JP3178784B2 - 半導体パッケージ基板の検査装置及び検査方法 - Google Patents
半導体パッケージ基板の検査装置及び検査方法Info
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Description
基板の接続パッドにプローブを接触して半導体パッケー
ジ基板の電気的検査を行う検査装置及び検査方法に関
し、特に、基板における接続パッドと内層パターンとを
接続する少なくとも1つのフォトバイアホールを接続パ
ッド内に形成し、接続パッドにプローブを接触させて半
導体パッケージ基板の電気的検査を行うについて、プロ
ーブをフォトバイアホールから外れた位置に接触させつ
つ検査を行う検査装置及び検査方法に関するものであ
る。
種の半導体パッケージ基板が提案されている。例えば、
BGA( Ball Grid Array )、LGA( Land Grid Ar
ray )用のパッケージ基板では、マザーボードに接続す
る、又は、ソケットに接触させるためのBGA、LGA
パッド、及び、BGA、LGAパッドに接続される内層
パターンが設けられており、BGA、LGAパッドと内
層パターンとの接続は、BGA、LGAパッドの外側で
行われているのが一般的である。
て、各種電子機器の高機能化等を反映して半導体パッケ
ージ基板における配線パターンの高密度化が推進されて
きており、更なる高密度化配線パターンを実現した半導
体パッケージ基板の出現が望まれている。
ケージ基板では、BGA、LGAパッドと内層パターン
との接続はBGA、LGAパッドの外側で行われてお
り、その接続には基板において必然的にスペースが必要
となることから、配線パターンの高密度化には自ずと限
界が存在する。従って、従来の半導体パッケージ基板に
よっては、配線パターンの高密度化に十分対応すること
ができない問題がある。
には、配線パターンの線幅及び配線パターン間のクリア
ランスを可能な限り微細に形成する必要があるが、従来
の半導体パッケージ基板では、BGA、LGAパッドと
内層パターンとをBGA、LGAパッドの外側で接続し
ている関係上、やはり配線パターンの線幅及び配線パタ
ーン間のクリアランスを更に微細に形成することは困難
なものである。
めになされたものであり、基板における接続パッドと内
層パターンとを接続する少なくとも1つのフォトバイア
ホールを接続パッド内に形成した半導体パッケージ基板
の電気的検査を従来より一般に汎用されている検査装置
で行う場合には、プローブを介してフォトバイアホール
にクラック等が発生して信頼性が低下しまう虞があるこ
とを勘案し、接続パッドにプローブを接触させて半導体
パッケージ基板の電気的検査を行うについて、プローブ
をフォトバイアホールから外れた位置に接触させつつ検
査を行うことにより、汎用性のあるコストの低いプロー
ブを配設したプローブユニットを使用した場合でもフォ
トバイアホールにクラック等が発生することなく信頼性
を保持しつつ基板の検査を行うことができる検査装置及
び検査方法を提供することを目的とする。
請求項1に係る検査装置は、マザーボードの接続端子に
直接的に又は間接的に接続される接続パッドと、接続パ
ッドに接続された内層パターンとを有し、接続パッド内
にその接続パッドと内層パターンとを接続する少なくと
も1つのフォトバイアホールが設けられた半導体パッケ
ージ基板を検査する半導体パッケージ基板の検査装置で
あって、前記接続パッドを上方又は下方に向けた状態で
半導体パッケージ基板を固定する固定手段と、前記固定
手段を介して固定された半導体パッケージ基板に対し
て、プローブが配設されたプローブユニットを移動する
移動手段とを備え、半導体パッケージ基板の検査を行う
際に移動手段を介してプローブユニットを移動させるこ
とにより、プローブの先端を接続パッドのフォトバイア
ホールから外れた位置に配置した後、プローブを接続パ
ッドに接触させて及び内層パターンの検査を行う構成を
有する。
を介して半導体パッケージ基板がその接続パッドを上方
又は下方に向けた状態で固定された後、半導体パッケー
ジ基板の検査を行うに際し移動手段を介してプローブユ
ニットのプローブの先端が接続パッドのフォトバイアホ
ールから外れた位置に配置される。更に、プローブユニ
ットが下方に移動され、プローブを接続パッドに接触さ
せた状態で基板の内層パターンの検査が行われる。この
ように、プローブがフォトバイアホールから外れた位置
で接続パッドに接触された状態で検査が行われることか
ら、汎用性のあるコストの低いプローブを配設したプロ
ーブユニットを使用した場合でもフォトバイアホールに
クラック等が発生することなく信頼性を保持しつつ基板
の検査を行うことが可能となる。
ボードの接続端子に直接的に又は間接的に接続される接
続パッドと、接続パッドに接続された内層パターンとを
有し、接続パッド内にその接続パッドと内層パターンと
を接続する少なくとも1つのフォトバイアホールが設け
られた半導体パッケージ基板を検査する半導体パッケー
ジ基板の検査方法であって、前記接続パッドを上方又は
下方に向けた状態で半導体パッケージ基板を固定する工
程と、固定された半導体パッケージ基板に対して、プロ
ーブが配設されたプローブユニットを移動し、プローブ
の先端を接続パッドのフォトバイアホールから外れた位
置に配置する工程と、プローブを接続パッドに接触して
内層パターンの検査を行う工程とからなる。
程で半導体パッケージ基板がその接続パッドを上方又は
下方に向けた状態で固定され、次の工程で半導体パッケ
ージ基板に対してプローブユニットのプローブの先端が
接続パッドのフォトバイアホールから外れた位置に配置
される。更に、最終工程でプローブユニットが下方に移
動され、プローブを接続パッドに接触させた状態で基板
の内層パターンの検査が行われる。このように、プロー
ブがフォトバイアホールから外れた位置で接続パッドに
接触された状態で検査が行われることから、前記請求項
2の検査装置の場合と同様に、汎用性のあるコストの低
いプローブを配設したプローブユニットを使用した場合
でもフォトバイアホールにクラック等が発生することな
く信頼性を保持しつつ基板の検査を行うことが可能とな
る。
ージ基板、検査装置及び検査方法について、本発明を具
体化した実施例に基づき図面を参照しつつ詳細に説明す
る。先ず、第1実施例に係る半導体パッケージ基板につ
いて図1に基づき説明する。図1(A)は第1実施例に
係るLGA用パッケージ基板の一部を模式的に示す断面
図、図1(B)はプローブが接触される範囲を模式的に
示すLGAパッドの平面図である。
用のパッケージ基板を例にとり、LGAパッド内に1つ
のフォトバイアホールが形成された基板について、図1
に基づき説明する。LGA用のパッケージ基板1は多層
基板からなり、その表面側(図1(A)中、上面側)に
はLGAパッド2が形成されており、また、その内部に
は内層パターン3が形成されている。LGAパッド2の
中央位置には、1つのフォトバイアホール4が形成され
ており、かかるフォトバイアホール4を介して内層パタ
ーン3とLGAパッド2とが相互に接続されている。こ
こに、LGAパッド2は、その直径Aが例えば600μ
mを有する円形に形成され、また、フォトバイアホール
4は、その直径Bが例えば150μmの円形に形成され
ている。尚、LGAパッド2の周囲には、レジスト層5
が形成されており、また、LGAパッド2が形成された
面と反対側の基板面にはフリップ・チップ用パッド(図
6参照)が形成されている。
おいては、LGAパッド2と内層パターン3とがフォト
バイアホール4を介して相互に接続されており、従っ
て、従来の半導体パッケージ基板におけるようにLGA
パッド2の外側でLGAパッド2と内層パターン3とを
接続する場合とは異なり、LGAパッド2と内層パター
ン3との接続スペースは全く不要となることから、LG
A基板1における内層パターン、その他の配線パターン
の高密度化に十分対応することが可能となり、また、配
線パターンの線幅及び配線パターン間のクリアランスを
更に微細に形成することが可能となる。
ン3等の電気的検査を行う場合、検査装置のプローブユ
ニットに配設されたプローブを、フォトバイアホール4
から外れた位置でLGAパッド2に接触しつつ検査が行
われる。このとき、プローブは、LGAパッド2内でフ
ォトバイアホール4を除いた領域に接触されることが望
ましく、更に好ましくは、前記領域を同心円状に5等分
し、外側及び内側から1/5だけ除いた領域内に接触さ
れることが望ましい。具体的には、図1(A)に示すよ
うに、LGAパッド2の外側から45μmだけ内方に位
置する境界Cとフォトバイアホール4の外周から45μ
mだけ外方に位置する境界Dとにより区画される領域6
(図1(B)中、斜線にて示す領域)内にプローブが接
触されることが望ましい。
るのが望ましい理由は、通常、検査装置ではプローブユ
ニットを移動してプローブとLGAパッド2との位置決
めするに際して、検査装置に付設される画像認識装置を
介してプローブの位置補正を行いつつその位置決めが行
われるが、一般に汎用されている画像認識装置の位置決
め精度は、40〜50μmであることから、かかる位置
決め精度を勘案した場合、前記のようにLGAパッド2
の外側から45μmだけ内方に位置する境界Cとフォト
バイアホール4の外周から45μmだけ外方に位置する
境界Dとにより区画される領域6でプローブの位置決め
を行うことが良いことに基く。このようにプローブの位
置決めを行えば、プローブがフォトバイアホール4に接
触することを確実に回避することができ、フォトバイア
ホール4の潰れ、クラックが発生することを防止するこ
とができる。
ていない検査装置では、プローブの位置補正を行うこと
ができず、この結果、LGAパッド2に対するプローブ
の位置のばらつきが大きくなることから、LGAパッド
2の外周とフォトバイアホール4の外周との間における
中点が描く軌跡(領域6を同心円状に2等分する線上に
存在する)を基準としてプローブの位置決めを行うこと
が望ましい。
GA用のパッケージ基板を例にとり、LGAパッド内に
3つのフォトバイアホールが形成された第2実施例に係
る基板について図2に基づき説明する。図2は第2実施
例に係るLGAパッド内に3つのフォトバイアホールを
形成したLGA用パッケージ基板を模式的に示し、図2
(A)はLGA用パッケージ基板の一部を模式的に示す
断面図、図2(B)はプローブが接触される位置を模式
的に示すLGAパッドの平面図である。
らなり、その表面側(図2(A)中、上面側)にはLG
Aパッド8が形成されており、また、その内部には内層
パターン9が形成されている。LGAパッド8内には、
3つのフォトバイアホール10が正三角形状に略均等し
て形成されており、これらの各フォトバイアホール10
を介して内層パターン9とLGAパッド8とが相互に接
続されている。ここに、パッケージ基板7では、LGA
パッド8以外のパッド、例えば、接地(GND)パッ
ド、電源(VCC)パッド、その他の信号接続パッド等
についても、各パッド内に3つのフォトバイアホール1
0が形成されている。尚、LGAパッド8の直径は、前
記と同様600μmに形成されており、また、LGAパ
ッド8の周囲には、レジスト層11が形成されている。
おいては、LGAパッド8と内層パターン9とが3つの
フォトバイアホール10を介して相互に接続されてお
り、従って、従来の半導体パッケージ基板におけるよう
にLGAパッド8の外側でLGAパッド8と内層パター
ン9とを接続する場合とは異なり、LGAパッド8と内
層パターン9との接続スペースは全く不要となることか
ら、LGA基板7における内層パターン9、その他の配
線パターンの高密度化に十分対応することが可能とな
り、また、配線パターンの線幅及び配線パターン間のク
リアランスを更に微細に形成することが可能となる。
ン9等の電気的検査を行う場合、検査装置のプローブユ
ニットに配設されたプローブを、各フォトバイアホール
10から外れた位置でLGAパッド8に接触しつつ検査
が行われる。このとき、プローブは、LGAパッド8内
で各フォトバイアホール10を除いた領域に接触され
る。具体的には、図2(B)に示すように、プローブ
は、LGAパッド8内で各フォトバイアホール10によ
り描かれる正三角形の中央位置Eを基準として画像認識
装置を介して位置決めされつつLGAパッド8に接触さ
れる。このようにプローブの位置決めを行えば、プロー
ブが各フォトバイアホール10に接触することを確実に
回避することができ、フォトバイアホール10の潰れ、
クラックが発生することを防止することができる。この
とき、プローブの位置ズレが発生してプローブがいずれ
かのフォトバイアホール10に接触することに起因して
1つのフォトバイアホール10にクラック等が発生した
場合においても、LGAパッド8と内層パターン9と
は、残りの2つのフォトバイアホール10を介して確実
に接続されているので、LGAパッド8と内層パターン
9との接続に関し何ら問題が発生することはない。
板1(LGAパッド2内に1つのフォトバイアホール4
が形成されている)、及び、第2実施例のパッケージ用
基板7(LGAパッド8内に3つのフォトバイアホール
10が形成されている)の強度特性について図3に基づ
き説明する。図3はLGAパッド内にフォトバイアホー
ルが形成されていないパッケージ用基板におけるLGA
パッド、第1実施例のパッケージ用基板1におけるLG
Aパッド2、及び、第2実施例のパッケージ用基板7に
おけるLGAパッド8の引っ張り(プル)強度及び剪断
(シェア)強度の試験結果を対比して示す表である。
尚、LGAパッドの直径は600μm、フォトバイアホ
ールの直径は100μmに形成し、試験は10回行なわ
れた。また、強度値の単位はkgf/mm2 である。
イアホールを形成していない基板の場合、LGAパッド
のプル強度は、最小値(Min)が0.4、最大値(M
ax)が1.4であり、その平均値は0.9である。ま
た、シェア強度については、最小値が2.8、最大値が
3.9であり、その平均値は3.4である。
基板1では、LGAパッド2のプル強度は、最小値が
1.0、最大値が2.1であり、その平均値は1.6で
ある。シェア強度については、最小値が3.9、最大値
が5.7であり、その平均値は4.8である。また、第
2実施例のパッケージ用基板7では、LGAパッド8の
プル強度は、最小値が1.4、最大値が2.8であり、
その平均値は2.1である。同様にシェア強度について
は、最小値が6.0、最大値が8.5であり、その平均
値は5.7である。
ドのプル強度及びシェア強度は、共に、フォトバイアホ
ールの数に比例して大きくなることが分かる。具体的に
は、第1実施例のパッケージ用基板1におけるLGAパ
ッド2のプル強度は、フォトバイアホールが形成されて
いないLGAパッドに比較して、1.8倍に向上してお
り、また、シェア強度は、同様に、1.4倍に向上して
いる。更に、第2実施例のパッケージ用基板7における
LGAパッド8にプル強度は、フォトバイアホールが形
成されていないLGAパッドに比較して、2.3倍に向
上しており、また、シェア強度は、同様に、1.7倍に
向上している。このように、LGAパッド内にフォトバ
イアホールを形成することによりLGAパッドのプル強
度及びシェア強度が向上するのは、基板の内部に食い込
んで形成されたフォトバイアホールを介してLGAパッ
ドと基板との結合力が増大することに基くものである。
これにより、第1実施例及び第2実施例のパッケージ用
基板では、LGAパッド内にフォトバイアホールを形成
することにより、LGAパッドのプル強度及びシェア強
度が向上されるという付随的な効果が得られるものであ
る。
ることにより、プローブが1つのフォトバイアホールに
当りクラックが発生しても、残りの2つのフォトバイア
ホールにより確実に内層と接続されている。
ジ用基板における内層パターン等の電気的検査を行う検
査装置について図4乃至図8に基づき説明する。先ず、
パッケージ用基板における内層パターン等の電気的検査
を自動的に行うことが可能な自動検査装置について図4
に基づき説明する。図4は自動検査装置を模式的に示す
側面図である。尚、以下の説明においては、前記第1実
施例のパッケージ用基板1の電気的検査を行う場合を例
にとって説明する。
基台21を有し、各基台21には基板1を所定方向に搬
送するコンベア(図示せず)が付設されている。各基台
21の内方にピン支持部22が設けられており、ピン支
持部22には位置決めピン23が上下動可能に配設され
ている。各位置決めピン23は、基板1の両側に形成さ
れた位置決め孔25内に挿嵌されて、基板1の位置決め
作用を行う。また、各基台21に対向離間して可動テー
ブル24が、XY方向(水平方向)及びZ方向(上下方
向)に移動可能に、且つ、θ方向に回転可能に配設され
ている。ここに、可動テーブル24は、XYモータ、Z
モータ及びθモータ(図示せず)を介してXY方向及び
θ方向に移動制御されるものであり、かかる可動テーブ
ル24については公知であるのでここではその説明を省
略する。尚、図4においては、基板1を下方より支持す
る下治具は省略されている。
ニット26を固定する固定部材27が垂設されており、
各固定部材27にはプローブユニット26がネジ等の保
持具(図示せず)を介して固定される。プローブユニッ
ト26には、基板1に形成された各LGAパッド2の形
成パターンに対応して複数のプローブ28が取り付けら
れており、また、プローブユニット26は、各固定部材
27に固定された際に、各プローブ28の先端が基板1
の各LGAパッド2の中心に合致するように作製されて
いる。尚、各プローブ28は、配線29、コネクタ(図
示せず)を介してテスター30に接続されており、テス
ター30は配線29等を介して各プローブ28の通電制
御を行って基板1の内層パターン3等の導通テストや絶
縁テストを行うものである。
固定部材27の内方には、2つのCCDカメラ31が取
り付けられている。各カメラ31は、基板1にて各LG
Aパッド2の外側に形成されたアラインメントマーク3
2を撮像するためのものであり、各カメラ31にて撮像
された画像データに基づき所定の画像認識が行われると
ともに、画像認識の結果に基づき可動テーブル24の移
動制御を行ってプローブユニット26の各プローブ28
と基板1の各LGAパッド2との間の位置補正が行われ
る。
を使用して基板1における内層パターン3等の電気的検
査を行う検査方法について図5を参照して説明する。図
5は基板1のLGAパッド2に対するプローブ28の位
置補正を行う状態を模式的に示す説明図である。
検査を行うには、先ず、各基台21に付設されたコンベ
アを介して基板1を検査ステージまで搬送し、基板1が
検査ステージまで搬送された時点で、各ピン支持部22
に配設された位置決めピン23を上方向に移動して基板
1の位置決め孔25内に挿嵌する。これにより、基板1
は検査ステージにて位置決め固定される。尚、位置決め
ピン23に代えて、基板1の端面を挟持固定するように
してもよい。
カメラ31により基板1上のアラインメントマーク32
の撮像して読み取り、その画像データに基づき所定の画
像認識処理を行うとともに、画像認識の結果に基づき可
動テーブル24の移動制御を行ってプローブユニット2
6の各プローブ28と基板1の各LGAパッド2との間
の位置補正を行う。
説明する。当初においては、プローブ28の先端は、図
5で実線にて示すように、LGAパッド2の中心、即
ち、LGAパッド2の中央位置に形成されたフォトバイ
アホール4の中心に対向している。そして、位置補正が
行われると、プローブ28の先端は、フォトバイアホー
ル4の中心からオフセットされて、図5で点線にて示す
ように、フォトバイアホール4から外れたLGAパッド
2上の位置にセットされる。このとき、前記したよう
に、プローブ28の位置補正制御は、その先端が領域6
(図1(B)参照)内に配置されるように、行われる。
具体的には、プローブ28の先端が、LGAパッド2の
外周とフォトバイアホール4の外周との1/2の位置に
配置される。
パッド2の外周とフォトバイアホール4の外周との1/
2の位置に配置した後、可動テーブル24を介してプロ
ーブユニット26を下方に移動し、プローブ28とLG
Aパッド2とを接触させる。この状態で、テスター30
による制御下に各プローブ28の通電制御を行い、抵抗
値を測定することにより基板1の内層パターン3等の導
通テスト、絶縁テストが行われる。テストの終了後、可
動テーブル24によるプレス状態、位置決めピン23に
よる基板1の固定状態が開放され、基板1はコンベアを
介して搬送される。
ッケージ基板1のオープン検査、オープン・ショート検
査を分けて2回の検査を行う場合に、オープン検査(1
回目の検査)時とオープン・ショート検査(2回目の検
査)時とでLGAパッド2に接触するプローブ28の位
置を変えながら検査する方法について図6乃至図9を参
照して説明する。図6はプローブ28がLGAパッド2
に接触する位置を変えながら検査を行う状態を模式的に
示す説明図、図7はプローブ28がLGAパッドに接触
する位置を示す説明図である。
パッドを全箇所でショートさせてLGAパッドにプロー
ブを当て、パッケージ基板1のオープン検査を行う場
合、図6(A)に示すようにオープン検査ステージにお
いて、下治具33上に導電ゴムシート34を載置すると
ともに、LGAパッド2が形成されたパッケージ基板1
の面と反対側の面におけるフリップ・チップ用パッド3
5が導電ゴムシート34に接触するようにパッケージ基
板1を導電ゴムシート34上に載置する。この状態で、
前記した位置補正制御を行ってプローブ28とLGAパ
ッド2との位置決めを行った後、可動テーブル24を下
方に移動させてプローブユニット26の各プローブ28
をLGAパッド2に接触させる。このとき、プローブ2
8の先端は、図6(A)に示すように、LGAパッド2
の中心F(点線にて示す)から左側に外れた位置、即
ち、フォトバイアホール4の外周とLGAパッド2の外
周との中間位置G(図7参照)に接触されている。この
状態でプローブ28の先端は、図7に示すように、LG
Aパッド2内に形成されたフォトバイアホール4から外
れた位置Gに当接されることとなり、フォトバイアホー
ル4にクラック等が発生することは全くない。かかる
後、テスター30を介して各プローブ28への通電制御
が行われて基板1のオープン検査が行われる。
て、パッケージ基板1のオープン検査及びショート検査
を行う場合、図6(B)に示すようにオープン・ショー
ト検査ステージにおいて、前記導電ゴムシート34に代
えて下治具33上に高さ調節シート36を載置するとと
もに、LGAパッド2が形成されたパッケージ基板1の
面と反対側の面におけるフリップ・チップ用パッド35
を下方にしてパッケージ基板1を高さ調節シート36上
に載置する。この状態で、前記と同様の位置補正制御を
行ってプローブ28とLGAパッド2との位置決めを行
った後、可動テーブル24を下方に移動させてプローブ
ユニット26の各プローブ28をLGAパッド2に接触
させる。このとき、プローブ28の先端は、図6(B)
に示すように、LGAパッド2の中心F(点線にて示
す)から右側に外れた位置、即ち、フォトバイアホール
4の外周とLGAパッド2の外周との中間位置H(図7
参照)に接触されている。この状態でプローブ28の先
端は、図7に示すように、LGAパッド2内に形成され
たフォトバイアホール4から外れた位置Hに当接される
こととなり、フォトバイアホール4にクラック等が発生
することは全くない。かかる後、テスター30を介して
各プローブ28への通電制御が行われて基板1のオープ
ン・ショート検査が行われる。
してパッケージ基板1のオープン検査及びオープン・シ
ョート検査の2回の検査を行う場合に、オープン検査
(1回目の検査)時とオープン・ショート検査(2回目
の検査)時とでLGAパッド2に接触するプローブ28
の位置を変えながらフォトバイアホール4から外れた位
置にて各検査を行うように構成すれば、プローブ28の
先端が、フォトバイアホール4にクラック等を発生する
ことなくLGAパッド2における同一接触位置にて当接
することを回避することができ、これにより信頼性を格
段に向上することができるものである。
例に係るパッケージ基板1、7では、LGAパッド2、
8と内層パターン3、9とを接続するについて、LGA
パッド2、8内に設けた少なくとも1つのフォトバイア
ホール4、10を介して接続するように構成されている
ので、従来のパッケージ基板におけるようにLGAパッ
ド2、8の外側でLGAパッド2、8と内層パターン
3、9とを接続する場合に比して接続スペースは全く不
要とすることができる。これにより、パッケージ基板
1、7における配線パターンの高密度化に十分対応する
ことができ、また、配線パターンの線幅及び配線パター
ン間のクリアランスを更に微細に形成することができ
る。更に、フォトバイアホール4、10を介してLGA
パッド2、8の基板1、7に対するプル強度及びシェア
強度を向上することができるものである。
びその自動検査装置20にて行われる検査方法では、プ
ローブ28がフォトバイアホール4から外れた位置でL
GAパッド2に接触された状態で検査が行われるので、
汎用性のあるコストの低いプローブ28を配設したプロ
ーブユニット26を使用した場合でもフォトバイアホー
ル4にクラック等が発生することなく信頼性を保持しつ
つ基板1の検査を行うことができる。尚、本発明は前記
各実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは
勿論である。
る接続パッドと内層パターンとを接続する少なくとも1
つのフォトバイアホールを接続パッド内に形成した半導
体パッケージ基板の電気的検査を行うについて、プロー
ブをフォトバイアホールから外れた位置に接触させつつ
検査を行うことにより、汎用性のあるコストの低いプロ
ーブを配設したプローブユニットを使用した場合でもフ
ォトバイアホールにクラック等が発生することなく信頼
性を保持しつつ基板の検査を行うことができる検査装置
及び検査方法を提供することができる。
トバイアホールを形成したパッケージ基板を示し、図1
(A)は第1実施例に係るLGA用パッケージ基板の一
部を模式的に示す断面図、図1(B)はプローブが接触
される範囲を模式的に示すLGAパッドの平面図であ
る。
トバイアホールを形成したパッケージ基板を模式的に示
し、図2(A)はLGA用パッケージ基板の一部を模式
的に示す断面図、図2(B)はプローブが接触される位
置を模式的に示すLGAパッドの平面図である。
れていないパッケージ用基板におけるLGAパッド、第
1実施例のパッケージ用基板におけるLGAパッド、及
び、第2実施例のパッケージ用基板におけるLGAパッ
ドの引っ張り(プル)強度及び剪断(シェア)強度の試
験結果を対比して示す表である。
正を行う状態を模式的に示す説明図である。
ながら検査を行う状態を模式的に示す説明図である。
説明図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 マザーボードの接続端子に直接的に又は
間接的に接続される接続パッドと、接続パッドに接続さ
れた内層パターンとを有し、接続パッド内にその接続パ
ッドと内層パターンとを接続する少なくとも1つのフォ
トバイアホールが設けられた半導体パッケージ基板を検
査する半導体パッケージ基板の検査装置であって、 前記接続パッドを上方又は下方に向けた状態で半導体パ
ッケージ基板を固定する固定手段と、 前記固定手段を介して固定された半導体パッケージ基板
に対して、プローブが配設されたプローブユニットを移
動する移動手段とを備え、 半導体パッケージ基板の検査を行う際に移動手段を介し
てプローブユニットを移動させることにより、プローブ
の先端を接続パッドのフォトバイアホールから外れた位
置に配置した後、プローブを接続パッドに接触させて内
層パターンの検査を行うことを特徴とする半導体パッケ
ージ基板の検査装置。 - 【請求項2】 マザーボードの接続端子に直接的に又は
間接的に接続される接続パッドと、接続パッドに接続さ
れた内層パターンとを有し、接続パッド内にその接続パ
ッドと内層パターンとを接続する少なくとも1つのフォ
トバイアホールが設けられた半導体パッケージ基板を検
査する半導体パッケージ基板の検査方法であって、 前記接続パッドを上方又は下方に向けた状態で半導体パ
ッケージ基板を固定する工程と、 固定された半導体パッケージ基板に対して、プローブが
配設されたプローブユニットを移動し、プローブの先端
を接続パッドのフォトバイアホールから外れた位置に配
置する工程と、 プローブを接続パッドに接触して内層パターンの検査を
行う工程とからなる半導体パッケージ基板の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26913195A JP3178784B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体パッケージ基板の検査装置及び検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26913195A JP3178784B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体パッケージ基板の検査装置及び検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0992754A JPH0992754A (ja) | 1997-04-04 |
JP3178784B2 true JP3178784B2 (ja) | 2001-06-25 |
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ID=17468131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26913195A Expired - Fee Related JP3178784B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 半導体パッケージ基板の検査装置及び検査方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3178784B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101084525B1 (ko) | 1999-09-02 | 2011-11-18 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 그 제조방법 |
JP4646371B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2011-03-09 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
KR100823767B1 (ko) | 1999-09-02 | 2008-04-21 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 프린트배선판의 제조방법 |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP26913195A patent/JP3178784B2/ja not_active Expired - Fee Related
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