JP3180749B2 - 3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体の新規製法 - Google Patents

3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体の新規製法

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    • C07D307/33Oxygen atoms in position 2, the oxygen atom being in its keto or unsubstituted enol form

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬、農薬等の合成
中間体として有用な3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクト
ン誘導体の新規製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘
導体の製造方法は医薬、農薬等の合成中間体として用い
られており、その製法については次のような方法が知ら
れている。即ち、(i)3−ヒドロキシ−γ−ブチロラ
クトンとリチウムジイソプロピルアミドを反応させてジ
アニオンを出し、アルキル化剤を加える方法(J.Or
g.Chem.,46,4319(1981))、(i
i)2−ブテン酸を原料に用いて、3−ヒドロキシ−γ
−ブチロラクトン誘導体に導く方法(J.Chem.R
es.(S),274(1996))等が挙げられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれらの
合成法は次のような問題点がある。即ち、(i)の3−
ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンとリチウムジイソプロ
ピルアミドを反応させてジアニオンを出し、アルキル化
剤を加える方法は反応時間が長く、しかも収率が低い。
更に添加剤として発癌性のあるヘキサメチルホスホアミ
ドを用いなければならず、大量合成には不向きである。
(ii)の2−ブテン酸を原料に用いて、3−ヒドロキ
シ−γ−ブチロラクトン誘導体に導く方法は、大量合成
には不向きな過酸を用いなけれならず、かつ多段階の工
程を必要とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記実情に
鑑み種々検討した結果、3−ヒドロキシ−γ−ブチロラ
クトンを原料に用いて、これをアルキル化剤等の求電子
剤を反応させるに先だってヘキサメチルジシラザンの金
属塩を作用させることにより、3−ヒドロキシ−γ−ブ
チロラクトン誘導体を製造しうることを見出し、更には
この求電子剤との反応を反応促進剤の存在下行うことに
より、高収率で、しかも短時間で製造しうることを見出
し、本発明を完成した。本発明は医薬、農薬等の合成中
間体として有用な3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン
誘導体の製造法、即ち3−ヒドロキシ−γ−ブチロラク
トンをヘキサメチルジシラザンの金属塩で処理し、つい
で、必要に応じて反応促進剤の存在下、求電子剤と反応
させることを特徴とする下記式
【化2】 (式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、3〜6員環を
形成するシクロアルキル基、アラルキル基、2−アルケ
ニル基、アシル基、α−ヒドロキシアルキル基、アルコ
キシカルボニルアルキル基またはアルコキシカルボニル
基を意味する。)で表される3−ヒドロキシ−γ−ブチ
ロラクトン誘導体の新規製造法に関する。
【0005】本発明方法を反応工程図で示すと下記の通
りである。
【化3】 (式中、Rは前掲と同じものを意味する。)本反応につ
き以下に詳しく説明する。まず3−ヒドロキシ−γ−ブ
チロラクトンにアルゴン、窒素ガス等の不活性ガスの存
在下ヘキサメチルジシラザンの金属塩を冷却下作用させ
てアニオンを出させる。ついで、必要に応じ反応促進剤
の存在下、求電子剤を加えて目的化合物(1)を製造す
ることができる。使用するヘキサメチルジシラザンの金
属塩としてはリチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリ
ウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジ
シラジド等が挙げられ、好ましくはリチウムヘキサメチ
ルジシラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジドであ
る。該金属塩の使用量は基質に対して2〜4当量であ
り、好ましくは2〜2.5当量である。
【0006】本反応における求電子剤としては、炭素数
1〜6のアルキルハライド、3〜6員環を形成するシク
ロアルキルハライド、アラルキルハライド、2−アルケ
ニルハライド等のハロアルキル系試薬、アルデヒド系試
薬、ケトン系試薬、エステル系試薬、α−ハロエステル
系試薬、炭酸エステル系試薬、スルホン酸エステル系試
薬が用いられるが、好ましくはハロアルキル系試薬であ
る。ハロアルキル系試薬としては、更に具体的には、メ
チルクロリド、イソプロピルクロリド、シクロプロピル
メチルクロリド、シクロペンチルメチルクロリド、シク
ロヘキシルクロリド、ベンジルクロリド、アリルクロリ
ド、メタアリルクロリド等のアルキルクロリド試薬、メ
チルブロミド、イソプロピルブロミド、シクロプロピル
メチルブロミド、シクロペンチルメチルブロミド、シク
ロヘキシルブロミド、ベンジルブロミド、アリルブロミ
ド、メタアリルブロミド等のアルキルブロミド試薬、ヨ
ウ化メチル、ヨウ化イソプロピル、ヨウ化シクロプロピ
ルメチル、ヨウ化シクロペンチルメチル、ヨウ化シクロ
ヘキシル、ヨウ化ベンジル、ヨウ化アリル、ヨウ化メタ
アリル等のアルキルヨーダイド試薬が挙げられる。特に
好ましいハロアルキル系試薬はヨウ化メチル、ベンジル
クロリド、ベンジルブロミド、アリルクロリド、アリル
ブロミドである。
【0007】アルデヒド系試薬としては、具体的には、
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、シンナニルアルデヒドが挙げられる。ケトン系試薬
としては、具体的には、アセトン、ジエチルケトン、ビ
ニルアセトン、ベンゾフェノンが挙げられる。エステル
系試薬としては、具体的には、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、プロピオン酸エチル、安息香酸エチルが挙げられ
る。α−ハロエステル系試薬としては、具体的には、ブ
ロモ酢酸エチル、ブロモ酢酸エチル、2−ブロモプロピ
オン酸エチルが挙げられる。炭酸エステル系試薬として
は、具体的には、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸ジ
フェニル、クロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチル、クロ
ロ炭酸フェニルが挙げられる。スルホン酸エステル系試
薬としては、例えば、パラトルエンスルホン酸メチル、
パラトルエンスルホン酸エチル、パラトルエンスルホン
酸グリシジル等のパラトルエンスルホン酸エステル、メ
タンスルホン酸メチル、メタンスルホン酸エチル等のメ
タンスルホン酸エステル、3−ニトロベンゼンスルホン
酸グリシジル等の3−ニトロベンゼンスルホン酸エステ
ルが挙げられる。
【0008】求電子剤の使用量は基質に対して1〜4当
量であるが、好ましくは1〜2当量である。本反応に使
用する溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、テト
ラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメト
キシエタン、ジグライム、トリグライム、ジエチレング
リコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ジク
ロロメタン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶
媒、並びにこれらの混合溶媒等が挙げられる。テトラヒ
ドロフラン、1,2−ジメトキシエタンが収率向上の点
で好ましい溶媒である。反応温度は−100°Cから溶
媒の還流温度間で、好ましくは−45°Cから室温であ
る。上記求電子剤を反応させる際に、反応促進剤を添加
することにより、反応が促進され、短時間で、収率よく
目的化合物(1)を製造することができる。
【0009】反応促進剤としては、1,3−ジメチル−
2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチル−3,4,
5,6−テトラヒドロ−2−ピリミジノン、テトラメチ
ルエチレンジアミンが挙げられ、好ましくは1,3−ジ
メチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチル−
3,4,5,6−テトラヒドロ−2−ピリミジノンであ
る。添加量は基質に対して1〜20当量、好ましくは2
〜10当量である。本発明方法に用いられる原料化合物
並びに目的化合物(1)は不斉炭素原子を有しており、
光学活性体を原料にすれば光学活性な目的物を製造する
ことができる。本発明方法によれば、S体の3−ヒドロ
キシ−γ−ブチロラクトンを使用すれば(2S,3
S)、(2R,3S)体のうち(2S,3S)体の3−
ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体が優先的に得ら
れ、R体の3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンを使用
すれば(2R,3R)、(2S,3R)体のうち(2
R,3R)体の3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘
導体が優先的に得られる。光学純度の高い3−ヒドロキ
シ−γ−ブチロラクトンを用いると、反応中顕著なラセ
ミ化は起こらず、高光学純度の3−ヒドロキシ−γ−ブ
チロラクトン誘導体を製造することができる。
【0010】
【実施例】以下に実施例を挙げて更に具体的に説明する
が、本発明方法はこれらに限定されるものではない。実施例1 (2S,3S)−2−ベンジル−3−ヒドロキシ−γ−
ブチロラクトンの合成アルゴン雰囲気下、反応容器にリ
チウムヘキサメチルジシラジド(25ml,25mmo
l)を加え、−45℃まで冷却し、(S)−3−ヒドロ
キシ−γ−ブチロラクトン(1.012g,9.913
mmol)のTHF(20ml)溶液を加えた。同温で3
0分攪拌した後、ベンジルブロミド(1.9ml,1
1.89mmol)のTHF(20ml)溶液を滴下し
た。同温で4時間攪拌した後、同温で飽和塩化アンモニ
ウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を水、
続いて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥後
減圧濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで
精製することにより(2S,3S)−2−ベンジル−3
−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン(0.762g,4
0%)を得た。
【化4】
【0011】実施例2 (2S,3S)−2−ベンジル−3−ヒドロキシ−γ−
ブチロラクトンの合成アルゴン雰囲気下、反応容器にリ
チウムヘキサメチルジシラジド(23ml,23mmo
l)を加え、−45℃まで冷却し、(S)−3−ヒドロ
キシ−γ−ブチロラクトン(1.003g,9.825
mmol)のTHF(20ml)溶液を加えた。同温で
30分攪拌した後、ベンジルブロミド(1.4ml,1
1.79mmol)および1,3−ジメチル−2−イミ
ダゾリジノン(2.9ml)のTHF(20ml)溶液
を滴下した。同温で30分攪拌した後、同温で飽和塩化
アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機
層を水、続いて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウム
で乾燥後減圧濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラ
フィーで精製することにより(2S,3S)−2−ベン
ジル−3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン(1.51
3g,80%)を得た。
【化5】 実施例3
【0012】(2S,3S)−2−メチル−3−ヒドロ
キシ−γ−ブチロラクトンの合成アルゴン雰囲気下、反
応容器にリチウムヘキサメチルジシラジド(23ml,
23mmol)を加え、−45℃まで冷却し、(S)−
3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン(1.007g,
9.864mmol)のTHF(20ml)溶液を加え
た。同温で30分攪拌した後、ヨウ化メチル(0.74
ml,11.84mmol)および1,3−ジメチル−
2−イミダゾリジノン(2.7ml)のTHF(20m
l)溶液を滴下した。同温で30分攪拌した後、同温で
飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出
し、有機層を水、続いて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥後減圧濃縮した。残渣をシリカゲルクロ
マトグラフィーで精製することにより(2S,3S)−
2−メチル−3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン
(0.813g,71%)を得た。
【化6】
【0013】実施例4 (2S,3S)−2−アリル−3−ヒドロキシ−γ−ブ
チロラクトンの合成アルゴン雰囲気下、反応容器にリチ
ウムヘキサメチルジシラジド(5.1ml,5.1mm
ol)を加え、−45℃まで冷却し、(S)−3−ヒド
ロキシ−γ−ブチロラクトン(0.250g,2.44
9mmol)のTHF(5ml)溶液を加えた。同温で
30分攪拌した後、アリルクロリド(0.24ml,
2.94mmol)および1,3−ジメチル−2−イミ
ダゾリジノン(0.7ml)のTHF(5ml)溶液を
滴下した。同温で30分攪拌した後、同温で飽和塩化ア
ンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層
を水、続いて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで
乾燥後減圧濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラフ
ィーで精製することにより(2S,3S)−2−メチル
−3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン(0.261
g,75%)を得た。
【化7】
【0014】比較例 アルゴン雰囲気下、THF(30ml)にジイソプロピ
ルアミン(2.7ml,19.59mmol)、1.6
Mn−ブチルリチウムヘキサン溶液(12.2ml,1
9.59mmol)を0℃で加え、15分間攪拌した
後、−45℃まで冷却した。その後、(S)−3−ヒド
ロキシ−γ−ブチロラクトン(1g,9.794mmo
l)のTHF(20ml)溶液を加え、−45℃で30
分攪拌した後、ベンジルブロミド(1.4ml,11.
75mmol)および1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノン(2.9ml)のTHF(20ml)溶液を滴
下した。同温で3時間攪拌した後、同温で飽和塩化アン
モニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を
水、続いて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾
燥後減圧濃縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製することにより(2S,3S)−2−ベンジル
−3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン(0.577
g,31%)を得た。
フロントページの続き (72)発明者 竹平 喜和 大阪府大阪市西区江戸堀1丁目10番8号 ダイソー株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07D 307/33 CA(STN) REGISTRY(STN)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンを
    ヘキサメチルジシラザンの金属塩で処理し、ついで求電
    子剤と反応させることを特徴とする下記式 【化1】 (式中、Rは炭素数1〜6のアルキル基、3〜6員環を
    形成するシクロアルキル基、アラルキル基、2−アルケ
    ニル基、アシル基、α−ヒドロキシアルキル基、アルコ
    キシカルボニルアルキル基またはアルコキシカルボニル
    基を意味する。)で表される3−ヒドロキシ−γ−ブチ
    ロラクトン誘導体の製造法。
  2. 【請求項2】 1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノ
    ン、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ
    −2−ピリミジノンおよびテトラメチルエチレンジアミ
    ンから選ばれる反応促進剤の存在下、求電子剤を反応さ
    せることよりなる請求項1の3−ヒドロキシ−γ−ブチ
    ロラクトン誘導体の製造法。
  3. 【請求項3】 ヘキサメチルジシラザンの金属塩がリチ
    ウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキサメチル
    ジシラジドまたはカリウムヘキサメチルジシラジドであ
    る請求項1〜2に記載の3−ヒドロキシ−γ−ブチロラ
    クトン誘導体の製造法。
  4. 【請求項4】 求電子剤がハロアルキル系試薬である請
    求項1〜3に記載の3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクト
    ン誘導体の製造法。
  5. 【請求項5】 ハロアルキル系試薬が、ヨウ化メチル、
    ベンジルクロリド、ベンジルブロミド、アリルクロリド
    またはアリルブロミドである請求項4に記載の3−ヒド
    ロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体の製造法。
  6. 【請求項6】 反応促進剤が1,3−ジメチル−2−イ
    ミダゾリジノンまたは1,3−ジメチル−3,4,5,
    6−テトラヒドロ−2−ピリミジノンである請求項2〜
    5に記載の3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体
    の製造法。
  7. 【請求項7】 光学活性な3−ヒドロキシ−γ−ブチロ
    ラクトンを用いて光学活性な3−ヒドロキシ−γ−ブチ
    ロラクトン誘導体を製造する請求項1〜6に記載の3−
    ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体の製造法。
  8. 【請求項8】 (S)−3−ヒドロキシ−γ−ブチロラ
    クトンを用いて(2S,3S)−3−ヒドロキシ−γ−
    ブチロラクトン誘導体を製造する請求項1〜7に記載の
    3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体の製造法。
  9. 【請求項9】 (R)−3−ヒドロキシ−γ−ブチロラ
    クトンを用いて(2R,3R)−3−ヒドロキシ−γ−
    ブチロラクトン誘導体を製造する請求項1〜7に記載の
    3−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン誘導体の製造法。
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