JP3161589B2 - 電力変換器のゲート駆動回路 - Google Patents
電力変換器のゲート駆動回路Info
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Description
イポーラトランジスタ(IGBT)のような電圧駆動形
スイッチングデバイスのゲート駆動回路に関する。
バイスと、ゲート駆動回路からなるチョッパ回路の従来
例を示す。すなわち、IGBT1aとこれと逆並列に接
続したダイオード1bからなるスイッチング回路1と、
IGBT2aとこれと逆並列に接続したダイオード2b
からなるスイッチング回路2とを直列に接続し、その両
端を配線インダクタンス11を介して直流電源9に接続
する。また、スイッチング回路2の両端には負荷インダ
クタンス10を、スイッチング回路1とスイッチング回
路2の直列回路の両端には、スナバ回路としてのコンデ
ンサ12をそれぞれ接続する。また、IGBT1aに対
しては、ゲート駆動回路3が接続される。ゲート駆動回
路3は、直流電源7aと7bを直列に、また、直流電源
7aの正極側には抵抗8aを、抵抗8aの他端にはスイ
ッチ6aを、スイッチ6aの他端にはスイッチ6bを、
スイッチ6bの他端には抵抗8bを、抵抗8bの他端に
は直流電源7bの負極側をそれぞれ接続する。さらに、
スイッチ6aとスイッチ6bの接続点にはIGBT1a
のゲート端子を、直流電源7aと7bの接続点にはIG
BT1bのエミッタ端子をそれぞれ接続する。
のオン,オフを繰り返すことにより出力電力を調整する
もので、図7にその動作を示す。まず、ゲート駆動回路
3のスイッチ6aは閉じ、スイッチ6bは開き、主スイ
ッチであるIGBT1aのゲート端子に、直流電源7a
と抵抗8aおよびIGBT1aの入力容量で決まる電流
を流し、ゲート・エミッタ間に電荷を充電することで、
IGBT1aをオンさせる。IGBT1aがオンする
と、出力にiO (図6参照)の電流が流れる。この状態
から、ゲート駆動回路3のスイッチ6aを開き、スイッ
チ6bを閉じることで、IGBT1aのゲート・エミッ
タ間に蓄えられた電荷を放電すると、IGBT1aがオ
フする。これにより、負荷インダクタンス10に流れて
いた電流は、ダイオード2bを流れ環流する。このよう
に、主スイッチのオン,オフを繰り返すことで、負荷に
供給する電力を調整することができる。
チョッパ回路では、次のような問題がある。つまり、I
GBT1aのオン直後、ダイオード2bは負荷インダク
タンス10に流れる環流電流によってオンしているの
で、IGBT1a→ダイオード2bの電流経路が形成さ
れ、IGBT1aの電流上昇率di/dtが大きいと、
ダイオード2bの電流は急激に減少し始める。次に、ダ
イオード2bは逆回復に入り、電流を遮断するので、配
線インダクタンス11の影響により、そのインダクタン
スLと電流上昇率di/dtとを乗じた値に、直流中間
電圧Edを加えた値の、図7に示されるようなサージ電
圧が、ダイオード2bに印加されることになる。このた
め、このサージ電圧に耐え得る素子を用いることが必要
になる。しかし、耐圧の大きな素子を用いると、コスト
高になるだけでなく、順電圧降下が大きくなり、定常損
失が大きくなって変換効率が低下するという問題が発生
する。
グ回路の直列回路と並列に、図6に示すようなスナバ回
路12を設け、サージ電圧を吸収する方法もある。しか
し、スナバ回路の損失による変換効率の低下や、スナバ
回路を設けたことによる装置の大型化やコストアップと
いった問題が発生する。さらに別の方法として、はね上
がり電圧を抑えるために、ゲート抵抗を大きくし、IG
BTの電圧減少率dv/dtを小さくする方法もある
が、こうするとスイッチング速度が遅くなり、スイッチ
ング損失が増加する。スイッチング損失が増加すると、
冷却フィンが大型化して装置全体も大型化し、コストア
ップになるという問題がある。したがって、この発明の
課題は、装置を大型化せず、しかも変換効率を低下させ
ることなくコストダウンを図ることにある。
するため、請求項1の発明では、電圧駆動形スイッチン
グデバイスとダイオードとを逆並列接続した第1,第2
のスイッチング回路の直列回路の両端には直流電源を接
続し、この第1,第2のスイッチング回路の直列接続点
から出力を取り出す電力変換器において、前記第1のス
イッチング回路に接続されてその電圧駆動形スイッチン
グデバイスを充放電させる充放電回路と、前記第1,第
2のスイッチング回路の直列回路に挿入されて第2のス
イッチング回路のダイオードに逆回復電流が流れること
をその極性変化から検出する電流検出器と、この電流検
出器による検出信号を電気的に絶縁して前記充放電回路
に伝達する絶縁回路とを設け、前記第1のスイッチング
回路の電圧駆動形スイッチングデバイスのターンオン時
に、前記電流検出器が第2のスイッチング回路のダイオ
ードの逆回復電流を検出したときは、その検出信号を前
記絶縁回路を介して前記充放電回路に伝達し、前記第1
のスイッチング回路の電圧駆動形スイッチングデバイス
のゲート充電速度を遅らせるようにしている。この請求
項1の発明においては、前記電流検出器は、第1,第2
のスイッチング回路の直列回路に挿入する代わりに、第
2のスイッチング回路のダイオードと直列に接続するこ
とができる(請求項2の発明)。また、請求項1または
2の発明においては、前記電流検出器の代わりに、第2
のスイッチング回路のダイオードと並列に接続されてそ
のダイオードの逆電圧を検出する電圧検出器を用いるこ
とができる(請求項3の発明)。
スイッチングデバイスとダイオードとを逆並列接続した
第1,第2のスイッチング回路の直列回路の両端には直
流電源を接続し、この第1,第2のスイッチング回路の
直列接続点から出力を取り出す電力変換器において、前
記第1のスイッチング回路に接続されてその電圧駆動形
スイッチングデバイスを充放電させる充放電回路と、前
記第2のスイッチング回路のダイオードと直列に飽和磁
束の小さい可飽和リアクトルを接続するとともにこれに
2次巻線を施し前記ダイオードに逆回復電流が流れるこ
とをその2次巻線電圧から検出する電流検出・絶縁回路
とを設け、前記第1のスイッチング回路の電圧駆動形ス
イッチングデバイスのターンオン時に、前記電流検出・
絶縁回路が第2のスイッチング回路のダイオードの逆回
復電流を検出したときは、その検出信号を前記充放電回
路に伝達し、前記第1のスイッチング回路の電圧駆動形
スイッチングデバイスのゲート充電速度を遅らせるよう
にしている。この請求項4の発明においては、前記電流
検出・絶縁回路を、前記第2のスイッチング回路のダイ
オードと直列に接続された配線インダクタンスに対し並
列に接続することができる(請求項5の発明)。
す回路図である。スイッチング回路2と直列に電流検出
器4を挿入し、これと直列に絶縁回路5を接続する。こ
の絶縁回路5の出力はゲート駆動回路3に与えられ、ス
イッチ6cを開くようにする。すなわち、IGBT1a
をオンさせるときには、スイッチ6aと6cを閉じ、ス
イッチ6bを開く。こうして、IGBT1aのゲート・
エミッタ間に、抵抗8aと抵抗8cとの並列抵抗値で電
荷を充電する。IGBT1aがオンすると、直流中間コ
ンデンサ9の正電極からIGBT1a,電流検出器4お
よびダイオード2bを通って直流中間コンデンサ9の負
電極の経路で電流が流れる。そして、上記電流が“0”
になって、逆向きに電流が流れ始めたとき、すなわち、
ダイオード2bが逆回復電流を流し始めたとき、電流検
出器4は絶縁回路5に信号を出力する。
縁してゲート駆動回路3に伝達し、ゲート充電速度を遅
らせるべくスイッチ6cを開く。スイッチ6cが開かれ
ると、IGBT1aに充電されるゲート電流は抵抗8a
のみとなり、抵抗8aと抵抗8cとの並列抵抗値よりも
大きくなるため、ゲート電流は減少する。ゲート電流が
減少すると、IGBT1aのスイッチング速度が遅くな
り、IGBT1aに電圧が生じる。直流中間コンデンサ
9から流れ込む電流は、IGBT1aが電圧を持つこと
で増加量が減少するため、ダイオード2bに掛かるサー
ジ電圧が減少,抑制される。ダイオードの逆回復期間が
終了すると、電流検出器4に電流が流れなくなるため、
信号がなくなる。その結果、絶縁回路5の信号もなくな
ってスイッチ6cは閉じ、通常動作に復帰する。なお、
上記抵抗8aと抵抗8cとの並列抵抗値は標準抵抗値と
し、抵抗8aはこの標準抵抗値の約10倍程度に選定す
る。
回路図である。図1との相違点は、電流検出器4をダイ
オード2bにのみ直列に接続した点にある。このように
しても、その基本動作は図1と全く同様なので、説明は
省略する。なお、このようにすることで、IGBT2a
を流れる電流が電流検出器4を流れないため、図1の場
合よりも電流検出器4を小型のものにすることが可能と
なる。
回路図である。ここでは、ダイオード2bと直列に2次
巻線を持つ可飽和リアクトル4aを挿入し、その出力を
2次巻線を介してゲート駆動回路3に伝達する。この場
合、IGBT1aがオンするとダイオード2bに電流が
流れ、ダイオード2bの電流が逆回復期間に入ると、可
飽和リアクトル4aの2次側に正電圧が生じるので、こ
れによりスイッチ6cを開くことで、ダイオード2bに
掛かるサージ電圧を抑制することができる。つまり、可
飽和リアクトル4aは電流検出と絶縁の機能を持つ電流
検出・絶縁回路ということができ、図1のものより小型
化を図ることが可能となる。なお、可飽和リアクトル4
aをダイオード2bにのみ直列に挿入したが、ダイオー
ド2bとIGBT2aとの逆並列回路に対して直列に挿
入することもできる。
回路図である。これは、図3と同様の可飽和リアクトル
4aの1次側を、ダイオード2bの配線インダクタンス
13と並列に接続した点が特徴である。この場合、ダイ
オード2bを流れる電流は、可飽和リアクトル4aの1
次側と配線インダクタンス13に分流し、可飽和リアク
トル4aにはその分流比に応じた電流が流れる。すなわ
ち、ダイオード2bが逆回復期間に入ると、可飽和リア
クトル4aの2次側に正電圧が生じるので、これにより
スイッチ6cを開くことで、ダイオード2bに掛かるサ
ージ電圧を抑制することができる。つまり、可飽和リア
クトル4aは電流検出と絶縁の機能を持つ電流検出・絶
縁回路ということができ、ダイオード2bに流れる電流
の数分の1が可飽和リアクトル4aに流れるため、図3
のものよりさらに小型化を図ることが可能となる。な
お、この場合も可飽和リアクトル4aをダイオード2b
の配線インダクタンス13にのみ並列に挿入したが、ダ
イオード2bとIGBT2aとの逆並列回路の配線イン
ダクタンスに対して並列に挿入することができる。
回路図である。同図からも明らかなように、この例はダ
イオード2bと並列に、ダイオード2bの逆電圧検出回
路14を設けて構成される。これにより、ダイオード2
bが逆回復期間に入ると、ダイオード2bに逆電圧が生
じるので、これを逆電圧検出回路14により検出し、絶
縁回路5により絶縁してゲート駆動回路3に伝達するこ
とにより、上記と同様にしてダイオード2bに掛かるサ
ージ電圧を抑制することが可能となる。この回路によれ
ば、ダイオード電流を検出するための回路が不要とな
り、検出回路の通電損失が殆ど発生しない。
けでなく、直流電源7cの代わりにゲート駆動回路3を
接続し、スイッチング回路1とスイッチング回路2との
直列回路を持つインバータ回路にも適用可能なことはい
うまでもない。
ダイオードの逆回復電流を検出し、その検出信号を絶縁
して伝達し、スイッチング素子のゲート充電速度を遅ら
せるようにしたので、下記のような効果がもたらされ
る。 (イ)ダイオードの逆回復時のみゲート充電速度を遅ら
せることで、従来方法と比べてほぼ同等のスイッチング
速度が得られる。スイッチング速度がほぼ同等でサージ
電圧を抑制できるので、スイッチング損失の増加を極力
抑えることができる。 (ロ)サージ電圧を抑制できるので、高耐圧の素子を使
用する必要がない。一般に、低耐圧素子の方が高耐圧素
子より順電圧が低く高速スイッチング特性を持つため、
装置の変換効率が向上する。 (ハ)サージ電圧抑制のためのスナバ回路が不要とな
り、装置が小型化する。また、スナバ回路の損失が
“0”になるので、変換効率が向上する。 なお、図1〜図5に示すスナバ回路12は、IGBT1
aのオフ時のはね上がり電圧を抑制するために設けられ
ている。
流経路にのみ電流検出器を接続することで、ダイオード
に逆並列に接続されたIGBTの電流に影響されないよ
うにできるため、電流検出器を小型化できる。請求項3
の発明によれば、ダイオード電流を検出する電流検出回
路が不要なので、検出回路の通電損失がなくなって低損
失化が可能となり、変換効率を向上させることができ
る。請求項4の発明によれば、可飽和リアクトルを利用
することにより、電流検出,絶縁機能を兼用できるの
で、部品点数が少なくなりコストダウンを図ることがで
きる。請求項5の発明によれば、ダイオード電流を可飽
和リアクトル1次側に分流させ、電流検出器に流れる電
流を少なくするようにしたので、さらに電流検出器を小
型化することができる。
る。
る。
る。
る。
る。
2b…ダイオード、3…ゲート駆動回路、4…ダイオー
ド電流検出回路、4a…過飽和リアクトル、5…絶縁回
路、6a,6b…スイッチ、7a,7b,7c…電源、
8a,8b,8c…抵抗、9…直流中間コンデンサ、1
0…負荷インダクタンス、11…配線インダクタンス、
12…スナバ回路、13…ダイオード配線インダクタン
ス、14…ダイオード逆電圧検出回路。
Claims (5)
- 【請求項1】 電圧駆動形スイッチングデバイスとダイ
オードとを逆並列接続した第1,第2のスイッチング回
路の直列回路の両端には直流電源を接続し、この第1,
第2のスイッチング回路の直列接続点から出力を取り出
す電力変換器において、 前記第1のスイッチング回路に接続されてその電圧駆動
形スイッチングデバイスを充放電させる充放電回路と、
前記第1,第2のスイッチング回路の直列回路に挿入さ
れて第2のスイッチング回路のダイオードに逆回復電流
が流れることをその極性変化から検出する電流検出器
と、この電流検出器による検出信号を電気的に絶縁して
前記充放電回路に伝達する絶縁回路とを設け、前記第1
のスイッチング回路の電圧駆動形スイッチングデバイス
のターンオン時に、前記電流検出器が第2のスイッチン
グ回路のダイオードの逆回復電流を検出したときは、そ
の検出信号を前記絶縁回路を介して前記充放電回路に伝
達し、前記第1のスイッチング回路の電圧駆動形スイッ
チングデバイスのゲート充電速度を遅らせることを特徴
とする電力変換器のゲート駆動回路。 - 【請求項2】 前記電流検出器は、第1,第2のスイッ
チング回路の直列回路に挿入する代わりに、第2のスイ
ッチング回路のダイオードと直列に接続することを特徴
とする請求項1に記載の電力変換器のゲート駆動回路。 - 【請求項3】 前記電流検出器の代わりに、第2のスイ
ッチング回路のダイオードと並列に接続されてそのダイ
オードの逆電圧を検出する電圧検出器を用いることを特
徴とする請求項1または2のいずれかに記載の電力変換
器のゲート駆動回路。 - 【請求項4】 電圧駆動形スイッチングデバイスとダイ
オードとを逆並列接続した第1,第2のスイッチング回
路の直列回路の両端には直流電源を接続し、この第1,
第2のスイッチング回路の直列接続点から出力を取り出
す電力変換器において、 前記第1のスイッチング回路に接続されてその電圧駆動
形スイッチングデバイスを充放電させる充放電回路と、
前記第2のスイッチング回路のダイオードと直列に飽和
磁束の小さい可飽和リアクトルを接続するとともにこれ
に2次巻線を施 し前記ダイオードに逆回復電流が流れる
ことをその2次巻線電圧から検出する電流検出・絶縁回
路とを設け、前記第1のスイッチング回路の電圧駆動形
スイッチングデバイスのターンオン時に、前記電流検出
・絶縁回路が第2のスイッチング回路のダイオードの逆
回復電流を検出したときは、その検出信号を前記充放電
回路に伝達し、前記第1のスイッチング回路の電圧駆動
形スイッチングデバイスのゲート充電速度を遅らせるこ
とを特徴とする 電力変換器のゲート駆動回路。 - 【請求項5】 前記電流検出・絶縁回路を、前記第2の
スイッチング回路のダイオードと直列に接続された配線
インダクタンスに対し並列に接続することを特徴とする
請求項4に記載の電力変換器のゲート駆動回路。
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