JP3202839B2 - 立体回路板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、立体的な表面に回路を
立体的に設けた立体回路板の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板として、樹脂のモールド
成形品で回路基板を作成した立体回路板が提供されてい
る。この立体回路板は表面が平坦面であることを前提と
する従来の回路形成法をそのまま採用することはできな
いので、特開平１−２９８７９２号公報、特開平４−７
６９８５号公報、特開平１−２０６６９２号公報、米国
特許第３６９４０８０号公報等にみられるように種々の
工夫がなされている。

【０００３】図３及び図４は立体回路板の製造の各工程
を示すものであり、図３及び図４に基づいて立体回路板
の製造の一例の概略を説明する。まず図３（ａ）のよう
に立体的に表面を有する回路基板１を樹脂成形すること
によって作成し、表面を粗面化した後に、無電解メッキ
をおこなって図３（ｂ）のように回路基板１の表面の全
面に無電解メッキ層２を施し、次にこの上から図３
（ｃ）のようにフォトレジスト３を全面に亘って塗着
し、図３（ｄ）のようにフォトマスク４を被せて露光し
た後に現像し、回路形成部分のフォトレジスト３を除去
する。この後に無電解メッキ層２に通電して電気メッキ
をおこなうことによって、図４（ａ）のように無電解メ
ッキ層２のフォトレジスト３で覆われていない露出面に
電気メッキ層５を析出させ、さらにこの電気メッキ層５
の上に図４（ｂ）のようにニッケルメッキや金メッキを
してこれらのメッキ層７を形成した後に、図４（ｃ）の
ようにフォトレジスト３を剥離すると共に無電解メッキ
層２の不要部分をエッチングすることによって無電解メ
ッキ層２と電気メッキ層５及びニッケルと金のメッキ層
７で構成される回路６の形成をおこなうことができる。
そして図４（ｄ）のようにワイヤー１９をボンディング
することによって電子部品等の部品１８を回路基板１に
実装することができる。

【０００４】上記のように回路形成をおこなうに際し
て、回路基板１の表面が立体的に形成されているため
に、平面状のフォトマスク４では回路基板１の表面に密
着させることができず、図３（ｄ）のように回路基板１
の凹部９とフォトマスク４との間には隙間が生じること
になり、光漏れが生じて露光を正確におこなうことが難
しい。

【０００５】このために前記特開平１−２９８７９２号
公報では、回路基板の表面の立体と雌雄関係の形状を有
する透光性の型に非透光性の配線パターンを施して立体
マスクを作成し、立体マスクを回路基板の表面に密着さ
せて露光をおこなうことを提案している。しかし回路基
板の表面の立体に合わせた立体形状にマスクを形成する
には非常な工数が必要になり、生産効率や生産コストの
面で実用上大きな問題がある。

【０００６】また前記米国特許第３６９４０８０号公報
に開示されるものにも同様な問題がある。すなわちこの
ものは変換器のロータの曲面に導体パターンをフォトプ
リントする方法を開示するものであり、図３０に示すよ
うに、フォトレジストで被覆した外部曲面３０を持つロ
ータ３１を割り出し台３２に取付け、単一点光源３３か
らの光をレンズ３４に通して平行光線になし、ロータ３
１の外部曲面３０に近接して（接触はしていない）配置
された副マスク３５及び主マスク３６を通してロータ３
１の外部曲面３０のフォトレジストを露光するようにし
てある。図３０において３７はタイマ３８によって作動
されるソレノイド３９に連結されたシャッターである。
そしてこのものにあって、マスク３５，３６はロータ３
１の外部曲面３０の曲面と同一形状の曲面に形成されて
おり、基本的にはマスク３５，３６とロータ３１の外部
曲面３０とは総ての面で平行になっているために、外部
曲面３０への正確な露光が可能である。しかしこのもの
にあっても、露光をおこなう面が複雑な凹凸を持った立
体面であると、フォトマスクと回路形成表面との間の間
隔の変化に対して配慮がされていないので、平行光で露
光しても光の回折現象が発生し易く、適切な露光処理を
おこなうことができないという問題が生じるのである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで、前記特開平４
−７６９８５号公報では、平面状のフォトマスク４を用
いて図３（ｄ）のように露光をおこなうにあたって、平
行光をフォトマスク４に照射することによって、フォト
マスク４に形成されたパターンで露光をおこなうことが
できるようにしている。

【０００８】このように平行光を用いれば、回路基板１
の表面の凹凸差が小さいときには比較的正確なパターン
で露光をおこなうことができるが、図３１（ａ）（ｂ）
に示すように凹部９が深く形成されていてフォトマスク
４と回路基板１の回路形成表面との間の間隔が大きくな
ると、平行光であっても光の回折現象や光の僅かなズレ
で光が広がって光透過部４ａから光非透過部４ｂの裏側
にも光が回り込み、光非透過部４ｂの裏側の一部におい
てもフォトレジスト３は露光されてしまうことになる。
この結果、回路基板１の表面のフォトレジスト３のうち
凹部９の底や斜面の箇所は未露光部分が細くなり、現像
する際に溶解する幅も狭くなって、図３１（ｃ）に示す
ように回路６は凹部９の部分の幅が細くなるものであっ
た。また回路基板１の平坦な面と傾斜する面とでは露光
量が不均一になるという問題もあった。

【０００９】図３１ではネガ型のフォトレジスト３を使
用する場合について説明したが、ポジ型フォトレジスト
３を使用する場合には図３２のようになる。すなわちこ
の場合には、フォトマスク４の光透過部４ａは図３２
（ｂ）のように回路基板１に形成する回路６と同じパタ
ーンに形成されるが、平行光を用いて露光するにあたっ
て、図３２（ａ）（ｂ）に示すようにフォトマスク４と
回路基板１の表面との間の間隔が大きくなる凹部９ａ，
９ｂの箇所では、上記と同様に光の回折現象等で光が広
がって光透過部４ａから光非透過部４ｂの裏側にも光が
回り込み、光透過部４ａの幅寸法よりも広い幅でフォト
レジスト３は露光されてしまうことになり、回路基板１
の表面のフォトレジスト３のうち凹部９ａ，９ｂの底や
斜面の箇所は露光幅が太くなって、現像する際に溶解す
る幅も太くなって、図３２（ｃ）に示すように回路６は
凹部９ａ，９ｂの部分の幅が太くなるものであった。

【００１０】そしてこのように回路基板１の表面に形成
される回路６の幅寸法を均一に形成することができない
結果、高密度配線ができなくなるという問題が生じるも
のであった。本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、回路基板の表面の凹凸が複雑で凹凸差が大きくて
も、高密度配線で正確に回路を形成することができる立
体回路板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る立体回路板
の製造方法は、樹脂成形された立体的な回路基板１の表
面にフォトレジスト３を塗着し、この上に平板状のフォ
トマスク４を重ねて平行光で露光した後に現像する工程
を含んで立体回路板を製造するにあたって、フォトマス
ク４と回路基板１の回路形成表面との間の間隔に伴う平
行光の広がりに応じた寸法調整をした光透過部４ａを形
成したフォトマスク４を用いて露光をおこなうことを特
徴とするものである。

【００１２】また本発明に係る立体回路板の製造方法
は、樹脂成形された立体的な回路基板１の表面にフォト
レジスト３を塗着し、この上に平板状のフォトマスク４
を重ねて平行光で露光した後に現像する工程を含んで立
体回路板を製造するにあたって、フォトマスク４と回路
基板１の回路形成表面との間の間隔に応じて複数段に分
けてフォトマスク４を重ね、複数段の総てに対する一回
の露光、あるいは各段毎に複数回に分けた露光をおこな
うことを特徴とするものである。

【００１３】またこのように複数段のフォトマスク４で
露光をおこなうにあたって、フォトマスク４として、フ
ォトマスク４と回路基板１の回路形成表面との間の間隔
に伴う平行光の広がりに応じた寸法調整をした光透過部
４ａを形成したフォトマスク４を用いることができる。
そして、上記の樹脂成形された立体的な回路基板１とし
て、樹脂成形時に凹部又は凸部を一体成形して位置合わ
せ部１０を設けたものを用い、位置合わせ部１０によっ
て位置合わせした状態でフォトマスク４を回路基板１に
重ねるようにすることができる。

【００１４】また、回路基板固定治具１１に回路基板１
を位置決めしてセットし、フォトマスク４に脱着自在に
設けた支持棒１２を回路基板固定治具１１に結合させる
ことによって回路基板１にフォトマスク４を位置合わせ
した状態でフォトマスク４を回路基板１に重ねるように
することができる。さらに上記の複数段のフォトマスク
４のうち、一段のフォトマスク４に光透過部４ａがパタ
ーンニングして設けられた露光マスク４′を用いると共
に他の段のフォトマスク４に光を透過しない遮光マスク
４″を用いて露光をおこない、順次露光マスク４′と遮
光マスク４″を入れ換えて複数回露光をおこなうように
することもできる。

【００１５】さらにこの複数段のフォトマスク４のう
ち、隣合うフォトマスク４の端部同士を平行光の照射方
向に重複させてフォトマスク４を配置するようにするこ
ともできる。またこのように隣合うフォトマスク４の端
部同士を平行光の照射方向に重複させてフォトマスク４
を配置するにあたって、重ね合わせる部分においてフォ
トマスク４同士の位置合わせをおこなうようにしてもよ
い。

【００１６】また、上記のように平行光を用いて露光を
おこなうにあたって、コリメータ５１によって平行度を
高めた平行光で露光をおこなうようにすることができ
る。さらに、同じ露光パターンを形成した平板状のフォ
トマスク４を複数枚用い、平行光の照射方向に各露光パ
ターンが揃うように所定間隔をおいて複数枚のフォトマ
スク４を平行光の照射方向に重ねて露光をおこなうこと
ができる。

【００１７】また表面と裏面にそれぞれ同じ露光パター
ンを設けて形成したフォトマスク４を用いて露光をおこ
なうようにしてもよい。さらに平行光を用いて露光をお
こなうにあたって、レーザー光５６を光学レンズ５２を
用いて光束を広げた平行光とし、この平行光で露光をお
こなうようにすることができる。

【００１８】またピンホール５３を通過させた光を光学
レンズ５４で平行光にし、この平行光で露光をおこなう
ようにしてもよい。また二次光を遮蔽板５５で遮蔽しな
がら太陽光５７を平行光として導入し、この太陽光５７
の平行光で露光をおこなうようにしてもよい。

【００１９】

【作用】フォトマスク４と回路基板１の回路形成表面と
の間の間隔に伴う平行光の広がりに応じた寸法調整をし
た光透過部４ａを設けて形成したフォトマスク４を用い
て露光をおこなうことによって、回路基板１とフォトマ
スク４との間の間隔が大きくてもこの間隔による平行光
の広がりを補正して露光をおこなうことができ、回路基
板１の表面の大きな凹凸差によって回路６の幅寸法が不
均一になることを回避することができる。

【００２０】また、フォトマスク４と回路基板１の回路
形成表面との間の間隔に応じて複数段に分けてフォトマ
スク４を重ねて露光をおこなうことによって、回路基板
１の表面の凹凸差が大きくても各フォトマスク４と回路
基板１の回路形成表面との間の間隔を小さくすることが
でき、回路基板１の表面の複雑な凹凸によって回路６の
幅寸法が不均一になることを回避することができる。

【００２１】さらに、複数段のフォトマスク４で同時に
露光をおこなうと、フォトマスク４のうち上下に重なり
合う部分ではフォトマスク４を通過する光量が若干減少
して露光量が不均一になるおそれがあるが、この複数段
のフォトマスク４のうち、一段のフォトマスク４に光透
過部４ａがパターンニングして設けられた露光マスク
４′を用いると共に他の段のフォトマスク４に光を透過
しない遮光マスク４″を用いて露光をおこない、順次露
光マスク４′と遮光マスク４″を入れ換えて複数回露光
をおこなうことによって、露光量が不均一になることを
回避することができる。

【００２２】また、平行光で露光をおこなうにあたっ
て、コリメータ５１によって平行度を高めた平行光を用
いたり、レーザー光を光学レンズ５２によって光束を広
げた平行光として用いたり、ピンホール５３を通過させ
た光を光学レンズ５４で平行光にして用いたり、二次光
を遮蔽板５５で遮蔽しながら太陽光５７を平行光として
導入して用いたりすることによって、平行度の高い平行
光で精度の高い露光をおこなうことができる。

【００２３】さらに、同じ露光パターンを形成した平板
状のフォトマスク４を複数枚用い、平行光の照射方向に
各露光パターンが揃うように所定間隔をおいて複数枚の
フォトマスク４を平行光の照射方向に重ねて露光をおこ
なうようにしたり、あるいは表面と裏面にそれぞれ同じ
露光パターンを設けて形成したフォトマスク４を用いて
露光をおこなうことによって、光源に近い側の露光パタ
ーンの光非透過部４ａを光が廻り込んでも次の露光パタ
ーンの光非透過部４ａでこの光はカットされることにな
り、高い精度で露光をおこなうことができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。図
３、図４は本発明の一実施例を示すものである。回路基
板１は立体的な表面を有する成形品によって形成される
ものであり、例えば樹脂としてポリプラスチック社製
「ベクトラＣ８２０」を用い、予備乾燥１５０℃、８時
間以上、射出時間４〜５秒、金型温度１３０℃、樹脂温
度３１０℃の条件で射出成形することによって、図３
（ａ）のように作成することができる。

【００２５】上記のように成形した回路基板１に無電解
銅メッキ等の無電解メッキを施して、図３（ｂ）に示す
ように回路基板１の表面の全面に無電解メッキ層２を形
成する。無電解メッキの処理工程の一例を説明すると、
まず奥野薬品社製「エースクリンＡ−２２０」の５０ｇ
／リットル溶液を用いて５５℃、５分間の条件で脱脂す
ることによって、回路基板１の表面の油等を取り除き、
次にＮａＯＨの５００ｇ／リットル溶液を用いて７０
℃、３０分間の条件でエッチングすることによって、メ
ッキの密着性を高めるために回路基板１の表面を粗面化
する。６０℃、２分間の条件で湯洗してエッチングされ
た樹脂やフィラーを凹凸細部まで完全に取り除いた後
に、ＨＣｌ（３６％）の５０ミリリットル／リットル溶
液を用いて室温下２分間処理することによって強アルカ
リを中和する。次に、奥野薬品社製「コンデイライザＳ
Ｐ」の１５０ミリリットル／リットル溶液を用いて４０
℃、５分間の条件でコンディショナ処理をおこなって回
路基板１の表面の水濡れ性を良くし、さらに奥野薬品社
製「ＯＰＣ−ＳＡＬＭ」の２５０ｇ／リットル溶液及び
奥野薬品社製「ＯＰＣ−８０キャタＭ」の４０ミリリッ
トル／リットル溶液を用いて触媒付与処理を室温下５分
間おこなうことによって、パラジウムの触媒核を回路基
板１の表面に吸着させる。そして奥野薬品社製「ＯＰＣ
−５００アクセレＭＸ−１」の１００ミリリットル／リ
ットル溶液及び奥野薬品社製「ＯＰＣ−５００アクセレ
ＭＸ−２」の１０ミリリットル／リットル溶液を用い
て、４０℃、７分間の条件で活性化処理することによっ
て塩化パラジウムを金属パラジウムに還元した後に、奥
野薬品社製「ＯＰＣ−７５０Ｍ Ａ」の１００ミリリッ
トル／リットル溶液、奥野薬品社製「ＯＰＣ−７５０Ｍ
Ｂ」の１００ミリリットル／リットル溶液、奥野薬品
社製「ＯＰＣ−７５０Ｍ Ｃ」の２ミリリットル／リッ
トル溶液を用い、２２℃、７分間の条件で無電解銅メッ
キをおこなうことによって、酸化還元反応で銅錯体化合
物を金属銅にして回路基板１の表面に析出させ、回路基
板１の全面に厚み０．５μｍの無電解メッキ層２を形成
することができるものである。尚、上記のように粗面化
のエッチング処理をＮａＯＨ溶液を用いておこなうこと
によって、クロム酸を使用しない工法でおこなうことが
できるものである。

【００２６】上記のようにして図３（ｂ）のように回路
基板１の表面の全面に無電解メッキ層２を形成した後、
この上の全面に亘って図３（ｃ）のようにフォトレジス
ト３を塗着する。フォトレジスト３としてはカチオン型
電着レジストを用い、電着塗装することによってフォト
レジスト３の塗着をおこなうものである。レジスト電着
工程の一例を説明すると、まず５％硫酸を用いて室温で
１５秒間処理すると共に乳酸（１０−５−１−０．２
％）を用いて室温で１５秒間処理することによって、回
路基板１の表面を前処理する。次に回路基板１をシプレ
イ社製「イーグル」の電着レジスト液に浸漬すると共に
電着レジスト液に電極を差込み、回路基板１の表面に形
成した無電解メッキ層２を陰極に接続すると共に電極を
陽極に接続し、両者間に直流電流を流すことによって、
電着レジストによるフォトレジスト３を塗着することが
できる。浸漬は揺動５回で６０秒間の条件でおこなうこ
とができ、また電着レジスト液を２２℃に調整して５０
Ｖ、４０秒の条件で通電することによって電着塗装をお
こなうようにしている。

【００２７】上記のように電着塗装をおこなって回路基
板１の表面の全面にフォトレジスト３を塗着した後、室
温でトップコートをおこない、さらに８０℃で５分間乾
燥する。そして次に、回路基板１の回路形成面に図３
（ｄ）のようにフォトマスク４を被せ、６００ｍＪ（１
０００カウント）の条件でフォトマスク４の上方から平
行光を照射して露光し、次にフォトレジスト４を外して
回路基板１の表面にシプレイ社製「イーグル現像液」を
４５℃、９０秒の条件でスプレーして現像をおこなうこ
とによって、回路形成部分のフォトレジスト３を溶解除
去し、６０℃で１０分間乾燥する。

【００２８】このようにして露光及び現像をおこなうこ
とができるが、本発明では平板状のフォトマスク４とし
て、回路基板１の回路形成表面とフォトマスク４との間
の間隔に応じて露光幅を調整したものを用いるものであ
る。すなわち、図１（ａ）に示すように回路基板１の表
面にフォトマスク４を被せるにあたって、フォトマスク
４と回路基板１の表面との間の間隔が大きくなる凹部９
の箇所では、フォトマスク４の光透過部４ａを透過した
光は回折現象で広がって光非透過部４ｂの裏側の一部に
も回り込み、この光の回り込みはフォトマスク４と回路
基板１の表面との間の間隔が大きくなるに従って大きく
なる。そこで本発明では図１（ｂ）に示すようにフォト
マスク４の光非透過部４ｂのうち凹部９に対応する部分
の幅を広くし、しかも凹部９の深さが深くなるほど光非
透過部４ｂの幅寸法を広くすることによって、光透過部
４ａの幅をこの逆に凹部９に対応する部分の幅を狭くす
ると共に凹部９の深さが深くなるほど狭くなるように形
成したものを用い、光透過部４ａを透過する平行光が凹
部９の部分で回折して広がって光非透過部４ｂの裏側に
回り込んでも、この光の回り込みは光非透過部４ｂの幅
を広くした寸法で吸収され、回路基板１の凹部９におい
ても他の箇所と同じ露光幅でフォトレジスト３を露光す
ることができるようにしてある。このように段差の大き
い凹部９を有する回路基板１であっても回路形成表面の
全面に露光幅を均一にして露光をおこなうことができる
ものであり、この結果、回路６と同パターンの未露光部
分の幅が均一になって現像する際に溶解除去するフォト
レジスト３の幅が均一になり、フォトレジスト３の溶解
除去部分において無電解メッキ層２に電気メッキをおこ
なうことによって作成する回路６を、図１（ｃ）に示す
ように凹部９内も含めて均一な幅に形成することが可能
になるものである。

【００２９】図１の実施例ではネガ型のフォトレジスト
３を使用する場合について説明したが、ポジ型フォトレ
ジスト３を使用する場合には図２のようになる。すなわ
ちこの場合には、フォトマスク４の光透過部４ａは図２
（ｂ）のように回路基板１に形成する回路６と同じパタ
ーンに形成されるが、図２（ａ）（ｂ）のように、光透
過部４ａのうち凹部９ａ，９ｂに対応する部分の幅を狭
くし、しかも凹部９ａ，９ｂの深さが深くなるほど光透
過部４ａの幅寸法を狭くするようにしたフォトマスク４
を用い、光透過部４ａを透過する平行光が凹部９ａ，９
ｂの部分で回折して広がって光非透過部４ｂの裏側に回
り込んでも、この光の広がりは光透過部４ａの幅を狭く
した寸法で吸収され、回路基板１の凹部９ａ，９ｂにお
いても他の箇所と同じ露光幅でフォトレジスト３を露光
することができるようにしてある。このように段差の大
きい凹部９ａ，９ｂを有する回路基板１であっても回路
形成表面の全面に露光幅を均一にして露光をおこなうこ
とができるものであり、現像する際に溶解除去するフォ
トレジスト３の幅が均一になって、図２（ｃ）に示すよ
うに凹部９ａ，９ｂ内も含めて均一な幅に回路６を形成
することが可能になるものである。

【００３０】フォトマスク４と回路基板１の表面との間
隔と回路基板１に形成される回路６の幅との関係は、フ
ォトマスク４の光透過部４ａの幅寸法を一定にしてフォ
トマスク４と回路基板１の表面との間隔を変えて露光を
おこなって回路形成した際の、回路６の幅寸法を測定す
ることによって知ることができる。例えば、フォトマス
ク４の光透過部４ａの幅寸法を２００μｍに設定し、３
００ｍＪ／ｃｍ² のＵＶ照射エネルギーの露光量で平行
光を照射して露光をしたときの、フォトマスク４と回路
基板１の表面との間隔寸法と形成される回路６のライン
幅寸法との関係は次のようになる。 （フォトマスク４と回路基板１の表面との間隔寸法）（回路６のライン幅寸法） ０ｍｍ → １９９μｍ １．５ｍｍ → ２０６μｍ ３ｍｍ → ２２０μｍ ４．５ｍｍ → ２４５μｍ ６ｍｍ → ２６８μｍ ７．５ｍｍ → ２９４μｍ ９ｍｍ → ３１８μｍ １０．５ｍｍ → ３５７μｍ このような関係を求めて、これに応じてフォトマスク４
と回路基板１の表面との間隔に応じて光透過部４ａの幅
寸法を狭くするように補正することによって、フォトマ
スク４と回路基板１の表面との間隔が変わっても均一な
ライン幅で回路６を形成することができるのである。

【００３１】上記のようにして露光・現像をおこなって
回路形成部分のフォトレジスト３を除去し、回路形成部
分の無電解メッキ層２を露出させた後、無電解メッキ層
２に通電して電気銅メッキなど電気メッキを施して回路
６の形成をおこなうことができる。電気メッキ工程の一
例を説明すると、まず「エースクリン」の５０ｇ／リッ
トル溶液を用いて４０〜５０℃、２秒の条件で脱脂した
後、硫酸の５０ｇ／リットル溶液を用いて室温、２０秒
の条件で酸洗する。そして硫酸銅８０ｇ／リットル、硫
酸１８０ｇ／リットル、塩素イオン５０ｍｇ／リットル
の組成の「トップルチナ」をメッキ浴として用いて、室
温、５０分の条件で電気メッキをおこない、図４（ａ）
のように無電解メッキ層２の露出部のみに電気メッキ層
５を１５μｍの厚みで析出させる。

【００３２】このようにして図４（ａ）のように電気メ
ッキをおこなったのちに、さらに無電解メッキ層２に通
電して電気メッキ層５の上に電気ニッケルメッキを施
す。電気ニッケルメッキは、「アクナＢ−４０」の１８
ミリリットル／リットル溶液、「アクナＢ−１０」の１
ミリリットル／リットル溶液、硫酸ニッケルの２７０ｇ
／リットル溶液、塩化ニッケルの５０ｇ／リットル溶液
をメッキ浴として用い、５０℃、３Ａ／ｄｍ² 、２５分
の条件で通電して、電気メッキ層５の上にニッケルメッ
キを５μｍの厚みで析出させることによっておこなうこ
とができる。

【００３３】このようにニッケルメッキをおこなった後
に、さらに無電解メッキ層２に通電してニッケルメッキ
の上に電気金メッキを施す。電気金メッキは、「テンペ
レックス４０１（９９．９９％）」をメッキ浴として用
い、６５℃、１Ａ／ｄｍ² 、９０秒の条件で通電して、
ニッケルメッキの上に金メッキを０．５μｍの厚みで析
出させることによっておこなうことができる。

【００３４】上記のようにして電気メッキをおこなった
後に、シプレイ社製「イーグル剥離液」を用いて回路基
板１を５５℃の条件で１分間処理することによって、回
路基板１の表面のフォトレジスト３を剥離する。さらに
過硫酸アンモニウムを用いて４０℃で１分間処理してソ
フトエッチングをおこなうことによって、回路形成部以
外の不要な無電解メッキ層２を回路基板１の表面から溶
解除去し、室温で１５秒間純水洗した後、６０℃で１０
分間乾燥する。このようにして図４（ｃ）に示すよう
に、無電解メッキ層２と電気メッキ層５及びニッケルと
金のメッキ層７からなる回路６のパターン形成をおこな
うことができるものであり、例えば傾斜角度７０度、凹
凸の段差８ｍｍ、回路パターンのライン／スペース＝２
００μｍ／２００μｍのワイヤーボンディング可能な立
体回路板を作成することができるものである。

【００３５】そして上記図４（ｃ）のように回路６の形
成をおこなった後に、ＬＳＩなど電子部品等の部品１８
を搭載して回路６と部品１８との間に金線等をワイヤー
１９ボンディングすることによって、図４（ｄ）や図５
に示すように回路基板１の上に部品１８を実装すること
ができるものである。図６、図７は本発明の他の実施例
を示すものである。この実施例は図６（ａ）のように表
面の立体が複数段に形成された回路基板１に主として適
用されるものであり、まずこの回路基板１の表面を粗面
化した後に、既述した図３（ｂ）の場合と同様にして図
６（ｂ）のように回路基板１の表面に無電解メッキ層２
を形成し、また既述した図３（ｃ）の場合と同様にして
図６（ｃ）のように回路基板１の表面にフォトレジスト
３を塗着する。そしてこの実施例では露光を、図６
（ｄ）に示すように、平板状のフォトマスク４を複数段
に分けると共に回路基板１の表面の各段１ａ，１ｂの上
に各フォトマスク４を重ね、この状態で既述した図３
（ｄ）の場合と同様にフォトマスク４の上方から平行光
を照射することによっておこなうものである。ここで、
一枚の平面状のフォトマスク４を用いる場合には上の段
１ａの上に重ねることになるが、このようにすると下の
段１ｂに形成される凹部９ｂとフォトマスク４との間隔
が大きくなる。これに対して図６（ｄ）のようにフォト
マスク４を複数段に分けて回路基板１の各段１ａ，１ｂ
の上に重ねるようにすると、各凹部９ａ，９ｂと各フォ
トマスク４，４との間の間隔は小さくなり、フォトマス
ク４と回路基板１の回路形成表面との間の間隔を小さく
した状態で露光をおこなうことができるものである。

【００３６】このようにフォトマスク４と回路基板１の
回路形成表面との間の間隔を小さくすることができるた
めに、フォトマスク４としては従来から使用されている
図３１（ｂ）のものをそのまま用いても精度良く露光を
おこなうことができるものである。勿論、フォトマスク
４として図１（ａ）（ｂ）や図２（ａ）（ｂ）に示すよ
うな、フォトマスク４と回路基板１の回路形成表面との
間の間隔に伴う平行光の広がりに応じた寸法調整をした
光透過部４ａを形成したフォトマスク４を用いるように
すれば、露光の精度をさらに高めることができるもので
ある。

【００３７】また、フォトマスク４を複数段に分けて用
いるにあたって、深い凹部９ｂのみに部分的なフォトマ
スク４Ａを重ねるようにすることもできる。すなわち図
８に示すように回路基板１の深い凹部９ｂの平面形状に
合わせてフォトマスク４Ａを作成し、またフォトマスク
４にはフォトマスク４Ａの形状に合わせて光を透過させ
る光透過部４ｃ（図８の破線の間の部分）が形成してあ
る。勿論これらのフォトマスク４，４Ａには回路形成す
るための光透過部４ａや光非透過部４ｂがパターン形状
に形成してある。そして、図９に示すようにフォトマス
ク４Ａを回路基板１の深い凹部９ｂに重ねると共にフォ
トマスク４を回路基板１の上の段１ａに重ねる。このと
き、フォトマスク４の光透過部４ｃがフォトマスク４Ａ
に平行光の照射方向に対向するようにフォトマスク４と
フォトマスク４Ａを位置合わせして配置するものであ
り、フォトマスク４Ａは凹部９ｂの平面形状に合わせて
外形を形成してあるために凹部９ｂの形状に合わせてフ
ォトマスク４Ａを置くことによって位置決めすることが
できるが、フォトマスク４は図９の実施例では回路基板
固定治具１１を用いて位置合わせするようにしてある。
すなわち、回路基板固定治具１１は上面に回路基板１の
平面形状と適合する凹所２０を設けて形成してあり、回
路基板固定治具１１の端部の上面にねじ穴２１を設ける
と共にフォトマスク４の四隅に位置決め孔２２を設け、
そして凹所２０に回路基板１をはめ込むことによって回
路基板固定治具１１に回路基板１を位置決めした状態で
セットし、また位置決め孔２２に固定ねじ２３を通して
ねじ穴２１に螺合することによってフォトマスク４を回
路基板固定治具１１に位置決めした状態でセットし、こ
のように回路基板固定治具１１に対して回路基板１とフ
ォトマスク４をそれぞれ位置決めすることによって、回
路基板固定治具１１を介して回路基板１とフォトマスク
４を位置決めすることができるものである。尚、フォト
マスク４の位置決めは図９のように固定ねじ２３などの
治具を用いる方法の他に、後述する図１３、図１４、図
１５、図１６、図１８、図１９、図２０などの方法によ
っておこなうこともできる。そして、このようにフォト
マスク４とフォトマスク４Ａを位置決めすることによっ
てフォトマスク４とフォトマスク４Ａを相互に位置合わ
せすることができるのである。

【００３８】上記のようにして回路基板１にフォトマス
ク４とフォトマスク４Ａを重ねた後、平行光を照射して
露光をおこなう。フォトマスク４の部分では光透過部４
ａと光非透過部４ｂで露光をおこなうことができると共
に、フォトマスク４Ａの部分ではフォトマスク４の光透
過部４ｃを透過した光によって、フォトマスク４Ａの光
透過部４ａと光非透過部４ｂで露光をおこなうことがで
きる。

【００３９】図１０、図１１は複数段に分けた平板状の
フォトマスク４を用いて露光をおこなう他の例を示すも
のであり、このものでは一つの段のみフォトマスク４と
して光透過部４ａがパターンニングして設けられた露光
マスク４′を用い、他の段のフォトマスク４は光を透過
しない遮光マスク４″を用いて露光をおこなうようにし
てある。すなわち、図１０（ｂ）のように光透過部４ａ
と光非透過部４ｂとを設けて形成した露光マスク４′
と、全面を光非透過部４ｂとして形成した遮光マスク
４″を用い（図１０（ｂ）、図１１（ｂ）において光非
透過部４ｂを斜線で示す）、図１０（ａ）のように露光
マスク４′を回路基板１の上の段１ａに重ねると共に遮
光マスク４″を下の段１ｂに重ね、この状態で平行光を
照射する。この一回目の露光の際には、光は遮光マスク
４″を通過せず露光マスク４′の光透過部４ａのみを光
が透過するために、図１０（ｃ）のように回路基板１の
表面の一部にのみ露光がおこなわれる（図１０（ｃ）、
図１１（ｃ）においてレジスト露光部３ａをクロス斜線
で示す）。次に、図１１（ｂ）のような遮光マスク４″
と露光マスク４′を用い、図１１（ａ）のように遮光マ
スク４″を回路基板１の上の段１ａに重ねると共に下の
段１ｂに露光マスク４′を重ね、この状態で平行光を照
射する。この二回目の露光の際には、光は遮光マスク
４″を通過せず露光マスク４′の光透過部４ａのみを光
が透過するために、図１１（ｃ）のように回路基板１の
他の部分にも露光がおこなわれて一回目の露光と合わせ
て回路基板１の全面を露光することができる。図１０及
び図１１の実施例ではフォトマスク４を二段に分けてい
るために二回の露光となるが、フォトマスク４を三段に
分けた場合には露光を三回繰り返すことになり、露光は
フォトマスク４の分割数に応じた回数をおこなうもので
ある。そしてこのように露光をおこなった後に、現像を
おこなって回路形成の処理をおこなうことによって、図
１２のように回路基板１の表面に立体的に回路６を形成
することができるものである。

【００４０】図１０、図１１のようにしないで、複数段
のフォトマスク４として総て露光マスク４′を用いて一
度に露光をおこなうようにする場合、隣合うフォトマス
ク４の端部間から光が回折等で侵入することを防ぐため
に後述のようにこの隣合うフォトマスク４は端部同士を
平行光の照射方向に重ねる必要があるが、フォトマスク
４を重ねた部分では二枚のフォトマスク４の光透過部４
ａを平行光が通過するために一枚のフォトマスク４の光
透過部４ａを通過する他の箇所に比べて光量が若干減少
し、この結果、露光量が不均一になって回路形成に支障
が生じるおそれがあり、特に高密度ファインパターンを
形成することが困難になるおそれがある。このために図
１０、図１１の実施例ではフォトマスク４の分割数に応
じた回数で露光をおこなうようにして、高密度ファイン
パターンの形成を可能にしているものである。

【００４１】また、図１０、図１１の実施例では、露光
マスク４′として図１（ｂ）に示したフォトマスク４と
同様に、光非透過部４ｂのうち凹部９ａ，９ｂに対応す
る部分の幅を広くし、しかも凹部９ａ，９ｂの深さが深
くなるほど光非透過部４ｂの幅寸法を広くすることによ
って、光透過部４ａの幅をこの逆に凹部９ａ，９ｂに対
応する部分の幅を狭くすると共に凹部９ａ，９ｂの深さ
が深くなるほど狭くなるように形成したものを用いるよ
うにしており、光透過部４ａを透過する平行光が凹部９
ａ，９ｂの部分で回折して広がって光非透過部４ｂの裏
側に回り込んでも、この光の回り込みを光非透過部４ｂ
の幅を広くした寸法で吸収して、回路基板１の凹部９
ａ，９ｂにおいても他の箇所と同じ露光幅でフォトレジ
スト３を露光することができるようにしてある。この図
１０、図１１はネガ型のフォトレジスト３を使用する場
合について実施例であるが、ポジ型フォトレジスト３を
使用する場合には図２（ｂ）に示したフォトマスク４と
同様な露光マスク４′を使用するようにすればよい。ま
た露光マスク４′と凹部９ａ，９ｂとの間隔が小さい場
合には、露光マスク４′としては従来から使用されてい
る図３１（ｂ）のフォトマスク４をそのまま用いること
ができる。上記各実施例のようにフォトマスク４を重ね
る際に、フォトマスク４のパターン形状に形成した光透
過部４ａや光非透過部４ｂと回路基板１の表面の凹凸と
を位置合わせする必要がある。図１３及び図１４は回路
基板１にフォトマスク４を位置合わせして重ねる実施例
の一つを示すものであり、回路基板１の上面には回路基
板１を樹脂成形する際に同時に位置合わせ部１０が一体
成形してある。この位置合わせ部１０は凸部として形成
することもできるが、本実施例では図１３（ａ）及び図
１４（ａ）に示すように直径２ｍｍ、深さ３ｍｍ程度の
凹部として形成してある。またフォトマスク４にも図１
３（ａ）に示すように位置合わせ部１０に対応して直径
２ｍｍ程度で２個の位置合わせ孔１４が設けてある。そ
して回路基板１に既述の工程でフォトレジスト３を塗着
した後に、図１４（ｂ）のように回路基板１の位置合わ
せ部１０とフォトマスク４の位置合わせ孔１４を合わせ
て回路基板１の上にフォトマスク４を重ね、次に図１３
（ｂ）及び図１４（ｃ）のようにピン１５を位置合わせ
孔１４を通して位置合わせ部１０に差し込むことによっ
てフォトマスク４を位置決めすることができ、回路基板
１の位置合わせ部１０を基準にして回路基板１にフォト
マスク４を位置合わせして固定することができるもので
ある。このようにフォトマスク４を位置合わせして回路
基板１に重ねた後、露光をおこなうものである。

【００４２】図１５の実施例は位置合わせ部１０を凸部
として形成するようにしたものであり、位置合わせ部１
０は例えば２ｍｍ角、高さ５ｍｍで角柱状に形成するこ
とができる。またフォトマスク４には２ｍｍ角の角孔で
位置合わせ孔１４が形成してあり、この位置合わせ孔１
４は図１５（ａ）のように金属製補強金具１６をかしめ
てはめ込むことによって補強してある。そして図１５
（ｂ）のように位置合わせ孔１４に位置合わせ部１０を
被挿して位置決めしつつフォトレジスト３を塗着した回
路基板１の上にフォトマスク４を重ねることによって、
回路基板１の位置合わせ部１０を基準にして回路基板１
にフォトマスク４を位置合わせして固定することができ
る。

【００４３】図１６及び図１７はフォトマスク４の位置
合わせの他の実施例を示すものであり、回路基板固定治
具１１は上面に回路基板１の平面形状と適合する凹所２
０を設けて形成してあって、回路基板固定治具１１の端
部の上面にはピン穴２４が設けてある。またフォトマス
ク４の上側には２ｍｍ程度の直径の金属棒等でＬ字形に
屈曲して形成される支持棒１２が取り付けてある。支持
棒１２は図１７（ａ）のように縦片１２ａの先端の雄ね
じ部をフォトマスク４の端部に差し通すと共に雄ねじ部
に螺合した一対のナット２５，２５でフォトマスク４の
表裏を挟持することによって、フォトマスク４に脱着自
在に取り付けるようにしてある。この支持棒１２は図１
７（ａ）のように横片１２ｂがフォトマスク４の外方へ
突出するように取り付けられるものであり、本実施例で
は各フォトマスク４に二本の支持棒１２を取り付けるよ
うにしてある。また支持棒１２の横片１２ｂの先端には
図１７（ｂ）に示すように固定片２６が設けてあり、固
定片２６にピン通し孔２７が穿設してある。

【００４４】そしてフォトレジスト３を塗着した回路基
板１を凹所２０にはめ込むことによって回路基板固定治
具１１に回路基板１を位置決めした状態でセットし、ま
た回路基板固定治具１１のピン穴２４に支持棒１２のピ
ン通し孔２７を位置合わせした状態でフォトマスク４を
回路基板１の上に重ね、ピン通し孔２７を通してピン穴
２４にピン１５を差し込むことによって、フォトマスク
４を回路基板固定治具１１に位置決めした状態でセット
する。このように回路基板固定治具１１に対して回路基
板１とフォトマスク４をそれぞれ位置決めすることによ
って、回路基板固定治具１１を介して回路基板１とフォ
トマスク４を位置決めすることができ、回路基板１にフ
ォトマスク４を位置合わせした状態で固定することがで
きるものである。このようにフォトマスク４を位置合わ
せして回路基板１に重ねた後、露光をおこなうものであ
る。

【００４５】また、回路基板１の表面に複数段に分けて
フォトマスク４を重ねるにあたって、前記図６（ｄ）、
図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１４（ｃ）、図１６
（ａ）に示すように、隣合うフォトマスク４はその端部
同士を上下方向、すなわち平行光の照射方向に重なり合
うように重複させてフォトマスク４を配置するのがよ
い。このように隣合うフォトマスク４の各段差部に重ね
合わせ部を設けることによって、フォトマスク４の端部
間から光が回折等で侵入することを防ぐことができるも
のである。フォトマスク４の端部の重ね合わせ幅は、光
の平行度や回折の程度、フォトマスク４の上下間の距離
（段差）等を考慮して決定されるものである。尚、図６
（ｄ）、図１０（ａ）、図１１（ａ）、図１４（ｃ）、
図１６（ａ）の各実施例ではフォトマスク４を複数枚に
分割して複数段に分けて回路基板１に重ねるようにした
が、一枚のフォトマスク４を折り曲げるなどすることに
よって複数段に分けて回路基板１に重ねるようにしても
よい。

【００４６】上記のように隣合うフォトマスク４をその
端部同士を重複させてフォトマスク４を配置するにあた
っては、両フォトマスク４を相互に位置合わせした状態
で回路基板１に位置決めして重ねるようにする必要があ
る。図１８はその実施例を示すものであり、図１８
（ａ）に示すように回路基板１の上面に直径２ｍｍ、深
さ２ｍｍ程度の凹穴２８が２箇所形成してある。この凹
穴２８は回路基板１を樹脂成形する際に同時成形で設け
たり、成形後に加工して設けたりすることができる。ま
た、隣合うように配置されるフォトマスク４は図１８
（ｂ）のように、各フォトマスク４の端部同士を重複さ
せた状態で結合治具２９によって２箇所で結合固定させ
てある。この結合治具２９は直径が２ｍｍ程度のボルト
２９ａとナット２９ｂで形成してあり、各フォトマスク
４の重複させる端部に孔を設けてボルト２９ａを通し、
ナット２９ｂをボルト２９ａに螺合することによって固
定するようにしてある。そして回路基板１に既述の工程
でフォトレジスト３を塗着した後に、このように結合治
具２９で隣合うフォトマスク４を位置合わせして端部同
士重複させて結合させると共に、結合治具２９の下端を
回路基板１の凹穴２８に差し込み、回路基板１に対して
各フォトマスク４を位置合わせした状態で、図１８
（ｃ）のように回路基板１に各フォトマスク４を固定す
ることができるものである。

【００４７】図１９（ｃ）は結合治具２９の他の例を示
すものであって、この結合治具２９は直径が３．５ｍｍ
程度のスペーサ部２９ｃの上下両端に直径が２ｍｍ程度
のボルト部２９ｄを突設して形成してあり、各フォトマ
スク４の重複させる端部に設けた孔にボルト部２９ｄを
通して各ボルト部２９ｄにナット２９ｂを螺合すること
によって、ナット２９ｂとスペーサ部２９ｃの端面との
間に各フォトマスク４を挟着すると共にスペーサ部２９
ｃで両フォトマスク４間に所定の間隔を保って、各フォ
トマスク４の端部同士を重複させた状態で結合治具２９
によって２箇所で図１９（ｂ）のように結合固定させる
ようにしてある。このものでも同様にして図１９（ａ）
のように結合治具２９の下端のボルト部２９ｄを回路基
板１の凹穴２８に差し込んで回路基板１に対して各フォ
トマスク４を位置合わせした状態で、回路基板１に各フ
ォトマスク４を固定することができるものである。

【００４８】図２０は隣合うフォトマスク４を位置合わ
せした状態で回路基板１に位置決めして重ねる他の実施
例を示すものであり、上面に回路基板１の平面形状と同
形状の凹部４１を設けたトレイ４２と、トレイ４２の外
周形状に合わせた枠体４３とで形成される図２０（ｂ）
のような露光用治具４４を用いるようにしてある。露光
用治具４４のトレイ４２の外周部の上面にはねじ穴４５
が、枠体４３のこのねじ穴４５に対応する箇所には通孔
４６がそれぞれ設けてある。そしてフォトレジスト３を
既述した工程で塗着した回路基板１を凹所４１にはめ込
むことによって、図２０（ｃ）のように露光用治具４４
のトレイ４２に回路基板１を位置決めした状態でセット
すると共に隣合う一対のフォトマスク４のうち一方のフ
ォトマスク４を回路基板１に重ねる。このフォトマスク
４の端部にはねじ通し穴４７が穿設してあり、このねじ
通し穴４７をトレイ４２のねじ穴４５に合わせることに
よってフォトマスク４をトレイ４２を介して回路基板１
に位置決めすることができる。尚、図２０の実施例では
図２０（ａ）のように回路基板１に大きく突出する突出
部１ｃが設けてあるので、フォトマスク４に設けた開口
４８をこの突出部１ｃに被挿することによってもフォト
マスク４を回路基板１に位置決めできるようになってい
る。次にねじ穴４５に通孔４６を合わせて図２０（ｄ）
のようにトレイ４２の上にフォトマスク４を介して枠体
４３を重ね、さらに隣合う一対のフォトマスク４のうち
他方のフォトマスク４を枠体４３の上に重ねる。この他
方のフォトマスク４の端部にもねじ通し穴４７が穿設し
てあり、このねじ通し穴４７を枠体４３の通孔４６に合
わせることによってフォトマスク４を枠体４３及びトレ
イ４２を介して回路基板１に位置決めすることができ
る。この後に、図２０（ｅ）のように各フォトマスク４
のねじ通し穴４７と枠体４３の通孔４６に固定ねじ４９
を通してトレイ４２のねじ穴４５に固定ねじ４９を螺合
することによって、枠体４３をトレイ４２に結合させる
と共に各フォトマスク４を固定することができるもので
ある。

【００４９】以上のようにして露光をして現像をおこな
った後は、図４（ａ）の場合と同様にして無電解メッキ
層２に通電して電気メッキ等をおこなうことによって図
７（ａ）のように電気メッキ層５を設けると共にさらに
図４（ｂ）の場合と同様にしてニッケルメッキや金メッ
キ等のメッキ層７を設け、この後に図４（ｃ）の場合と
同様にしてフォトレジスト３を剥離すると共に回路形成
部以外の不要な無電解メッキ層２を除去することによっ
て図７（ｂ）のように無電解メッキ層２と電気メッキ層
５とメッキ層７からなる回路６のパターン形成をおこな
うことができるものである。そしてこのように回路６の
形成をおこなった後に、電子部品等の部品１８を搭載し
て回路６と部品１８との間に金線等をワイヤー１９ボン
ディングすることによって、図７（ｃ）に示すように回
路基板１の上に部品１８を実装することができるもので
ある。

【００５０】上記図１乃至図２０の各実施例において、
平行光を用いて露光をおこなうが、この平行光としてコ
リメータ５１を用いて平行度を高めた平行光を使用する
ことができる。図２１はその一例を示すものであり、一
次平行光Ｌ₁ をコリメータ５１に通し、平行でない光を
遮断して平行度を高めた二次平行光Ｌ₂ を回路基板１に
重ねたフォトマスクフォトマスク４の上から照射するよ
うにしてある。一次平行光Ｌ₁ としては水銀ランプから
照射した光をミラーで集光すると共に平行レンズを通し
て平行にしたものを用いることができる。またコリメー
タ５１としては既知の任意のもの、例えば円筒又は二枚
グリッドを用いたものを使用することができる。コリメ
ータ５１に光を通して露光するときには、露光量が均一
になるようにコリメータ５１を照射方向と垂直な平面で
回転させながら露光をおこなうようにするのがよい。こ
のようにコリメータ５１で平行度を高めた二次平行光Ｌ
₂を用いて露光をおこなうことによって、回路基板１の
回路形成表面と平面状のフォトマスク４との間の間隔が
大きくてもこの間隔による平行光の広がりを低減するこ
とができ、回路基板１が凹凸の大きい立体表面に形成さ
れていても回路の幅寸法が不均一になることを防ぐこと
ができるものであり、回路を均一幅で形成して高密度配
線に回路を形成することが可能になるものである。

【００５１】図２２は複数枚のフォトマスク４を用いて
露光をおこなうようにした実施例を示すものであり、平
板状（平面状）に形成される複数枚（図の実施例では２
枚）の各フォトマスク４には同じ露光パターンで光透過
部４ａと光非透過部４ｂが形成してある。そしてこの複
数枚のフォトマスク４のうち一枚のフォトマスク４を図
２２（ａ）のように回路基板１に重ねると共に他のフォ
トマスク４を所定の一定間隔を隔てて前記フォトマスク
４に重ね、この状態で平行光を照射して露光をおこなう
ものである。このとき光透過部４ｂが平行光の照射方向
に正確に対向するように露光パターンを合わせて各フォ
トマスク４を重ねるようにするものである。このように
複数枚のフォトマスク４を間隔を隔てて重ねて使用する
と、図２２（ｂ）に示すように、一枚目のフォトマスク
４の光非透過部４ｂの裏側に光が回り込んでも、回り込
んだ光はこの光非透過部４ｂと同じパターンで形成され
ている二枚目のフォトマスク４の光非透過部４ｂで遮断
されることになり、平行光が広がって回路基板１の紫外
線感光フォトレジスト３に照射されることを低減するこ
とができるのである。従って、回路基板１の回路形成表
面とフォトマスク４との間の間隔が大きくても平行光の
広がりを低減することができるものであり、回路基板１
の凹凸が大きい場合でも回路の幅寸法が不均一になるこ
とを回避することができ、回路を均一幅で形成して高密
度配線に回路形成をすることが可能になるものである。

【００５２】次に上記フォトマスク４において光非透過
部４ｂに光吸収材５８を塗布するようにした実施例を説
明する。先ず図２３（ａ）のように光透過部４ａと光非
透過部４ｂを設けて露光パターンを形成したフォトマス
ク４の上面（平行光が入射する側の面）の全面にポジ型
のドライフィルムなどフォトレジスト５９を塗着し、図
２３（ｂ）のようにフォトマスク４を上側にして露光し
た後、感光されていない光非透過部４ｂに対応する部分
のフォトレジスト５９を図２３（ｃ）のように現像して
除去する。次に図２３（ｄ）のようにカーボン等の光吸
収材５８をスプレーしてフォトレジスト５９を除去した
部分においてフォトマスク４の表面に光吸収材５８を塗
布した後、フォトレジスト５９を除去することによっ
て、図２３（ｅ）のような光非透過部４ｂに光吸収材５
８を塗布したフォトマスク４を得ることができる。

【００５３】そして図２４に示すように、光吸収材５８
を塗布したフォトマスク４を光吸収材５８が平行光の照
射側を向くように回路基板１に重ねると共に、光非透過
部４ｂが平行光の照射方向に正確に対向するように露光
パターンを合わせて、光吸収材５８を塗布していないフ
ォトマスク４を所定の一定間隔を隔てて前記フォトマス
ク４に重ね、この状態で平行光を照射して露光をおこな
うものである。図２４の実施例では光源６０からの光を
光学レンズ６１で平行光にして露光をおこなうようにし
ている。そしてこのものでは、一枚目のフォトマスク４
の光非透過部４ｂの裏側に回り込んだ光は二枚目のフォ
トマスク４の光非透過部４ｂで遮断されることになる
が、二枚目のフォトマスク４の光非透過部４ｂの表面に
光吸収材５８が塗布してあるので、この回り込んだ光は
光吸収材５８で吸収され、回路基板１のフォトレジスト
３に到達することを完全に防止することができるのであ
る。図２４の実施例にあって、二枚目のフォトマスク４
と回路基板１の回路形成面との間隔をａ、フォトマスク
４間の間隔をｂ、平行光起点となる光学レンズ６１と一
枚目のフォトマスク４との間隔をｃとすると、間隔ａ，
ｂ，ｃのうち間隔ｂを変えることによって平行度が変わ
るが、間隔ｂを大きくするほど平行度が高くなるもので
ある。

【００５４】図２５の実施例では、表面と裏面にそれぞ
れ同じ露光パターンを設けて形成したフォトマスク４を
用いて露光をおこなうようにしている。すなわち、光透
過性の厚いマスク６２の表面と裏面にそれぞれ光非透過
部４ｂを同じパターンで対向させて設けることによって
フォトマスク４が形成してあり、光非透過部４ｂは光の
反射率の低い材料を用いて反射光をカットするようにし
てある。そしてこのフォトマスク４を図２５（ａ）のよ
うに回路基板１に重ね、平行光を照射して露光をおこな
うと、図２５（ｂ）に示すように、フォトマスク４の表
面側の光非透過部４ｂの裏側に光が回り込んでも、回り
込んだ光はこの表面側の光非透過部４ｂと同じパターン
で形成されている裏面側の光非透過部４ｂで吸収されて
遮断されることになり、平行光が広がって回路基板１の
フォトレジスト４に照射されることを低減することがで
きるのである。従って、回路基板１の回路形成表面とフ
ォトマスク４との間の間隔が大きくても平行光の広がり
を低減することができるものであり、回路基板１の凹凸
が大きく回路形成表面とフォトマスク４との間の間隔が
大きい場合でも回路の幅寸法が不均一になることを回避
することができ、回路を均一幅で形成して高密度配線に
回路形成をすることが可能になるものである。ここで、
平行光の平行度はフォトマスク４の透明なマスク６２の
厚み及びマスク６２と回路基板１の回路形成面との間隔
によって調節するとができるものであり、マスク６２の
厚みを大きくするほど平行度が高くなるものである。

【００５５】次に上記フォトマスク４の製造について説
明する。まず図２６（ａ）のように厚い光透過性のフィ
ルムをマスク６２として用い、図２６（ｂ）のようにマ
スク６２の両面に光非透過部４ｂとなる部分を除いてド
ライフィルムなどフォトレジスト５９をパターンイング
してマスキングし、次に図２６（ｄ）のようにカーボン
等の光の反射率の低い光吸収材５８をスプレーしてフォ
トレジスト５９でマスキングされていない部分において
マスク６２の表面に光吸収材５８を塗布した後、フォト
レジスト５９を除去することによって、図２６（ｅ）の
ような光吸収材５８によって光非透過部４ｂをマスク６
２の表面と裏面に設けて形成したフォトマスク４を得る
ことができる。

【００５６】また、上記各実施例のように平行光を用い
て露光をおこなうにあたって、レーザー光５６を光学レ
ンズ５２を用いて光束を広げた平行光とし、この平行光
で露光をおこなうことができる。図２７はその一例を示
すものであり、波長３６０ｎｍのＡｒレーザーなど出力
分布を均一にしたレーザー光５６の出力強度をまずフィ
ルター６３を用いて均一にする。次にこの均一な強度分
布のレーザー光５６を光学レンズ５２を用いて光束を広
げた平行光にする。図２７の実施例では光学レンズ５２
として光拡散レンズ５２ａと平行レンズ５２ｂを用い、
まずレーザー光５６を光拡散レンズ５２ａに通してレー
ザー光５６を広げ、次にこの広げたレーザー光５６を平
行レンズ５２ｂに通して平行光にする。そしてこの均一
な強度分布をもった平行光で平面状のフォトマスク４を
通して回路基板１の紫外線感光フォトレジスト３を露光
するものである。レーザー光５６は平行度の高い光線で
あるものの、光束の面積を大きく得ることが難しいので
レーザー光５６を直接照射して回路基板１の全面を露光
することは困難であるが、レーザー光５６を光学レンズ
５２を用いて光束を広げた平行光として用いることによ
って、レーザー光５６による平行度の高い平行光で露光
をおこなうことができる。従って、回路基板１の回路形
成表面とフォトマスク４との間の間隔が大きくても平行
光の広がりを低減し、回路基板１の凹凸が大きい場合で
も回路の幅寸法が不均一になることを回避することがで
きるものであり、回路を均一幅で形成して高密度配線に
回路形成をすることが可能になるものである。

【００５７】また平行光を用いて露光をおこなうにあた
って、ピンホール５３を通過させた光を光学レンズ５４
で平行光にし、この平行光で露光をおこなうようにする
こともできる。図２８はその一例を示すものであり、ま
ず紫外線感光型等のフォトレジスト３の感光に必要な波
長の光（紫外域の光など）を含んだ均一な強度の散乱光
６４を水銀ランプ６７等から照射して集光レンズ６５で
集光する。この集光レンズ６５と光遮蔽板６６に設けた
ピンホール５３との距離は、集光レンズ６５における露
光に必要な波長（例えば３６０ｎｍ）の光の波長の焦点
距離に設定されるものであり、集光レンズ６５で集光さ
れた光はピンホール５３に集まって通過する。そして光
はピンホール５３を点光源として平行レンズで形成され
る光学レンズ５４に入射し、平行光に変換され、この平
行光で露光をおこなうことができるものである。光学レ
ンズ５４とピンホール５３との距離は、光学レンズ５４
における露光に必要な波長の光の波長の焦点距離に設定
されるものであり、点光源となるピンホール５３からの
光は光学レンズ５４で平行度の高い平行光に変換される
ために、平行度の高い平行光で露光をおこなうことがで
きるものである。従って、回路基板１の回路形成表面と
フォトマスク４との間の間隔が大きくても平行光の広が
りを低減し、回路基板１の凹凸が大きい場合でも回路の
幅寸法が不均一になることを回避することができるもの
であり、回路を均一幅で形成して高密度配線に回路形成
をすることが可能になるものである。

【００５８】また平行光を用いて露光をおこなうにあた
って、太陽光５７を用いて露光をおこなうようにするこ
ともできる。太陽光５７は無限遠にある点光源と考えら
れるので高い平行度をもった平行光であるが、地球上で
は反射光等の二次光７３が存在するのでそのまま平行光
源として用いることはできない。そこで二次光７３を遮
蔽板５５で遮蔽しながら太陽光を平行光として導入する
ことによって、この太陽光の平行光で露光をおこなうこ
とが可能になる。図２９はその一例を示すものであり、
光非透過性の円筒体等で遮光板５５を作成し、遮光板５
５の内周にはシャッター６９が設けてある。また露光台
７０は傾斜角度を自在に調整できるように太陽追尾装置
７１に支持してあり、平面状のフォトマスク４を重ねた
回路基板１をこの露光台７０の上に載置すると共に遮光
板５５を露光台７０の上にセットして遮光板５５で回路
基板１を覆う。このときシャッター６９は閉じられてお
り、回路基板１は周囲を遮光板５５で覆われていると共
にシャッター６９でも遮光されているために、回路基板
１に設けたフォトレジスト３に光は作用しない。そして
太陽７２からの太陽光５７のフォトマスク４への入射角
が垂直になるように太陽追尾装置７１を作動させて露光
台７０の傾斜角度を調整し、この状態でシャッター６９
を開くと、太陽７２の方向を向く遮光板５５の上端の開
口から入った太陽光７１がシャッター６９を通過して、
フォトマスク４の上から回路基板１のフォトレジスト３
を露光することができる。反射光等の二次光７３は遮光
板５５で遮断され、回路基板１に到達することがないた
めに、平行光である太陽光５７のみで露光をおこなうこ
とができるものである。また遮光板５５の内側にはシャ
ッター６９の下側において露光量カウンター７４を設け
てシャッター６９を開いてからの露光量を測定するよう
にしてあり、目標露光量に達した時点でシャッター６９
を閉じるようにしてある。ここで、フォトレジスト３と
しては紫外線感光レジストを用いることができるが、太
陽光５７は広い波長範囲の光を均一に含んでいるので、
紫外線以外の波長で感光するレジストを用いることもで
きる。このように平行度の高い太陽光５７で露光をおこ
なうことができるので、回路基板１の回路形成表面とフ
ォトマスク４との間の間隔が大きくても平行光の広がり
を低減し、回路基板１の凹凸が大きい場合でも回路の幅
寸法が不均一になることを回避することができるもので
あり、回路を均一幅で形成して高密度配線に回路形成を
することが可能になるものである。

【００５９】

【発明の効果】上記のように本発明は、フォトマスクと
立体回路板の回路形成表面との間の間隔に伴う平行光の
広がりに応じた寸法調整をした光透過部を形成したフォ
トマスクを用いて露光をおこなうようにしたので、回路
基板とフォトマスクとの間の間隔が大きくてもこの間隔
による平行光の広がりを補正して露光をおこなうことが
でき、回路基板の凹凸差が大きい場合でも回路の幅寸法
が不均一になることを回避することができるものであ
り、回路を均一幅で形成して高密度配線に回路形成する
ことが可能になるものである。

【００６０】また本発明は、フォトマスクと回路基板の
回路形成表面との間の間隔に応じて複数段に分けてフォ
トマスクを重ねて露光をおこなうようにしたので、回路
基板の表面の凹凸が複雑でも複数段に分けた各フォトマ
スクと回路基板の回路形成表面との間の間隔を小さくす
ることができ、回路基板の表面の大きな凹凸差によって
露光幅が異なることがなくなって回路の幅寸法が不均一
になることを回避することができるものであり、回路を
均一幅で形成して高密度配線に回路形成することが可能
になるものである。

【００６１】このように複数段のフォトマスクで露光を
おこなうにあたって、フォトマスクとして、フォトマス
クと回路基板の回路形成表面との間の間隔に伴う平行光
の広がりに応じた寸法調整をした光透過部を形成したフ
ォトマスクを用いるようにすれば、露光幅を一層均一化
することができ、高い精度で高密度配線に回路形成する
ことが可能になるものである。

【００６２】また上記の樹脂成形された立体的な回路基
板として、樹脂成形時に凹部又は凸部を一体成形して位
置合わせ部を設けたものを用い、位置合わせ部によって
位置合わせした状態でフォトマスクを回路基板に重ねる
ようにすれば、回路基板の表面の凹凸とフォトマスクの
パターンとを正確に対応させることができ、回路基板に
立体回路を正確に形成することができるものである。

【００６３】また回路基板固定治具に回路基板を位置決
めしてセットし、フォトマスクに脱着自在に設けた支持
棒を回路基板固定治具に結合させることによって回路基
板にフォトマスクを位置合わせした状態でフォトマスク
を回路基板に重ねるようにしても、回路基板の表面の凹
凸とフォトマスクのパターンとを正確に対応させること
ができ、回路基板に立体回路を正確に形成することがで
きるものである。

【００６４】さらに複数段のフォトマスクのうち、隣合
うフォトマスクの端部同士を平行光の照射方向に重複さ
せてフォトマスクを配置すれば、隣合うフォトマスクの
端部間から光が侵入することがなくなり、フォトマスク
を複数段に分けたにもかかわらず光の漏れ不良なく露光
をおこなうことができるものである。このように隣合う
フォトマスクの端部同士を平行光の照射方向に重複させ
てフォトマスクを配置するにあたって、重ね合わせる部
分においてフォトマスク同士の位置合わせをおこなうよ
うにすれば、隣合うフォトマスクの相互の位置ずれがな
くなって回路基板に立体回路を正確に形成することがで
きるものである。

【００６５】また、複数段のフォトマスクで同時に露光
をおこなう場合には、フォトマスクの重なり合う部分で
はフォトマスクを通過する光量が他の部分よりも若干減
少して露光量が不均一になるおそれがあるが、複数段の
フォトマスクのうち、一段のフォトマスクに光透過部が
パターンニングして設けられた露光マスクを用いると共
に他の段のフォトマスクを光を透過しない遮光マスクを
用いて露光をおこない、順次露光マスクと遮光マスクを
入れ換えて複数回露光をおこなうようにすれば、フォト
マスクの段数に応じた回数で露光をおこなうことがで
き、露光量を均一化して高密度ファインパターンの形成
が可能になるものである。

【００６６】また、平行光で露光をおこなうにあたっ
て、コリメータによって平行度を高めた平行光を用いた
り、あるいはレーザー光を光学レンズによって光束を広
げた平行光として用いたり、さらにピンホールを通過さ
せた光を光学レンズで平行光にして用いたり、また二次
光を遮蔽板で遮蔽しながら太陽光を平行光として導入し
て用いたりすることによって、平行度の高い平行光で精
度の高い露光をおこなうことができるものであり、回路
基板とフォトマスクとの間隔が大きくても回路幅を均一
に形成して高密度ファインパターンの形成が可能になる
ものである。

【００６７】さらに、同じ露光パターンを形成した平板
状のフォトマスクを複数枚用い、平行光の照射方向に各
露光パターンが揃うように所定間隔をおいて複数枚のフ
ォトマスクを平行光の照射方向に重ねて露光をおこなう
ようにしたり、あるいは表面と裏面にそれぞれ同じ露光
パターンを設けて形成したフォトマスクを用いて露光を
おこなうことによって、光源に近い側の露光パターンの
光非透過部を光が回り込んでも次の露光パターンの光非
透過部でこの光をカットすることができ、高い精度で露
光をおこなうことができるものであり、回路基板とフォ
トマスクとの間隔が大きくても回路幅を均一に形成して
高密度ファインパターンの形成が可能になるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における露光工程の一実施例を示すもの
であり、（ａ）は回路基板にフォトマスクを被覆した状
態の断面図、（ｂ）はフォトマスクの平面図、（ｃ）は
形成された回路を示す平面図である。

【図２】本発明における露光工程の他の実施例を示すも
のであり、（ａ）は回路基板にフォトマスクを被覆した
状態の断面図、（ｂ）はフォトマスクの平面図、（ｃ）
は形成された回路を示す平面図である。

【図３】本発明の立体回路板の製造工程の一例を示すも
のであり、（ａ）乃至（ｄ）はその前半部の各工程の断
面図である。

【図４】本発明の立体回路板の製造工程の一例を示すも
のであり、（ａ）乃至（ｄ）はその後半部の各工程の断
面図である。

【図５】立体回路板の完成状態の斜視図である。

【図６】本発明の立体回路板の製造工程の他例を示すも
のであり、（ａ）乃至（ｄ）はその前半部の各工程の断
面図である。

【図７】本発明の立体回路板の製造工程の他例を示すも
のであり、（ａ）乃至（ｃ）はその後半部の各工程の断
面図である。

【図８】本発明におけるフォトマスクの位置合わせの一
実施例を示す分解斜視図である。

【図９】同上の実施例の断面図である。

【図１０】本発明における露光工程の第１回目の露光操
作を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面
図、（ｃ）は露光後の平面図である。

【図１１】同上における露光工程の第２回目の露光操作
を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図、
（ｃ）は露光後の平面図である。

【図１２】同上の露光によって回路形成された立体回路
板を示すものであり、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図
である。

【図１３】本発明におけるフォトマスクの位置合わせの
一実施例を示すものであり、（ａ）は分解斜視図、
（ｂ）は斜視図である。

【図１４】同上の実施例を示すものであり（ａ），
（ｂ），（ｃ）はそれぞれ断面図である。

【図１５】同上の他の実施例を示すものであり（ａ）は
フォトマスクの平面図、（ｂ）は回路基板とフォトマス
クの一部の拡大した断面図である。

【図１６】本発明におけるフォトマスクの位置合わせの
他の実施例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）
は平面図である。

【図１７】同上の実施例に用いる支持棒を示すものであ
り、（ａ）はフォトマスクに取り付けた状態の正面図、
（ｂ）は斜視図である。

【図１８】本発明におけるフォトマスクの位置合わせの
さらに他の実施例を示すものであり、（ａ）は回路基板
の斜視図、（ｂ）はフォトマスクの斜視図、（ｃ）は回
路基板にフォトマスクをセットした状態の斜視図であ
る。

【図１９】同上のさらに他の実施例を示すものであり、
（ａ）は断面図、（ｂ）はフォトマスクの平面図、
（ｃ）はフォトマスクの一部の拡大した断面図である。

【図２０】本発明におけるフォトマスクの位置合わせの
さらに他の実施例を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）
は断面図である。

【図２１】本発明におけるコリメータを用いて露光をお
こなうようにした実施例を示す断面図である。

【図２２】本発明における複数枚のフォトマスクを用い
て露光をおこなうようにした実施例を示すものであり、
（ａ）は断面図、（ｂ）は作用を説明する断面図であ
る。

【図２３】同上のフォトマスクの製造を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｅ）は各工程の断面図である。

【図２４】同上のフォトマスクを用いた実施例を示す断
面図である。

【図２５】本発明における表裏に光非透過部を設けて形
成したフォトマスクを用いて露光をおこなうようにした
実施例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は作
用を説明する断面図である。

【図２６】同上のフォトマスクの製造を示すものであ
り、（ａ）乃至（ｄ）は各工程の断面図である。

【図２７】本発明におけるレーザー光を用いて露光をお
こなうようにした実施例を示す断面図である。

【図２８】本発明におけるピンホールを用いて露光をお
こなうようにした実施例を示す断面図である。

【図２９】本発明における太陽光を用いて露光をおこな
うようにした実施例を示す断面図である。

【図３０】従来における露光工程の一例を示す概略図で
ある。

【図３１】従来における露光工程の他例を示すものであ
り、（ａ）は回路基板にフォトマスクを被覆した状態の
断面図、（ｂ）はフォトマスクの平面図、（ｃ）は形成
された回路を示す平面図である。

【図３２】従来における露光工程のさらに他例を示すも
のであり、（ａ）は回路基板にフォトマスクを被覆した
状態の断面図、（ｂ）はフォトマスクの平面図、（ｃ）
は形成された回路を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 回路基板 ３ フォトレジスト ４ フォトマスク ４ａ 光透過部 ４ｂ 光非透過部 ４′ 露光マスク ４″ 遮光マスク ６ 回路 １０ 位置合わせ部 １１ 回路基板固定治具 １２ 支持棒 ５１ コリメータ ５２ 光学レンズ ５３ ピンホール ５４ 光学レンズ ５５ 遮光板 ５６ レーザー光 ５７ 太陽光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 手塚 義隆 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 大谷 隆児 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−76985（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−181129（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 1/00 G03F 7/20 H05K 3/00 H05K 3/18 H05K 3/24

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂成形された立体的な回路基板の表面
   にフォトレジストを塗着し、この上に平板状のフォトマ
   スクを重ねて平行光で露光した後に現像する工程を含ん
   で回路基板を製造するにあたって、フォトマスクと回路
   基板の回路形成表面との間の間隔に伴う平行光の広がり
   に応じた寸法調整をした光透過部を形成したフォトマス
   クを用いて露光をおこなうことを特徴とする立体回路板
   の製造方法。
2. 【請求項２】 樹脂成形された立体的な回路基板の表面
   にフォトレジストを塗着し、この上に平板状のフォトマ
   スクを重ねて平行光で露光した後に現像する工程を含ん
   で回路基板を製造するにあたって、フォトマスクと回路
   基板の回路形成表面との間の間隔に応じて複数段に分け
   てフォトマスクを重ね、複数段の総てに対する一回の露
   光、あるいは各段毎に複数回に分けた露光をおこなうこ
   とを特徴とする立体回路板の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２のフォトマスクとして、フォト
   マスクと回路基板の回路形成表面との間の間隔に伴う平
   行光の広がりに応じた寸法調整をした光透過部を形成し
   たフォトマスクを用いることを特徴とする立体回路板の
   製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３項のいずれかに記載の樹
   脂成形された立体的な回路基板として、樹脂成形時に凹
   部又は凸部を一体成形して位置合わせ部を設けたものを
   用い、位置合わせ部によって位置合わせした状態でフォ
   トマスクを回路基板に重ねることを特徴とする立体回路
   板の製造方法。
5. 【請求項５】 回路基板固定治具に回路基板を位置決め
   してセットし、フォトマスクに脱着自在に設けた支持棒
   を回路基板固定治具に結合させることによって回路基板
   にフォトマスクを位置合わせした状態でフォトマスクを
   回路基板に重ねることを特徴とする請求項１乃至３のい
   ずれかに記載の立体回路板の製造方法。
6. 【請求項６】 複数段の平板状のフォトマスクのうち、
   一段のフォトマスクに光透過部がパターンニングして設
   けられた露光マスクを用いると共に他の段のフォトマス
   クを光を透過しない遮光マスクを用いて露光をおこな
   い、順次露光マスクと遮光マスクを入れ換えて複数回露
   光をおこなうことを特徴とする請求項２乃至５のいずれ
   かに記載の立体回路板の製造方法。
7. 【請求項７】 複数段の平板状のフォトマスクのうち、
   隣合うフォトマスクの端部同士を平行光の照射方向に重
   複させてフォトマスクを配置することを特徴とする請求
   項２乃至６のいずれかに記載の立体回路板の製造方法。
8. 【請求項８】 隣合うフォトマスクの端部同士を平行光
   の照射方向に重複させてフォトマスクを配置するにあた
   って、重ね合わせる部分においてフォトマスク同士の位
   置合わせをおこなうことを特徴とする請求項７に記載の
   立体回路板の製造方法。
9. 【請求項９】 コリメータによって平行度を高めた平行
   光で露光をおこなうことを特徴とする請求項１乃至８の
   いずれかに記載の立体回路板の製造方法。
10. 【請求項１０】 同じ露光パターンを形成した平板状の
    フォトマスクを複数枚用い、平行光の照射方向に各露光
    パターンが揃うように所定間隔をおいて複数枚のフォト
    マスクを平行光の照射方向に重ねて露光をおこなうこと
    を特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の立体回
    路板の製造方法。
11. 【請求項１１】 表面と裏面にそれぞれ同じ露光パター
    ンを設けて形成したフォトマスクを用いて露光をおこな
    うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載
    の立体回路板の製造方法。
12. 【請求項１２】 レーザー光を光学レンズを用いて光束
    を広げた平行光とし、この平行光で露光をおこなうこと
    を特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の立体
    回路板の製造方法。
13. 【請求項１３】 ピンホールを通過させた光を光学レン
    ズで平行光にし、この平行光で露光をおこなうことを特
    徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の立体回路
    板の製造方法。
14. 【請求項１４】 二次光を遮蔽板で遮蔽しながら太陽光
    を平行光として導入し、この太陽光の平行光で露光をお
    こなうことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに
    記載の立体回路板の製造方法。