JP3201967B2 - 低誘電率非晶質フッ素化炭素層を含む絶縁体及び相互接続構造 - Google Patents
低誘電率非晶質フッ素化炭素層を含む絶縁体及び相互接続構造Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は非晶質フッ素化炭素
皮膜およびその製法に関するものであり、さらに詳細に
は熱安定性が高く、誘電率が低い、電子装置の絶縁層と
して使用するのに適した非晶質フッ素化炭素皮膜および
そのような皮膜の製法に関するものである。
皮膜およびその製法に関するものであり、さらに詳細に
は熱安定性が高く、誘電率が低い、電子装置の絶縁層と
して使用するのに適した非晶質フッ素化炭素皮膜および
そのような皮膜の製法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体チップは、金属配線のパターンに
より接点が相互接続された装置のアレイにより構成され
ている。たとえば、VLSIチップでは、金属パターン
が多層化され、誘電率が低いことを特徴とする絶縁材料
の層により分離されている。金属配線パターン間の層間
接点は、絶縁材料の層をエッチングした貫通孔によりつ
くられる。代表的なチップの設計では、1層または複数
の配線層がある。誘電率の低い絶縁材料が、同一レベル
の配線間にも、各種の配線レベルの間にも使用されてい
る。
より接点が相互接続された装置のアレイにより構成され
ている。たとえば、VLSIチップでは、金属パターン
が多層化され、誘電率が低いことを特徴とする絶縁材料
の層により分離されている。金属配線パターン間の層間
接点は、絶縁材料の層をエッチングした貫通孔によりつ
くられる。代表的なチップの設計では、1層または複数
の配線層がある。誘電率の低い絶縁材料が、同一レベル
の配線間にも、各種の配線レベルの間にも使用されてい
る。
【0003】代表的なVLSIチップでは、この絶縁材
料は誘電率が約3.9ないし約4.1の二酸化シリコン
である。チップの速度は絶縁体のRC値により影響を受
けるので、速度性能を増大させるにはキャパシタンス
(C)を減少させることが必要である。チップの集積度
を高めるための探求の結果、寸法が縮小すると、絶縁体
の誘電率を著しく減少させない限り、キャパシタンス値
を増大させる傾向がある。さらに、チップの設計に大規
模集積の使用が増大するにつれて、バックエンド配線密
度が増大する。配線密度が増大すると、VLSIおよび
ULSI装置の性能を改善するため、これまでより誘電
率が低い絶縁材料、すなわち層間誘電(ILD)材料の
必要性が生じる。
料は誘電率が約3.9ないし約4.1の二酸化シリコン
である。チップの速度は絶縁体のRC値により影響を受
けるので、速度性能を増大させるにはキャパシタンス
(C)を減少させることが必要である。チップの集積度
を高めるための探求の結果、寸法が縮小すると、絶縁体
の誘電率を著しく減少させない限り、キャパシタンス値
を増大させる傾向がある。さらに、チップの設計に大規
模集積の使用が増大するにつれて、バックエンド配線密
度が増大する。配線密度が増大すると、VLSIおよび
ULSI装置の性能を改善するため、これまでより誘電
率が低い絶縁材料、すなわち層間誘電(ILD)材料の
必要性が生じる。
【0004】二酸化シリコンに代わる可能性のある材料
として、誘電率の低い各種の材料が検討されている。た
とえば、ILD材料の候補中では、フッ素化炭素重合体
の誘電率が最も低く、3未満であると考えられる。しか
し、フッ素化重合体など、誘電率の著しく低い材料はほ
とんどが、350℃を超えるチップ加工温度では熱に不
安定で、このため現在の半導体製造技術での集積には適
当でない。このような技術では、BEOL誘電体を付着
させた後、400℃を超える加工温度での熱に耐えるこ
とが必要とされる場合が多い。
として、誘電率の低い各種の材料が検討されている。た
とえば、ILD材料の候補中では、フッ素化炭素重合体
の誘電率が最も低く、3未満であると考えられる。しか
し、フッ素化重合体など、誘電率の著しく低い材料はほ
とんどが、350℃を超えるチップ加工温度では熱に不
安定で、このため現在の半導体製造技術での集積には適
当でない。このような技術では、BEOL誘電体を付着
させた後、400℃を超える加工温度での熱に耐えるこ
とが必要とされる場合が多い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、電子装置の誘電絶縁層として使用するための、
従来の技術による誘電体材料の欠点を持たない、低誘電
率の絶縁材料を提供することにある。
目的は、電子装置の誘電絶縁層として使用するための、
従来の技術による誘電体材料の欠点を持たない、低誘電
率の絶縁材料を提供することにある。
【0006】本発明の他の目的は、電子装置の誘電絶縁
層として使用するための、半導体加工温度において熱的
に安定な低誘電率の絶縁材料を提供することにある。
層として使用するための、半導体加工温度において熱的
に安定な低誘電率の絶縁材料を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、400℃までの非酸化雰囲
気中で熱に対して安定な低誘電率の絶縁材料を提供する
ことにある。
縁層として使用するための、400℃までの非酸化雰囲
気中で熱に対して安定な低誘電率の絶縁材料を提供する
ことにある。
【0008】本発明の他の目的は、半導体装置の層間に
も層内にも適用される誘電絶縁材料として使用するため
の、非酸化雰囲気中で熱に対して安定な低誘電率の絶縁
材料を提供することにある。
も層内にも適用される誘電絶縁材料として使用するため
の、非酸化雰囲気中で熱に対して安定な低誘電率の絶縁
材料を提供することにある。
【0009】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、誘電率が3.0より小さい
低誘電率の絶縁材料を提供することにある。
縁層として使用するための、誘電率が3.0より小さい
低誘電率の絶縁材料を提供することにある。
【0010】本発明の他の目的は、半導体装置の1層ま
たは複数レベルの導体を分離するための低誘電率の絶縁
材料を提供することにある。
たは複数レベルの導体を分離するための低誘電率の絶縁
材料を提供することにある。
【0011】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、フッ素化環式炭化水素前駆
物質から生成することができる低誘電率の非晶質フッ素
化炭素材料を提供することにある。
縁層として使用するための、フッ素化環式炭化水素前駆
物質から生成することができる低誘電率の非晶質フッ素
化炭素材料を提供することにある。
【0012】本発明の他の目的は、半導体装置の誘電絶
縁層として使用するための、前記フッ素化環式炭化水素
が、ヘキサフルオロベンゼン、1,2−ジエチニルテト
ラフルオロベンゼン、および1,4−ビス(トリフルオ
ロメチル)ベンゼンなどのフッ素化環式炭化水素前駆物
質から生成することができる低誘電率の非晶質フッ素化
炭素材料を提供することにある。
縁層として使用するための、前記フッ素化環式炭化水素
が、ヘキサフルオロベンゼン、1,2−ジエチニルテト
ラフルオロベンゼン、および1,4−ビス(トリフルオ
ロメチル)ベンゼンなどのフッ素化環式炭化水素前駆物
質から生成することができる低誘電率の非晶質フッ素化
炭素材料を提供することにある。
【0013】本発明の他の目的は、VLSIまたはUL
SI装置の誘電絶縁層として使用するための、放射また
はビームを使用する付着技術により付着させることがで
きる低誘電率の非晶質フッ素化炭素材料を提供すること
にある。
SI装置の誘電絶縁層として使用するための、放射また
はビームを使用する付着技術により付着させることがで
きる低誘電率の非晶質フッ素化炭素材料を提供すること
にある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
装置の誘電絶縁層として使用するための、フッ素化環式
炭化水素前駆物質から形成された非晶質フッ素化炭素皮
膜およびその製法が提供される。
装置の誘電絶縁層として使用するための、フッ素化環式
炭化水素前駆物質から形成された非晶質フッ素化炭素皮
膜およびその製法が提供される。
【0015】好ましい実施例では、誘電絶縁層として使
用するための非晶質フッ素化炭素皮膜が、ヘキサフルオ
ロベンゼン、1,2−ジエチニルテトラフルオロベンゼ
ン、および1,4−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ンからなるグループから選択された前駆物質から生成さ
れる。この皮膜は、レーザを使用する付着技術、および
プラズマを使用する化学的気相付着技術などの放射また
はビームを使用する付着技術により形成される。付着し
た皮膜は、400℃までの非酸化雰囲気中では熱に対し
て安定で、誘電率が3.0より小さい。この皮膜は、相
互接続構造中の導体を分離するための絶縁体など、電子
装置の相互接続誘電層として使用することができる。
用するための非晶質フッ素化炭素皮膜が、ヘキサフルオ
ロベンゼン、1,2−ジエチニルテトラフルオロベンゼ
ン、および1,4−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼ
ンからなるグループから選択された前駆物質から生成さ
れる。この皮膜は、レーザを使用する付着技術、および
プラズマを使用する化学的気相付着技術などの放射また
はビームを使用する付着技術により形成される。付着し
た皮膜は、400℃までの非酸化雰囲気中では熱に対し
て安定で、誘電率が3.0より小さい。この皮膜は、相
互接続構造中の導体を分離するための絶縁体など、電子
装置の相互接続誘電層として使用することができる。
【0016】代替実施例では、非晶質フッ素化炭素皮膜
が、フッ素化されないダイアモンド状炭素の中間層の
上、または2層のフッ素化されないダイアモンド状炭素
層の中間に付着される。
が、フッ素化されないダイアモンド状炭素の中間層の
上、または2層のフッ素化されないダイアモンド状炭素
層の中間に付着される。
【0017】他の代替実施例では、フッ素化炭素層と、
フッ素化されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配
層がさらに付着される。
フッ素化されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配
層がさらに付着される。
【0018】本発明はさらに、上面が、露出した第1の
金属層である基板と、フッ素化環式炭化水素前駆物質か
ら形成された非晶質フッ素化炭素の絶縁層と、絶縁層の
上に複数の導体を形成するようにパターン形成された第
2の金属層とからなる、電子装置中の1層以上の導体を
分離するための絶縁体に関するものである。この基板
は、上面に、露出した第1の金属領域と、露出した第2
の絶縁体領域を有するものであってもよい。第2の絶縁
体領域は、層内の絶縁の目的で使用される。絶縁体はさ
らに、2層の誘電層の接着を改善するため、フッ素化炭
素層と、フッ素化されないダイアモンド状炭素層との間
に、勾配層をさらに有するものであってもよい。2層の
誘電層の間の勾配層により、連続的な転移が得られる。
金属層である基板と、フッ素化環式炭化水素前駆物質か
ら形成された非晶質フッ素化炭素の絶縁層と、絶縁層の
上に複数の導体を形成するようにパターン形成された第
2の金属層とからなる、電子装置中の1層以上の導体を
分離するための絶縁体に関するものである。この基板
は、上面に、露出した第1の金属領域と、露出した第2
の絶縁体領域を有するものであってもよい。第2の絶縁
体領域は、層内の絶縁の目的で使用される。絶縁体はさ
らに、2層の誘電層の接着を改善するため、フッ素化炭
素層と、フッ素化されないダイアモンド状炭素層との間
に、勾配層をさらに有するものであってもよい。2層の
誘電層の間の勾配層により、連続的な転移が得られる。
【0019】本発明はさらに、基板と、基板の上面に付
着させた第1の導電材料の層と、第1の導電材料の層の
上面に付着させた、フッ素化環式炭化水素前駆物質から
形成した非晶質フッ素化炭素の層と、非晶質フッ素化炭
素の層の上に付着させた、第2の導電材料の層と、第1
の導電材料の層と第2の導電材料の層とを接続する金属
スタッドとからなる、集積回路装置に使用する相互接続
構造に関するものである。第1および第2の導電性材料
は、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、チタ
ン、これらの合金、および導電性の金属窒化物とするこ
とができる。この非晶質フッ素化炭素の層は誘電率が
3.0より低く、層によっては誘電率が2.8より低い
ものもある。この非晶質フッ素化炭素の層は400℃ま
での非酸化雰囲気中では熱に対して安定である。代替実
施例のひとつでは、フッ素化炭素の層が、フッ素化され
ないダイアモンド状炭素の中間層の上、または2層のフ
ッ素化されないダイアモンド状炭素層の中間に付着され
る。他の代替実施例では、フッ素化炭素層と、フッ素化
されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配層がさら
に付着される。
着させた第1の導電材料の層と、第1の導電材料の層の
上面に付着させた、フッ素化環式炭化水素前駆物質から
形成した非晶質フッ素化炭素の層と、非晶質フッ素化炭
素の層の上に付着させた、第2の導電材料の層と、第1
の導電材料の層と第2の導電材料の層とを接続する金属
スタッドとからなる、集積回路装置に使用する相互接続
構造に関するものである。第1および第2の導電性材料
は、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、チタ
ン、これらの合金、および導電性の金属窒化物とするこ
とができる。この非晶質フッ素化炭素の層は誘電率が
3.0より低く、層によっては誘電率が2.8より低い
ものもある。この非晶質フッ素化炭素の層は400℃ま
での非酸化雰囲気中では熱に対して安定である。代替実
施例のひとつでは、フッ素化炭素の層が、フッ素化され
ないダイアモンド状炭素の中間層の上、または2層のフ
ッ素化されないダイアモンド状炭素層の中間に付着され
る。他の代替実施例では、フッ素化炭素層と、フッ素化
されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配層がさら
に付着される。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明は、フッ素化環式炭化水素
前駆物質から形成される電子装置の誘電絶縁層として使
用するための、非晶質フッ素化炭素皮膜と、その製法を
提供するものである。
前駆物質から形成される電子装置の誘電絶縁層として使
用するための、非晶質フッ素化炭素皮膜と、その製法を
提供するものである。
【0021】本発明は、VLSIおよびULSI相互接
続の誘電体として適した、新規の、熱安定性の高い低誘
電率の材料の製法を開示する。本発明によれば、熱に安
定な非晶質フッ素化炭素(a−F:C)材料の皮膜は、
イオン・ビームを使用する付着技術、レーザを使用する
付着技術、プラズマを使用する化学的気相付着技術(P
ACVD)などの放射またはビームを使用する付着技術
によりフッ素化環式炭化水素から形成される。好ましい
技術はPACVDで、これによれば低イプシロンの材料
を広い面積に均一に付着させることができる。非晶質フ
ッ素化炭素皮膜を形成するための代表的な前駆物質は、
ヘキサフルオロベンゼン(C6F6)、1,2−ジエチニ
ルテトラフルオロベンゼン(C6F4(C2H)2)、およ
び1,4−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(C6
H4(CF3)2)である。
続の誘電体として適した、新規の、熱安定性の高い低誘
電率の材料の製法を開示する。本発明によれば、熱に安
定な非晶質フッ素化炭素(a−F:C)材料の皮膜は、
イオン・ビームを使用する付着技術、レーザを使用する
付着技術、プラズマを使用する化学的気相付着技術(P
ACVD)などの放射またはビームを使用する付着技術
によりフッ素化環式炭化水素から形成される。好ましい
技術はPACVDで、これによれば低イプシロンの材料
を広い面積に均一に付着させることができる。非晶質フ
ッ素化炭素皮膜を形成するための代表的な前駆物質は、
ヘキサフルオロベンゼン(C6F6)、1,2−ジエチニ
ルテトラフルオロベンゼン(C6F4(C2H)2)、およ
び1,4−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(C6
H4(CF3)2)である。
【0022】本皮膜およびその製法は、半導体製造技術
における集積に適している。本皮膜は、高周波または直
流PACVDにより、好ましくは負にバイアスした基板
上の広い面積に均一に付着させることができる。基板の
温度は、室温と250℃の間に設定することができる。
このようにして作成した架橋皮膜は誘電率が低く、構造
的異方性がなく、電気抵抗率が高く、化学的に不活性で
ある特徴を有する。
における集積に適している。本皮膜は、高周波または直
流PACVDにより、好ましくは負にバイアスした基板
上の広い面積に均一に付着させることができる。基板の
温度は、室温と250℃の間に設定することができる。
このようにして作成した架橋皮膜は誘電率が低く、構造
的異方性がなく、電気抵抗率が高く、化学的に不活性で
ある特徴を有する。
【0023】代表的なPACVD工程では、最初に半導
体装置を平行板プラズマ反応装置に入れ、電極のひとつ
になるように電気的に接続する。反応装置が負の圧力に
なるように減圧した後、フッ素化環式炭化水素の蒸気お
よび水素の適当な反応気体の混合物を、反応装置に流入
させ、反応装置内の圧力を約30ミリトルないし約30
0ミリトルの範囲のプリセットした値に保持する。次に
コーティングされる装置がアースまたは反応装置の他の
部分に対して負にバイアスされるように、直流または高
周波電力を反応装置の電極に供給して、プラズマを点火
する。所期の厚さのコーティングが得られるまで、装置
をプラズマ中に保持する。好ましいコーティングの厚さ
は、1層当たり約0.3μmないし約1.5μmであ
る。
体装置を平行板プラズマ反応装置に入れ、電極のひとつ
になるように電気的に接続する。反応装置が負の圧力に
なるように減圧した後、フッ素化環式炭化水素の蒸気お
よび水素の適当な反応気体の混合物を、反応装置に流入
させ、反応装置内の圧力を約30ミリトルないし約30
0ミリトルの範囲のプリセットした値に保持する。次に
コーティングされる装置がアースまたは反応装置の他の
部分に対して負にバイアスされるように、直流または高
周波電力を反応装置の電極に供給して、プラズマを点火
する。所期の厚さのコーティングが得られるまで、装置
をプラズマ中に保持する。好ましいコーティングの厚さ
は、1層当たり約0.3μmないし約1.5μmであ
る。
【0024】例1 8インチのウェーハにa−F:Cを付着させる方法の一
例は、平行板高周波PACVD装置を使用し、ヘキサフ
ルオロベンゼンを前駆物質として、下記の条件で行うも
のである。 流速=10sccm 圧力=30ミリトル 基板バイアス=直流−100V 高周波電力=25W 基板温度=180℃
例は、平行板高周波PACVD装置を使用し、ヘキサフ
ルオロベンゼンを前駆物質として、下記の条件で行うも
のである。 流速=10sccm 圧力=30ミリトル 基板バイアス=直流−100V 高周波電力=25W 基板温度=180℃
【0025】20分の付着時間の後、厚さが1μmの非
晶質フッ素化炭素皮膜が得られる。
晶質フッ素化炭素皮膜が得られる。
【0026】例2 8インチのウェーハにa−F:Cを付着させる方法の他
の例は、平行板直流PACVD装置を使用し、ヘキサフ
ルオロベンゼンを前駆物質として、下記の条件で行うも
のである。 流速=20sccm 圧力=100ミリトル 基板バイアス=直流−500Vまたは直流−800V 高周波電力密度=0.1W/cm2 基板温度=250℃
の例は、平行板直流PACVD装置を使用し、ヘキサフ
ルオロベンゼンを前駆物質として、下記の条件で行うも
のである。 流速=20sccm 圧力=100ミリトル 基板バイアス=直流−500Vまたは直流−800V 高周波電力密度=0.1W/cm2 基板温度=250℃
【0027】20分の付着時間の後、厚さが1μmの非
晶質フッ素化炭素皮膜が得られる。
晶質フッ素化炭素皮膜が得られる。
【0028】付着した皮膜の誘電率は2.8以下で、真
空またはヘリウム中、400℃で少なくとも4時間熱的
に安定である。非晶質フッ素化炭素皮膜は、酸素反応性
イオン・エッチング技術を使用してバイアを形成するた
めのパターン形成、および(または)平坦化することが
できる。したがって、この皮膜は集積電子装置またはパ
ッケージングの等方性の誘電率の低い絶縁体として、た
とえばCMOS装置に接触させるためのバックエンド構
造として、使用するために適している。本発明の新規の
非晶質フッ素化炭素皮膜はまた、相互接続構造中で絶縁
層として使用することもできる。相互接続構造は通常、
上面が、露出した第1の金属層である基板と、絶縁材料
の露出した第2の領域と、基板の上面上に形成した非晶
質フッ素化炭素の第1の層と、フッ素化炭素の層の上に
複数の導体を形成するためにパターンを形成した金属の
第2の層と、選択した第1の領域を複数の導体の1個以
上に電気的に接続する金属スタッドを有する。
空またはヘリウム中、400℃で少なくとも4時間熱的
に安定である。非晶質フッ素化炭素皮膜は、酸素反応性
イオン・エッチング技術を使用してバイアを形成するた
めのパターン形成、および(または)平坦化することが
できる。したがって、この皮膜は集積電子装置またはパ
ッケージングの等方性の誘電率の低い絶縁体として、た
とえばCMOS装置に接触させるためのバックエンド構
造として、使用するために適している。本発明の新規の
非晶質フッ素化炭素皮膜はまた、相互接続構造中で絶縁
層として使用することもできる。相互接続構造は通常、
上面が、露出した第1の金属層である基板と、絶縁材料
の露出した第2の領域と、基板の上面上に形成した非晶
質フッ素化炭素の第1の層と、フッ素化炭素の層の上に
複数の導体を形成するためにパターンを形成した金属の
第2の層と、選択した第1の領域を複数の導体の1個以
上に電気的に接続する金属スタッドを有する。
【0029】上述の集積半導体装置を図1に示す。集積
半導体装置10は、露出した金属の第1の領域16と、
露出した絶縁材料の第2の領域18を含む上面14を有
する基板12を有する。フッ素化炭素材料の層20を基
板の上面14上に付着させる。金属スタッド24は、フ
ッ素化炭素材料の層20を貫通して、露出した第1の領
域16を、引き続き形成される第2の金属層22と接続
するために形成される。本発明の相互接続構造に使用で
きる適当な金属は、Al、Cu、W、Ti、Ta、これ
らの合金、および導電性の金属窒化物である。これらの
金属は、スパッタリングまたは化学的気相付着技術を用
いて付着させることができる。
半導体装置10は、露出した金属の第1の領域16と、
露出した絶縁材料の第2の領域18を含む上面14を有
する基板12を有する。フッ素化炭素材料の層20を基
板の上面14上に付着させる。金属スタッド24は、フ
ッ素化炭素材料の層20を貫通して、露出した第1の領
域16を、引き続き形成される第2の金属層22と接続
するために形成される。本発明の相互接続構造に使用で
きる適当な金属は、Al、Cu、W、Ti、Ta、これ
らの合金、および導電性の金属窒化物である。これらの
金属は、スパッタリングまたは化学的気相付着技術を用
いて付着させることができる。
【0030】非晶質フッ素化炭素皮膜には、濃度範囲が
約0ないし約20原子%、好ましくは約0ないし約5原
子%の、少量の水素を含有することが望ましい。このよ
うな少量の水素は、皮膜の強度を改善することが知られ
ている。しかし、皮膜の誘電率は一般に水素含有量とと
もに増大するため、水素の全含有量は限定される。
約0ないし約20原子%、好ましくは約0ないし約5原
子%の、少量の水素を含有することが望ましい。このよ
うな少量の水素は、皮膜の強度を改善することが知られ
ている。しかし、皮膜の誘電率は一般に水素含有量とと
もに増大するため、水素の全含有量は限定される。
【0031】電界効果トランジスタ(FET)における
本発明の非晶質フッ素化炭素皮膜の第2の応用例を図2
に示す。このFETは、集積回路チップの1レベル以上
の導体を分離するための絶縁体を含む。図2は、ソース
およびドレイン領域34を注入した基板32、多結晶シ
リコンのゲート領域36、および埋め込まれた酸化物領
域38を有するFET装置30を示す。このFET装置
30はさらに、CVDによるタングステンのトレンチ充
填物40、二酸化シリコンまたは窒化シリコンのパッシ
ベーション層41、銅、アルミニウムまたはチタンの相
互接続42および43、Ti、Ta、Wまたはこれらの
化合物もしくは合金の金属ライナ44、W、Al、また
はCuを充填したレベル間バイア45、フッ素化炭素層
46、およびフッ素化炭素材料、二酸化シリコン、窒化
シリコン、窒化ホウ素、またはこれらの化合物のキャッ
ピング層47を有する。FET装置30のフッ素化炭素
層46は、FET装置の接点レベル42と43を分離す
るための絶縁体として機能する。フッ素化炭素絶縁体
は、すべての方向に均一な低い誘電率を有する。したが
って、本発明に教示するフッ素化炭素絶縁体は、従来の
技術による絶縁体と比較して、顕著な改善を示す。
本発明の非晶質フッ素化炭素皮膜の第2の応用例を図2
に示す。このFETは、集積回路チップの1レベル以上
の導体を分離するための絶縁体を含む。図2は、ソース
およびドレイン領域34を注入した基板32、多結晶シ
リコンのゲート領域36、および埋め込まれた酸化物領
域38を有するFET装置30を示す。このFET装置
30はさらに、CVDによるタングステンのトレンチ充
填物40、二酸化シリコンまたは窒化シリコンのパッシ
ベーション層41、銅、アルミニウムまたはチタンの相
互接続42および43、Ti、Ta、Wまたはこれらの
化合物もしくは合金の金属ライナ44、W、Al、また
はCuを充填したレベル間バイア45、フッ素化炭素層
46、およびフッ素化炭素材料、二酸化シリコン、窒化
シリコン、窒化ホウ素、またはこれらの化合物のキャッ
ピング層47を有する。FET装置30のフッ素化炭素
層46は、FET装置の接点レベル42と43を分離す
るための絶縁体として機能する。フッ素化炭素絶縁体
は、すべての方向に均一な低い誘電率を有する。したが
って、本発明に教示するフッ素化炭素絶縁体は、従来の
技術による絶縁体と比較して、顕著な改善を示す。
【0032】ULSI相互接続構造における本発明の非
晶質フッ素化炭素皮膜の第3の応用例を図3に示す。こ
のULSI相互接続構造50は、基板52、Cuの相互
接続およびスタッド54、Taのライナ56、フッ素化
炭素のレベル間およびレベル内誘電層58、Siをドー
ピングしたフッ素化炭素またはSiをドーピングした非
フッ素化ダイアモンド状炭素の反応性イオン・エッチン
グのエッチ・ストップ、およびバリア層60を有する。
非晶質フッ素化炭素皮膜は、非フッ素化ダイアモンド状
炭素の中間層上、または2層の非フッ素化ダイアモンド
状炭素層の間に形成されることに注目すべきである。相
互接続層はさらに、フッ素化炭素層と非フッ素化ダイア
モンド状炭素層の間に勾配層を有するものでもよい。勾
配層の使用は、2層の誘電層間に連続的な転移を行うこ
とにより2層の間の接着を改善することにある。
晶質フッ素化炭素皮膜の第3の応用例を図3に示す。こ
のULSI相互接続構造50は、基板52、Cuの相互
接続およびスタッド54、Taのライナ56、フッ素化
炭素のレベル間およびレベル内誘電層58、Siをドー
ピングしたフッ素化炭素またはSiをドーピングした非
フッ素化ダイアモンド状炭素の反応性イオン・エッチン
グのエッチ・ストップ、およびバリア層60を有する。
非晶質フッ素化炭素皮膜は、非フッ素化ダイアモンド状
炭素の中間層上、または2層の非フッ素化ダイアモンド
状炭素層の間に形成されることに注目すべきである。相
互接続層はさらに、フッ素化炭素層と非フッ素化ダイア
モンド状炭素層の間に勾配層を有するものでもよい。勾
配層の使用は、2層の誘電層間に連続的な転移を行うこ
とにより2層の間の接着を改善することにある。
【0033】本発明について説明のための様式で説明を
行ったが、使用した用語は、限定のためではなく、説明
のための用語の本質として使用することを意図したもの
であることを理解すべきである。
行ったが、使用した用語は、限定のためではなく、説明
のための用語の本質として使用することを意図したもの
であることを理解すべきである。
【0034】さらに、本発明は好ましい実施例と、その
いくつかの代替実施例について記載されているが、当業
者は容易にこれらの教示を他の可能な本発明の変形に適
用することができる。たとえば、フッ素化炭素皮膜と非
フッ素化ダイアモンド状炭素皮膜の他の多層構造を使用
することも、さらに、他のコーティング法を使用して、
皮膜を付着させ、しかも本発明の好ましい結果と実質的
に同様の結果を得ることも可能である。
いくつかの代替実施例について記載されているが、当業
者は容易にこれらの教示を他の可能な本発明の変形に適
用することができる。たとえば、フッ素化炭素皮膜と非
フッ素化ダイアモンド状炭素皮膜の他の多層構造を使用
することも、さらに、他のコーティング法を使用して、
皮膜を付着させ、しかも本発明の好ましい結果と実質的
に同様の結果を得ることも可能である。
【図1】半導体装置の2層の金属領域を分離する絶縁層
として、非晶質フッ素化炭素の層を有する半導体装置を
示す拡大断面図である。
として、非晶質フッ素化炭素の層を有する半導体装置を
示す拡大断面図である。
【図2】第1および第2の誘電絶縁層として、非晶質フ
ッ素化炭素の層を有するCMOS構造の電界効果トラン
ジスタを示す拡大断面図である。
ッ素化炭素の層を有するCMOS構造の電界効果トラン
ジスタを示す拡大断面図である。
【図3】レベル間およびレベル内の誘電層として、非晶
質フッ素化炭素の層を有するULSI相互接続構造を示
す拡大断面図である。
質フッ素化炭素の層を有するULSI相互接続構造を示
す拡大断面図である。
10 集積半導体装置 12 基板 14 基板上面 16 金属領域 18 絶縁材料領域 20 フッ素化炭素層 22 第2金属領域 30 FET装置 32 基板 34 ソースおよびドレイン領域 36 多結晶シリコンのゲート領域 38 酸化物領域 40 タングステン・トレンチ充填物 41 パッシベーション層 42 相互接続 43 相互接続 44 金属ライナ 45 バイア 46 フッ素化炭素層 47 キャッピング層 52 基板 54 スタッド 56 Taライナ 58 フッ素化炭素レベル内、レベル間絶縁層 60 バリア層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィシュヌバーイ・ヴィッタルバーイ・ パテル アメリカ合衆国10598 ニューヨーク州 ヨークタウン ウィロウェイ・ストリー ト 2289 (56)参考文献 特開 平5−230659(JP,A) 特開 平8−321217(JP,A) 特許3184746(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C01B 31/00 C23C 14/00 - 16/56 H01L 21/314 H01L 21/768 JICSTファイル(JOIS)
Claims (16)
- 【請求項1】フッ素化環式炭化水素前駆物質から形成さ
れた非晶質フッ素化炭素層を含む、電子装置中の1層以
上の導体を分離するための絶縁体。 - 【請求項2】前記フッ素化環式炭化水素前駆物質が、ヘ
キサフルオロベンゼン、1,2−ジエチニルテトラフル
オロベンゼン、および1,4−ビス(トリフルオロメチ
ル)ベンゼンからなるグループから選択されたものであ
ることを特徴とする、請求項1に記載の絶縁体。 - 【請求項3】前記電子装置は基板を有し、該基板の上面
が、金属の露出した第1の領域と、絶縁体の露出した第
2の領域とを有することを特徴とする、請求項1に記載
の絶縁体。 - 【請求項4】前記非晶質フッ素化炭素層の誘電率が3.
0より小さいことを特徴とする、請求項1に記載の絶縁
体。 - 【請求項5】前記非晶質フッ素化炭素層が、400℃ま
での非酸化雰囲気中では熱に対して安定であることを特
徴とする、請求項1に記載の絶縁体。 - 【請求項6】前記絶縁体はフッ素化されないダイアモン
ド状炭素の層を含み、 前記非晶質フッ素化炭素層が、前記フッ素化されないダ
イアモンド状炭素層の上に形成されることを特徴とす
る、請求項1に記載の絶縁体。 - 【請求項7】前記非晶質フッ素化炭素層と、前記フッ素
化されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配層をさ
らに有することを特徴とする、請求項6に記載の絶縁
体。 - 【請求項8】上面を有する基板と、 前記基板の上面に付着された第1の導電材料の層と、 前記第1の導電材料の層の上面に設けられた、フッ素化
環式炭化水素前駆物質から形成した非晶質フッ素化炭素
の層と、 前記非晶質フッ素化炭素の層の上に付着された、第2の
導電材料の層と、 前記第1の導電材料の層と第2の導電材料の層とを接続
する金属スタッドとを含む、集積回路装置に使用する相
互接続構造。 - 【請求項9】前記フッ素化環式炭化水素前駆物質が、ヘ
キサフルオロベンゼン、1,2−ジエチニルテトラフル
オロベンゼン、および1,4−ビス(トリフルオロメチ
ル)ベンゼンからなるグループから選択されたものであ
ることを特徴とする、請求項8に記載の相互接続構造。 - 【請求項10】前記第1および第2の導電材料が、A
l、Cu、W、Ta、Ti、これらの合金、および導電
性の金属窒化物であることを特徴とする、請求項8に記
載の相互接続構造。 - 【請求項11】前記基板が集積回路チップであることを
特徴とする、請求項8に記載の相互接続構造。 - 【請求項12】前記非晶質フッ素化炭素層の誘電率が
3.0より小さいことを特徴とする、請求項8に記載の
相互接続構造。 - 【請求項13】前記非晶質フッ素化炭素層が、400℃
までの非酸化雰囲気中では熱に対して安定であることを
特徴とする、請求項8に記載の相互接続構造。 - 【請求項14】前記非晶質フッ素化炭素層が、フッ素化
されないダイアモンド状炭素の中間層の上に付着される
ことを特徴とする、請求項8に記載の相互接続構造。 - 【請求項15】前記非晶質フッ素化炭素層が、2層のフ
ッ素化されないダイアモンド状炭素層の中間に付着され
ることを特徴とする、請求項8に記載の相互接続構造。 - 【請求項16】前記非晶質フッ素化炭素層と、前記フッ
素化されないダイアモンド状炭素層との間に、勾配層を
さらに有することを特徴とする、請求項14または15
に記載の相互接続構造。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/608893 | 1996-02-29 | ||
US08/608,893 US5942328A (en) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | Low dielectric constant amorphous fluorinated carbon and method of preparation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09246264A JPH09246264A (ja) | 1997-09-19 |
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Family
ID=24438507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2270197A Expired - Fee Related JP3201967B2 (ja) | 1996-02-29 | 1997-02-05 | 低誘電率非晶質フッ素化炭素層を含む絶縁体及び相互接続構造 |
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Country | Link |
---|---|
US (4) | US5942328A (ja) |
JP (1) | JP3201967B2 (ja) |
KR (1) | KR970063568A (ja) |
TW (1) | TW305072B (ja) |
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JP3469761B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2003-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
WO1999028962A1 (fr) | 1997-11-27 | 1999-06-10 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation de films de plasma |
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US6184157B1 (en) * | 1998-06-01 | 2001-02-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Stress-loaded film and method for same |
JP2000150516A (ja) | 1998-09-02 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2000019507A1 (fr) | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Tokyo Electron Limited | Depot de film assiste par plasma |
JP2000208622A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
SG81991A1 (en) * | 1999-05-25 | 2001-07-24 | Tokyo Electron Ltd | Method for producing insulator film |
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WO2001008570A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Drukker International Bv | A cutting blade for a surgical instrument |
KR100356476B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2002-10-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 다마신 공정에서 금속층간 절연막 형성 방법 |
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