JP3169357B2 - 多孔質ガラス母材の焼結装置および焼結方法 - Google Patents
多孔質ガラス母材の焼結装置および焼結方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバの原材
となる多孔質ガラス母材を焼結して脱水および透明ガラ
ス化する際に用いられる焼結装置、および多孔質ガラス
母材の焼結方法に関するものである。
となる多孔質ガラス母材を焼結して脱水および透明ガラ
ス化する際に用いられる焼結装置、および多孔質ガラス
母材の焼結方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバは、主原料である四塩化ケイ
素、および屈折率増加性ドープ材を気化させ酸水素火炎
中で加水分解して生成したガラス微粒子が堆積している
屈折率の高いコアと、主に四塩化ケイ素から生成したガ
ラス微粒子が堆積しコアより屈折率の低いクラッドとか
らなる多孔質ガラス母材を原材としている。多孔質ガラ
ス母材は通常、気相軸付け法（ＶＡＤ法）や外付け化学
蒸着法（ＯＶＤ法）によりガラス微粒子を堆積させたも
のである。この多孔質ガラス母材を挿入した炉心管中
で、脱水反応用ガスおよび不活性ガス存在下、母材を降
下させつつ加熱して焼結し、脱水および透明ガラス化処
理すると光ファイバ母材が得られる。これを所定径に延
伸し、線引機で線引きすると光ファイバが得られる。
素、および屈折率増加性ドープ材を気化させ酸水素火炎
中で加水分解して生成したガラス微粒子が堆積している
屈折率の高いコアと、主に四塩化ケイ素から生成したガ
ラス微粒子が堆積しコアより屈折率の低いクラッドとか
らなる多孔質ガラス母材を原材としている。多孔質ガラ
ス母材は通常、気相軸付け法（ＶＡＤ法）や外付け化学
蒸着法（ＯＶＤ法）によりガラス微粒子を堆積させたも
のである。この多孔質ガラス母材を挿入した炉心管中
で、脱水反応用ガスおよび不活性ガス存在下、母材を降
下させつつ加熱して焼結し、脱水および透明ガラス化処
理すると光ファイバ母材が得られる。これを所定径に延
伸し、線引機で線引きすると光ファイバが得られる。
【０００３】多孔質ガラス母材を製造する際、気相軸付
け法によりコアとクラッドを形成した後、そのクラッド
外周にさらに、外付け化学蒸着法によるクラッドを成長
させる方法がある。従来、この多孔質ガラス母材の焼結
は、脱水反応用ガスである塩素ガスと不活性ガスの流
量、母材の降下速度、および加熱温度の条件を一定にし
て行っていたが、気相軸付け法により形成したクラッド
と、外付け化学蒸着法により形成したクラッドとの間で
脱水反応用ガスの残存率に差異が生じていた。焼結した
光ファイバ母材に塩素ガスが１０００ｐｐｍ残存すると
屈折率は約１０− ５増加するので、クラッド内の塩素ガ
ス残存率の差異が、クラッド内に大きな屈折率差を生じ
させ、光ファイバ母材の分散特性を低下させていた。さ
らに焼結の際、炉心管内で多孔質ガラス母材が降下する
につれ、炉心管内の温度勾配、炉心管内のガスの流速等
が変化し、母材の軸方向で塩素ガスの残存率が不均一と
なり屈折率差が変動する結果、カットオフ波長を軸方向
で一定にすることができないという問題があった。
け法によりコアとクラッドを形成した後、そのクラッド
外周にさらに、外付け化学蒸着法によるクラッドを成長
させる方法がある。従来、この多孔質ガラス母材の焼結
は、脱水反応用ガスである塩素ガスと不活性ガスの流
量、母材の降下速度、および加熱温度の条件を一定にし
て行っていたが、気相軸付け法により形成したクラッド
と、外付け化学蒸着法により形成したクラッドとの間で
脱水反応用ガスの残存率に差異が生じていた。焼結した
光ファイバ母材に塩素ガスが１０００ｐｐｍ残存すると
屈折率は約１０− ５増加するので、クラッド内の塩素ガ
ス残存率の差異が、クラッド内に大きな屈折率差を生じ
させ、光ファイバ母材の分散特性を低下させていた。さ
らに焼結の際、炉心管内で多孔質ガラス母材が降下する
につれ、炉心管内の温度勾配、炉心管内のガスの流速等
が変化し、母材の軸方向で塩素ガスの残存率が不均一と
なり屈折率差が変動する結果、カットオフ波長を軸方向
で一定にすることができないという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を
解決するためなされたもので、多孔質ガラス母材を焼結
し、脱水および透明ガラス化する際、クラッド内部の屈
折率差を抑制できる、多孔質ガラス母材の焼結装置およ
び焼結方法を提供することを目的とする。
解決するためなされたもので、多孔質ガラス母材を焼結
し、脱水および透明ガラス化する際、クラッド内部の屈
折率差を抑制できる、多孔質ガラス母材の焼結装置およ
び焼結方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めになされた本発明の多孔質ガラス母材焼結装置は、実
施例に対応する図面により説明すると以下のとおりであ
る。
めになされた本発明の多孔質ガラス母材焼結装置は、実
施例に対応する図面により説明すると以下のとおりであ
る。
【０００６】多孔質ガラス母材焼結装置１は、図１に示
すとおり、軸棒１８に連結している多孔質ガラス母材２
の挿入された炉心管１２が、脱水反応用ガス経路３およ
び不活性ガス経路８に接続したガス導入管１１を有し、
軸棒１８に繋がった連結したモータ１９により回転しな
がら降下している多孔質ガラス母材２を焼結する加熱源
１３が炉心管１２の外周に配置されている多孔質ガラス
母材の焼結装置１において、脱水反応用ガス経路３と不
活性ガス経路８の途中に配置された流量調整弁４、９に
は流量制御回路７、モータ１９には降下速度制御回路２
０、および加熱源１３には温度制御回路１５が接続され
ている。
すとおり、軸棒１８に連結している多孔質ガラス母材２
の挿入された炉心管１２が、脱水反応用ガス経路３およ
び不活性ガス経路８に接続したガス導入管１１を有し、
軸棒１８に繋がった連結したモータ１９により回転しな
がら降下している多孔質ガラス母材２を焼結する加熱源
１３が炉心管１２の外周に配置されている多孔質ガラス
母材の焼結装置１において、脱水反応用ガス経路３と不
活性ガス経路８の途中に配置された流量調整弁４、９に
は流量制御回路７、モータ１９には降下速度制御回路２
０、および加熱源１３には温度制御回路１５が接続され
ている。
【０００７】本発明の多孔質ガラス母材焼結方法は、流
量制御回路７を有する流量調整弁４、９に接続したガス
導入管１１から炉心管１２内に導入された脱水反応用ガ
スおよび不活性ガス雰囲気下、軸棒１８に連結され炉心
管１２に挿入されている多孔質ガラス母材２を、軸棒１
８に連結され降下速度制御回路２０に接続されているモ
ータ１９により回転しながら降下しつつ、炉心管１２の
外周に配置され温度制御回路１５に接続された加熱源１
３により焼結する途中で、流量制御回路７により制御さ
れた不活性ガスの流量に対する脱水反応用ガスの流量の
比、降下速度制御回路２０により制御された降下速度、
および温度制御回路１５により制御された加熱源温度を
変更するうち、少なくとも該降下速度は加速されるとい
うものである。
量制御回路７を有する流量調整弁４、９に接続したガス
導入管１１から炉心管１２内に導入された脱水反応用ガ
スおよび不活性ガス雰囲気下、軸棒１８に連結され炉心
管１２に挿入されている多孔質ガラス母材２を、軸棒１
８に連結され降下速度制御回路２０に接続されているモ
ータ１９により回転しながら降下しつつ、炉心管１２の
外周に配置され温度制御回路１５に接続された加熱源１
３により焼結する途中で、流量制御回路７により制御さ
れた不活性ガスの流量に対する脱水反応用ガスの流量の
比、降下速度制御回路２０により制御された降下速度、
および温度制御回路１５により制御された加熱源温度を
変更するうち、少なくとも該降下速度は加速されるとい
うものである。
【０００８】不活性ガスの流量に対する脱水反応用ガス
の流量の比が、１０〜５０％であることが好ましい。１
０％より少ないと脱水処理が完結しない。多孔質ガラス
母材２の上部ほど脱水反応用ガスとの接触時間が長く、
脱水反応用ガスが多量に浸入する。この比が５０％より
多いと、脱水反応用ガスが多孔質ガラス母材へ過剰に浸
入し、焼結後に不均一に残存して、クラッド内の屈折率
差を増加させてしまう。不活性ガスの流量に対する脱水
反応用ガスの流量の比を変更後に低くすることにより、
多孔質ガラス母材への脱水反応用ガスの不均一な浸入を
抑制することができる。
の流量の比が、１０〜５０％であることが好ましい。１
０％より少ないと脱水処理が完結しない。多孔質ガラス
母材２の上部ほど脱水反応用ガスとの接触時間が長く、
脱水反応用ガスが多量に浸入する。この比が５０％より
多いと、脱水反応用ガスが多孔質ガラス母材へ過剰に浸
入し、焼結後に不均一に残存して、クラッド内の屈折率
差を増加させてしまう。不活性ガスの流量に対する脱水
反応用ガスの流量の比を変更後に低くすることにより、
多孔質ガラス母材への脱水反応用ガスの不均一な浸入を
抑制することができる。
【０００９】降下速度は、０．３〜５．０ｍｍ／分であ
ることが好ましい。０．３ｍｍ／分より遅いと、過剰に
加熱することとなり焼結効率が悪くなる。５．０ｍｍ／
分より速いと十分な加熱ができず焼結が完結しない。降
下速度は、変更後に速くすることにより、多孔質ガラス
母材の上部への過剰な塩素ガスの浸入を抑制し、長手方
向の屈折率変動を少なくし、また、生産性を向上するこ
とができる。
ることが好ましい。０．３ｍｍ／分より遅いと、過剰に
加熱することとなり焼結効率が悪くなる。５．０ｍｍ／
分より速いと十分な加熱ができず焼結が完結しない。降
下速度は、変更後に速くすることにより、多孔質ガラス
母材の上部への過剰な塩素ガスの浸入を抑制し、長手方
向の屈折率変動を少なくし、また、生産性を向上するこ
とができる。
【００１０】変更前後の加熱源の温度差が５０℃以内で
あることが好ましい。温度差が５０℃を越えると焼結に
ムラが生じてしまう。加熱源１３の温度は、１３００〜
１６００℃が好ましい。
あることが好ましい。温度差が５０℃を越えると焼結に
ムラが生じてしまう。加熱源１３の温度は、１３００〜
１６００℃が好ましい。
【００１１】加熱源１３の温度を変更後に高くすると、
多孔質ガラス母材２上部の過剰な脱水反応用ガスを十分
に飛散させることができるのに加え、速度を速くしたこ
とによりガラス化が不充分となってしまわないように補
うことができ、さらに焼結後の母材の軸方向における脱
水反応用ガスの不均一な残存を抑制できる。
多孔質ガラス母材２上部の過剰な脱水反応用ガスを十分
に飛散させることができるのに加え、速度を速くしたこ
とによりガラス化が不充分となってしまわないように補
うことができ、さらに焼結後の母材の軸方向における脱
水反応用ガスの不均一な残存を抑制できる。
【００１２】不活性ガスの流量に対する脱水反応用ガス
の流量の比、降下速度、および加熱源温度の少なくとも
ひとつを変更する位置が、複数であることが好ましい。
の流量の比、降下速度、および加熱源温度の少なくとも
ひとつを変更する位置が、複数であることが好ましい。
【００１３】なお、ガス流量の比、降下速度、および加
熱源温度を変更する際には、段階的に変化させてもよ
く、徐々に変化させてもよい。
熱源温度を変更する際には、段階的に変化させてもよ
く、徐々に変化させてもよい。
【００１４】本発明の多孔質ガラス母材焼結装置を用い
て焼結すると、母材中の脱水反応用ガスの不均一な残留
を抑制できるので、クラッド内部の屈折率差を均質にす
ることができる。
て焼結すると、母材中の脱水反応用ガスの不均一な残留
を抑制できるので、クラッド内部の屈折率差を均質にす
ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を詳細に説
明する。図１には、本発明を適用する多孔質ガラス母材
焼結装置の実施例の概要図が示されている。
明する。図１には、本発明を適用する多孔質ガラス母材
焼結装置の実施例の概要図が示されている。
【００１６】多孔質ガラス母材焼結装置１は、図１に示
すとおり、多孔質ガラス母材２を焼結するためのもので
ある。多孔質ガラス母材焼結装置１は、蓋１７に貫入し
ている軸棒１８に連結している多孔質ガラス母材２が挿
入された炉心管１２を有している。軸棒１８に繋がった
モータ１９には、降下速度制御回路２０が接続されてい
る。多孔質ガラス母材２を焼結する加熱源１３が炉心管
１２の外周に配置され、加熱源１３には熱伝対１４が設
置され、熱伝対１４には加熱源１３をＰＩＤ制御してい
る温度制御回路１５が接続されている。炉心管１２の下
方に繋がっているガス導入管１１は、脱水反応用ガス経
路３と不活性ガス経路８に分岐している。脱水反応用ガ
ス経路３は流量調整弁４を介して脱水反応用ガス供給源
（不図示）に、一方、不活性ガス経路８は流量調整弁９
を介して不活性ガス供給源（不図示）に接続されてい
る。脱水反応用ガス経路３途中の流量計５と不活性ガス
経路８途中の流量計１０とが、流量制御回路７に接続さ
れている。流量制御回路７により制御されている駆動源
６は、脱水反応用ガスの流量調整弁４と不活性ガスの流
量調整弁９に繋がっている。炉心管１２上方には排気管
１６が配置されている。
すとおり、多孔質ガラス母材２を焼結するためのもので
ある。多孔質ガラス母材焼結装置１は、蓋１７に貫入し
ている軸棒１８に連結している多孔質ガラス母材２が挿
入された炉心管１２を有している。軸棒１８に繋がった
モータ１９には、降下速度制御回路２０が接続されてい
る。多孔質ガラス母材２を焼結する加熱源１３が炉心管
１２の外周に配置され、加熱源１３には熱伝対１４が設
置され、熱伝対１４には加熱源１３をＰＩＤ制御してい
る温度制御回路１５が接続されている。炉心管１２の下
方に繋がっているガス導入管１１は、脱水反応用ガス経
路３と不活性ガス経路８に分岐している。脱水反応用ガ
ス経路３は流量調整弁４を介して脱水反応用ガス供給源
（不図示）に、一方、不活性ガス経路８は流量調整弁９
を介して不活性ガス供給源（不図示）に接続されてい
る。脱水反応用ガス経路３途中の流量計５と不活性ガス
経路８途中の流量計１０とが、流量制御回路７に接続さ
れている。流量制御回路７により制御されている駆動源
６は、脱水反応用ガスの流量調整弁４と不活性ガスの流
量調整弁９に繋がっている。炉心管１２上方には排気管
１６が配置されている。
【００１７】多孔質ガラス母材焼結装置１は、以下のよ
うに動作する。
うに動作する。
【００１８】気相軸付け法によりコアとクラッドを形成
した後、そのクラッド外周に外付け化学蒸着法によりク
ラッドをさらに成長させた多孔質ガラス母材２を、炉心
管１２に挿入する。脱水反応用ガスである塩素ガスを供
給源（不図示）から流量調整弁４により流量を制御して
ガス導入管１１へ流し、同時に不活性ガスであるヘリウ
ムガスを供給源（不図示）から流量調整弁９により流量
を制御してガス導入管１１へ流す。塩素ガスとヘリウム
ガスは混合されて、炉心管１２内に導入される。
した後、そのクラッド外周に外付け化学蒸着法によりク
ラッドをさらに成長させた多孔質ガラス母材２を、炉心
管１２に挿入する。脱水反応用ガスである塩素ガスを供
給源（不図示）から流量調整弁４により流量を制御して
ガス導入管１１へ流し、同時に不活性ガスであるヘリウ
ムガスを供給源（不図示）から流量調整弁９により流量
を制御してガス導入管１１へ流す。塩素ガスとヘリウム
ガスは混合されて、炉心管１２内に導入される。
【００１９】多孔質ガラス母材２は、降下速度制御回路
２０で降下速度が制御されて駆動しているモータ１９に
より、回転しながら降下する。熱伝対１４で感知した加
熱源温度により、温度制御回路１５は加熱源１３を比例
積分微分動作（ＰＩＤ動作）で制御している。多孔質ガ
ラス母材２が加熱源１３を通過すると、加熱により焼結
され、脱水反応および透明ガラス化処理が施される。母
材２が所定の位置まで降下したとき、降下速度制御回路
２０によりモータ１９を所定の回転数に調整し、降下速
度を変更する。また、熱伝対１４で感知した温度が所定
温度になるよう温度制御回路１５により加熱源１４の温
度を変更する。流量制御回路７により駆動源６を駆動し
て、流量調整弁４および９を制御することにより、不活
性ガス流量に対する脱水反応用ガスの流量の比を変更
し、引き続き焼結を行う。
２０で降下速度が制御されて駆動しているモータ１９に
より、回転しながら降下する。熱伝対１４で感知した加
熱源温度により、温度制御回路１５は加熱源１３を比例
積分微分動作（ＰＩＤ動作）で制御している。多孔質ガ
ラス母材２が加熱源１３を通過すると、加熱により焼結
され、脱水反応および透明ガラス化処理が施される。母
材２が所定の位置まで降下したとき、降下速度制御回路
２０によりモータ１９を所定の回転数に調整し、降下速
度を変更する。また、熱伝対１４で感知した温度が所定
温度になるよう温度制御回路１５により加熱源１４の温
度を変更する。流量制御回路７により駆動源６を駆動し
て、流量調整弁４および９を制御することにより、不活
性ガス流量に対する脱水反応用ガスの流量の比を変更
し、引き続き焼結を行う。
【００２０】前記実施例に従って、多孔質ガラス母材焼
結装置１を用い、多孔質ガラス母材２を焼結した。
結装置１を用い、多孔質ガラス母材２を焼結した。
【００２１】焼結開始当初には、１．２ｍｍ／分の降下
速度で多孔質ガラス母材２を降下させながら、不活性ガ
スであるヘリウムガス流量に対し、流量が５０％の脱水
反応用ガスである塩素ガスを混合後、炉心管１２内に１
０Ｌ／分の流量で混合ガスを導入し、加熱源１３の温度
を１６００℃にして焼結した。母材２がストロークの５
０％の位置まで降下したところで、降下速度制御装置２
０によりモータ１９を制御して降下速度を２．０ｍｍ／
分に変更した。母材２がストロークの７５％の位置まで
降下したところで、降下速度を３．０ｍｍ／分に変更し
た。同時に、流量計５、１０で所定の流量が流れるよう
に流量制御回路７により駆動源６を駆動して、塩素ガス
流量調整弁４およびヘリウムガス流量調整弁９を調整
し、ヘリウムガス流量に対し、流量が３０％の塩素ガス
を混合後、炉心管１２内に１０Ｌ／分の流量で混合ガス
を導入した。さらに、温度制御回路１５により、加熱源
１３の温度を１６３０℃に制御して、焼結を継続した。
速度で多孔質ガラス母材２を降下させながら、不活性ガ
スであるヘリウムガス流量に対し、流量が５０％の脱水
反応用ガスである塩素ガスを混合後、炉心管１２内に１
０Ｌ／分の流量で混合ガスを導入し、加熱源１３の温度
を１６００℃にして焼結した。母材２がストロークの５
０％の位置まで降下したところで、降下速度制御装置２
０によりモータ１９を制御して降下速度を２．０ｍｍ／
分に変更した。母材２がストロークの７５％の位置まで
降下したところで、降下速度を３．０ｍｍ／分に変更し
た。同時に、流量計５、１０で所定の流量が流れるよう
に流量制御回路７により駆動源６を駆動して、塩素ガス
流量調整弁４およびヘリウムガス流量調整弁９を調整
し、ヘリウムガス流量に対し、流量が３０％の塩素ガス
を混合後、炉心管１２内に１０Ｌ／分の流量で混合ガス
を導入した。さらに、温度制御回路１５により、加熱源
１３の温度を１６３０℃に制御して、焼結を継続した。
【００２２】本発明を適用外の比較例として、多孔質ガ
ラス母材の降下速度を常時２.３ｍｍ／分としたこと、
ヘリウムガスに対して常時４０％の塩素ガスの混合ガス
を用いたこと、加熱源の温度は常時１５９０℃としたこ
と以外は本発明の実施例と同様に、多孔質ガラス母材を
焼結した。
ラス母材の降下速度を常時２.３ｍｍ／分としたこと、
ヘリウムガスに対して常時４０％の塩素ガスの混合ガス
を用いたこと、加熱源の温度は常時１５９０℃としたこ
と以外は本発明の実施例と同様に、多孔質ガラス母材を
焼結した。
【００２３】本発明の実施例と、比較例で焼結した母材
の下端から上端に至る１２箇所でクラッド内の屈折率を
測定した。その結果を、図２に示す。横軸には母材の測
定位置を示し、縦軸には、気相軸付け法により形成させ
たクラッドの屈折率から、外付け軸付け法により形成さ
れたクラッドの屈折率を差し引いた屈折率差を示す。
の下端から上端に至る１２箇所でクラッド内の屈折率を
測定した。その結果を、図２に示す。横軸には母材の測
定位置を示し、縦軸には、気相軸付け法により形成させ
たクラッドの屈折率から、外付け軸付け法により形成さ
れたクラッドの屈折率を差し引いた屈折率差を示す。
【００２４】図２から明らかなように、焼結後の母材の
屈折率差の変動幅は、実施例では２×１０−５以下であ
り、比較例では実施例の６倍以上の変動が認められた。
この変動幅が５×１０−５以内であると、光ファイバの
伝送特性を損なわない。したがって、本発明の装置を用
いて焼結した母材は高品質の特性を有している。
屈折率差の変動幅は、実施例では２×１０−５以下であ
り、比較例では実施例の６倍以上の変動が認められた。
この変動幅が５×１０−５以内であると、光ファイバの
伝送特性を損なわない。したがって、本発明の装置を用
いて焼結した母材は高品質の特性を有している。
【００２５】なお、この焼結装置は、気相軸付け法で形
成したコアやクラッド、または外付け化学蒸着法で形成
したコアやクラッドを焼結する際に用いてもよい。
成したコアやクラッド、または外付け化学蒸着法で形成
したコアやクラッドを焼結する際に用いてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明の多
孔質ガラス母材焼結装置を用いて焼結したとき、気相軸
付け法による形成されたクラッドと、その外周に外付け
化学蒸着法により形成されたクラッドとの焼結後の屈折
率差を、ほぼ同等に抑制することができる。さらに、焼
結後の母材の軸方向で屈折率差が平坦化しているのでカ
ットオフ波長が変動しない。そのため焼結後の母材か
ら、高品質の光ファイバを得ることができる。
孔質ガラス母材焼結装置を用いて焼結したとき、気相軸
付け法による形成されたクラッドと、その外周に外付け
化学蒸着法により形成されたクラッドとの焼結後の屈折
率差を、ほぼ同等に抑制することができる。さらに、焼
結後の母材の軸方向で屈折率差が平坦化しているのでカ
ットオフ波長が変動しない。そのため焼結後の母材か
ら、高品質の光ファイバを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用する多孔質ガラス焼結装置の実施
例を示す概要図である。
例を示す概要図である。
【図２】本発明を適用する実施例と適用外の比較例にお
ける、焼結後の母材の位置と屈折率差との相関を示す図
である。
ける、焼結後の母材の位置と屈折率差との相関を示す図
である。
１は焼結装置、２は多孔質ガラス母材、３は脱水反応用
ガス経路、４は流量調整弁、５は流量計、６は駆動源、
７は流量制御回路、８は不活性ガス経路、９は流量調整
弁、１０は流量計、１１はガス導入管、１２は炉心管、
１３は加熱源、１４は熱伝対、１５は温度制御回路、１
６は排気管、１７は蓋、１８は軸棒、１９はモータ、２
０は降下速度制御回路である。
ガス経路、４は流量調整弁、５は流量計、６は駆動源、
７は流量制御回路、８は不活性ガス経路、９は流量調整
弁、１０は流量計、１１はガス導入管、１２は炉心管、
１３は加熱源、１４は熱伝対、１５は温度制御回路、１
６は排気管、１７は蓋、１８は軸棒、１９はモータ、２
０は降下速度制御回路である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 忠克 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 平沢 秀夫 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社精密機能材料研究所内 (56)参考文献 特開 平２−204338（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03B 37/00 - 37/16 C03B 8/04 C03B 20/00
Claims (5)
- 【請求項１】 流量制御回路を有する流量調整弁に接
続したガス導入管から炉心管内に導入された脱水反応用
ガスおよび不活性ガス雰囲気下、軸棒に連結され該炉心
管に挿入されている多孔質ガラス母材を、該軸棒に連結
され降下速度制御回路に接続されているモータにより回
転しながら降下しつつ、該炉心管の外周に配置され温度
制御回路に接続された加熱源により焼結する途中で、該
流量制御回路により制御された不活性ガスの流量に対す
る脱水反応用ガスの流量の比、該降下速度制御回路によ
り制御された降下速度、および該温度制御回路により制
御された加熱源温度を変更するうち、少なくとも該降下
速度は加速されることを特徴とする多孔質ガラス母材焼
結方法。 - 【請求項２】 前記不活性ガスの流量に対する脱水反
応用ガスの流量の比が、１０〜５０％であることを特徴
とする請求項１に記載の多孔質ガラス母材焼結方法。 - 【請求項３】 前記降下速度が、０．３〜５．０ｍｍ
／分であることを特徴とする請求項１に記載の多孔質ガ
ラス母材焼結方法。 - 【請求項４】 変更前後の加熱源の温度差が５０℃以
内であることを特徴とする請求項１に記載の多孔質ガラ
ス母材焼結方法。 - 【請求項５】 前記不活性ガスの流量に対する脱水反
応用ガスの流量の比、前記降下速度、および前記加熱源
温度の少なくともひとつを変更する位置が、複数である
ことを特徴とする請求項１に記載の多孔質ガラス母材焼
結方法。
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