JPS6382123A - 駆動回路 - Google Patents
駆動回路Info
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- JPS6382123A JPS6382123A JP61228924A JP22892486A JPS6382123A JP S6382123 A JPS6382123 A JP S6382123A JP 61228924 A JP61228924 A JP 61228924A JP 22892486 A JP22892486 A JP 22892486A JP S6382123 A JPS6382123 A JP S6382123A
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- JP
- Japan
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- effect transistor
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- Pending
Links
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高圧・大電流で且つ高速スイッチングが可能
な半導体素子の駆動回路に関するものである。
な半導体素子の駆動回路に関するものである。
第２図は、被駆動素子であるカスコード形ＢｉＭＯＳス
イッチ１の等価回路を示す回路図である。
イッチ１の等価回路を示す回路図である。
第２図において、２はコレクタがコレクタ端子Ｔ１に接
続されたバイポーラトランジスタ、３はドレインがバイ
ポーラトランジスタのエミッタに接続されソースがソー
ス端子Ｔ２に接続された電界効果トランジスタとしての
電力用金属酸化膜電界効果トランジスタ（以下「パワー
ＭＯＳ Ｆ ＥＴＪという）、４はカソードがコレクタ
端子Ｔ１に接続されアノードがソース端子Ｔ２に接続さ
れたフリーホイールダイオードである。
続されたバイポーラトランジスタ、３はドレインがバイ
ポーラトランジスタのエミッタに接続されソースがソー
ス端子Ｔ２に接続された電界効果トランジスタとしての
電力用金属酸化膜電界効果トランジスタ（以下「パワー
ＭＯＳ Ｆ ＥＴＪという）、４はカソードがコレクタ
端子Ｔ１に接続されアノードがソース端子Ｔ２に接続さ
れたフリーホイールダイオードである。
パワーＭＯ３ＦＥＴ３は電力用であるため、ｎチャネル
形で低圧（Ｖｏｓｓ＃５０ Ｖ） ・低オン抵抗の素
子が使用される。また、バイポーラトランジスタ２もｎ
ｐｎ形のパワートランジスタで、高耐圧の素子である。
形で低圧（Ｖｏｓｓ＃５０ Ｖ） ・低オン抵抗の素
子が使用される。また、バイポーラトランジスタ２もｎ
ｐｎ形のパワートランジスタで、高耐圧の素子である。
バイポーラトランジスタ２としてはダーリントン形でも
よいが、第２図では高速動作が得られるシングルトラン
ジスタとした。
よいが、第２図では高速動作が得られるシングルトラン
ジスタとした。
パワーＭＯ３ＦＥＴ３とバイポーラトランジスタ２との
直列体は、バイポーラトランジスタ２のエミッタ端子と
パワーＭＯ３ＦＥＴ３のドレイン端子を接続することに
より構成される。
直列体は、バイポーラトランジスタ２のエミッタ端子と
パワーＭＯ３ＦＥＴ３のドレイン端子を接続することに
より構成される。
第３図はカスコード形ＢｉＭＯＳスイッチ１を駆動する
ための従来の駆動回路を示す回路図である。第３図にお
いて、５は正側が負荷６を介してコレクタ端子Ｔ１に接
続され負側かソース端子Ｔ２に接続された直流電源、７
はツェナーダイオード、Ｔ３はバイポーラトランジスタ
２のベースに接続された入力端子、Ｔ４はパワーＭＯＳ
Ｆ ＥＴ３のゲートに接続された入力端子である。
ための従来の駆動回路を示す回路図である。第３図にお
いて、５は正側が負荷６を介してコレクタ端子Ｔ１に接
続され負側かソース端子Ｔ２に接続された直流電源、７
はツェナーダイオード、Ｔ３はバイポーラトランジスタ
２のベースに接続された入力端子、Ｔ４はパワーＭＯＳ
Ｆ ＥＴ３のゲートに接続された入力端子である。
次に、このように構成された駆動回路の動作について説
明する。まずターンオンは、バイポーラトランジスタ２
のベースおよびパワーＭＯ３ＦＥＴ３のゲートに同時に
正の信号を印加する。この場合、バイポーラトランジス
タ２のベースには、ＩＣ／ｈＦＥ≦１１・−−−（１１ で決まるベース電流を供給する必要がある。同時にパワ
ーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ３のゲートには、Ｉｃ／ｇｍ≦Ｖ
Ｇ３・・・・（２） で決まるゲート電圧を印加する。（１１，（２１式を満
足する２つの信号が印加されると、カスコード形ＢｉＭ
Ｏｓスイッチ１がターンオンし、直流電源５から負荷６
を通って電流が流れる。
明する。まずターンオンは、バイポーラトランジスタ２
のベースおよびパワーＭＯ３ＦＥＴ３のゲートに同時に
正の信号を印加する。この場合、バイポーラトランジス
タ２のベースには、ＩＣ／ｈＦＥ≦１１・−−−（１１ で決まるベース電流を供給する必要がある。同時にパワ
ーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ３のゲートには、Ｉｃ／ｇｍ≦Ｖ
Ｇ３・・・・（２） で決まるゲート電圧を印加する。（１１，（２１式を満
足する２つの信号が印加されると、カスコード形ＢｉＭ
Ｏｓスイッチ１がターンオンし、直流電源５から負荷６
を通って電流が流れる。
次にターンオフの動作について説明する。両トランジス
タ２．３の信号を同時にオフにすると、−ｉ的には、バ
イポーラトランジスタ２よりもパワーＭＯ３ＦＥＴ３の
方が先にターンオフし、バイポーラトランジスタ２をエ
ミッタカットオフ状態となし、コレクタ部の蓄積キャリ
アはバイポーラトランジスタ２のベースを介しツェナー
ダイオード７を通して放電し、これによりカスコード形
ＢｉＭＯＳスイッチ１のターンオフ動作が終了する。
タ２．３の信号を同時にオフにすると、−ｉ的には、バ
イポーラトランジスタ２よりもパワーＭＯ３ＦＥＴ３の
方が先にターンオフし、バイポーラトランジスタ２をエ
ミッタカットオフ状態となし、コレクタ部の蓄積キャリ
アはバイポーラトランジスタ２のベースを介しツェナー
ダイオード７を通して放電し、これによりカスコード形
ＢｉＭＯＳスイッチ１のターンオフ動作が終了する。
上述したカスコード形ＢｉＭＯＳスイッチ１の従来の駆
動回路は、信号の入力端子がＴ３．Ｔ４と２つあり、個
々に電流制御と電圧制御を行なう必要があり、タイミン
グ的にも複雑であった。
動回路は、信号の入力端子がＴ３．Ｔ４と２つあり、個
々に電流制御と電圧制御を行なう必要があり、タイミン
グ的にも複雑であった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、カスコード形ＢｉＭＯｓスイッ
チを単一の信号で駆動することができる駆動回路を得る
ことにある。
の目的とするところは、カスコード形ＢｉＭＯｓスイッ
チを単一の信号で駆動することができる駆動回路を得る
ことにある。
このような目的を達成するために本発明は、コレクタが
負荷を介して電源のプラス側に接続されたバイポーラト
ランジスタとドレインがバイポーラトランジスタのエミ
ッタに接続されソースが電源のマイナス側に接続された
電界効果トランジスタとを有するカスコード形ＢｉＭＯ
Ｓスイッチを駆動する駆動回路において、ｎチャネル電
界効果トランジスタとｎチャネル電界効果トランジスタ
とを直列に接続して形成したｎｐ直列体を備え、このｎ
ｐ直列体の中点をバイポーラトランジスタのベースに接
続し、ｎチャネル電界効果トランジスタのドレインおよ
びソースを直流電源および中点に接続し、ｎチャネル電
界効果トランジスタのドレインおよびソースを中点およ
び電源のマイナスに接続し、電界効果トランジスタのゲ
ートとｎチャネルおよびｎチャネルの電界効果トランジ
スタのゲートとを入力端子に接続するようにしたもので
ある。
負荷を介して電源のプラス側に接続されたバイポーラト
ランジスタとドレインがバイポーラトランジスタのエミ
ッタに接続されソースが電源のマイナス側に接続された
電界効果トランジスタとを有するカスコード形ＢｉＭＯ
Ｓスイッチを駆動する駆動回路において、ｎチャネル電
界効果トランジスタとｎチャネル電界効果トランジスタ
とを直列に接続して形成したｎｐ直列体を備え、このｎ
ｐ直列体の中点をバイポーラトランジスタのベースに接
続し、ｎチャネル電界効果トランジスタのドレインおよ
びソースを直流電源および中点に接続し、ｎチャネル電
界効果トランジスタのドレインおよびソースを中点およ
び電源のマイナスに接続し、電界効果トランジスタのゲ
ートとｎチャネルおよびｎチャネルの電界効果トランジ
スタのゲートとを入力端子に接続するようにしたもので
ある。
本発明においては、カスコード形ＢｉＭＯＳスイッチを
正負の単一信号にて駆動することができる。
正負の単一信号にて駆動することができる。
本発明に係わる駆動回路の一実施例を第１図に示す。第
１図において、８はドレインが信号回路の直流電源端子
Ｔ５に接続されソースがバイポーラトランジスタ２のベ
ースに接続されゲートが信号の入力端子Ｔ６に接続され
たｎチャネル電界効果トランジスタとしてのｎチャネル
パワーＭＯ３ＦＥＴ、９はドレインがバイポーラトラン
ジスタ２のベースに接続されソースがソース端子Ｔ２に
接続されゲートが入力端子Ｔ６に接続されたｐチャネル
電界効果トランジスタとしてのｐチャネルパワーＭＯＳ
Ｆ ＥＴである。第１図において第３図と同一部分又
は相当部分には同一符号が付しである。
１図において、８はドレインが信号回路の直流電源端子
Ｔ５に接続されソースがバイポーラトランジスタ２のベ
ースに接続されゲートが信号の入力端子Ｔ６に接続され
たｎチャネル電界効果トランジスタとしてのｎチャネル
パワーＭＯ３ＦＥＴ、９はドレインがバイポーラトラン
ジスタ２のベースに接続されソースがソース端子Ｔ２に
接続されゲートが入力端子Ｔ６に接続されたｐチャネル
電界効果トランジスタとしてのｐチャネルパワーＭＯＳ
Ｆ ＥＴである。第１図において第３図と同一部分又
は相当部分には同一符号が付しである。
第１図において、ｎチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ８とｐ
チャネルパワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ９とは直列に接続さ
れ、ｎｐ直列体を構成する。また、ｎｐ直列体の中点Ｎ
はバイポーラトランジスタ２のベースに接続され、カス
コード形ＢｉＭＯＳスイッチ１のパワーＭＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ ３のゲートは入力端子Ｔ６に接続されている。
チャネルパワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ９とは直列に接続さ
れ、ｎｐ直列体を構成する。また、ｎｐ直列体の中点Ｎ
はバイポーラトランジスタ２のベースに接続され、カス
コード形ＢｉＭＯＳスイッチ１のパワーＭＯＳ Ｆ Ｅ
Ｔ ３のゲートは入力端子Ｔ６に接続されている。
次にこのように構成された回路の動作について説明する
。信号の入力端子Ｔ６に正の信号を印加すると、ｎチャ
ネルパワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ８および３が同時にター
ンオンする。このとき、ｐチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ
９は信号が逆バイアスであるためオフ状態である。した
がって、ｎチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ８のオン状態に
より電源端子Ｔ５からドレイン電流が流れ、これが後段
のバイポーラトランジスタ２のベース電流となり、バイ
ポーラトランジスタ２がターンオンする。この時すでに
バイポーラトランジスタ２に直列に接続したｎチャネル
パワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ３には信号電圧が印加されて
いるため、ｎチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ３もターンオ
ンし、直流電源５から負荷６を介してコレクタ電流が流
れるようになる。これらのターンオン動作は、パワーＭ
ＯＳ Ｆ ＥＴ ３ 。
。信号の入力端子Ｔ６に正の信号を印加すると、ｎチャ
ネルパワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ８および３が同時にター
ンオンする。このとき、ｐチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ
９は信号が逆バイアスであるためオフ状態である。した
がって、ｎチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ８のオン状態に
より電源端子Ｔ５からドレイン電流が流れ、これが後段
のバイポーラトランジスタ２のベース電流となり、バイ
ポーラトランジスタ２がターンオンする。この時すでに
バイポーラトランジスタ２に直列に接続したｎチャネル
パワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ３には信号電圧が印加されて
いるため、ｎチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ３もターンオ
ンし、直流電源５から負荷６を介してコレクタ電流が流
れるようになる。これらのターンオン動作は、パワーＭ
ＯＳ Ｆ ＥＴ ３ 。
８．９の動作が主となり、最も遅れるバイポーラトラン
ジスタ２も、このバイポーラトランジスタ２がシングル
トランジスタであるため、非常に速いという特徴をもつ
。
ジスタ２も、このバイポーラトランジスタ２がシングル
トランジスタであるため、非常に速いという特徴をもつ
。
次に、ターンオフ時の動作について説明する。
ターンオフ時には信号電圧を負にする。このとき、両ｎ
チャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ８および３はターンオフし
、バイポーラトランジスタ２へのベース電流の供給が止
まると同時に、バイポーラトランジスタ２は、ｎチャネ
ルパワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ３がターンオフすることに
よりエミッタカットオフ状態となる。一方、信号の入力
端子Ｔ６に負の電圧を印加した瞬間ｐチャネルパワーＭ
ＯＳ Ｆ ＥＴ９がターンオンし、エミッタカットオフ
状態のｎｐｎ形バイポーラトランジスタ２のコレクタ層
やベース層に蓄積された電荷がトランジスタ２のベース
からｐチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ９を介して放電され
、これによりカスコード形ＢｉＭＯＳスイッチ１はター
ンオフを完了する。
チャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ８および３はターンオフし
、バイポーラトランジスタ２へのベース電流の供給が止
まると同時に、バイポーラトランジスタ２は、ｎチャネ
ルパワーＭＯＳ Ｆ ＥＴ ３がターンオフすることに
よりエミッタカットオフ状態となる。一方、信号の入力
端子Ｔ６に負の電圧を印加した瞬間ｐチャネルパワーＭ
ＯＳ Ｆ ＥＴ９がターンオンし、エミッタカットオフ
状態のｎｐｎ形バイポーラトランジスタ２のコレクタ層
やベース層に蓄積された電荷がトランジスタ２のベース
からｐチャネルパワーＭＯ３ＦＥＴ９を介して放電され
、これによりカスコード形ＢｉＭＯＳスイッチ１はター
ンオフを完了する。
以上説明したように本発明は、ｎチャネル電界効果トラ
ンジスタとｐチャネル電界効果トランジスタとを直列に
接続してｎｐ直列体を形成したことにより、単一の信号
で電流制御と電圧制御を行なうことができるので、従来
のように２種の信号を必要としないという効果がある。
ンジスタとｐチャネル電界効果トランジスタとを直列に
接続してｎｐ直列体を形成したことにより、単一の信号
で電流制御と電圧制御を行なうことができるので、従来
のように２種の信号を必要としないという効果がある。
しかも、ｎｐ直列体を電界効果トランジスタで構成した
ことにより、低損失であるという効果もある。
ことにより、低損失であるという効果もある。
また、電界効果トランジスタを電力形とすれば、スイッ
チング時間の短縮を図ることができるという効果もある
。
チング時間の短縮を図ることができるという効果もある
。
第１図は本発明に係わる駆動回路の一実施例を示す回路
図、第２図は被駆動素子であるカスコード形ＢｉＭＯＳ
スイッチを示す回路図、第３図は従来の駆動回路を示す
回路図である。 １・・・カスコード形ＢｉＭＯＳスイッチ、２・・・バ
イポーラトランジスタ、３，８．９・・・パワーＭＯ３
ＦＥＴ、４・・・フリーホイールダイオード、５・・・
直流電源、６・・・負荷、Ｔ１・・・コレクタ端子、Ｔ
２・・・ソース端子、Ｔ５・・・電源端子、Ｔ６・・・
入力端子、Ｎ・・・中点。
図、第２図は被駆動素子であるカスコード形ＢｉＭＯＳ
スイッチを示す回路図、第３図は従来の駆動回路を示す
回路図である。 １・・・カスコード形ＢｉＭＯＳスイッチ、２・・・バ
イポーラトランジスタ、３，８．９・・・パワーＭＯ３
ＦＥＴ、４・・・フリーホイールダイオード、５・・・
直流電源、６・・・負荷、Ｔ１・・・コレクタ端子、Ｔ
２・・・ソース端子、Ｔ５・・・電源端子、Ｔ６・・・
入力端子、Ｎ・・・中点。
Claims (1)
- コレクタが負荷を介して電源のプラス側に接続されたバ
イポーラトランジスタとドレインが前記バイポーラトラ
ンジスタのエミッタに接続されソースが前記電源のマイ
ナス側に接続された電界効果トランジスタとを有するカ
スコード形ＢｉＭＯＳスイッチを駆動する駆動回路にお
いて、ｎチャネル電界効果トランジスタとｐチャネル電
界効果トランジスタとを直列に接続して形成したｎｐ直
列体を備え、このｎｐ直列体の中点を前記バイポーラト
ランジスタのベースに接続し、前記ｎチャネル電界効果
トランジスタのドレインおよびソースを直流電源および
前記中点に接続し、前記ｐチャネル電界効果トランジス
タのドレインおよびソースを前記中点および前記電源の
マイナス側に接続し、前記電界効果トランジスタのゲー
トと前記ｎチャネルおよびｐチャネルの電界効果トラン
ジスタのゲートとを入力端子に接続し、前記カスコード
形ＢｉＭＯＳスイッチを正負の単一信号にて駆動するこ
とを特徴とする駆動回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228924A JPS6382123A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 駆動回路 |
| GB8711731A GB2195506B (en) | 1986-09-26 | 1987-05-19 | Driving circuit |
| US07/053,339 US4798983A (en) | 1986-09-26 | 1987-05-21 | Driving circuit for cascode BiMOS switch |
| DE19873717122 DE3717122A1 (de) | 1986-09-26 | 1987-05-21 | Treiber-schaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228924A JPS6382123A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6382123A true JPS6382123A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16883989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61228924A Pending JPS6382123A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 駆動回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4798983A (ja) |
| JP (1) | JPS6382123A (ja) |
| DE (1) | DE3717122A1 (ja) |
| GB (1) | GB2195506B (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2585599B2 (ja) * | 1987-06-05 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 出力インタ−フエ−ス回路 |
| JPS641325A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPH01133414A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | カスコードＢｉＭＯＳ駆動回路 |
| DE4004186A1 (de) * | 1990-02-12 | 1991-08-14 | Siemens Ag | Horizontalablenkstufe |
| JP2953005B2 (ja) * | 1990-09-14 | 1999-09-27 | 日本電気株式会社 | Ｂｉ―ＣＭＯＳ回路 |
| US6204717B1 (en) * | 1995-05-22 | 2001-03-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor circuit and semiconductor device for use in equipment such as a power converting apparatus |
| JP3739361B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2006-01-25 | ローム株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JP2006101430A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Yazaki Corp | 車両用通信装置 |
| JP5317413B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2013-10-16 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチおよび当該半導体スイッチを適用した電力変換装置 |
| US8901829B2 (en) * | 2009-09-24 | 2014-12-02 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Solid state lighting apparatus with configurable shunts |
| US10264637B2 (en) * | 2009-09-24 | 2019-04-16 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof |
| US8901845B2 (en) | 2009-09-24 | 2014-12-02 | Cree, Inc. | Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods |
| US9713211B2 (en) * | 2009-09-24 | 2017-07-18 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof |
| US8777449B2 (en) | 2009-09-25 | 2014-07-15 | Cree, Inc. | Lighting devices comprising solid state light emitters |
| US9068719B2 (en) * | 2009-09-25 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light engines for lighting devices |
| US9285103B2 (en) * | 2009-09-25 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Light engines for lighting devices |
| US8602579B2 (en) * | 2009-09-25 | 2013-12-10 | Cree, Inc. | Lighting devices including thermally conductive housings and related structures |
| US8476836B2 (en) * | 2010-05-07 | 2013-07-02 | Cree, Inc. | AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments |
| US9839083B2 (en) | 2011-06-03 | 2017-12-05 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same |
| US9131561B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-09-08 | Cree, Inc. | Solid-state lighting apparatus and methods using energy storage |
| US8742671B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-06-03 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry |
| US8791641B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-07-29 | Cree, Inc. | Solid-state lighting apparatus and methods using energy storage |
| US11178740B2 (en) | 2011-12-27 | 2021-11-16 | Ideal Industries Lighting Llc | Solid-state lighting apparatus including current diversion controlled by lighting device bias states and current limiting using a passive electrical component |
| US9131571B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-09-08 | Cree, Inc. | Solid-state lighting apparatus and methods using energy storage with segment control |
| US10264638B2 (en) | 2013-01-15 | 2019-04-16 | Cree, Inc. | Circuits and methods for controlling solid state lighting |
| US10231300B2 (en) | 2013-01-15 | 2019-03-12 | Cree, Inc. | Systems and methods for controlling solid state lighting during dimming and lighting apparatus incorporating such systems and/or methods |
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|---|---|---|---|---|
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| US4651035A (en) * | 1984-11-13 | 1987-03-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Compound diverse transistor switching circuit |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61228924A patent/JPS6382123A/ja active Pending
-
1987
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| Publication number | Publication date |
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| US4798983A (en) | 1989-01-17 |
| GB2195506B (en) | 1990-05-09 |
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