JP3172575B2 - プレグナ−1,4−ジエン−3,20−ジオンのステロイド誘導体の製造法及びその中間体 - Google Patents

プレグナ−1,4−ジエン−3,20−ジオンのステロイド誘導体の製造法及びその中間体

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JP3172575B2 JP11520192A JP11520192A JP3172575B2 JP 3172575 B2 JP3172575 B2 JP 3172575B2 JP 11520192 A JP11520192 A JP 11520192A JP 11520192 A JP11520192 A JP 11520192A JP 3172575 B2 JP3172575 B2 JP 3172575B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プレグナ−1,4
−ジエン−3,20−ジオンのステロイド誘導体の製造
法及びその中間体に関する。
【0002】
【課題を解決するための手段】しかして、本発明の主題
は、次式(V)
【化23】 (ここで、波線は2個の異性体の存在を表わす。化合物
はこれらの異性体の混合物の形で現れる)の化合物を製
造するにあたり、次の一般式(II)
【化24】 (ここで、Rは水素原子、1〜8個の炭素原子を含有す
るアシル基、2〜8個の炭素原子を含有するアルコキシ
カルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は8個
までの炭素原子を含有するアルキル若しくはアリールス
ルホニル基を表わす)の化合物を酸性媒体中で塩素化又
は臭素化剤及びホルミルオキシル化剤で処理して次の一
般式(III)
【化25】 (ここで、Rは前記の通りであり、Halは塩素又は臭
素原子を表わす)の化合物を得、この化合物を強酸の存
在下にアセトンで処理して次の一般式(IV)
【化26】 の化合物を得、この化合物を脱ハロゲン剤で処理して次
の一般式(I)
【化27】 (ここで、Rは前記の通りである)の化合物を得、この
化合物を強酸触媒の存在下にブタナールで処理して次式
(VI)
【化28】 (ここで、R及び波線は前記の通りである)の化合物を
得、この化合物を塩基性媒体中で加溶媒分解に付して式
(V)の所期化合物を得ることを特徴とする式(V)の
化合物の製造法にある。
【0003】Rがアシル基を表わすときは、それは、特
にホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバ
ロイル又はスクシニル基であってよい。Rがアルコキシ
カルボニル又はアラルコキシカルボニル基を表わすとき
は、それは、特にベンジルオキシカルボニル、アリルオ
キシカルボニル、t−ブトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル又はメトキシカルボニル基であってよい。Rが
アルキルスルホニル基を表わすときは、それは、特にメ
チルスルホニル基であってよい。Rがアリールスルホニ
ル基を表わすときは、それは、特にフェニルスルホニル
又はトリルスルホニル基であってよい。
【0004】本発明の特定の主題は、Rがアセチル基を
表す上記の製造法にある。
【0005】塩素化又は臭素化剤は、N−クロル−及び
N−ブロム−アミド、特にN−クロル−及びN−ブロム
−アセトアミド、N−クロル−及びN−ブロム−スクシ
ンイミド、N−クロル−及びN−ブロム−フタルイミ
ド、N,N−ジクロル−及びN,N−ジブロム−ジメチ
ルヒダントインである。また、それは次亜塩素酸又は次
亜臭素酸のエステル、特に次亜塩素酸t−ブチル及び次
亜臭素酸t−ブチルであってよい。ホルミルオキシル化
剤は好ましくはジメチルホルムアミド又はぎ酸である。
前記のように、操作は、酸性媒体中で行われる。しかし
て、ジメチルホルムアミドを使用するときは、操作は、
好ましくは、過塩素酸又はフルオロ硼酸のような強酸の
存在下に行われる。ぎ酸を使用するときは、それはそれ
自体で、又は緩衝媒体中で、ぎ酸ナトリウム又はカリウ
ムの存在下に、適当ならば塩酸のような酸を添加して、
使用される。ケタール化の間に使用される強酸は、例え
ば過塩素酸、フルオロ硼酸、或いはスルホン酸、例えば
メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸若しくはp−ト
ルエンスルホン酸、或いは硫酸、塩酸若しくは臭化水素
酸であってよい。過塩素酸又はフルオロ硼酸が特に好ま
しい。ケタール化は、脱水剤の存在下に、特に酢酸イソ
プロペニルの存在下に行うことができる。ジメトキシプ
ロパン、オルトぎ酸メチル若しくはエチル又はモレキュ
ラーシーブも使用することができる。脱ハロゲンは、水
素化トリブチル錫のような水素化有機錫により、好まし
くはラジカル反応開始剤、例えばアゾビスイソブチロニ
トリル又は過酸化ベンゾイルの存在下に行うことができ
る。操作は、好ましくは、例えばイソプロパノール又は
t−ブタノールのようなアルカノール中で行われる。ま
た、操作は、酢酸エチル、アセトニトリル、トルエン又
はジメチルホルムアミド中で行うことができる。脱ハロ
ゲンは、水素供与体、例えばエタンジチオール、プロパ
ン−1,3−ジチオール若しくはブタンチオールのよう
なチオール、メルカプト酢酸、3−メルカプトプロピオ
ン酸又は次亜りん酸及び前記のようなラジカル反応開始
剤の存在下に、特に国際公開WO90/09394号に
記載の溶媒条件下に、錫(0)若しくは鉛(0)により
又は錫(II)若しくは鉛(II)塩により行うことができ
る。クロム(II)の誘導体、特にクロム(II)塩又はカ
ルボン酸塩、例えば酢酸塩又はステアリン酸塩も、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド又はジメチル
アセトアミドのような極性溶媒中で、前記のような水素
供与体の存在下に使用することができる。最後に、トリ
ス(トリメチルシリル)シランも、前記のようなラジカ
ル反応開始剤の存在下に使用することができる。
【0006】ブタナールとの反応で使用される強酸触媒
は、好ましくは過塩素酸である。フルオロ硼酸も使用す
ることができる。操作は、ハロゲン化溶媒、特に塩化メ
チレン又はクロロホルム中で、好ましくは−5〜+10
℃の温度で行われる。式(VI)の化合物の加溶媒分解
は、好ましくは、触媒量の苛性ソーダ又はカリの存在下
に行われるアルコーリシスである。アルコールは、好ま
しくはメタノール又はエタノールである。操作は、共溶
媒中で行われ、このような共溶媒はジオキサン、テトラ
ヒドロフラン、又は塩化メチレン、クロロホルム若しく
は酢酸エチルであってよい。ジオキサンが特に好まし
い。また、式(VI)の化合物の加溶媒分解は、例えば前
記のような塩基を使用する加水分解であってよい。
【0007】また、本発明に従えば、次の一般式(II)
【化29】 (ここで、Rは水素原子、1〜8個の炭素原子を含有す
るアシル基、2〜8個の炭素原子を含有するアルコキシ
カルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は8個
までの炭素原子を含有するアルキル若しくはアリールス
ルホニル基を表わす)の化合物を酸性媒体中で塩素化又
は臭素化剤及びホルミルオキシル化剤で処理して次の一
般式(III)
【化30】 (ここで、Rは前記の通りであり、Halは塩素又は臭
素原子を表わす)の化合物を得、この化合物を強酸の存
在下にアセトンで処理して次の一般式(IV)
【化31】 の化合物を得、この化合物を強酸触媒の存在下にブタナ
ールで処理して次式(VII)
【化32】 (ここで、Hal、R及び波線は前記の通りである)の
化合物を得、この化合物を脱ハロゲン剤で処理して前記
の式(VI)
【化33】 (ここで、R及び波線は前記の通りである)の化合物を
得、この化合物を塩基性媒体中で加溶媒分解に付して式
(V)の所期化合物を得ることを特徴とする方法によっ
て、前記した通りの式(V)の化合物を製造することが
可能である。
【0008】この製造法を実施するための条件は、相当
する反応について上で説明した条件と同じである。
【0009】本発明のさらに特定の主題は、Rがアセチ
ル基を表す上記の製造法にある。
【0010】また、本発明の主題は、次式(VIII)
【化34】 の化合物を製造に製造するにあたり、次の一般式(II)
【化35】 (ここで、Rは水素原子、1〜8個の炭素原子を含有す
るアシル基、2〜8個の炭素原子を含有するアルコキシ
カルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は8個
までの炭素原子を含有するアルキル若しくはアリールス
ルホニル基を表わす)の化合物を酸性媒体中で塩素化又
は臭素化剤及びホルミルオキシル化剤で処理して次の一
般式(III)
【化36】 (ここで、Rは前記の通りであり、Halは塩素又は臭
素原子を表わす)の化合物を得、この化合物を強酸の存
在下にアセトンで処理して次の一般式(IV)
【化37】 の化合物を得、この化合物を脱ハロゲン剤で処理して次
の一般式(I)
【化38】 (ここで、Rは前記の通りである)の化合物を得、この
化合物を塩基性媒体中で加溶媒分解に付して式(VIII)
の所期化合物を得ることを特徴とする式(VIII)の化合
物の製造法にある。
【0011】本発明のさらに特定の主題は、Rがアセチ
ル基を表す上記の製造法にある。
【0012】この製造法を実施するための条件は、相当
する反応について上で説明した条件と同じである。
【0013】最後に、本発明の主題は、新規な工業用化
合物としての ・次式(III)
【化39】 (ここで、Hal及びRは上で記載した通りである)の
化合物; ・次式(IV)
【化40】 (ここで、Hal及びRは上で記載した通りである)の
化合物; ・次式(I)
【化41】 (ここで、Rは2〜8個の炭素原子を含有するアルコキ
シカルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は多
くとも8個の炭素原子を含有するアルキル若しくはアリ
ールスルホニル基を表わす)の化合物; ・次式(VI)
【化42】 (ここで、R及び波線は上で記載した通りである)の化
合物; ・次式(VII)
【化43】 (ここで、Hal及びRは上で記載した通りである)の
化合物にある。
【0014】式(V)及び(VIII)の化合物は、文献で、
特に仏国特許第2185405号及び米国特許第299
0401号においてブデソナイド及びデソナイドの名称
で知られた薬理活性化合物である。これらの文献、仏国
特許第2185405号及び米国特許第2990401
号並びにヨーロッパ特許公開第164636号は、11
β,16α,17α−ヒドロキシ又は11βーヒドロキ
シ−16,17−アセトニド型の中間体をいずれも使用
する合成を記載している。本出願で説明した合成は、ホ
ルミルブロムヒドロリン又はクロルヒドリンの形で保護
された11β−ヒドロキシ誘導体に直ちに転化される1
6α,17α−ジヒドロキシ−Δ9(11)−誘導体を
使用するという点で上記の文献の合成から区別されるも
のである。さらに、文献、独国特許第2360444号
は、式(I)の化合物と関連する16α,17α−イソ
プロピリデンジオキシ−11β−ホルミルオキシ−21
−ヒドロキシ及びホルミルオキシプレグナ−1,4−ジ
エン−3,20−ジオンを記載している。
【0015】本発明の製造法の開始時において使用され
る式(II)の化合物は、例えば米国特許第299843
3号及び同3047468号に記載されており、又はこ
れらの特許に記載の中間体化合物から当業者に知られた
方法により得ることができる。
【0016】
【実施例】下記の例は本発明を例示するものであって、
本発明を何ら制限するものではない。
【0017】例1:(11β,16α)−21−(アセ
チルオキシ)−11−(ホルミルオキシ)−16,17
−[(1−メチルエチリデン)ビス(オキシ)]プレグ
ナ−1,4−ジエン−3,20−ジオン工程A :(9α,11β,16α)−21−(アセチル
オキシ)−16,17−ジヒドロキシ−9−ブロム−1
1−(ホルミルオキシ)プレグナ−1,4−ジエン−
3,20−ジオン 80gの(16α)−21−(アセチルオキシ)−1
6,17−ジヒドロキシプレグナ−1,4,9(11)
−トリエン−3,20−ジオンと480ccのジメチル
ホルムアミドを周囲温度で不活性ガスなしで暗所におい
て混合し、次いでこの混合物に42.64gのN−ブロ
ムスクシンイミドを+5〜+10℃で撹拌下に添加し、
次いで42.6ccの55度ボーメ過塩素酸を107c
cの水に溶解してなる溶液を、温度を+20〜+22℃
に上昇させながら、約30分間で添加する。混合物を周
囲温度で3時間30分撹拌し続け、次いで水−氷混合物
中に注ぐ。結晶を分離し、水洗し、乾燥する。102.
3gの所期化合物を得た。これをジメチルホルムアミド
に溶解し、水を添加し、結晶を分離し、メタノール中で
ペースト状にすることによって再結晶する。Mp=ほぼ
260℃(分解)。[α]20 D =+111.5±3°
(c=1%DMF)。工程B :(9α,11β,16α)−21−(アセチル
オキシ)−9−ブロム−11−(ホルミルオキシ)−1
6,17−[(1−メチルエチリデン)ビス(オキ
シ)]プレグナ−1,4−ジエン−3,20−ジオン 工程Aで得た200gの化合物、75ccの酢酸イソプ
ロピル及び1リットルのアセトンを不活性ガス雰囲気下
に20℃で混合し、次いで1ccの55度ボーメ過塩素
酸を添加する。混合物を3時間還流させ、次いで20℃
に冷却し、80ccのトリエチルアミンを添加する。反
応混合物を30℃で減圧下に濃縮し、次いで600cc
のメタノールを添加することにより容積を一定に保持し
ながらアセトンを留去する。次いで200ccの水を2
0℃でゆっくりと添加し、次いで0〜+5℃に冷却し、
結晶を分離する。結晶をメタノール−水混合物で洗浄
し、乾燥し、211.4gの所期化合物を得た。Mp=
207.5℃。NMRスペクトル (CDCl3 、300MHz、pp
m) 18CH3 :0.86(s);19CH3 :1.24
(s);対のジCH3 :1.51−1.57(s);C
3 C:2.17(s);COCH2 −O:4.74−
4.97(d);H11:5.93(tl);H4 :6.
09(tl);H16:5.00(d);H2 :6.34
(dd);H1 :6.84(d);CHO:8.13
(s)工程C :(11β,16α)−21−(アセチルオキ
シ)−11−(ホルミルオキシ)−16,17−[(1
−メチルエチリデン)ビス(オキシ)]プレグナ−1,
4−ジエン−3,20−ジオン 工程Bで得た200gの化合物と1リットルのt−ブタ
ノールを20℃で不活性ガス雰囲気下に混合する。混合
物をゆっくりと還流させ、次いで0.5gのアゾビスイ
ソブチロニトリルを添加し、次いで145.4gの水素
化トリブチル錫を約1時間で添加する。3時間還流し続
け、次いで1.5リットルのメチルシクロヘキサン−シ
クロヘキサン混合物を添加することにより容積を一定に
保持しながらt−ブタノールを留去する。混合物を1時
間で約3℃まで冷却し、結晶をろ過し、メチルシクロヘ
キサン−シクロヘキサン混合物で洗浄し、乾燥する。1
63.5gの所期化合物を得た。Mp=240.5℃。NMRスペクトル (CDCl3 、300MHz、pp
m) 18CH3 :0.85(s);19CH3 :1.32
(s);対のジメチル:1.22及び1.45(s);
OCOCH3 :2.17(s);COCH2 −OCOC
3 :4.71(d,J=18)及び4.99(d,J
=18);H16:5.00(d,J=3.5);H11
5.72;H4 :6.05(s);H2 :6.30
(d,d);H1 :6.95(d);その他のCH及び
CH2 :1.15−2.6
【0018】例2:(11β,16α)−11,21−
ジヒドロキシ−16,17−[ブチリデンビス(オキ
シ)]プレグナ−1,4−ジエン−3,20−ジオン工程A :(11β,16α)−21−(アセチルオキ
シ)−16,17−[ブチリデンビス(オキシ)]−1
1−(ホルミルオキシ)プレグナ−1,4−ジエン−
3,20−ジオン 例1に記載のようにして得た200gの化合物と120
0ccの塩化メチレンを不活性ガス雰囲気下に周囲温度
で混合する。この混合物に90ccのブタナールを0±
1℃で添加し、次いで温度を0±1℃に保持しながら約
5分間で100ccの72%過塩素酸を添加する。混合
物を同じ温度で2時間30分撹拌し続け、次いで2リッ
トルの重炭酸ナトリウム飽和水溶液を添加することによ
り中和し、混合物を0±2℃で30分間撹拌する。次い
で190gのメタ重亜硫酸ナトリウムを添加し、混合物
を0±2℃で30分間撹拌し続け、次いで周囲温度に再
加熱し、デカンテーションし、水性相を塩化メチレンで
抽出し、一緒にした有機相を水洗し、乾燥し、20gの
活性炭で処理する。シクロヘキサン−メチルシクロヘキ
サン混合物を添加することにより容積を一定に保持しな
がら塩化メチレンを留去し、懸濁液を0±1℃で1時間
撹拌し、200.4gの所期化合物を得た。これはその
まま次の工程に使用する。NMRスペクトル (CDCl3 、300MHz、pp
m) 18CH3 :0.86及び0.91;19CH3 :1.
32(s);ブチリデンのCH3 :0.92(t)及び
0.94(t);OAc:2.15及び2.16
(s);O−CH−O:4.63(t)及び5.20
(t);H16:4.86(d)及び5.14(d);C
O−CH2 −O−CO:4.71−4.88;H11
5.71(m);H4 :6.04;H2 :6.28(分
割されたd,d);H1 :6.94(分割されたd);
OCH−O:8.17(s)工程B :(11β,16α)−11,21−ジヒドロキ
シ−16,17−[ブチリデンビス(オキシ)]プレグ
ナ−1,4−ジエン−3,20−ジオン 工程Aで得た190gの化合物と1140ccのジオキ
サンを不活性ガス雰囲気下に周囲温度で混合し、次いで
溶媒を30〜35℃で35〜40mmHgの圧力下に存
在する水が除去されるまで蒸留し、約1リットルの容積
とする。20〜25℃に冷却した後、950ccのメタ
ノールを添加し、次いで10℃±1℃に冷却し、92c
cの0.96Mメタノール苛性カリ溶液を添加する。1
時間撹拌し、次いでやはり10℃±1℃で2ccの酢酸
を添加する。再度30分間撹拌し、次いで9.5gの活
性炭で処理する。その溶液を約65℃にした950cc
の水に35〜40mmHgの圧力下でゆっくりと添加す
る共に一定の容積を保持しながら蒸留を行い、次いで得
られた懸濁液を冷却し、周囲温度で2時間撹拌する。得
られた結晶を分離し、水洗し、次いで乾燥する。15
9.3gの所期化合物を得た。この化合物を水とメチル
イソブチルケトンとの混合物(3/1)の5容に溶解
し、1時間撹拌しながら約60℃となし、次いで2時間
で20℃に冷却し、結晶を分離し、メチルイソブチルケ
トンで洗浄し、次いでかんそうすることにより精製す
る。最終的に137.7gの所期化合物を得た。 [α]25 D =103.3(1%、CH2 Cl2 )。NMRスペクトル (CDCl3 、300MHz、pp
m) 18CH3 :0.93及び0.99(s);19CH
3 :1.46(s);ブチリデンのCH3 :0.92
(t)及び0.93(t);CO−CH2 −O:4.2
0(d)及び4.63(d)、4.27(d)及び4.
52(d);H11:4.52(m);O−CH−O:
4.55(t)及び5.17(t);H16:4.90
(d);H4 :6.03;H2 :6.28(分割された
d,d);H1 :7.30(分割されたd)
【0019】例3:(11β,16α)−11,21−
ジヒドロキシ−16,17−[(1−メチルエチリデ
ン)ビス(オキシ)]プレグナ−1,4−ジエン−3,
20−ジオン 例1に記載のように得た140gの化合物、700cc
のメタノール及び700ccのジオキサンを不活性ガス
雰囲気下に周囲温度で混合する。混合物を10℃±1℃
に冷却し、33.5ccの0.86Mメタノール苛性カ
リ溶液を5分間で添加し、次いで全体を同じ温度で1時
間撹拌し続ける。次に0.8ccの酢酸を添加し、次い
で7gの活性炭で処理する。その溶液を700ccの水
に約25℃で50〜60mmHgの圧力下にゆっくりと
注ぐと共に一定の容積を保持するように蒸留を行う。添
加が終わったならば、140ccの水を同じ条件で添加
し、次いで全体を約10℃に冷却し、1時間撹拌する。
結晶を分離し、水洗し、乾燥する。118gの所期化合
物を得た。この化合物を590ccのエタノール中で熱
間でペースト状にし、次いで分離し、乾燥する。106
gの化合物を423ccのジメチルホルムアミドに溶解
してなる溶液を約50℃にした423ccの水に注ぎ入
れることにより新たに精製を行う。約+15℃に冷却し
た後、結晶を分離し、乾燥する。103.6の所期化合
物を得た。Mp=281℃。NMRスペクトル (CDCl3 、300MHz、pp
m) 18CH3 :0.89(s);21OH:3.11
(t,J=5Hz);21CH3 :4.17(dd,J
=5及び20Hz)、4.67(dd,J=5及び20
Hz);H11:4.51(m);H16:5.05
(d);H4 :6.03(s);H2 :6.28(d,
d);H1 :7.28(d)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07J 71/00 A61K 31/57 C07J 5/00 CA(STN)

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次式(V) 【化1】 (ここで、波線は2個の異性体の存在を表わす。化合物
    はこれらの異性体の混合物の形で現れる)の化合物を製
    造するにあたり、次の一般式(II) 【化2】 (ここで、Rは水素原子、1〜8個の炭素原子を含有す
    るアシル基、2〜8個の炭素原子を含有するアルコキシ
    カルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は8個
    までの炭素原子を含有するアルキル若しくはアリールス
    ルホニル基を表わす)の化合物を酸性媒体中で塩素化又
    は臭素化剤及びホルミルオキシル化剤で処理して次の一
    般式(III) 【化3】 (ここで、Rは前記の通りであり、Halは塩素又は臭
    素原子を表わす)の化合物を得、この化合物を強酸の存
    在下にアセトンで処理して次の一般式(IV) 【化4】 の化合物を得、この化合物を脱ハロゲン剤で処理して次
    の一般式(I) 【化5】 (ここで、Rは前記の通りである)の化合物を得、この
    化合物を強酸触媒の存在下にブタナールで処理して次式
    (VI) 【化6】 (ここで、R及び波線は前記の通りである)の化合物を
    得、この化合物を塩基性媒体中で加溶媒分解に付して式
    (V)の所期化合物を得ることを特徴とする式(V)の
    化合物の製造法。
  2. 【請求項2】 Rがアセチル基を表す請求項1に記載の
    製造法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の製造法において、 ・塩素化又は臭素化剤がN−クロル−及びN−ブロム−
    アセトアミド、N−クロル−及びN−ブロム−スクシン
    イミド、N−クロル−及びN−ブロム−フタルイミド、
    N,N−ジクロル−及びN,N−ジブロム−ジメチルヒ
    ダントイン、次亜塩素酸t−ブチル及び次亜臭素酸t−
    ブチルより成る群から選択され、 ・ホルミルオキシル化剤がジメチルホルムアミド又はぎ
    酸であり、 ・ケタール化中に使用される強酸が過塩素酸又はフルオ
    ロ硼酸であり、 ・ケタール化が脱水剤の存在下に行われ、 ・脱ハロゲンがラジカル反応開始剤の存在下に水素化ト
    リブチル錫の作用により行われ、 ・強酸触媒が過塩素酸であり、 ・最終の加溶媒分解がジオキサン中でメタノール苛性ソ
    ーダ又はカリを使用するアルコーリシスであることを特
    徴とする請求項1又は2記載の製造法。
  4. 【請求項4】 次式(V) 【化7】 (ここで、波線は2個の異性体の存在を表わす。化合物
    はこれらの異性体の混合物の形で現れる)の化合物を製
    造するにあたり、次の一般式(II) 【化8】 (ここで、Rは水素原子、1〜8個の炭素原子を含有す
    るアシル基、2〜8個の炭素原子を含有するアルコキシ
    カルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は多く
    とも8個の炭素原子を含有するアルキル若しくはアリー
    ルスルホニル基を表わす)の化合物を酸性媒体中で塩素
    化又は臭素化剤及びホルミルオキシル化剤で処理して次
    の一般式(III) 【化9】 (ここで、Rは前記の通りであり、Halは塩素又は臭
    素原子を表わす)の化合物を得、この化合物を強酸の存
    在下にアセトンで処理して次の一般式(IV) 【化10】 の化合物を得、この化合物を強酸触媒の存在下にブタナ
    ールで処理して次式(VII) 【化11】 (ここで、Hal、R及び波線は前記の通りである)の
    化合物を得、この化合物を脱ハロゲン剤で処理して前記
    の式(VI) 【化12】 の化合物を得、この化合物を塩基性媒体中で加溶媒分解
    に付して式(V)の所期化合物を得ることを特徴とする
    式(V)の化合物の製造法。
  5. 【請求項5】 Rがアセチル基を表わすことを特徴とす
    る請求項4に記載の製造法。
  6. 【請求項6】 請求項4又は5に記載の製造法におい
    て、 ・塩素化又は臭素化剤がN−クロル−及びN−ブロム−
    アセトアミド、N−クロル−及びN−ブロム−スクシン
    イミド、N−クロル−及びN−ブロム−フタルイミド、
    N,N−ジクロル−及びN,N−ジブロム−ジメチルヒ
    ダントイン、次亜塩素酸t−ブチル及び次亜臭素酸t−
    ブチルより成る群から選択され、 ・ホルミルオキシル化剤がジメチルホルムアミド又はぎ
    酸であり、 ・ケタール化中に使用される強酸が過塩素酸又はフルオ
    ロ硼酸であり、 ・ケタール化が脱水剤の存在下に行われ、 ・強酸触媒が過塩素酸であり、 ・脱ハロゲンがラジカル反応開始剤の存在下に水素化ト
    リブチル錫の作用により行われ、 ・最終の加溶媒分解がジオキサン中でメタノール苛性ソ
    ーダ又はカリを使用するアルコーリシスであることを特
    徴とする請求項4又は5に記載の製造法。
  7. 【請求項7】 次式(VIII) 【化13】 の化合物を製造に製造するにあたり、次の一般式(II) 【化14】 (ここで、Rは水素原子、1〜8個の炭素原子を含有す
    るアシル基、2〜8個の炭素原子を含有するアルコキシ
    カルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は多く
    とも8個の炭素原子を含有するアルキル若しくはアリー
    ルスルホニル基を表わす)の化合物を酸性媒体中で塩素
    化又は臭素化剤及びホルミルオキシル化剤で処理して次
    の一般式(III) 【化15】 (ここで、Rは前記の通りであり、Halは塩素又は臭
    素原子を表わす)の化合物を得、この化合物を強酸の存
    在下にアセトンで処理して次の一般式(IV) 【化16】 の化合物を得、この化合物を脱ハロゲン剤で処理して次
    の一般式(I) 【化17】 (ここで、Rは前記の通りである)の化合物を得、この
    化合物を塩基性媒体中で加溶媒分解に付して式(VIII)
    の所期化合物を得ることを特徴とする式(VIII)の化合
    物の製造法。
  8. 【請求項8】 Rがアセチル基を表わすことを特徴とす
    る請求項7に記載の製造法。
  9. 【請求項9】 請求項7又は8に記載の製造法におい
    て、 ・塩素化又は臭素化剤がN−クロル−及びN−ブロム−
    アセトアミド、N−クロル−及びN−ブロム−スクシン
    イミド、N−クロル−及びN−ブロム−フタルイミド、
    N,N−ジクロル−及びN,N−ジブロム−ジメチルヒ
    ダントイン、次亜塩素酸t−ブチル及び次亜臭素酸t−
    ブチルより成る群から選択され、 ・ホルミルオキシル化剤がジメチルホルムアミド又はぎ
    酸であり、 ・ケタール化中に使用される強酸が過塩素酸又はフルオ
    ロ硼酸であり、 ・ケタール化が脱水剤の存在下に行われ、 ・脱ハロゲンがラジカル反応開始剤の存在下に水素化ト
    リブチル錫の作用により行われ、 ・最終の加溶媒分解がジオキサン中でメタノール苛性ソ
    ーダ又はカリを使用するアルコーリシスであることを特
    徴とする請求項7又は8に記載の製造法。
  10. 【請求項10】 新規な工業用化合物としての次式(II
    I) 【化18】 (ここで、Hal及びRは請求項1に記載の通りであ
    る)の化合物。
  11. 【請求項11】 新規な工業用化合物としての次式(I
    V) 【化19】 (ここで、Hal及びRは請求項1に記載の通りであ
    る)の化合物。
  12. 【請求項12】 新規な工業用化合物としての次式
    (I) 【化20】 (ここで、Rは2〜8個の炭素原子を含有するアルコキ
    シカルボニル若しくはアラルコキシカルボニル基又は多
    くとも8個の炭素原子を含有するアルキル若しくはアリ
    ールスルホニル基を表わす)の化合物。
  13. 【請求項13】 新規な工業用化合物としての次式(V
    I) 【化21】 (ここで、R及び波線は請求項1に記載の通りである)
    の化合物。
  14. 【請求項14】 新規な工業用化合物としての次式(VI
    I) 【化22】 (ここで、Hal及びRは請求項1に記載の通りであ
    る)の化合物。
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