JP3179652B2 - 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段 - Google Patents
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段Info
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Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、そのゲートを通じたオン・オフ
駆動に連携してそのバックゲートを駆動し、そのオフ駆
動の間そのオフ駆動を助ける方向へそのゲート・ソース
間のオン・オフしきい値電圧をずらす一方、そのオン駆
動の間そのオン・オフしきい値電圧を元に戻す絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタ手段に関する。このため、本
発明は『そのオン駆動時のオン抵抗を大きくせずにその
オフ駆動時のオフ抵抗を大きくしてそのオフ時ドレイン
・ソース間もれ電流を小さくしたり、そのオフ駆動時に
ノイズ等による誤ターン・オンをし難くしたり』するこ
とができる。そして、本発明は電力変換回路、論理回
路、あるいは、電力変換回路を利用した点火回路（特
に、内燃機関用点火回路。）、高電圧発生回路、オゾナ
イザー、放電灯点灯回路、誘導加熱回路などに利用され
る。
駆動に連携してそのバックゲートを駆動し、そのオフ駆
動の間そのオフ駆動を助ける方向へそのゲート・ソース
間のオン・オフしきい値電圧をずらす一方、そのオン駆
動の間そのオン・オフしきい値電圧を元に戻す絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタ手段に関する。このため、本
発明は『そのオン駆動時のオン抵抗を大きくせずにその
オフ駆動時のオフ抵抗を大きくしてそのオフ時ドレイン
・ソース間もれ電流を小さくしたり、そのオフ駆動時に
ノイズ等による誤ターン・オンをし難くしたり』するこ
とができる。そして、本発明は電力変換回路、論理回
路、あるいは、電力変換回路を利用した点火回路（特
に、内燃機関用点火回路。）、高電圧発生回路、オゾナ
イザー、放電灯点灯回路、誘導加熱回路などに利用され
る。
【０００２】
【背景技術】従来の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
においてそのオフ駆動時のオフ抵抗を大きくしてそのオ
フ時ドレイン・ソース間もれ電流を小さくしたり、その
オフ駆動時にノイズ等による誤ターン・オンをし難くし
たりする方法に、そのオフ駆動を助ける方向へそのゲー
ト・ソース間のオン・オフしきい値電圧をずらして設定
する方法が有る。例えばエンハンスメント・モード（ノ
ーマリィ・オフ型）の場合ならそのゲート・ソース間の
オン・オフしきい値電圧の大きさを大きくする方法であ
る。これは「オフ駆動電圧とそのオン・オフしきい値電
圧の電圧差」を大きくするとオフ抵抗が大きくなった
り、ノイズ等による誤ターン・オンがし難くなったりす
るためである。しかし、そうすると、反対に「オン駆動
電圧とそのオン・オフしきい値電圧の電圧差」が小さく
なるためそのオン駆動時のオン抵抗が大きくなってしま
う。あるいは、そのオン抵抗の増加を打ち消し、元のオ
ン抵抗に戻すためにその電圧差を大きくする必要が有
り、オン駆動電圧を強化する必要が有る。例えばエンハ
ンスメント・モードの場合ならそのゲート順バイアス電
圧の大きさを大きくする必要が有る。但し、この場合そ
のゲート・ソース間耐圧という限界値が有る。
においてそのオフ駆動時のオフ抵抗を大きくしてそのオ
フ時ドレイン・ソース間もれ電流を小さくしたり、その
オフ駆動時にノイズ等による誤ターン・オンをし難くし
たりする方法に、そのオフ駆動を助ける方向へそのゲー
ト・ソース間のオン・オフしきい値電圧をずらして設定
する方法が有る。例えばエンハンスメント・モード（ノ
ーマリィ・オフ型）の場合ならそのゲート・ソース間の
オン・オフしきい値電圧の大きさを大きくする方法であ
る。これは「オフ駆動電圧とそのオン・オフしきい値電
圧の電圧差」を大きくするとオフ抵抗が大きくなった
り、ノイズ等による誤ターン・オンがし難くなったりす
るためである。しかし、そうすると、反対に「オン駆動
電圧とそのオン・オフしきい値電圧の電圧差」が小さく
なるためそのオン駆動時のオン抵抗が大きくなってしま
う。あるいは、そのオン抵抗の増加を打ち消し、元のオ
ン抵抗に戻すためにその電圧差を大きくする必要が有
り、オン駆動電圧を強化する必要が有る。例えばエンハ
ンスメント・モードの場合ならそのゲート順バイアス電
圧の大きさを大きくする必要が有る。但し、この場合そ
のゲート・ソース間耐圧という限界値が有る。
【０００３】従って、『そのオン駆動時のオン抵抗を大
きくせずにそのオフ駆動時のオフ抵抗を大きくしてその
オフ時ドレイン・ソース間もれ電流を小さくしたり、そ
のオフ駆動時にノイズ等による誤ターン・オンをし難く
したり』することが従来の絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタに望まれるのである。 （問 題 点）
きくせずにそのオフ駆動時のオフ抵抗を大きくしてその
オフ時ドレイン・ソース間もれ電流を小さくしたり、そ
のオフ駆動時にノイズ等による誤ターン・オンをし難く
したり』することが従来の絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタに望まれるのである。 （問 題 点）
【０００４】そこで、本発明は『そのオン駆動時のオン
抵抗を大きくせずにそのオフ駆動時のオフ抵抗を大きく
してそのオフ時ドレイン・ソース間もれ電流を小さくし
たり、そのオフ駆動時にノイズ等による誤ターン・オン
をし難くしたり』することができる絶縁ゲート型電界効
果トランジスタ手段を提供することを目的としている。
（発明の目的）
抵抗を大きくせずにそのオフ駆動時のオフ抵抗を大きく
してそのオフ時ドレイン・ソース間もれ電流を小さくし
たり、そのオフ駆動時にノイズ等による誤ターン・オン
をし難くしたり』することができる絶縁ゲート型電界効
果トランジスタ手段を提供することを目的としている。
（発明の目的）
【０００５】
【発明の開示】即ち、本発明ではその構成要素である連
携駆動手段が「絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段
のゲートを通じたオン・オフ駆動」に連携してそのバッ
クゲートを駆動し、基板バイアス効果を利用してそのオ
フ駆動の間そのオフ駆動を助ける方向へそのゲート・ソ
ース間のオン・オフしきい値電圧をずらす一方、そのオ
ン駆動の間前記オン・オフしきい値電圧を元に戻すこと
を特徴としている。
携駆動手段が「絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段
のゲートを通じたオン・オフ駆動」に連携してそのバッ
クゲートを駆動し、基板バイアス効果を利用してそのオ
フ駆動の間そのオフ駆動を助ける方向へそのゲート・ソ
ース間のオン・オフしきい値電圧をずらす一方、そのオ
ン駆動の間前記オン・オフしきい値電圧を元に戻すこと
を特徴としている。
【０００６】このことによって、「そのオン駆動時のオ
ン・オフしきい値電圧」と「そのオフ駆動時のオン・オ
フしきい値電圧」が好都合な方向に違って来るので、そ
のオン駆動時のオン・オフしきい値電圧をそのままにす
れば、そのオフ駆動時のオン・オフしきい値電圧を「オ
フ駆動するのに都合のいいオン・オフしきい値電圧」方
向にずらすことができる。その結果、『そのオン駆動時
のオン抵抗を大きくせずにそのオフ駆動時のオフ抵抗を
大きくしてそのオフ時ドレイン・ソース間もれ電流を小
さくしたり、そのオフ駆動時にノイズ等による誤ターン
・オンをし難くしたりすることができる』という効果が
本発明に有る。 （発明の効果）
ン・オフしきい値電圧」と「そのオフ駆動時のオン・オ
フしきい値電圧」が好都合な方向に違って来るので、そ
のオン駆動時のオン・オフしきい値電圧をそのままにす
れば、そのオフ駆動時のオン・オフしきい値電圧を「オ
フ駆動するのに都合のいいオン・オフしきい値電圧」方
向にずらすことができる。その結果、『そのオン駆動時
のオン抵抗を大きくせずにそのオフ駆動時のオフ抵抗を
大きくしてそのオフ時ドレイン・ソース間もれ電流を小
さくしたり、そのオフ駆動時にノイズ等による誤ターン
・オンをし難くしたりすることができる』という効果が
本発明に有る。 （発明の効果）
【０００７】本発明が請求項２記載の絶縁ゲート型電界
効果トランジスタ手段に対応する場合、前記連携駆動手
段は同項記載中の「バックゲート逆バイアス手段と逆バ
イアス解除手段」で構成され、前記オフ駆動の間そのバ
ックゲート逆バイアス手段がそのバックゲート・ソース
間を逆バイアスし、前記オン駆動の間その逆バイアス解
除手段がそのバックゲート・ソース間の逆バイアスを解
除して元に戻す。
効果トランジスタ手段に対応する場合、前記連携駆動手
段は同項記載中の「バックゲート逆バイアス手段と逆バ
イアス解除手段」で構成され、前記オフ駆動の間そのバ
ックゲート逆バイアス手段がそのバックゲート・ソース
間を逆バイアスし、前記オン駆動の間その逆バイアス解
除手段がそのバックゲート・ソース間の逆バイアスを解
除して元に戻す。
【０００８】本発明が請求項３記載の絶縁ゲート型電界
効果トランジスタ手段に対応する場合、上記バックゲー
ト逆バイアス手段は同項記載中の「ゲート逆バイアス手
段と非可制御スイッチング手段（例：ダイオード。）」
で構成され、上記逆バイアス解除手段は同項記載中の抵
抗手段で構成される。前記オフ駆動の間そのゲート逆バ
イアス手段はそのゲート・ソース間を逆バイアスするの
であるが、同時にその非可制御スイッチング手段を介し
てそのバックゲート・ソース間も逆バイアスする一方、
前記オン駆動の間その抵抗手段がそのバックゲート・ソ
ース間の逆バイアス電荷を放電させて、そのバックゲー
ト・ソース間を電圧ゼロにしたり、又は、僅かに順バイ
アスしたりする。
効果トランジスタ手段に対応する場合、上記バックゲー
ト逆バイアス手段は同項記載中の「ゲート逆バイアス手
段と非可制御スイッチング手段（例：ダイオード。）」
で構成され、上記逆バイアス解除手段は同項記載中の抵
抗手段で構成される。前記オフ駆動の間そのゲート逆バ
イアス手段はそのゲート・ソース間を逆バイアスするの
であるが、同時にその非可制御スイッチング手段を介し
てそのバックゲート・ソース間も逆バイアスする一方、
前記オン駆動の間その抵抗手段がそのバックゲート・ソ
ース間の逆バイアス電荷を放電させて、そのバックゲー
ト・ソース間を電圧ゼロにしたり、又は、僅かに順バイ
アスしたりする。
【０００９】本発明が請求項４記載の絶縁ゲート型電界
効果トランジスタ手段に対応する場合、上記抵抗手段は
「同項記載中の電圧降下手段、バイポーラ・モードのト
ランジスタ手段およびオン方向駆動手段の接続体」で構
成される可変抵抗手段であり、そのバックゲートの逆バ
イアス時より逆バイアス解除時の方がその抵抗作用は小
さくなる。つまり、その逆バイアス時の電流消費を大き
くせずに実質的な放電作用を強くすることができる。
効果トランジスタ手段に対応する場合、上記抵抗手段は
「同項記載中の電圧降下手段、バイポーラ・モードのト
ランジスタ手段およびオン方向駆動手段の接続体」で構
成される可変抵抗手段であり、そのバックゲートの逆バ
イアス時より逆バイアス解除時の方がその抵抗作用は小
さくなる。つまり、その逆バイアス時の電流消費を大き
くせずに実質的な放電作用を強くすることができる。
【００１０】
【発明を実施するための最良の形態】本発明をより詳細
に説明するために以下添付図面に従ってこれを説明す
る。図１〜図６に６つの実施例を示す。図１の実施例は
請求項１、２又は３記載の絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタ手段に対応し、次の通りそれぞれが前述した各構
成要素に相当する。 ａ）トランジスタ１が前述した絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタ手段に。 ｂ）トランジスタ１のゲート、ソース及びバックゲート
が前述した絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段のゲ
ート、ソース及びバックゲートに。 ｃ）「ダイオード３、抵抗２及び『図示していないが、
そのオフ駆動時にそのゲート・ソース間を逆バイアスす
るゲート逆バイアス手段』の接続体」が前述した連携駆
動手段に。
に説明するために以下添付図面に従ってこれを説明す
る。図１〜図６に６つの実施例を示す。図１の実施例は
請求項１、２又は３記載の絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタ手段に対応し、次の通りそれぞれが前述した各構
成要素に相当する。 ａ）トランジスタ１が前述した絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタ手段に。 ｂ）トランジスタ１のゲート、ソース及びバックゲート
が前述した絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段のゲ
ート、ソース及びバックゲートに。 ｃ）「ダイオード３、抵抗２及び『図示していないが、
そのオフ駆動時にそのゲート・ソース間を逆バイアスす
るゲート逆バイアス手段』の接続体」が前述した連携駆
動手段に。
【００１１】ｄ）「ダイオード３と『上記の図示されて
いないゲート逆バイアス手段』の接続体」が請求項２記
載中のバックゲート逆バイアス手段に。 ｅ）抵抗２が請求項２記載中の逆バイアス解除手段に。
いないゲート逆バイアス手段』の接続体」が請求項２記
載中のバックゲート逆バイアス手段に。 ｅ）抵抗２が請求項２記載中の逆バイアス解除手段に。
【００１２】ｆ）「上記の図示されていないゲート逆バ
イアス手段」が請求項３記載中のゲート逆バイアス手段
に。 ｇ）ダイオード３が請求項３記載中の非可制御スイッチ
ング手段に。 ｈ）抵抗２が請求項３記載中の抵抗手段に。
イアス手段」が請求項３記載中のゲート逆バイアス手段
に。 ｇ）ダイオード３が請求項３記載中の非可制御スイッチ
ング手段に。 ｈ）抵抗２が請求項３記載中の抵抗手段に。
【００１３】トランジスタ１のゲート・バックゲート
（又はサブストレート）間にダイオード３（非可制御ス
イッチング手段の１種。）がそのバックゲート・ソース
間のＰＮ接合と逆方向に接続され、そのバックゲート・
ソース間に抵抗２が接続されている。今そのゲート・ソ
ース間に逆バイアス電圧が印加されると、ダイオード３
を介してそのバックゲート・ソース間にも逆バイアス電
圧が印加されるので、そのゲート逆バイアス駆動に連携
してそのバックゲートも逆バイアス駆動され、基板バイ
アス効果によりオフ時のゲート・ソース間のオン・オフ
しきい値電圧は「そのバックゲートを逆バイアスしない
場合」より大きくなる。一方、そのゲート・ソース間に
順バイアス電圧が印加されると、抵抗２が「そのバック
ゲート・ソース間静電容量に蓄積されていた逆バイアス
電荷」を放電し、そのバックゲート電位をそのソース電
位と同じにするので、そのゲート・ソース間のオン・オ
フしきい値電圧は元に戻る。
（又はサブストレート）間にダイオード３（非可制御ス
イッチング手段の１種。）がそのバックゲート・ソース
間のＰＮ接合と逆方向に接続され、そのバックゲート・
ソース間に抵抗２が接続されている。今そのゲート・ソ
ース間に逆バイアス電圧が印加されると、ダイオード３
を介してそのバックゲート・ソース間にも逆バイアス電
圧が印加されるので、そのゲート逆バイアス駆動に連携
してそのバックゲートも逆バイアス駆動され、基板バイ
アス効果によりオフ時のゲート・ソース間のオン・オフ
しきい値電圧は「そのバックゲートを逆バイアスしない
場合」より大きくなる。一方、そのゲート・ソース間に
順バイアス電圧が印加されると、抵抗２が「そのバック
ゲート・ソース間静電容量に蓄積されていた逆バイアス
電荷」を放電し、そのバックゲート電位をそのソース電
位と同じにするので、そのゲート・ソース間のオン・オ
フしきい値電圧は元に戻る。
【００１４】その結果、トランジスタ１のオン駆動時の
ゲート・ソース間オン・オフしきい値電圧が「そのバッ
クゲート・ソース間を直結している場合」と同じであれ
ば、トランジスタ１のオン抵抗はそのままで、トランジ
スタ１のオフ時のオン・オフしきい値電圧は「そのバッ
クゲート・ソース間を直結している場合」より大きくな
るから、そのオフ抵抗は大きくなってそのオフ時ドレイ
ン・ソース間もれ電流は小さくなり、ノイズ等による誤
ターン・オンがし難くなる。
ゲート・ソース間オン・オフしきい値電圧が「そのバッ
クゲート・ソース間を直結している場合」と同じであれ
ば、トランジスタ１のオン抵抗はそのままで、トランジ
スタ１のオフ時のオン・オフしきい値電圧は「そのバッ
クゲート・ソース間を直結している場合」より大きくな
るから、そのオフ抵抗は大きくなってそのオフ時ドレイ
ン・ソース間もれ電流は小さくなり、ノイズ等による誤
ターン・オンがし難くなる。
【００１５】図２の実施例では抵抗４の一端はトランジ
スタ１のソースにではなくゲートに接続されている。こ
のため、そのゲート・ソース間にゲート順バイアス電圧
が印加されると、そのゲート順バイアス電圧が抵抗４を
介してそのバックゲート・ソース間静電容量の放電を促
進させるので、そのバックゲート・ソース間静電容量の
放電は図１の実施例の場合より速くなる。しかし、「そ
のゲート順バイアス電圧の印加中そのバックゲート・ソ
ース間のＰＮ接合に抵抗４を介して電流が流れてしま
う」という欠点が図２の実施例に有る。
スタ１のソースにではなくゲートに接続されている。こ
のため、そのゲート・ソース間にゲート順バイアス電圧
が印加されると、そのゲート順バイアス電圧が抵抗４を
介してそのバックゲート・ソース間静電容量の放電を促
進させるので、そのバックゲート・ソース間静電容量の
放電は図１の実施例の場合より速くなる。しかし、「そ
のゲート順バイアス電圧の印加中そのバックゲート・ソ
ース間のＰＮ接合に抵抗４を介して電流が流れてしま
う」という欠点が図２の実施例に有る。
【００１６】そこで、その欠点を無くしたのが図３の実
施例である。トランジスタ１のゲート・ソース間バイア
スが逆バイアスから順バイアスに切り換わると、抵抗２
による放電の他に抵抗４とダイオード６を通じてそのバ
ックゲート電位は持ち上げられて行く。しかし、そのバ
ックゲート・ソース間ＰＮ接合がターン・オンする前に
ダイオード７がターン・オンするので、抵抗４の電流は
トランジスタ１のバックゲート・ソース間ＰＮ接合には
流れない。ダイオード７のターン・オン後バックゲート
・ソース間に逆バイアス電荷が残っていれば、抵抗２が
そのバックゲート電位をそのソース電位と同じにする。
ダイオード５はバックゲート逆バイアス時の電流経路を
確保するために有る。
施例である。トランジスタ１のゲート・ソース間バイア
スが逆バイアスから順バイアスに切り換わると、抵抗２
による放電の他に抵抗４とダイオード６を通じてそのバ
ックゲート電位は持ち上げられて行く。しかし、そのバ
ックゲート・ソース間ＰＮ接合がターン・オンする前に
ダイオード７がターン・オンするので、抵抗４の電流は
トランジスタ１のバックゲート・ソース間ＰＮ接合には
流れない。ダイオード７のターン・オン後バックゲート
・ソース間に逆バイアス電荷が残っていれば、抵抗２が
そのバックゲート電位をそのソース電位と同じにする。
ダイオード５はバックゲート逆バイアス時の電流経路を
確保するために有る。
【００１７】図３の実施例の場合、「ダイオード５、３
及び『図示されていないゲート逆バイアス手段』の接続
体」が請求項２記載のバックゲート逆バイアス手段に相
当し、「抵抗４、２及びダイオード６、７の接続体」が
請求項２記載の逆バイアス解除手段に相当する。
及び『図示されていないゲート逆バイアス手段』の接続
体」が請求項２記載のバックゲート逆バイアス手段に相
当し、「抵抗４、２及びダイオード６、７の接続体」が
請求項２記載の逆バイアス解除手段に相当する。
【００１８】図４の実施例は、図１の実施例と「図１の
実施例と相補関係（電圧極性もしくは電圧方向に関して
対称的な関係）にあるスイッチング手段」を使って、よ
く知られている３端子スイッチを構成したものである。
実施例と相補関係（電圧極性もしくは電圧方向に関して
対称的な関係）にあるスイッチング手段」を使って、よ
く知られている３端子スイッチを構成したものである。
【００１９】図５の実施例も３端子スイッチで、後述す
る図６の実施例と「図６の実施例と相補関係にあるスイ
ッチング手段」を使ったものである。
る図６の実施例と「図６の実施例と相補関係にあるスイ
ッチング手段」を使ったものである。
【００２０】図６の実施例は、図３の実施例を簡単化し
た様なものである。トランジスタ８のコレクタ接合（コ
レクタ・ベース間ＰＮ接合）が図３のダイオード７に、
エミッタ接合（ベース・エミッタ間ＰＮ接合）が図３の
ダイオード６に対応すると考えれば分かり易い。ただ
し、トランジスタ８の電流増幅作用によりそのソース・
バックゲート間の実質的な放電抵抗は小さくなる。ま
た、「図６中に点線で示すダイオード」が無い場合トラ
ンジスタ１のゲート順バイアス電圧の大きさはトランジ
スタ８のコレクタ接合の順電圧の大きさに制限されてし
まう。この場合ダイオード３が請求項３記載中の非可制
御スイッチング手段に相当し、「ダイオード３、トラン
ジスタ８及びそのコレクタ・ベース間抵抗の接続体」が
請求項３記載中の抵抗手段に相当する。
た様なものである。トランジスタ８のコレクタ接合（コ
レクタ・ベース間ＰＮ接合）が図３のダイオード７に、
エミッタ接合（ベース・エミッタ間ＰＮ接合）が図３の
ダイオード６に対応すると考えれば分かり易い。ただ
し、トランジスタ８の電流増幅作用によりそのソース・
バックゲート間の実質的な放電抵抗は小さくなる。ま
た、「図６中に点線で示すダイオード」が無い場合トラ
ンジスタ１のゲート順バイアス電圧の大きさはトランジ
スタ８のコレクタ接合の順電圧の大きさに制限されてし
まう。この場合ダイオード３が請求項３記載中の非可制
御スイッチング手段に相当し、「ダイオード３、トラン
ジスタ８及びそのコレクタ・ベース間抵抗の接続体」が
請求項３記載中の抵抗手段に相当する。
【００２１】一方、「図６中に点線で示すダイオード」
が有る場合、図６の実施例は請求項４記載のゲート絶縁
型電界効果トランジスタ手段にも対応する様になり、そ
の「点線で示すダイオード」が請求項３記載中の非可制
御スイッチング手段に相当し、「ダイオード３、トラン
ジスタ８及びそのコレクタ・ベース間抵抗」が請求項４
記載中の「電圧降下手段、バイポーラ・モードのトラン
ジスタ手段およびオン方向駆動手段」にそれぞれ相当す
る。この事は図５の実施例でも同様である。
が有る場合、図６の実施例は請求項４記載のゲート絶縁
型電界効果トランジスタ手段にも対応する様になり、そ
の「点線で示すダイオード」が請求項３記載中の非可制
御スイッチング手段に相当し、「ダイオード３、トラン
ジスタ８及びそのコレクタ・ベース間抵抗」が請求項４
記載中の「電圧降下手段、バイポーラ・モードのトラン
ジスタ手段およびオン方向駆動手段」にそれぞれ相当す
る。この事は図５の実施例でも同様である。
【００２２】
ａ）特開昭５５−６６２８２号 ｂ）特開昭６０−
１６７２６号 ｃ）特開昭６０−１８３８１６号 ｄ）特開昭６０−
２２３３２２号 ｅ）特開昭６２−１５９２３〜５号
１６７２６号 ｃ）特開昭６０−１８３８１６号 ｄ）特開昭６０−
２２３３２２号 ｅ）特開昭６２−１５９２３〜５号
【図１〜図６】各図は、本発明の実施例を１つずつ示す
回路図である。
回路図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 そのゲートを通じたオン・オフ駆動に連
携してそのバックゲートを駆動し、そのオフ駆動の間そ
のオフ駆動を助ける方向へそのゲート・ソース間のオン
・オフしきい値電圧をずらす一方、そのオン駆動の間前
記オン・オフしきい値電圧を元に戻す連携駆動手段を有
することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジス
タ手段。 - 【請求項２】 前記連携駆動手段が、 前記オフ駆動の間そのバックゲート・ソース間を逆バイ
アスするバックゲート逆バイアス手段と、 前記オン駆動の間そのバックゲート・ソース間の逆バイ
アスを解除して元に戻す逆バイアス解除手段、で構成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の絶縁ゲート型
電界効果トランジスタ手段。 - 【請求項３】 前記バックゲート逆バイアス手段が、 前記オフ駆動の間そのゲート・ソース間を逆バイアスす
るゲート逆バイアス手段と、 そのゲート・バックゲート間にそのバックゲート・ソー
ス間逆電圧方向に接続される非可制御スイッチング手
段、で構成され、 前記逆バイアス解除手段が、 そのゲート・バックゲート間又はそのソース・バックゲ
ート間に接続される抵抗手段、で構成されていることを
特徴とする請求項２記載の絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタ手段。 - 【請求項４】 バイポーラ・モードのトランジスタ手段
の制御電極と両主電極を制御電極ｃｅ、主電極ｍｅ１及
び主電極ｍｅ２と呼ぶとしたときに、そして、その駆動
信号入力用に制御電極ｃｅと主電極ｍｅ１が対を成し、
そのゲート・ソース間と制御電極ｃｅ・主電極ｍｅ１間
が同じ逆バイアス電圧極性を持つとしたときに、 前記抵抗手段が、 そのバックゲートと前記非可制御スイッチング手段の間
に挿入接続され、電流に対して電圧降下を生じる電圧降
下手段と、 前記非可制御スイッチング手段と前記電圧降下手段の接
続点に制御電極ｃｅを、そのバックゲートに主電極ｍｅ
１を、そのソースに主電極ｍｅ２をそれぞれ接続され、
前記電圧降下によって逆バイアス駆動される前記バイポ
ーラ・モードのトランジスタ手段と、 前記電圧降下が生じないとき前記バイポーラ・モードの
トランジスタ手段をオン方向へ駆動するオン方向駆動手
段、で構成されていることを特徴とする請求項３記載の
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08709994A JP3179652B2 (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08709994A JP3179652B2 (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ手段 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758614A JPH0758614A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3179652B2 true JP3179652B2 (ja) | 2001-06-25 |
Family
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