は外部磁気に応じたイ
ンピーダンスを呈する磁気検出素子に関するもので、特
に各種磁気ヘッド、磁気センサ一として有用な磁気検出
素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電予機器の小型・高性能化が急速
に進み、特にコンピューター関連機器ではハードディス
クの小型・大容量化に伴って従来の磁束密度の変化を用
いたヘッドに代わり、磁気抵抗効果を利用したヘッド
（ＭＲヘッド）が読みとりに使用されつつある。しか
し、さらなる記録密度の増大にはこのＭＲヘッドでも十
分ではなく、外部磁界の変化に対してさらに電気特性の
変化の大きいヘッド用の素子が望まれている。

【０００３】また、地磁気の測定、脳内磁界の測定等、
微小磁界の測定・検出を行なう場合にもＭＲヘッドでは
十分ではない。

【０００４】このような点に鑑みて、軟磁性線に高周波
電流を通電し、外部磁界の変動に応じた軟磁性線の抵
抗、及びインダクタンスの変化、すなわちインピーダン
スの変化として捕らえる磁気検出素子（「磁気インピー
ダンス素子」ともいわれる。）が提案されている（特開
平６−１７６９３０、特開平７−２４８３６５、電気学
会論文誌Ｅ１１６巻１号ｐ７（１９９６）など）。この
磁気検出素子を、以下において、従来例１と呼ぶ。この
従来例１の磁気検出素子はは、外部磁界の変化に伴うイ
ンピーダンスの変化が大きく、センサー、ヘッドとして
優れた特徴を持つている。

【０００５】従来例１の磁気検出回路に対して、軟磁性
線にトランジスタとコンデンサを組み合わせて発振回路
を構成し、ＬＣ共振を利用することによって検出感度を
向上させようとすることが提案されている（日本応用磁
気学会誌、第１９巻、４６９（１９９５）など）。この
提案による磁気検出素子を従来例２と呼ぶ。

【０００６】また、アモルファス金属磁性単層膜を磁気
検出素子として用いることが検討されている（内山他、
電気学会論文誌、１１５−Ａ、９４９（１９９５））。
このような磁気検出素子では、磁性膜に直接通電を行う
ことにより外部磁界によりインピーダンスが変化する小
型の磁気センサを実現できる。以下、この磁気検出素子
を従来例３と呼ぶ。

【０００７】さらに、Ｃｕ膜を内包したストライプ状の
パーマロイスパッタ膜を磁気インピーダンス素子として
用いることが提案されている（千田他、電気学会マグネ
ティックス研究会資料、ＭＡＧ−９５−１２６，９１
（１９９５）。この提案の磁気検出素子を従来例４と呼
ぶ。

【０００８】さらにまた、−軸異方性を付与されたＣｏ
ＳｉＢ膜の間にＣｕ導電体層を挟んだ構造の磁気検出素
子も提案されている（森川他、日本応用磁気学会誌、２
０、５５３（１９９６））。この提案の磁気検出素子を
従来例５と呼ぶ。

【０００９】上に述べたような軟磁性体を用いた従来例
１〜５の磁気検出素子の等価回路は、図９（ａ）に示す
ような２端子回路となり、もっぱら磁界の変化分をＺ＝
Ｒ＋ｊωＬ（ωは素子に流す交流電流の角周波数）の形
のインピーダンスの変化として検出している。

【００１０】すなわち、ＲならびにＬの値は外部磁界に
よって変化する。これを説明すると、以下の通りであ
る。

【００１１】素子に高周波電流を通電することで周回磁
界が発生する。素子に加わる外部磁界Ｈｅｘが０の場含
は磁性体は容易軸方向に励磁され、磁壁移勤による磁化
過程ををたどる。したがって、通電電流の周波数（ｆ）
が数ＭＨｚ以上の周波数帯域では比透磁率はほとんど１
に近く、インダクタンスＬは導体層による空芯分だけで
決まる小さな値となる。一方、外部磁界Ｈｅｘを印加し
た場合には、磁化は励磁方向から傾きを持ち、磁化回転
による磁化過程をたどるため、磁性体の比透磁率は上昇
し、Ｈｅｘ＝Ｈｋ（Ｈｋは異方性磁界である）で最大値
をとる。さらに、Ｈｅｘ＞Ｈｋでは外部磁界Ｈｅｘの方
向に磁化が固定されるため比透磁率は再び減少する。こ
のため、インダクタンスＬは外部磁界Ｈｅｘの大きさに
応じて変化し、Ｈｅｘ＝Ｈｋ付近で最大値をとる。

【００１２】一方、抵抗Ｒは印加電流の周波数ｆが数Ｍ
Ｈｚの帯域ではほぼ導体の直流抵抗で決まる値である。
しかしながら、１０ＭＨｚ程度以上の帯域では渦電流損
失、表皮効果の影響により増大する。これらのうち表皮
効果は下記に示す数式（１）で表される表皮深さδで決
まる値である。

【００１３】

【数１】

【００１４】数式（１）において、ρは抵抗率、ｆは周
波数、μは透磁率である。数式（１）により表皮効果が
膜厚に対して無視できなくなるような高い周波数ｆで
は、透磁率μが外部磁界Ｈｅｘにより増大すると表皮深
さが小さくなり電気抵抗は増大する。このため表皮深さ
δを考慮しなければならないような高周波域では電気抵
抗も外部磁界Ｈｅｘに対して変化する。

【００１５】このような磁気検出素子では数ＭＨｚ程度
の周波数帯域においては比透磁率がほとんど１に近いた
め、外部磁界に対するインダクタンス分Ｌの変化は小さ
い。しかし、外部磁界が異方性磁界の大きさと同じにな
るとき比透磁率が最大をとるという性質を利用して、外
部磁界の変化に対するインピーダンス変化分を大きくで
きる。

【００１６】かくして、軟磁性体を用いた磁気検出素子
は、外部磁界の変化をインピーダンスの変化として検出
することができるわけである。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記した軟
磁性体を用いた磁気検出素子では、数１０〜数１００Ｍ
Ｈｚ程度の周波数帯域では表皮効果の影響、及び渦電流
損失の増大のために、素子自体のインピーダンスが増大
し、相対的に外部磁界の変化に対するインピーダンス変
化分が小さくなるという欠点がある。

【００１８】さらに、従来例１〜５の磁気検出素子で
は、図９（ｂ）の等価回路に示すように、素子周辺に存
在する他の回路要素や配線等との間に種々の浮遊容量Ｃ
が発生し、動作が不安定になりがちであるという欠点が
ある。

【００１９】さらには、通電電流により発生される電界
が素子外部に存在する導体、あるいは誘電体のために乱
されやすく、動作が不安定になりがちであるという欠点
がある。

【００２０】さらに、従来例１の磁気検出素子は、磁界
変化に伴うインピーダンスの変化率（すなわち磁界感
度）は１０％／Ｏｅの程度にとどまるという欠点があ
る。

【００２１】また、従来例２の磁気検出素子は、トラン
ジスタのような能動部品を必要とするばかりでなく、い
くつかのコンデンサーを初め、抵抗器やダイオードなど
を必要とする。したがって、素子自体のコストアップは
避けられないという欠点がある。

【００２２】従来例３においては、アモルファス金属磁
性膜はＣｕ、Ａｌ、Ａｇなど、導体線路として−般に用
いられる金属に比べ、電気抵抗が大きいため、励磁が効
率よく行えず、かつインピーダンス変化率が小さくなる
という欠点を有する。

【００２３】また、従来例４及び５の磁気検出素子で
は、そのインピーダンスの変化率が−５０〜＋１２０％
程度を呈するような外部磁界の強度範囲があるが、磁界
感度は−５〜＋１０％／Ｏｅ程度に留まり、また、磁気
異方性を制御しにくいという欠点がある。さらに、薄膜
技術を利用するためにスパッタリング装置などのような
大がかりな装置を必要とし、製造コストを低く抑えるこ
とは難しい。

【００２４】そこで、本発明は、上記した従来の欠点を
解決することを課題とし、素子周辺に存在する導体や誘
電体による外乱を受けにくく、安定して動作し、磁気感
度が高く、しかも、製造も簡単で低コストの磁気検出素
子を提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、棒状の
軟磁性線と接地導体を絶縁層を介して配置し、該軟磁性
線の一端と該接地導体を短絡導体にて短絡して、該軟磁
性線の他端と接地導体を外部接続端子とする２端子素子
からなり、磁界の変化を該２端子素子のインピーダンス
の変化に変換して検出することを特微とする磁気検出素
子が得られる。

【００２６】上記の軟磁性線は、軟磁性線内部に導体線
を有する同軸型に形成されており、該導体線が前記接地
導体に接続された構成とすることができる。

【００２７】前記同軸型の軟磁性線の外部軟磁性部と内
部導体線との間に、絶縁層を介在させてもよい。

【００２８】また、前記接地導体は、前記絶縁層の面に
形成された導体膜として構成してもよい。あるいは、前
記接地導体を導体線とし、前記絶縁層の面に貼付けても
よい。

【００２９】上記の本発明の磁気検出素子において、磁
界の変化に伴うンピーダンス変化とＬＣ共振周波数近傍
のインピーダンス変化とを組み合わせることによりイン
ピーダンス変化率を増大させることができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の一実施
の形態による磁気検出素子は、導電性の軟磁性線１と、
裏面に接地導体２を有し上面に軟磁性線１を支持する支
持板としての絶縁体３と、該絶縁体３の上面から側面に
渡って部分的に形成され前記軟磁性線１の一端と前記接
地導体２の一端とを接続する導体部４とからなってい
る。

【００３１】この磁気検出素子では、軟磁性線１の図中
右上の端部と、これに対応する接地導体２の端部とを入
力端子とする２端子素子としている。して、この２端子
素子は、図２に示すような等価回路をもっている。図２
で、Ｃは接地導体２と軟磁性線１との間に発生する容量
分である。この等価回路の抵抗Ｒ、リアクタンスＸ、イ
ンピーダンスＺ、及び共振周波数ｆｏは、それぞれ，下
記の式（２）〜（５）のように表される。

【００３２】

【数２】

【００３３】図９、あるいは図２のような等価回路をも
つ素子では、素子のインピーダンスが外部磁界の変化に
より変化するが、図２のような等価回路をもつ素子では
共振周波数ｆｏ近傍でインピーダンスが急激に変化する
ことから、共振周波数ｆｏ近傍におけるインピーダンス
の変化は、共振周波数ｆｏよりもはるかに低い周波数帯
におけるよりも大きくなる。したがって、本発明の磁気
検出素子は、外部磁界が加わることによってインピーダ
ンスが変化するが、それによってまた素子の共振周波数
が変化することから、通電する電流の周波数を最適化す
れば外部磁界の変動を非常に大きなインピーダンス変化
率として検出することができる。すなわち、磁界感度を
あげることができる。

【００３４】さらに、この実施の形態において、接地導
体２を有することにより、従来のように浮遊容量の発生
を抑えることができると共に、軟磁性線の一端から素子
に通電する電流により発生する電気力線は該接地導体２
と通電電流を流す導体部４との間に集中するので外乱を
受けにくくなり、接地導体２をもたない従来の検出素子
よりも動作を安定化させることができる。従って、前記
した従来例２の磁気検出素子のＬＣ共振による共振周波
数より低い周波数帯域で動作させた場合についても安定
に磁界検出を行わせることが可能である。

【００３５】この実施の形態の磁気検出素子の実施例を
下記に示す。

【００３６】（実施例１）軟磁性線１として、直径５０
μｍ、長さ５ｍｍのパーマロイ線を用い、両面に厚さ３
５ｍｍのＣｕ箔をもつ総厚１４０ｍｍのポリイミドフィ
ルムを用いて、図１のような磁気検出素子を作製した。
すなわち、絶縁体１としてのポリイミドフィルム上のＣ
ｕ箔のうち、片面のＣｕ箔を接地導体とし、多面のＣｕ
箔のー部を除去して導体部４を残して反対面の接地導体
２用のＣｕ箔と短絡しておき、さらに前記パーマロイ線
の一端を前記導体部４としてのＣｕ箔部に半田付けす
る。

【００３７】このようにして得た磁気検出素子のパーマ
ロイ線の残りの一端と接地電極間に１０ＭＨｚの高周波
電流を通電し、かつパーマロイ線の長手方向に外部磁界
Ｈｅｘを印加したときの外部磁界の大きさに対するイン
ピーダンスの変化を調べたところ、Ｈｅｘ＝０Ｏｅのと
きを基準としたインピーダンス変化率は、Ｈｅｘ＝３Ｏ
ｅのとき最大となり、３８％／Ｏｅであった。

【００３８】図３を参照して、第２の実施の形態による
磁気検出素子は、軟磁性線１と、接地導体線５とを平行
にして、絶縁体フィルム６の両面にそれぞれ貼付け、軟
磁性線１と接地導体５との対応する端部同志を短絡導体
線７で接続したもので、軟磁性線１と接地導体５の他端
を外部接続端子とする２端子素子としたものである。

【００３９】この磁気検出素子は、軟磁性線１、接地導
体線５、短絡導体線７及び絶縁体フィルム６が、図１の
磁気検出素子の軟磁性線１、接地導体２、絶縁体３及び
導体部４にそれぞれ対応する。したがって、この磁気検
出素子の等価回路も、図２で表され、その動作の概要も
図１のものと同様である。

【００４０】この実施例を下記に示す。

【００４１】（実施例２）軟磁性線１として直径５０μ
ｍ、長さ５ｍｍのパーマロイ線と、接地導体線５として
直径５０μｍ、長さ５ｍｍのＣｕ線を、絶縁体フィルム
６としての厚さ７０μｍのポリイミドフィルムの両面
に、それぞれ、貼り付け、それぞれのー端を短絡導体線
７で短絡し、磁気検出素子とした。この素子のパーマロ
イ線の残りの一端とＣｕ線の残りの一端との間に１０Ｍ
Ｈｚの高周波電流を通電し、かつパーマロイ線の長手方
向に外部磁界Ｈｅｘを印加したときの外部磁界に対する
インピーダンスの変化を調べたところ、Ｈｅｘ＝３Ｏｅ
のときインピーダンス変化率は最大となり、２９％／Ｏ
ｅであった。

【００４２】（比較例１）直径５０μｍ、長さ５ｍｍの
パーマロイ線の両端に１０ＭＨｚの高周波電流を通電
し、かつパーマロイ線の長手方向に外部磁界Ｈｅｘを印
加したときの外部磁界に対するインピーダンスの変化を
調べたところ、Ｈｅｘ＝３０ｅのときの変化率は８％／
Ｏｅにとどまった。

【００４３】図４を参照して、第３の実施の形態による
磁気検出素子は、図１の磁気検出素子における軟磁性線
の代りに軟磁性チューブ８に導体線９を通したものを用
いたものである。導体線９の一端は導体部４にハンダ付
け等で接続されている。

【００４４】この磁気検出素子も、図２の等価回路で表
される２端子素子を構成することは明らかであろう。

【００４５】この実施の形態に従う実施例を下記に示
す。

【００４６】（実施例３）軟磁性チューブ８としての外
径２００μｍのパーマロイチューブに、導体線９として
の直径１００μｍのＣｕ線を通して略同軸形状とした。
これを、簡単のために以下、同軸軟磁性線と呼ぶことに
する。この同軸軟磁性線を、実施例１で用いたのと同じ
Ｃｕ膜を両面に有する総厚１４０ｍｍのポリイミドフィ
ルムとを用い、実施例１の方法と同様にして図４のよう
な磁気検出素子を作製した。こうして得た磁気検出素子
の同軸軟磁性線の導体線の一端と接地導体の一端間に１
ＭＨｚの高周波電流を通電し、かつパーマロイチューブ
の長手方向に外部磁界Ｈｅｘを印加したときの外部磁界
に対するインピーダンスの変化を調べたところ、Ｈｅｘ
＝４０ｅのときインピーダンス変化率は最大となり、２
１％／Ｏｅであった。

【００４７】図５の磁気検出素子は、図４の変形例で、
図２の場合と同様に、接地導体２の代わりに接地導体線
５、導体部４の代わりに短絡導体線７を用い、同軸軟磁
性線（８、９）と接地導体線５を絶縁体フィルム６の両
面に、それぞれ、貼付けたものである。

【００４８】この磁気検出素子の実施例を以下に示す。

【００４９】（実施例４）外径２００μｍのパーマロイ
チューブと直径１００μｍのＣｕ線とからなる同軸軟磁
性線と、実施例２で用いたのと同じＣｕ線、及びポリイ
ミドフィルムとを用いて、図５のような磁気検出素子を
作製した。この磁気検出素子の同軸軟磁性線のＣｕ線の
一端と接地導体線の一端間に１ＭＨｚの高周波電流を通
電し、かつパーマロイチューブの長手方向に外部磁界Ｈ
ｅｘを印加したときのインピーダンスの外部磁界の大き
さに対する変化を調ベたところ、Ｈｅｘ＝４Ｏｅのとき
インピーダンス変化率は最大となり、１６％／Ｏｅであ
った。

【００５０】（比較例２）図５に示す構造の素子の接地
導体線５を省き、それ以外は実施例４と同じとし、同軸
軟磁性線の導体線の両端に１ＭＨｚの通電電流を流した
ときのインピーダンスの磁界依存性を測定した。インピ
ーダンス変化率はＨｅｘ＝４Ｏｅのとき最大となった
が、６％／Ｏｅにとどまった。

【００５１】図６の磁気検出素子は、図４の変形例で、
同軸軟磁性線を構成する軟磁性チューブ８と導体線９と
の間に絶縁層１０を介在させたものである。

【００５２】この磁気検出素子の実施例を下記に示す。

【００５３】（実施例５）導体線５としての直径０．５
ｍｍのＣｕ線に絶縁層１０としてのビニール被覆を施
し、さらにその外側を軟磁性チューブ８としての厚さ５
０μｍのパーマロイ箔で覆って、同軸軟磁性線を作製す
る。次に実施例１と同様に、Ｃｕ箔付きのポリイミドフ
ィルムを使用して図６に示す構造の磁気検出素子を作製
した。こうして得た磁気検出素子の同軸軟磁性材線の導
体線９の一端と接地導体の一端間に１０ＭＨｚの高周波
電流を通電し、かつパーマロイチューブの長手方向に外
部磁界Ｈｅｘを印加したときのインピーダンスの外部磁
界に対する変化を調べたところ、Ｈｅｘ＝３Ｏｅのとき
インピーダンス変化率は最大となり、４８％／Ｏｅであ
った。

【００５４】図７の実施例は、図５あるいは図６の変形
例で、図５における同軸軟磁性線を構成する軟磁性チュ
ーブ８と導体線９との間に，図６と同様に絶縁層１０を
介在させたものである。

【００５５】この磁気検出素子の実施例を下記に示す。

【００５６】（実施例６）実施例５で用いた同軸軟磁性
線と、実施例２で用いたのと同じＣｕ線、及びポリイミ
ドフィルムとを用いて、図７のような磁気検出素子を作
製した。この磁気検出素子の同軸軟磁性線の導体線９の
一端と接地導体線の一端との間に１０ＭＨｚの高周波電
流を通電し、かつパーマロイチューブの長手方向に外部
磁界Ｈｅｘを印加したときのインピーダンスの外部磁界
の大きさに対する変化を調べたところ、Ｈｅｘ＝３Ｏｅ
のときインピーダンス変化率は最大となり、３１％／Ｏ
ｅであった。

【００５７】（比較例３）比較例３として、図７に示し
た構造の素子の接地導体線５を省き、前記の絶縁層１０
を有する同軸軟磁性線のみからなる部材を磁気検出素子
として、その両端に１０ＭＨｚの通電電流を流してイン
ピーダンスの磁界依存性を測定した。インピーダンス変
化率はＨｅｘ＝３Ｏｅのとき最大となったが、８％／Ｏ
ｅにとどまった。

【００５８】以上述べたように、本発明による素子では
接地導体を持つことにより図２のような等価回路を有す
ることになる。このような場合、ＬＣ共振を利用して外
部磁界の変動によるインピーダンスの変化をさらに大き
く取り出すことができる。これを示すために、前述の式
（２）〜（４）のインピーダンスをもつ回路で、Ｒ＝３
Ω、Ｃ＝２００ｐＦで一定としたときにＬの値を種々変
えた場合のインピーダンスを計算で求めると、図８に示
すようになる。

【００５９】なお、本発明の実施例では軟磁性材料とし
てパーマロイを選んだ場合のみを示したが、一般に軟磁
性材料として使用される金属材料のうち、Ｃｏ−Ｆｅ−
Ｓｉ−Ｂｉなど線材化できるようなものであればほとん
どが使用でき、同様の効果が得られることは言うまでも
ない。

【００６０】

【発明の効果】以上述べたように本発明の磁気検出素子
は、軟磁性線あるいはこれに導体を通した同軸軟磁性線
に、絶縁体を挟んで接地導体を設けた構成によって、周
辺の導体との間の浮遊容量の発生を抑えると共に、外乱
から防護して安定した動作を得ることができ、また、絶
縁体と導体の付加による容量を利用してＬＣ共振周波数
を自由に設計可能とし、外部磁界によるＬの変化に伴う
インピーダンスの急激な変化を利用して検出感度を従来
のものに比較して数倍から、数十倍と大幅に改善てきる
効果を有する。さらに、軟磁性体として線材を用い、こ
れに導体層を有する絶縁体、あるいは絶縁体と導体線を
付加するだけでよいので、部品点数も少なく、高価なス
パッタリング装置などの製造設備を必要とせず、低コス
トの磁気検出素子を得ることができる。従って、本発明
の磁気検出素子は、磁気センサー、磁気ヘッド等の用途
に対し、産業上きわめて有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による磁気検出素子
を示す斜視図ある。

【図２】本発明の磁気検出素子の等価回路を示す図であ
る。

【図３】本発明の第２の実施の形態による磁気検出素子
を示す斜視図ある。

【図４】本発明の第３の実施の形態による磁気検出素子
を示す斜視図ある。

【図５】図４の磁気検出素子の変形例を示す斜視図あ
る。

【図６】図４の磁気検出素子の他の変形例を示す斜視図
ある。

【図７】図５の磁気検出素子の変形例を示す斜視図あ
る。

【図８】図２の等価回路におけるＬｏの種々の値に対す
るインピーダンスの周波数依存性を示すグラフである。

【図９】従来例の磁気検出素子の等価回路を示す図で、
（ａ）は浮遊容量が存在しない場合で、（ｂ）は浮遊容
量が存在する場合である。

【符号の説明】

１軟磁性線２接地導体３絶縁体４導体部５接地導体線６絶縁体フィルム７短絡導体線８軟磁性チューブ９導体線１０絶縁層

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 33/00 - 33/18

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】棒状の軟磁性線と接地導体を絶縁層を介
して配置し、該軟磁性線の一端と該接地導体を短絡導体
にて短絡して、該軟磁性線の他端と接地導体を外部接続
端子とする２端子素子からなり、磁界の変化を該２端子
素子のインピーダンスの変化に変換して検出することを
特微とする磁気検出素子。
【請求項２】請求項１の磁気検出素子で、軟磁性線内部
に導体線を有する同軸型に形成されており、該導体線が
前記接地導体に接続されていることを特徴とする磁気検
出素子。
【請求項３】請求項２の磁気検出素子で、前記同軸型の
軟磁性線の外部軟磁性部と内部導体線との間に、絶縁層
が介在していることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載の磁気検
出素子で、前記接地導体が前記絶縁層の面に形成された
導体膜からなることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項５】請求項１から３のいずれかに記載の磁気検
出素子で、前記接地導体が導体線からなり、前記絶縁層
の面に貼付けられていることを特徴とする磁気検出素
子。
【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載の磁気検
出素子で、磁界の変化に伴うンピーダンス変化とＬＣ共
振周波数近傍のインピーダンス変化とを組み合わせるこ
とによりインピーダンス変化率を増大させたことを特徴
とする磁気検出素子。