JP3171150B2 - 配線修正方法および装置 - Google Patents
配線修正方法および装置Info
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- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
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- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は配線修正方法および
装置に関し、特にプラズマディスプレイや液晶ディスプ
レイ等の断線欠陥部を修正する配線修正方法および装置
に関する。
装置に関し、特にプラズマディスプレイや液晶ディスプ
レイ等の断線欠陥部を修正する配線修正方法および装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の配線修正方法としては、
原料ガス雰囲気中でレーザ光を照射して導電性物質を堆
積させることにより結線を行うレーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知
られている。
原料ガス雰囲気中でレーザ光を照射して導電性物質を堆
積させることにより結線を行うレーザＣＶＤ（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知
られている。
【０００３】例えば、特開平２−１４６７２４号公報に
は、ＣＶＤ原料ガスと接触する試料の表面上にレーザ光
を照射することにより、主にＣＶＤ原料ガスの熱解離反
応を利用して試料の表面のレーザ光照射部分およびその
周辺にのみ選択的に薄膜を形成する「レーザＣＶＤ装
置」が記載されている。
は、ＣＶＤ原料ガスと接触する試料の表面上にレーザ光
を照射することにより、主にＣＶＤ原料ガスの熱解離反
応を利用して試料の表面のレーザ光照射部分およびその
周辺にのみ選択的に薄膜を形成する「レーザＣＶＤ装
置」が記載されている。
【０００４】そして、このレーザＣＶＤ法によれば、最
小数μｍ程度の細い線を顕微鏡光学系の観察分解能程度
の位置決め精度で、正確に修正することができるとして
いる。
小数μｍ程度の細い線を顕微鏡光学系の観察分解能程度
の位置決め精度で、正確に修正することができるとして
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のレーザＣＶＤによる配線修正方法では、原料ガスに
毒性のある有機金属化合物を使用しているので、ガス漏
れを防止するガス制御機構が不可欠であり、レーザＣＶ
Ｄ装置が複雑になって高価になるという問題点があっ
た。
来のレーザＣＶＤによる配線修正方法では、原料ガスに
毒性のある有機金属化合物を使用しているので、ガス漏
れを防止するガス制御機構が不可欠であり、レーザＣＶ
Ｄ装置が複雑になって高価になるという問題点があっ
た。
【０００６】また、原料を気相から供給するために原料
供給速度が原料の蒸気圧に律束され、その結果、プラズ
マディスプレイの修正等で必要になる幅が３０μｍ，厚
みが２μｍ，長さが１００μｍなどの厚膜を形成すると
きに、ＣＶＤ時間が数１０分もかかって、実用的なスル
ープットが得られないという問題点があった。
供給速度が原料の蒸気圧に律束され、その結果、プラズ
マディスプレイの修正等で必要になる幅が３０μｍ，厚
みが２μｍ，長さが１００μｍなどの厚膜を形成すると
きに、ＣＶＤ時間が数１０分もかかって、実用的なスル
ープットが得られないという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、原料として磁性体粉末を
使用することにより、基板上の厚く長い配線欠陥の修正
を行う際にも、数分間の非常に短い時間で導電性に優れ
る金属配線により配線修正を行うことが可能な配線修正
方法および装置を提供することにある。
使用することにより、基板上の厚く長い配線欠陥の修正
を行う際にも、数分間の非常に短い時間で導電性に優れ
る金属配線により配線修正を行うことが可能な配線修正
方法および装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明によれば、基
板上の断線欠陥部を修正する配線修正方法において、原
料の磁性体粉末を満たした原料容器に着磁させた吸着用
磁石を内蔵したアームを挿入する第１の工程と、前記ア
ームを前記基板上の前記断線欠陥部の真上に搬送する第
２の工程と、着磁した前記吸着用磁石を脱磁させて前記
基板上に前記原料の前記磁性体粉末を付着させる第３の
工程と、この第３の工程で付着した前記磁性体粉末にレ
ーザ光を照射して前記断線欠陥部に焼結させる第４の工
程と、前記断線欠陥部に回収用磁石を近づけて前記基板
上の余分な前記原料を回収する第５の工程とを備えるこ
とを特徴とする配線修正方法が得られる。
板上の断線欠陥部を修正する配線修正方法において、原
料の磁性体粉末を満たした原料容器に着磁させた吸着用
磁石を内蔵したアームを挿入する第１の工程と、前記ア
ームを前記基板上の前記断線欠陥部の真上に搬送する第
２の工程と、着磁した前記吸着用磁石を脱磁させて前記
基板上に前記原料の前記磁性体粉末を付着させる第３の
工程と、この第３の工程で付着した前記磁性体粉末にレ
ーザ光を照射して前記断線欠陥部に焼結させる第４の工
程と、前記断線欠陥部に回収用磁石を近づけて前記基板
上の余分な前記原料を回収する第５の工程とを備えるこ
とを特徴とする配線修正方法が得られる。
【０００９】
【００１０】次に、第２の発明によれば、基板上の断線
欠陥部を修正する配線修正装置において、原料の磁性体
粉末を満たした原料容器と、前記磁性体粉末を吸着する
ための吸着用磁石を内蔵したアームと、このアームを前
記原料容器と前記基板上の修正すべき前記断線欠陥部と
の間を移動させる移動機構と、前記アームの着磁および
脱磁をそれぞれ行う着磁ユニットおよび脱磁ユニット
と、レーザ光を発生するレーザ光源と、前記レーザ光を
前記断線欠陥部に照射するとともに断線箇所を観察する
照射光学系と、前記基板を保持するとともに前記レーザ
光の前記基板上の照射位置を移動させるＸ−Ｙステージ
と、前記レーザ光の照射後の前記基板上の余分な前記原
料の前記磁性体粉末を回収するための回収用磁石とを備
えることを特徴とする配線修正装置が得られる。
欠陥部を修正する配線修正装置において、原料の磁性体
粉末を満たした原料容器と、前記磁性体粉末を吸着する
ための吸着用磁石を内蔵したアームと、このアームを前
記原料容器と前記基板上の修正すべき前記断線欠陥部と
の間を移動させる移動機構と、前記アームの着磁および
脱磁をそれぞれ行う着磁ユニットおよび脱磁ユニット
と、レーザ光を発生するレーザ光源と、前記レーザ光を
前記断線欠陥部に照射するとともに断線箇所を観察する
照射光学系と、前記基板を保持するとともに前記レーザ
光の前記基板上の照射位置を移動させるＸ−Ｙステージ
と、前記レーザ光の照射後の前記基板上の余分な前記原
料の前記磁性体粉末を回収するための回収用磁石とを備
えることを特徴とする配線修正装置が得られる。
【００１１】そして、前記吸着用磁石は電磁コイルを備
えることを特徴とする配線修正装置が得られる。
えることを特徴とする配線修正装置が得られる。
【００１２】また、前記アームは前記吸着用磁石の周囲
を非磁性体で覆うとともに前記基板に対向する面に溝状
の凹み部を有することを特徴とする配線修正装置が得ら
れる。
を非磁性体で覆うとともに前記基板に対向する面に溝状
の凹み部を有することを特徴とする配線修正装置が得ら
れる。
【００１３】さらに、前記アームの幅は前記基板上の前
記断線欠陥部の配線の幅をカバーするサイズであること
を特徴とする配線修正装置が得られる。
記断線欠陥部の配線の幅をカバーするサイズであること
を特徴とする配線修正装置が得られる。
【００１４】さらにまた、前記脱磁ユニットはヒータで
あることを特徴とする配線修正装置が得られる。
あることを特徴とする配線修正装置が得られる。
【００１５】そしてまた、前記原料の前記磁性体粉末は
ニッケルの微粉末およびコバルトの微粉末のいずれかを
含むことを特徴とする配線修正方法もしくは配線修正装
置が得られる。
ニッケルの微粉末およびコバルトの微粉末のいずれかを
含むことを特徴とする配線修正方法もしくは配線修正装
置が得られる。
【００１６】さらに、前記原料容器内および前記基板上
の雰囲気を不活性ガスから構成される雰囲気に保持する
ことを特徴とする配線修正方法もしくは配線修正装置が
得られる。
の雰囲気を不活性ガスから構成される雰囲気に保持する
ことを特徴とする配線修正方法もしくは配線修正装置が
得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１８】まず、第１の発明の配線修正方法について
説明すると、図１は第１の発明の配線修正方法の一実施
形態を示す工程図であり、（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）および（ｅ）はそれぞれ第１，第２，第３，第４
および第５の工程を示す。
説明すると、図１は第１の発明の配線修正方法の一実施
形態を示す工程図であり、（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）および（ｅ）はそれぞれ第１，第２，第３，第４
および第５の工程を示す。
【００１９】図１を参照すると、図１（ａ）に示す第１
の工程は、ニッケル（Ｎｉ）微粉末から構成される磁性
体粉末１５を満たした原料容器１１に着磁した吸着用磁
石１４を内部に設けたアーム９を近づけ、アーム９に磁
性体粉末１５を吸着させる原料取出し工程である。
の工程は、ニッケル（Ｎｉ）微粉末から構成される磁性
体粉末１５を満たした原料容器１１に着磁した吸着用磁
石１４を内部に設けたアーム９を近づけ、アーム９に磁
性体粉末１５を吸着させる原料取出し工程である。
【００２０】次に、図１（ｂ）に示す第２の工程は、磁
性体粉末１５を吸着させたアーム９を基板８上に搬送す
る原料搬送工程である。
性体粉末１５を吸着させたアーム９を基板８上に搬送す
る原料搬送工程である。
【００２１】次に、図１（ｃ）に示す第３の工程は、基
板８上の断線欠陥部の真上にアーム９を置き、吸着用磁
石１４を脱磁することにより、磁性体粉末１５を基板８
上の断線欠陥部に落下させ、基板８上に原料の磁性体粉
末１５を付着させる原料付着工程である。
板８上の断線欠陥部の真上にアーム９を置き、吸着用磁
石１４を脱磁することにより、磁性体粉末１５を基板８
上の断線欠陥部に落下させ、基板８上に原料の磁性体粉
末１５を付着させる原料付着工程である。
【００２２】次に、図１（ｄ）に示す第４の工程は、基
板８上の断線欠陥部をなぞるようにレーザ光１６を照射
して基板８上の磁性体粉末１５を焼結する原料焼結工程
である。この第４の工程で焼結することにより、Ｎｉ微
粉末が配線になり、断線欠陥部の断線箇所が結線され
る。
板８上の断線欠陥部をなぞるようにレーザ光１６を照射
して基板８上の磁性体粉末１５を焼結する原料焼結工程
である。この第４の工程で焼結することにより、Ｎｉ微
粉末が配線になり、断線欠陥部の断線箇所が結線され
る。
【００２３】次に、図１（ｅ）に示す第５を工程は、第
４の工程で修正された断線箇所（修正部）に回収用磁石
１７を近づけ、修正部の周囲に飛び散った磁性体粉末の
余分な原料１８を矢印で示すように回収用磁石１７に吸
着して基板８上の「ごみ」を除去する余分原料回収工程
である。
４の工程で修正された断線箇所（修正部）に回収用磁石
１７を近づけ、修正部の周囲に飛び散った磁性体粉末の
余分な原料１８を矢印で示すように回収用磁石１７に吸
着して基板８上の「ごみ」を除去する余分原料回収工程
である。
【００２４】なお、第１乃至第５の各工程はそれぞれ長
くとも３０秒程度の時間で行うことが可能であり、配線
幅が４０μｍ，厚みが２μｍ，配線長が１００μｍの断
線箇所を修正する時間は約３分間である。
くとも３０秒程度の時間で行うことが可能であり、配線
幅が４０μｍ，厚みが２μｍ，配線長が１００μｍの断
線箇所を修正する時間は約３分間である。
【００２５】つまり、本実施形態の配線修正方法によれ
ば、従来のレーザＣＶＤによる配線修正方法と比較して
格段に短い時間で、配線修正を行うことができる。
ば、従来のレーザＣＶＤによる配線修正方法と比較して
格段に短い時間で、配線修正を行うことができる。
【００２６】また、原料は不純物のない金属体のみであ
るため、焼結した配線の比抵抗値は、通常のバルクの２
倍以下の非常に低い良好な値が得られる。
るため、焼結した配線の比抵抗値は、通常のバルクの２
倍以下の非常に低い良好な値が得られる。
【００２７】次に、第２の発明の配線修正装置について
説明すると、図２は第２の発明の配線修正装置の一実施
形態を示す側面透視図、図３は図２におけるアーム部を
拡大して示す部分斜視図である。
説明すると、図２は第２の発明の配線修正装置の一実施
形態を示す側面透視図、図３は図２におけるアーム部を
拡大して示す部分斜視図である。
【００２８】図２を参照すると、本発明の基板上の断線
欠陥部を修正する配線修正装置の一実施形態は、原料の
磁性体粉末１５を満たした原料容器１１と、磁性体粉末
１５を吸着するための吸着用磁石を内蔵したアーム９
と、このアーム９を原料容器１１と基板８上の修正すべ
き断線欠陥部との間を移動させる移動機構６と、アーム
９の着磁および脱磁をそれぞれ行う着磁ユニット１０お
よび脱磁ユニット５と、レーザ光を発生するレーザ光源
１と、レーザ光を断線欠陥部に照射するとともに断線箇
所を観察する照射光学系２と、基板８を保持するととも
にレーザ光の基板８上の照射位置を移動させるＸ−Ｙス
テージ７と、レーザ光の照射後の基板８上の余分な原料
の磁性体粉末を回収するための回収用磁石１７とを備え
ている。
欠陥部を修正する配線修正装置の一実施形態は、原料の
磁性体粉末１５を満たした原料容器１１と、磁性体粉末
１５を吸着するための吸着用磁石を内蔵したアーム９
と、このアーム９を原料容器１１と基板８上の修正すべ
き断線欠陥部との間を移動させる移動機構６と、アーム
９の着磁および脱磁をそれぞれ行う着磁ユニット１０お
よび脱磁ユニット５と、レーザ光を発生するレーザ光源
１と、レーザ光を断線欠陥部に照射するとともに断線箇
所を観察する照射光学系２と、基板８を保持するととも
にレーザ光の基板８上の照射位置を移動させるＸ−Ｙス
テージ７と、レーザ光の照射後の基板８上の余分な原料
の磁性体粉末を回収するための回収用磁石１７とを備え
ている。
【００２９】Ｘ−Ｙステージ７の上に置かれたプラズマ
ディスプレイ用の基板８は、断線欠陥部の観察を行うモ
ニタＴＶ３および対物レンズ４を備える照射光学系２に
よって表面状態を観察することができる構成となってい
る。
ディスプレイ用の基板８は、断線欠陥部の観察を行うモ
ニタＴＶ３および対物レンズ４を備える照射光学系２に
よって表面状態を観察することができる構成となってい
る。
【００３０】ＱｓｗＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波を
発生するレーザ光源１からの出射光は、照射光学系２に
より基板８にスリットイメージを縮小転写して照射する
構成となっている。
発生するレーザ光源１からの出射光は、照射光学系２に
より基板８にスリットイメージを縮小転写して照射する
構成となっている。
【００３１】磁性体粉末１５から構成される原料を供給
する原料容器１１には、平均直径が０．２μｍのＮｉ微
粉末が満たされ、移動機構６により上下および回転動作
を行うアーム９が原料容器１１と基板８との間を往き来
する構成をとっている。
する原料容器１１には、平均直径が０．２μｍのＮｉ微
粉末が満たされ、移動機構６により上下および回転動作
を行うアーム９が原料容器１１と基板８との間を往き来
する構成をとっている。
【００３２】図３に示す吸着用磁石１４を内蔵したアー
ム９には脱磁ユニット５が組み込まれ、アーム９の移動
通路の下に着磁ユニット１０が設けられている。
ム９には脱磁ユニット５が組み込まれ、アーム９の移動
通路の下に着磁ユニット１０が設けられている。
【００３３】脱磁ユニット５および着磁ユニット１０は
アーム９の内部に設けられ、図１における第１の工程に
示した適切なタイミングで、吸着用磁石１４の脱磁およ
び着磁を行う。
アーム９の内部に設けられ、図１における第１の工程に
示した適切なタイミングで、吸着用磁石１４の脱磁およ
び着磁を行う。
【００３４】また、回収用磁石１７は断線欠陥部の断線
箇所を修正した後に、基板８上に残った余分な磁性体粉
末を回収するために使用される。
箇所を修正した後に、基板８上に残った余分な磁性体粉
末を回収するために使用される。
【００３５】次に、図３を参照すると、非磁性体の石英
ガラスの中にキュリー温度が１００°Ｃ程度の強力な磁
石であるＮｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石から構成される吸着用磁石
１４を封じ込めたアーム９の下部には原料の磁性体粉末
を吸着する吸着溝１３が設けられ、側面には脱磁ヒータ
１２が設けられ、この脱磁ヒータ１２を１５０°Ｃにす
ると、吸着用磁石１４は脱磁される。
ガラスの中にキュリー温度が１００°Ｃ程度の強力な磁
石であるＮｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石から構成される吸着用磁石
１４を封じ込めたアーム９の下部には原料の磁性体粉末
を吸着する吸着溝１３が設けられ、側面には脱磁ヒータ
１２が設けられ、この脱磁ヒータ１２を１５０°Ｃにす
ると、吸着用磁石１４は脱磁される。
【００３６】続いて、図２および図３を併用して本実施
形態における配線修正の手順について配線修正装置の動
作に合わせて説明する。
形態における配線修正の手順について配線修正装置の動
作に合わせて説明する。
【００３７】まず、基板８をＸ−Ｙステージ７に載せ、
断線欠陥部の断線箇所がモニタＴＶ３の中心にくるよう
にＸ−Ｙステージ７を動かす。
断線欠陥部の断線箇所がモニタＴＶ３の中心にくるよう
にＸ−Ｙステージ７を動かす。
【００３８】次に、吸着用磁石１４を着磁ユニット１０
によって着磁した後、アーム９を移動機構６によって原
料容器１１に挿入して磁性体粉末１５をアーム９の吸着
溝１３に吸着させる。
によって着磁した後、アーム９を移動機構６によって原
料容器１１に挿入して磁性体粉末１５をアーム９の吸着
溝１３に吸着させる。
【００３９】次に、移動機構６によってアーム９を基板
８上の断線欠陥部の断線箇所（被修正箇所）の真上に移
動する。そして、脱磁ユニット５を動作させて磁性体粉
末１５を基板８上の被修正断線箇所の位置に落下させ
る。
８上の断線欠陥部の断線箇所（被修正箇所）の真上に移
動する。そして、脱磁ユニット５を動作させて磁性体粉
末１５を基板８上の被修正断線箇所の位置に落下させ
る。
【００４０】次に、レーザ光源１からレーザ光を基板８
上の断線欠陥部をなぞるように照射して被修正箇所の原
料を焼結して配線を形成する。
上の断線欠陥部をなぞるように照射して被修正箇所の原
料を焼結して配線を形成する。
【００４１】ここで、レーザ照射条件として、パルス繰
返し周波数を４ｋＨｚとし、基板８上のビーム形状を３
８×３８μｍとし、平均照射パワーを３０ｍＷとし、ス
テージ走査速度を１０μｍ／ｓとしたときに、配線長が
１００μｍの断線箇所を、実用上十分に低い抵抗値（配
線抵抗０．１Ω）で結線することができた。なお、得ら
れた配線幅は４０μｍ，厚みは２μｍであった。
返し周波数を４ｋＨｚとし、基板８上のビーム形状を３
８×３８μｍとし、平均照射パワーを３０ｍＷとし、ス
テージ走査速度を１０μｍ／ｓとしたときに、配線長が
１００μｍの断線箇所を、実用上十分に低い抵抗値（配
線抵抗０．１Ω）で結線することができた。なお、得ら
れた配線幅は４０μｍ，厚みは２μｍであった。
【００４２】次に、基板８上の被修正箇所の位置が回収
用磁石１７の真下になるようにＸ−Ｙステージ７を動か
して、被修正箇所の周囲に飛び散った磁性体粉末を回収
用磁石１７に吸着させて基板８上の汚れを清掃する。
用磁石１７の真下になるようにＸ−Ｙステージ７を動か
して、被修正箇所の周囲に飛び散った磁性体粉末を回収
用磁石１７に吸着させて基板８上の汚れを清掃する。
【００４３】本実施形態では、上記の全工程を実用上十
分速いスループット（精々３分間）で終了することがで
きた。
分速いスループット（精々３分間）で終了することがで
きた。
【００４４】なお、この実施形態では、原料（磁性体粉
末１５）としてＮｉ微粉末を用いた例を示したが、原料
はこれに限定されず、コバルト（Ｃｏ）微粉末等の磁性
のある導電体であれば本発明を適用できることは言うま
でもない。
末１５）としてＮｉ微粉末を用いた例を示したが、原料
はこれに限定されず、コバルト（Ｃｏ）微粉末等の磁性
のある導電体であれば本発明を適用できることは言うま
でもない。
【００４５】また、図２に示す配線修正装置内の雰囲気
全体、または磁性体粉末（原料）が通過する通路および
レーザ光照射部や原料容器の一部もしくはすべての場所
を、不活性ガス（例えば窒素ガス）に置き換えた構成に
すれば、原料粉末の酸化などによる原料の経時劣化を最
小限に抑制することができる。
全体、または磁性体粉末（原料）が通過する通路および
レーザ光照射部や原料容器の一部もしくはすべての場所
を、不活性ガス（例えば窒素ガス）に置き換えた構成に
すれば、原料粉末の酸化などによる原料の経時劣化を最
小限に抑制することができる。
【００４６】また、本実施形態における吸着用磁石１４
を電磁コイルにより構成してもよい。この場合は、電流
のオン／オフにより着磁／脱磁を行うことができるの
で、制御が著しく容易になるという利点がある。
を電磁コイルにより構成してもよい。この場合は、電流
のオン／オフにより着磁／脱磁を行うことができるの
で、制御が著しく容易になるという利点がある。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように第１の発明の配線修
正方法は、基板上の断線欠陥部を修正する配線修正装置
において、原料の磁性体粉末を満たした原料容器に着磁
させた吸着用磁石を内蔵したアームを挿入する第１の工
程と、アームを基板上の断線欠陥部の真上に搬送する第
２の工程と、着磁した吸着用磁石を脱磁させて基板上に
原料の磁性体粉末を付着させる第３の工程と、この第３
の工程で付着した磁性体粉末にレーザ光を照射して断線
欠陥部に焼結させる第４の工程と、断線欠陥部に回収用
磁石を近づけて基板上の余分な原料を回収する第５の工
程とを備えることにより、また、第２の発明の配線修正
装置は、基板上の断線欠陥部を修正する配線修正装置に
おいて、原料の磁性体粉末を満たした原料容器と、磁性
体粉末を吸着するための吸着用磁石を内蔵したアーム
と、このアームを原料容器と基板上の修正すべき断線欠
陥部との間を移動させる移動機構と、アームの着磁およ
び脱磁をそれぞれ行う着磁ユニットおよび脱磁ユニット
と、レーザ光を発生するレーザ光源と、レーザ光を断線
欠陥部に照射するとともに断線箇所を観察する照射光学
系と、基板を保持するとともにレーザ光の基板上の照射
位置を移動させるＸ−Ｙステージと、レーザ光の照射後
の基板上の余分な原料の磁性体粉末を回収するための回
収用磁石とを備えることにより、そして、上記吸着用磁
石は電磁コイルを備えることにより、さらに、上記アー
ムは吸着用磁石の周囲を非磁性体で覆うとともに基板に
対向する面に溝状の凹み部を有することにより、さらに
また、上記アームの幅は基板上の断線欠陥部の配線の幅
をカバーするサイズであることにより、そしてまた、上
記脱磁ユニットはヒータであることにより、さらに、上
記第１の発明の配線修正方法および第２の発明の配線修
正装置において、上記原料の磁性体粉末はニッケルの微
粉末およびコバルトの微粉末のいずれかを含むことによ
り、また、上記原料容器内および上記基板上の雰囲気を
不活性ガスから構成される雰囲気に保持することによ
り、厚くかつ長い配線の修正においても、数分間の非常
に短い時間で、導電性に優れる金属配線による配線修正
を行うことが可能になるという効果を有する。
正方法は、基板上の断線欠陥部を修正する配線修正装置
において、原料の磁性体粉末を満たした原料容器に着磁
させた吸着用磁石を内蔵したアームを挿入する第１の工
程と、アームを基板上の断線欠陥部の真上に搬送する第
２の工程と、着磁した吸着用磁石を脱磁させて基板上に
原料の磁性体粉末を付着させる第３の工程と、この第３
の工程で付着した磁性体粉末にレーザ光を照射して断線
欠陥部に焼結させる第４の工程と、断線欠陥部に回収用
磁石を近づけて基板上の余分な原料を回収する第５の工
程とを備えることにより、また、第２の発明の配線修正
装置は、基板上の断線欠陥部を修正する配線修正装置に
おいて、原料の磁性体粉末を満たした原料容器と、磁性
体粉末を吸着するための吸着用磁石を内蔵したアーム
と、このアームを原料容器と基板上の修正すべき断線欠
陥部との間を移動させる移動機構と、アームの着磁およ
び脱磁をそれぞれ行う着磁ユニットおよび脱磁ユニット
と、レーザ光を発生するレーザ光源と、レーザ光を断線
欠陥部に照射するとともに断線箇所を観察する照射光学
系と、基板を保持するとともにレーザ光の基板上の照射
位置を移動させるＸ−Ｙステージと、レーザ光の照射後
の基板上の余分な原料の磁性体粉末を回収するための回
収用磁石とを備えることにより、そして、上記吸着用磁
石は電磁コイルを備えることにより、さらに、上記アー
ムは吸着用磁石の周囲を非磁性体で覆うとともに基板に
対向する面に溝状の凹み部を有することにより、さらに
また、上記アームの幅は基板上の断線欠陥部の配線の幅
をカバーするサイズであることにより、そしてまた、上
記脱磁ユニットはヒータであることにより、さらに、上
記第１の発明の配線修正方法および第２の発明の配線修
正装置において、上記原料の磁性体粉末はニッケルの微
粉末およびコバルトの微粉末のいずれかを含むことによ
り、また、上記原料容器内および上記基板上の雰囲気を
不活性ガスから構成される雰囲気に保持することによ
り、厚くかつ長い配線の修正においても、数分間の非常
に短い時間で、導電性に優れる金属配線による配線修正
を行うことが可能になるという効果を有する。
【００４８】また、従来のレーザＣＶＤ法に比べて、構
成が著しく簡単であり、したがって安価に配線修正が行
われ、保守が容易な実用性に優れた配線修正方法および
装置が実現されるという効果を有する。
成が著しく簡単であり、したがって安価に配線修正が行
われ、保守が容易な実用性に優れた配線修正方法および
装置が実現されるという効果を有する。
【図１】第１の発明の配線修正方法の一実施形態を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】第２の発明の配線修正装置の一実施形態を示す
側面透視図である。
側面透視図である。
【図３】図２におけるアーム部を拡大して示す部分斜視
図である。
図である。
１ レーザ光源 ２ 照射光学系 ３ モニタＴＶ ４ 対物レンズ ５ 脱磁ユニット ６ 移動機構 ７ Ｘ−Ｙステージ ８ 基板 ９ アーム １０ 着磁ユニット １１ 原料容器 １２ 脱磁ヒータ １３ 吸着溝 １４ 吸着用磁石 １５ 磁性体粉末 １６ レーザ光 １７ 回収用磁石 １８ 余分な原料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/10 - 3/38
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上の断線欠陥部を修正する配線修正
方法において、原料の磁性体粉末を満たした原料容器に
着磁させた吸着用磁石を内蔵したアームを挿入する第１
の工程と、前記アームを前記基板上の前記断線欠陥部の
真上に搬送する第２の工程と、着磁した前記吸着用磁石
を脱磁させて前記基板上に前記原料の前記磁性体粉末を
付着させる第３の工程と、この第３の工程で付着した前
記磁性体粉末にレーザ光を照射して前記断線欠陥部に焼
結させる第４の工程と、前記断線欠陥部に回収用磁石を
近づけて前記基板上の余分な前記原料を回収する第５の
工程とを備えることを特徴とする配線修正方法。 - 【請求項２】 基板上の断線欠陥部を修正する配線修正
装置において、原料の磁性体粉末を満たした原料容器
と、前記磁性体粉末を吸着するための吸着用磁石を内蔵
したアームと、このアームを前記原料容器と前記基板上
の修正すべき前記断線欠陥部との間を移動させる移動機
構と、前記アームの着磁および脱磁をそれぞれ行う着磁
ユニットおよび脱磁ユニットと、レーザ光を発生するレ
ーザ光源と、前記レーザ光を前記断線欠陥部に照射する
とともに断線箇所を観察する照射光学系と、前記基板を
保持するとともに前記レーザ光の前記基板上の照射位置
を移動させるＸ−Ｙステージと、前記レーザ光の照射後
の前記基板上の余分な前記原料の前記磁性体粉末を回収
するための回収用磁石とを備えることを特徴とする配線
修正装置。 - 【請求項３】 前記吸着用磁石は電磁コイルを備えるこ
とを特徴とする請求項２記載の配線修正装置。 - 【請求項４】 前記アームは前記吸着用磁石の周囲を非
磁性体で覆うとともに前記基板に対向する面に溝状の凹
み部を有することを特徴とする請求項２記載の配線修正
装置。 - 【請求項５】 前記アームの幅は前記基板上の前記断線
欠陥部の配線の幅をカバーするサイズであることを特徴
とする請求項２記載の配線修正装置。 - 【請求項６】 前記脱磁ユニットはヒータであることを
特徴とする請求項２記載の配線修正装置。 - 【請求項７】 前記原料の前記磁性体粉末はニッケルの
微粉末およびコバルトの微粉末のいずれかを含むことを
特徴とする請求項１記載の配線修正方法もしくは請求項
２記載の配線修正装置。 - 【請求項８】 前記原料容器内および前記基板上の雰囲
気を不活性ガスから構成される雰囲気に保持することを
特徴とする請求項１記載の配線修正方法もしくは請求項
２記載の配線修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26341797A JP3171150B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 配線修正方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26341797A JP3171150B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 配線修正方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103152A JPH11103152A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3171150B2 true JP3171150B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17389211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26341797A Expired - Fee Related JP3171150B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 配線修正方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171150B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104475976B (zh) * | 2014-11-19 | 2016-04-06 | 江苏大学 | 磁粉诱导式激光等离子刻蚀绝缘透明材料的方法和装置 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26341797A patent/JP3171150B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11103152A (ja) | 1999-04-13 |
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