JP3158148B2 - 光検出システムおよび光検出システム用ｅｌ装置製造方法 - Google Patents
光検出システムおよび光検出システム用ｅｌ装置製造方法Info
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- -1 hydroxyquinoline aluminum Chemical compound 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
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- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0311—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using an array of elements to project the scanned image elements onto the photodetectors
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- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
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- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、光検出システ
ムに関するものであり、特に、これらのシステムのため
の照射及び検出装置に関するものである。
ムに関するものであり、特に、これらのシステムのため
の照射及び検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多くの光検出システムは、信頼できる性
能を発揮するのに十分な光を確保するため、人工的な照
射源を必要とする。例えば、スキャナには、走査したオ
リジナルを表すイメージを形成するのに必要なプリント
／背景コントラストをもたらす照射源を含むことが可能
である。ハイ・コントラスト・レベルによって、１つ以
上の光検出器によって発生するイメージ信号のＳ／Ｎ比
（ＳＮＲ）が高められる。ＳＮＲの向上によって、イメ
ージ複写の正確さが増す。さらに、ハイ・コントラスト
・レベルによって、走査操作をより速く実施することが
可能になる。
能を発揮するのに十分な光を確保するため、人工的な照
射源を必要とする。例えば、スキャナには、走査したオ
リジナルを表すイメージを形成するのに必要なプリント
／背景コントラストをもたらす照射源を含むことが可能
である。ハイ・コントラスト・レベルによって、１つ以
上の光検出器によって発生するイメージ信号のＳ／Ｎ比
（ＳＮＲ）が高められる。ＳＮＲの向上によって、イメ
ージ複写の正確さが増す。さらに、ハイ・コントラスト
・レベルによって、走査操作をより速く実施することが
可能になる。
【０００３】光検出システムに適した照射源の選択は、
いくつかの要素によって決まる。多機能フォトコピー機
は、一般に、蛍光灯を利用して、高速文書複写を可能に
する。ハンド・ヘルド・スキャナの照射源は、これに比
べて、コンパクトで、エネルギ効率が良くなければなら
ない。
いくつかの要素によって決まる。多機能フォトコピー機
は、一般に、蛍光灯を利用して、高速文書複写を可能に
する。ハンド・ヘルド・スキャナの照射源は、これに比
べて、コンパクトで、エネルギ効率が良くなければなら
ない。
【０００４】コンパクトで、低エネルギの検出システム
用照射源をもたらす魅力のあるアプローチに、励起信号
に応答して、平坦な表面から発光するエレクトロルミネ
ッセンス装置がある。厚膜及び薄膜エレクトロルミネッ
センス装置が周知のところである。電圧源に接続された
２つの電極層の間に、１つ以上の活性層を挟むことが可
能である。電極層の少なくとも一方は透明である。２つ
の電極層によって、電位差が加えられると、活性層の選
択によって決まる特定の波長のエネルギが放出される。
光は、透明な電極を通過し、文書のような対象表面にほ
ぼ均一な照射電界を発生するために用いることが可能で
ある。電荷結合素子（ＣＣＤ）アレイまたは他の検出装
置を用いて、対象表面から散乱する光を表した信号を形
成することが可能である。問題は、照射電界の強度がエ
レクトロルミネッセンス装置からの距離が増すにつれて
かなり低下することである。とりわけ、表面接触適用
例、すなわち、エレクトロルミネッセンス装置が対象表
面と接触するか、あるいは、ほぼ接触した状態になる適
用例において、検出器アレイが、エレクトロルミネッセ
ンス装置に隣接する場合、強度の低下は、検出システム
の性能に悪影響を及ぼす可能性がある。層に気密シール
が施されているので、エレクトロルミネッセンス装置の
放射領域は、一般には装置の端まで延びていない。湿度
及び酸素は、大部分のエレクトロルミネッセンス装置の
有効寿命を大幅に短縮させる。従って、該装置の端は、
活性層から水及び酸素を排除するために密閉される。シ
ールによって、該装置が急速な劣化を被る率は低下する
が、図１に示すように、放射領域とＣＣＤアレイまたは
他の光検出装置の視野との間隔が増すことになる。図１
のシール１１及び１３によって、エレクトロルミネッセ
ンス層スタック１５及び１７が保護される。各層スタッ
クは、１対の透明基板１９、２１、２３、及び、２５間
に挟まれている。２対の基板間の間隔によって、文書２
７から反射する光が、文書から光学装置２９への垂直線
によって表されるように、光学装置まで通過することが
可能になる。層スタック１５及び１７の端にシール１１
及び１３が存在することによって、層スタックの放射領
域と光学装置２９の視界との最小限の間隔が決まる。
用照射源をもたらす魅力のあるアプローチに、励起信号
に応答して、平坦な表面から発光するエレクトロルミネ
ッセンス装置がある。厚膜及び薄膜エレクトロルミネッ
センス装置が周知のところである。電圧源に接続された
２つの電極層の間に、１つ以上の活性層を挟むことが可
能である。電極層の少なくとも一方は透明である。２つ
の電極層によって、電位差が加えられると、活性層の選
択によって決まる特定の波長のエネルギが放出される。
光は、透明な電極を通過し、文書のような対象表面にほ
ぼ均一な照射電界を発生するために用いることが可能で
ある。電荷結合素子（ＣＣＤ）アレイまたは他の検出装
置を用いて、対象表面から散乱する光を表した信号を形
成することが可能である。問題は、照射電界の強度がエ
レクトロルミネッセンス装置からの距離が増すにつれて
かなり低下することである。とりわけ、表面接触適用
例、すなわち、エレクトロルミネッセンス装置が対象表
面と接触するか、あるいは、ほぼ接触した状態になる適
用例において、検出器アレイが、エレクトロルミネッセ
ンス装置に隣接する場合、強度の低下は、検出システム
の性能に悪影響を及ぼす可能性がある。層に気密シール
が施されているので、エレクトロルミネッセンス装置の
放射領域は、一般には装置の端まで延びていない。湿度
及び酸素は、大部分のエレクトロルミネッセンス装置の
有効寿命を大幅に短縮させる。従って、該装置の端は、
活性層から水及び酸素を排除するために密閉される。シ
ールによって、該装置が急速な劣化を被る率は低下する
が、図１に示すように、放射領域とＣＣＤアレイまたは
他の光検出装置の視野との間隔が増すことになる。図１
のシール１１及び１３によって、エレクトロルミネッセ
ンス層スタック１５及び１７が保護される。各層スタッ
クは、１対の透明基板１９、２１、２３、及び、２５間
に挟まれている。２対の基板間の間隔によって、文書２
７から反射する光が、文書から光学装置２９への垂直線
によって表されるように、光学装置まで通過することが
可能になる。層スタック１５及び１７の端にシール１１
及び１３が存在することによって、層スタックの放射領
域と光学装置２９の視界との最小限の間隔が決まる。
【０００５】Ｃｈｅｎｇ他に対する米国特許第５，４９
１，３８４号には、文書を走査して、ファクシミリで伝
送するといった、表面接触適用例に用いられる光源の記
載がある。エレクトロルミネッセンス光源は、２つの防
水層間に形成される。次に、該装置に狭いスロットが形
成される。該装置は、対象表面に接触させることになる
走査面ガラスに固定される。対象表面からの反射光は、
狭いスロットを通って、接触イメージ・センサのレンズ
に達する。狭いスロットは、活性層に直接通るように形
成されるので、狭いスロットにはシール材は設けられて
いない。この構成によれば、センサの視線内への強度分
布が改善されるが、活性層が湿気及び酸素にさらされ
る。
１，３８４号には、文書を走査して、ファクシミリで伝
送するといった、表面接触適用例に用いられる光源の記
載がある。エレクトロルミネッセンス光源は、２つの防
水層間に形成される。次に、該装置に狭いスロットが形
成される。該装置は、対象表面に接触させることになる
走査面ガラスに固定される。対象表面からの反射光は、
狭いスロットを通って、接触イメージ・センサのレンズ
に達する。狭いスロットは、活性層に直接通るように形
成されるので、狭いスロットにはシール材は設けられて
いない。この構成によれば、センサの視線内への強度分
布が改善されるが、活性層が湿気及び酸素にさらされ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コン
パクトで、エネルギ効率の良いやり方で、光検出器シス
テムにとって対象となる領域にほぼ均一な照射強度が得
られるようにする装置を提供することにある。本発明の
もう１つの目的は、雰囲気によって誘発される劣化から
こうした装置を保護するように、該装置を製造する方法
を提供することにある。
パクトで、エネルギ効率の良いやり方で、光検出器シス
テムにとって対象となる領域にほぼ均一な照射強度が得
られるようにする装置を提供することにある。本発明の
もう１つの目的は、雰囲気によって誘発される劣化から
こうした装置を保護するように、該装置を製造する方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】光検出システムのための
エレクトロルミネッセンス装置には、該装置を通って後
方反射する光を通すための集光経路が得られるようにパ
ターン形成された層スタックが含まれている。層スタッ
クには、少なくとも１つの活性層の両側に第１と第２の
電極層が含まれている。実施例の１つでは、層スタック
が、透明基板の表面に沿って連続して延びているが、第
２の電極層は、集光経路が得られるようにパターン形成
されている。この実施例の場合、第１の電極及び活性層
が透明であり、「後方反射光」（backreflected ligh
t、以下、後方反射光）は層スタックの集光経路を通っ
て伝搬することができる。後方反射光を受けるように、
焦点素子アレイのような照射コレクタと集光経路とのア
ライメントがとられている。該コレクタは、後方反射光
の検出に応答して、イメージ信号を形成する１つ以上の
光検出器とすることが可能である。
エレクトロルミネッセンス装置には、該装置を通って後
方反射する光を通すための集光経路が得られるようにパ
ターン形成された層スタックが含まれている。層スタッ
クには、少なくとも１つの活性層の両側に第１と第２の
電極層が含まれている。実施例の１つでは、層スタック
が、透明基板の表面に沿って連続して延びているが、第
２の電極層は、集光経路が得られるようにパターン形成
されている。この実施例の場合、第１の電極及び活性層
が透明であり、「後方反射光」（backreflected ligh
t、以下、後方反射光）は層スタックの集光経路を通っ
て伝搬することができる。後方反射光を受けるように、
焦点素子アレイのような照射コレクタと集光経路とのア
ライメントがとられている。該コレクタは、後方反射光
の検出に応答して、イメージ信号を形成する１つ以上の
光検出器とすることが可能である。
【０００８】層スタックは、有機エレクトロルミネッセ
ンス構造が望ましい。層の形成は、集積回路を製作する
ための層堆積に特有の堆積技法を利用して実施すること
が可能である。例えば、熱蒸着またはスパッタリングを
利用することが可能である。層は「薄膜」、すなわち、
最大厚が１５００オングストロームであることが望まし
い。
ンス構造が望ましい。層の形成は、集積回路を製作する
ための層堆積に特有の堆積技法を利用して実施すること
が可能である。例えば、熱蒸着またはスパッタリングを
利用することが可能である。層は「薄膜」、すなわち、
最大厚が１５００オングストロームであることが望まし
い。
【０００９】層は、ガラス板のような透明基板に一体構
造をなすように形成することが可能である。次に、第２
の透明基板または耐湿シールを接合して、エレクトロル
ミネッセンス層スタックに気密シールが施される。耐湿
性シールは、有機材料または無機材料による１つ以上の
層によって形成することが可能である。
造をなすように形成することが可能である。次に、第２
の透明基板または耐湿シールを接合して、エレクトロル
ミネッセンス層スタックに気密シールが施される。耐湿
性シールは、有機材料または無機材料による１つ以上の
層によって形成することが可能である。
【００１０】もう１つの実施例の場合、集光経路が得ら
れるように、ただ単に第２の電極層だけではなくより多
くの層にパターン形成が施される。層の不連続部によっ
て、１つ以上の光検出器に後方反射光が到達できるよう
にするギャップの両側に、第１と第２のエレクトロルミ
ネッセンス領域が形成される。ガラス基板のような１対
の透明部材間において、エレクトロルミネッセンス領域
に気密シールが施されるか、あるいは、２つのエレクト
ロルミネッセンス領域上及び該領域間において、耐湿性
シールが施される。ギャップは気密シールが施されるの
で、エレクトロルミネッセンス領域の活性層は、雰囲気
にされされない。第１及び第２のエレクトロルミネッセ
ンス領域の層は、同時に形成される。しかし、２つのエ
レクトロルミネッセンス領域が透明部材に沿って別個に
形成されるいくつかの適用例もあり得る。例えば、異な
る波長でエネルギを放射するエレクトロルミネッセンス
領域を設けるのが有利な場合もある。
れるように、ただ単に第２の電極層だけではなくより多
くの層にパターン形成が施される。層の不連続部によっ
て、１つ以上の光検出器に後方反射光が到達できるよう
にするギャップの両側に、第１と第２のエレクトロルミ
ネッセンス領域が形成される。ガラス基板のような１対
の透明部材間において、エレクトロルミネッセンス領域
に気密シールが施されるか、あるいは、２つのエレクト
ロルミネッセンス領域上及び該領域間において、耐湿性
シールが施される。ギャップは気密シールが施されるの
で、エレクトロルミネッセンス領域の活性層は、雰囲気
にされされない。第１及び第２のエレクトロルミネッセ
ンス領域の層は、同時に形成される。しかし、２つのエ
レクトロルミネッセンス領域が透明部材に沿って別個に
形成されるいくつかの適用例もあり得る。例えば、異な
る波長でエネルギを放射するエレクトロルミネッセンス
領域を設けるのが有利な場合もある。
【００１１】本発明の利点は、エレクトロルミネッセン
ス装置の放出領域と、検出光学素子にとって対象となる
表面からの集光経路の周辺部を接触させ、同時に、雰囲
気にさらされる悪影響から活性層を保護することができ
る点にある。従って、発光領域の端にシールが必要とさ
れる場合に得られるよりも、対象表面において得られる
強度のほうが高くなる。放出される光と対象表面、さら
には、検出光学素子との結合効率は、従来技術と比較し
て少なくとも３倍に増す可能性があると考えられる。従
って、検出システムの従来技術によるエレクトロルミネ
ッセンス光源と比較すると、光源の明るさを、表面照射
の損失を伴うことなく、低下させることができるので、
光源の動作寿命を延ばすことが可能になる。携帯式適用
例の場合、バッテリの寿命が延長される。
ス装置の放出領域と、検出光学素子にとって対象となる
表面からの集光経路の周辺部を接触させ、同時に、雰囲
気にさらされる悪影響から活性層を保護することができ
る点にある。従って、発光領域の端にシールが必要とさ
れる場合に得られるよりも、対象表面において得られる
強度のほうが高くなる。放出される光と対象表面、さら
には、検出光学素子との結合効率は、従来技術と比較し
て少なくとも３倍に増す可能性があると考えられる。従
って、検出システムの従来技術によるエレクトロルミネ
ッセンス光源と比較すると、光源の明るさを、表面照射
の損失を伴うことなく、低下させることができるので、
光源の動作寿命を延ばすことが可能になる。携帯式適用
例の場合、バッテリの寿命が延長される。
【００１２】本発明のもう１つの利点は、製作技法が一
般に簡単という点である。有機エレクトロルミネッセン
ス領域を設ける好適な実施例の場合、有機発光ダイオー
ドを製作するための既知の技法を利用することが可能で
ある。しかし、透明基板上にＩＩ−ＶＩ族のエレクトロ
ルミネッセンス装置を製作して、利点を実現する密閉さ
れた集光経路を設けることも可能である。
般に簡単という点である。有機エレクトロルミネッセン
ス領域を設ける好適な実施例の場合、有機発光ダイオー
ドを製作するための既知の技法を利用することが可能で
ある。しかし、透明基板上にＩＩ−ＶＩ族のエレクトロ
ルミネッセンス装置を製作して、利点を実現する密閉さ
れた集光経路を設けることも可能である。
【００１３】
【実施例】図２及び３には、光検出システム１０には、
エレクトロルミネッセンス光源１２、光学装置１４、及
び、光検出器１６が含まれている。光学装置及び光検出
器は、従来のコンポーネントである。例えば、図２にお
いて明らかなように、光学装置は、下方端において送り
込まれる光の焦点を上方端の光検出器１６に合わせるレ
ンズとすることも可能である。このタイプのレンズは、
スキャナにおいて利用され、「ロッド・レンズ」と呼ば
れることもある。図３には１つのレンズだけしか示され
ていないが、スキャナには、一般に、こうしたレンズ・
アレイが含まれている。さらに、スキャナ適用例に言及
すると、光検出器１６の直線上アレイが設けられてい
る。直線状アレイは、図３の図に対して垂直をなす方向
にアライメントがとられている。
エレクトロルミネッセンス光源１２、光学装置１４、及
び、光検出器１６が含まれている。光学装置及び光検出
器は、従来のコンポーネントである。例えば、図２にお
いて明らかなように、光学装置は、下方端において送り
込まれる光の焦点を上方端の光検出器１６に合わせるレ
ンズとすることも可能である。このタイプのレンズは、
スキャナにおいて利用され、「ロッド・レンズ」と呼ば
れることもある。図３には１つのレンズだけしか示され
ていないが、スキャナには、一般に、こうしたレンズ・
アレイが含まれている。さらに、スキャナ適用例に言及
すると、光検出器１６の直線上アレイが設けられてい
る。直線状アレイは、図３の図に対して垂直をなす方向
にアライメントがとられている。
【００１４】光検出器１６は、光学装置１４から受ける
光に応答する信号を発生する。この信号は、デジタル信
号プロセッサ（ＤＳＰ）１８に出力される。好適な実施
例の場合、該信号はイメージ信号である。例えば、光検
出システム１０は、文書２０または対象となる別の表面
のイメージを生成するハンド・ヘルド式スキャナのハウ
ジング内に収容されている。しかし、光検出システム１
０は、非イメージ形成適用例において利用することが可
能である。例えば、該システムは、ある表面と光学装置
１４のアライメントがとれるか、あるいは、アライメン
トがずれるかの判定をする必要しかない適用例において
用いることが可能である。こうした適用例の場合、表面
の複写は必要ではなく、ＤＳＰ１８の処理は単純化され
る。
光に応答する信号を発生する。この信号は、デジタル信
号プロセッサ（ＤＳＰ）１８に出力される。好適な実施
例の場合、該信号はイメージ信号である。例えば、光検
出システム１０は、文書２０または対象となる別の表面
のイメージを生成するハンド・ヘルド式スキャナのハウ
ジング内に収容されている。しかし、光検出システム１
０は、非イメージ形成適用例において利用することが可
能である。例えば、該システムは、ある表面と光学装置
１４のアライメントがとれるか、あるいは、アライメン
トがずれるかの判定をする必要しかない適用例において
用いることが可能である。こうした適用例の場合、表面
の複写は必要ではなく、ＤＳＰ１８の処理は単純化され
る。
【００１５】エレクトロルミネッセンス光源１２は、文
書２０の表面を照射するために利用される。「エレクト
ロルミネッセンス光源」は、本明細書の場合、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族の有機材料または無機材料に流れる電流に応答し
て、前記材料の層によって生じる照射光源と定義され
る。しかし、好適な実施例は、エレクトロルミネッセン
ス光源１２が、フラットな分散形光源であり、有機発光
構造をなすものである。
書２０の表面を照射するために利用される。「エレクト
ロルミネッセンス光源」は、本明細書の場合、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族の有機材料または無機材料に流れる電流に応答し
て、前記材料の層によって生じる照射光源と定義され
る。しかし、好適な実施例は、エレクトロルミネッセン
ス光源１２が、フラットな分散形光源であり、有機発光
構造をなすものである。
【００１６】次に図２、３、及び、４を参照すると、下
方電極層２８と上方電極層３０の間に１対の活性層２４
及び２６を含む、有機エレクトロルミネッセンス層スタ
ック２２の一例が示されている。４層スタックは、本発
明にとって必須条件ではない。単一活性層または３つ以
上の活性層を備えるエレクトロルミネッセンス装置を利
用することが可能である。さらに、装置には、誘電体層
を含むことが可能なものもある。層スタック２２は、透
明基板３２上に形成される。透明基板は、ガラス板が好
ましいが、これは必須条件ではない。
方電極層２８と上方電極層３０の間に１対の活性層２４
及び２６を含む、有機エレクトロルミネッセンス層スタ
ック２２の一例が示されている。４層スタックは、本発
明にとって必須条件ではない。単一活性層または３つ以
上の活性層を備えるエレクトロルミネッセンス装置を利
用することが可能である。さらに、装置には、誘電体層
を含むことが可能なものもある。層スタック２２は、透
明基板３２上に形成される。透明基板は、ガラス板が好
ましいが、これは必須条件ではない。
【００１７】下方電極層２８は、透明な導電材料から形
成される。約１０〜１００Ω／□のシート抵抗を有する
インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）は、許容可能な材料
である。ＩＴＯをコーティングしたガラス板は、市販さ
れている。有機活性層２４及び２６は、熱真空蒸着有機
層とすることが可能である。下方活性層２６は、約６０
０オングストロームの厚さまで真空蒸着されたトリフェ
ニルジアミン（triphenyldiamine、以下ＴＰＤと略す）
とすることが可能である。ＴＰＤ層は、エレクトロルミ
ネッセンス装置の正孔移動層としての働きをする。第２
の活性有機層２４は、発光層である。許容可能な材料
は、トリス・ヒドロキシキノリン・アルミニウム（tris
-hydroxyquinoline aluminum 以下Ａｌｑ3と略す）で
ある。この上方活性層は、６００オングストロームの厚
さを備えることが可能である。活性層は、両方とも透明
である。
成される。約１０〜１００Ω／□のシート抵抗を有する
インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）は、許容可能な材料
である。ＩＴＯをコーティングしたガラス板は、市販さ
れている。有機活性層２４及び２６は、熱真空蒸着有機
層とすることが可能である。下方活性層２６は、約６０
０オングストロームの厚さまで真空蒸着されたトリフェ
ニルジアミン（triphenyldiamine、以下ＴＰＤと略す）
とすることが可能である。ＴＰＤ層は、エレクトロルミ
ネッセンス装置の正孔移動層としての働きをする。第２
の活性有機層２４は、発光層である。許容可能な材料
は、トリス・ヒドロキシキノリン・アルミニウム（tris
-hydroxyquinoline aluminum 以下Ａｌｑ3と略す）で
ある。この上方活性層は、６００オングストロームの厚
さを備えることが可能である。活性層は、両方とも透明
である。
【００１８】上方電極層３０は、厚さ１０００オングス
トロームのマグネシウム（Ｍｇ）の層とすることが可能
である。オプションにより、Ｍｇ層の熱蒸着の後、銀
（Ａｇ）の熱蒸着を実施して、Ｍｇ層のための酸化防護
層が設けられる。Ａｇ層の許容可能な厚さは、１０００
オングストロームである。真空状態を中断することな
く、有機層の蒸着に引き続き、Ｍｇ／Ａｇ金属二層構造
３０の蒸着が実施されるので、Ａｌｑ3層２４が空気に
さらされないですむ。活性層２４及び２６と、電極の2
つの層３０の場合、約２×１０-7トルにおける真空蒸着
を利用することが可能である。
トロームのマグネシウム（Ｍｇ）の層とすることが可能
である。オプションにより、Ｍｇ層の熱蒸着の後、銀
（Ａｇ）の熱蒸着を実施して、Ｍｇ層のための酸化防護
層が設けられる。Ａｇ層の許容可能な厚さは、１０００
オングストロームである。真空状態を中断することな
く、有機層の蒸着に引き続き、Ｍｇ／Ａｇ金属二層構造
３０の蒸着が実施されるので、Ａｌｑ3層２４が空気に
さらされないですむ。活性層２４及び２６と、電極の2
つの層３０の場合、約２×１０-7トルにおける真空蒸着
を利用することが可能である。
【００１９】図２、３、及び、４に示すように、第１と
第２のエレクトロルミネッセンス領域の間に、集光経路
３４が得られるように、上方電極層３０にパターン形成
が施される。金属電極二層構造３０にパターン形成する
ための技法は、当該技術において周知のところである。
例えば、シャドー・マスク技法を利用することが可能で
ある。下方電極層２８及び上方電極層３０に励起信号が
加えられると、発光の開始に必要とされる電界が、集光
経路３４内には生じないので、電極層のギャップによっ
て、第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域が形成
される。図３の場合、励起信号は、電圧源３６によって
加えられる。
第２のエレクトロルミネッセンス領域の間に、集光経路
３４が得られるように、上方電極層３０にパターン形成
が施される。金属電極二層構造３０にパターン形成する
ための技法は、当該技術において周知のところである。
例えば、シャドー・マスク技法を利用することが可能で
ある。下方電極層２８及び上方電極層３０に励起信号が
加えられると、発光の開始に必要とされる電界が、集光
経路３４内には生じないので、電極層のギャップによっ
て、第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域が形成
される。図３の場合、励起信号は、電圧源３６によって
加えられる。
【００２０】当該技術において周知のように、活性層２
４及び２６は、湿気によって誘発される劣化及び酸素に
よって誘発される劣化を被りやすい。有機発光ダイオー
ドは、雰囲気にさらされると、急速に劣化する。従っ
て、好適な実施例では、図３の層スタック２２が封じ込
められる。層スタック２２のまわりにハーメチック・シ
ールが形成される。さらに詳細に後述するように、ハー
メチック・シールを形成するための構造は、集光経路３
４内において透明であることが望ましく、それによっ
て、後方反射光が該構造を通過することが可能になる。
図２及び３には、シール構造の実施例の１つが示されて
いる。この実施例の場合、層スタック２２の上に、耐湿
層３８が形成される。層３８は、サラン（Saran)と呼ば
れる熱可塑性樹脂の１つのような、透明ポリマとするこ
とが可能である。代替案として、層３８は、Ｓｉ3Ｎ4、
ＳｉＯ2のような無機材料とすることもできるし、ある
いは、複数の有機膜及び／または無機膜から構成するこ
とも可能である。該層は、層スタックの側部に沿って延
び、上方電極層３０にパターン形成を施すことによって
形成される集光経路３４の部分を充填する。
４及び２６は、湿気によって誘発される劣化及び酸素に
よって誘発される劣化を被りやすい。有機発光ダイオー
ドは、雰囲気にさらされると、急速に劣化する。従っ
て、好適な実施例では、図３の層スタック２２が封じ込
められる。層スタック２２のまわりにハーメチック・シ
ールが形成される。さらに詳細に後述するように、ハー
メチック・シールを形成するための構造は、集光経路３
４内において透明であることが望ましく、それによっ
て、後方反射光が該構造を通過することが可能になる。
図２及び３には、シール構造の実施例の１つが示されて
いる。この実施例の場合、層スタック２２の上に、耐湿
層３８が形成される。層３８は、サラン（Saran)と呼ば
れる熱可塑性樹脂の１つのような、透明ポリマとするこ
とが可能である。代替案として、層３８は、Ｓｉ3Ｎ4、
ＳｉＯ2のような無機材料とすることもできるし、ある
いは、複数の有機膜及び／または無機膜から構成するこ
とも可能である。該層は、層スタックの側部に沿って延
び、上方電極層３０にパターン形成を施すことによって
形成される集光経路３４の部分を充填する。
【００２１】動作時、電圧源３６は、下方電極層２８及
び上方電極層３０に励起信号を加える。図２には示され
ていないが、集光経路３４によって間隔のあいた上方電
極層の領域間には、電気接続が施されている。例えば、
図２において分かるように、電極層３０の前方周辺部と
後方周辺部の一方または両方を横切って延びる電極材料
の接続部を設けることが可能である。前方周辺部と後方
周辺部の両方に、独立した接続部が用いられる場合、集
光経路を形成するギャップは、電極材料によって形作ら
れる。適用例によっては、上方電極層の２つの部分に独
立した励起信号を加え、この２つの部分が電気的に分離
され、第２の電圧源３６が追加されるようにするのが有
利に場合もある。
び上方電極層３０に励起信号を加える。図２には示され
ていないが、集光経路３４によって間隔のあいた上方電
極層の領域間には、電気接続が施されている。例えば、
図２において分かるように、電極層３０の前方周辺部と
後方周辺部の一方または両方を横切って延びる電極材料
の接続部を設けることが可能である。前方周辺部と後方
周辺部の両方に、独立した接続部が用いられる場合、集
光経路を形成するギャップは、電極材料によって形作ら
れる。適用例によっては、上方電極層の２つの部分に独
立した励起信号を加え、この２つの部分が電気的に分離
され、第２の電圧源３６が追加されるようにするのが有
利に場合もある。
【００２２】下方電極層２８及び上方電極層３０に励起
信号を加えると、第１及び／または第２のエレクトロル
ミネッセンス領域は光を放射する。エレクトロルミネッ
センス領域は、フラットな分散形光源である。光の強度
は、こうした光源の端からの距離が増すにつれて急速に
低下する。しかし、図３の実施例の場合、第１と第２の
照射領域が、それぞれ、集光経路３４とアライメントの
とれた文書２０の部分に光を放射するので、強度は比較
的一様なままである。図３には、いくつかの光線が略示
されている。図示のように、第１のエレクトロルミネッ
センス領域からの端からの光線４２が、電極３０の中央
ギャップの側方距離の約１／２までを照射している。同
様に、第２のエレクトロルミネッセンス領域からの端か
らの光線４４は、略示されているように、中央ギャップ
の側方距離の約１／２までを照射している。従って、２
つのエレクトロルミネッセンス領域からの放射を組み合
わせることによって、光学装置１４とアライメントのと
れた文書の全部分が照射されることになる。
信号を加えると、第１及び／または第２のエレクトロル
ミネッセンス領域は光を放射する。エレクトロルミネッ
センス領域は、フラットな分散形光源である。光の強度
は、こうした光源の端からの距離が増すにつれて急速に
低下する。しかし、図３の実施例の場合、第１と第２の
照射領域が、それぞれ、集光経路３４とアライメントの
とれた文書２０の部分に光を放射するので、強度は比較
的一様なままである。図３には、いくつかの光線が略示
されている。図示のように、第１のエレクトロルミネッ
センス領域からの端からの光線４２が、電極３０の中央
ギャップの側方距離の約１／２までを照射している。同
様に、第２のエレクトロルミネッセンス領域からの端か
らの光線４４は、略示されているように、中央ギャップ
の側方距離の約１／２までを照射している。従って、２
つのエレクトロルミネッセンス領域からの放射を組み合
わせることによって、光学装置１４とアライメントのと
れた文書の全部分が照射されることになる。
【００２３】対象となる表面２０からの後方反射光が、
第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域間における
集光経路３４に入射する。後方反射光線４６は、図示の
ように、エレクトロルミネッセンス光源１２を通過して
いる。後方反射光線４６は、光学装置１４に入射する。
前述のように、光学装置は、信号処理装置１８に対して
電気信号を出力する光検出器１６に、入射後方反射光の
焦点を合わせるのが望ましい。下方透明基板３２は、図
示のように、対象となる表面２０からわずかに間隔があ
いているが、これは必須条件ではない。ハンド・ヘルド
式スキャナによって、透明基板３２の表面と対象表面２
０の接触を可能にすることができる。下方透明基板の厚
さと集光経路の側方寸法は、光学装置１４の視線内にあ
る対象表面の部分全体に十分な照射が確保されるように
選択することが可能である。透明基板３２の許容可能厚
さは、１ミリメートルである。エレクトロルミネッセン
ス光源から放出される光と後方反射光の検出との結合効
率は、一般的な先行技術によるアプローチに対して少な
くとも３倍に増す可能性がある。例えば、構造及び操作
上の考慮事項によって、（１）基板の厚さ、（２）集光
経路の幅、及び、（３）必然的に発光表面の各端を越え
て延びるシール材料の幅のそれぞれについて１ｍｍの寸
法要件が規定される場合、本発明では、走査線上の照射
が４倍に増大する（これは図1の従来技術と比較した場
合であり、図１の従来技術では、集光経路の側部に別々
の光源を形成し、エレクトロルミネッセンス層スタック
１５及び１７の端にシール材料１１及び１３が形成さ
れ、その結果光学装置２９の視野にすぐ隣接した部分か
らは発光が生じない）。従って、ハンド・ヘルド式スキ
ャナのバッテリ寿命は、エレクトロルミネッセンス光源
の明るさを低下させることによって延長することができ
る。この明るさの低下によって、光源の動作寿命も延長
される。
第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域間における
集光経路３４に入射する。後方反射光線４６は、図示の
ように、エレクトロルミネッセンス光源１２を通過して
いる。後方反射光線４６は、光学装置１４に入射する。
前述のように、光学装置は、信号処理装置１８に対して
電気信号を出力する光検出器１６に、入射後方反射光の
焦点を合わせるのが望ましい。下方透明基板３２は、図
示のように、対象となる表面２０からわずかに間隔があ
いているが、これは必須条件ではない。ハンド・ヘルド
式スキャナによって、透明基板３２の表面と対象表面２
０の接触を可能にすることができる。下方透明基板の厚
さと集光経路の側方寸法は、光学装置１４の視線内にあ
る対象表面の部分全体に十分な照射が確保されるように
選択することが可能である。透明基板３２の許容可能厚
さは、１ミリメートルである。エレクトロルミネッセン
ス光源から放出される光と後方反射光の検出との結合効
率は、一般的な先行技術によるアプローチに対して少な
くとも３倍に増す可能性がある。例えば、構造及び操作
上の考慮事項によって、（１）基板の厚さ、（２）集光
経路の幅、及び、（３）必然的に発光表面の各端を越え
て延びるシール材料の幅のそれぞれについて１ｍｍの寸
法要件が規定される場合、本発明では、走査線上の照射
が４倍に増大する（これは図1の従来技術と比較した場
合であり、図１の従来技術では、集光経路の側部に別々
の光源を形成し、エレクトロルミネッセンス層スタック
１５及び１７の端にシール材料１１及び１３が形成さ
れ、その結果光学装置２９の視野にすぐ隣接した部分か
らは発光が生じない）。従って、ハンド・ヘルド式スキ
ャナのバッテリ寿命は、エレクトロルミネッセンス光源
の明るさを低下させることによって延長することができ
る。この明るさの低下によって、光源の動作寿命も延長
される。
【００２４】図５には、本発明の第２の実施例が示され
ている。この実施例の場合、エレクトロルミネッセンス
光源４８には、エポキシまたは他のシール材５４によっ
て接着された上方透明基板５０及び下方透明基板５２が
含まれている。シール材は、下方電極層５６、１対の活
性層５８及び６０、及び、上方電極層６２を含むエレク
トロルミネッセンス層スタックにハーメチック・シール
を施すように選択される。この実施例の場合、層スタッ
クは、ガスを充填したスペース６４によってシール材及
び上方基板５０から間隔をあけられている。スペース６
４内のガスは、アルゴンまたは窒素のような不活性ガス
である。このガスは、上電極６２にパターン形成された
ギャップによって設けられた集光経路６６内にも含まれ
ている。集光経路は、図２〜４に関連して既述のものと
同じである。
ている。この実施例の場合、エレクトロルミネッセンス
光源４８には、エポキシまたは他のシール材５４によっ
て接着された上方透明基板５０及び下方透明基板５２が
含まれている。シール材は、下方電極層５６、１対の活
性層５８及び６０、及び、上方電極層６２を含むエレク
トロルミネッセンス層スタックにハーメチック・シール
を施すように選択される。この実施例の場合、層スタッ
クは、ガスを充填したスペース６４によってシール材及
び上方基板５０から間隔をあけられている。スペース６
４内のガスは、アルゴンまたは窒素のような不活性ガス
である。このガスは、上電極６２にパターン形成された
ギャップによって設けられた集光経路６６内にも含まれ
ている。集光経路は、図２〜４に関連して既述のものと
同じである。
【００２５】層５６、５８、６０、及び、６２は、図２
〜４に関連して既述のものとも同じである。従って、下
方電極層５６は、ガラス基板５２にＩＴＯのコーティン
グを施したものとし、下方活性層５８はＴＰＤとし、上
方活性層６０はＡｌｑ3とし、上方電極層６２は、Ｍｇ
及びＡｇの別々の膜とすることが可能である。
〜４に関連して既述のものとも同じである。従って、下
方電極層５６は、ガラス基板５２にＩＴＯのコーティン
グを施したものとし、下方活性層５８はＴＰＤとし、上
方活性層６０はＡｌｑ3とし、上方電極層６２は、Ｍｇ
及びＡｇの別々の膜とすることが可能である。
【００２６】動作時、２つのエレクトロルミネッセンス
領域６８は、それぞれ、励起信号に応答して、光を放射
する。図５には、信号源は示されていない。端からの光
線７２及び７４は、集光経路６６とアライメントのとれ
た対象表面７６の部分に角度をなして到達している。後
方反射光が、２つの透明基板５０及び５２と、集光経路
６６を通って、光検出器７８に到達し、ＤＳＰ８０に対
する信号が発生する。オプションにより、図５のシステ
ムには、後方放射の焦点を光検出器７８に合わせるよう
にアライメントのとられた光学装置も含まれている。
領域６８は、それぞれ、励起信号に応答して、光を放射
する。図５には、信号源は示されていない。端からの光
線７２及び７４は、集光経路６６とアライメントのとれ
た対象表面７６の部分に角度をなして到達している。後
方反射光が、２つの透明基板５０及び５２と、集光経路
６６を通って、光検出器７８に到達し、ＤＳＰ８０に対
する信号が発生する。オプションにより、図５のシステ
ムには、後方放射の焦点を光検出器７８に合わせるよう
にアライメントのとられた光学装置も含まれている。
【００２７】図６には、本発明の第３の実施例が示され
ている。この実施例の場合、第１のエレクトロルミネッ
センス領域８２は、第２のエレクトロルミネッセンス領
域８４から間隔があいている。この２つの領域は、層ス
タックをなす層のそれぞれにパターン形成を施して、製
作することが可能である。代替案として、第１のエレク
トロルミネッセンス領域８２を形成する層スタック８６
と、第２のエレクトロルミネッセンス領域を形成する層
スタック８８は、別個に形成することが可能である。こ
の代替実施例の場合、２つの領域は、特性の異なる放射
線を放出することが可能である。例えば、文書９０の表
面の照射において、２つの異なるカラーの光を利用する
ことが有利になる適用例が存在する可能性がある。
ている。この実施例の場合、第１のエレクトロルミネッ
センス領域８２は、第２のエレクトロルミネッセンス領
域８４から間隔があいている。この２つの領域は、層ス
タックをなす層のそれぞれにパターン形成を施して、製
作することが可能である。代替案として、第１のエレク
トロルミネッセンス領域８２を形成する層スタック８６
と、第２のエレクトロルミネッセンス領域を形成する層
スタック８８は、別個に形成することが可能である。こ
の代替実施例の場合、２つの領域は、特性の異なる放射
線を放出することが可能である。例えば、文書９０の表
面の照射において、２つの異なるカラーの光を利用する
ことが有利になる適用例が存在する可能性がある。
【００２８】層スタック８６及び８８は、集積回路製作
技術を利用して、透明基板９２に形成される。該層は、
薄膜層であることが望ましい。図示のように、各スタッ
クは４つの層を備えているが、これは必須条件ではな
い。材料系によっては、単一活性層を利用して、エレク
トロルミネッセンスを発生することが可能なものもあ
る。他の材料では、３つ以上の有機層が有効である。ポ
リマまたはＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4のような無機材料を形
状が適合するように塗布して、層スタックをカバーする
ことも可能である。材料９４は、２つの層スタック間の
集光経路９６内に入り込んでいる。
技術を利用して、透明基板９２に形成される。該層は、
薄膜層であることが望ましい。図示のように、各スタッ
クは４つの層を備えているが、これは必須条件ではな
い。材料系によっては、単一活性層を利用して、エレク
トロルミネッセンスを発生することが可能なものもあ
る。他の材料では、３つ以上の有機層が有効である。ポ
リマまたはＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4のような無機材料を形
状が適合するように塗布して、層スタックをカバーする
ことも可能である。材料９４は、２つの層スタック間の
集光経路９６内に入り込んでいる。
【００２９】動作時、エレクトロルミネッセンス領域８
２及び８４における２つの層スタック８６及び８８のそ
れぞれによる光が、文書９０の表面に送られる。後方反
射光９８が、集光経路９６を通り、光検出器１００によ
って受光される。受光された後方反射光に応答する電気
信号が、従来の技法を利用してＤＳＰ１０２において処
理される。光検出器及びＤＳＰの動作は、本発明にとっ
ては重要ではない。
２及び８４における２つの層スタック８６及び８８のそ
れぞれによる光が、文書９０の表面に送られる。後方反
射光９８が、集光経路９６を通り、光検出器１００によ
って受光される。受光された後方反射光に応答する電気
信号が、従来の技法を利用してＤＳＰ１０２において処
理される。光検出器及びＤＳＰの動作は、本発明にとっ
ては重要ではない。
【００３０】図７の実施例は、図６の実施例と同様であ
る。第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域１０４
及び１０６は、集光経路１０８によって間隔があいてい
る。２つの領域を形成する層は、同時にまたは別個に製
作することが可能である。少なくとも活性層１１０及び
１１２を別個に製作することによって、２つの領域は、
例えば、異なるカラーまたは光強度といった、異なる特
性を備えることが可能になる。
る。第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域１０４
及び１０６は、集光経路１０８によって間隔があいてい
る。２つの領域を形成する層は、同時にまたは別個に製
作することが可能である。少なくとも活性層１１０及び
１１２を別個に製作することによって、２つの領域は、
例えば、異なるカラーまたは光強度といった、異なる特
性を備えることが可能になる。
【００３１】２つのエレクトロルミネッセンス領域１０
４及び１０６にシールを施すための手段は、図５の実施
例に用いられているものと同様である。シール材１１４
によって、第１と第２の透明基板１２０及び１１８に密
封状態でのカプセル化が施される。２つの基板間に不活
性ガスを密封することによって、不活性雰囲気が得ら
れ、２つのエレクトロルミネッセンス領域１０４及び１
０６の有効寿命の延長が保証される。エレクトロルミネ
ッセンス光源１２２の動作は、図６の動作と同じであ
る。光が、領域１０４及び１０６のそれぞれから文書１
２４の表面に送られる。後方反射光が、検出器１２８に
おいて受光され、ＤＳＰ１３０に対するそれぞれの電気
信号が生じる。
４及び１０６にシールを施すための手段は、図５の実施
例に用いられているものと同様である。シール材１１４
によって、第１と第２の透明基板１２０及び１１８に密
封状態でのカプセル化が施される。２つの基板間に不活
性ガスを密封することによって、不活性雰囲気が得ら
れ、２つのエレクトロルミネッセンス領域１０４及び１
０６の有効寿命の延長が保証される。エレクトロルミネ
ッセンス光源１２２の動作は、図６の動作と同じであ
る。光が、領域１０４及び１０６のそれぞれから文書１
２４の表面に送られる。後方反射光が、検出器１２８に
おいて受光され、ＤＳＰ１３０に対するそれぞれの電気
信号が生じる。
【００３２】本発明は、光検出器において「後方反射
光」を受光するものとして解説されてきたが、これは、
対象表面からの後方散乱放射線及び／または回折放射線
を含むものと理解すべきである。
光」を受光するものとして解説されてきたが、これは、
対象表面からの後方散乱放射線及び／または回折放射線
を含むものと理解すべきである。
【００３３】以上、本発明の実施例について詳述した
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
【００３４】（実施態様１）光検出システム（１０）で
あって、以下（ａ）から（ｄ）を含むことを特徴とする
光検出システム、（ａ）第１の透明部材（３２；５２；
９２；１２０）、（ｂ）前記第１の透明部材上のあっ
て、励起信号に応答して光を発生する第１と第２のエレ
クトロルミネッセンス領域（２２；６８及び７０；８２
及び８４；及び１０４及び１０６）であって、該第１と
第２のエレクトロルミネッセンス領域は、前記第１の透
明基板表面上の複数の層（２２；８６及び８８）によっ
て形成され、前記層の少なくとも１つが、不連続で、前
記第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域間にギャ
ップ（３４；６６；９６；及び１０８）を形成してお
り、（ｃ）前記第１の透明部材に固定され、前記層のま
わりに延びて、前記第１と第２のエレクトロルミネッセ
ンス領域及び前記ギャップに気密シールを施すシール
（３８；５０及び５４；９４；１１４及び１１８）、
（ｄ）前記シールに隣接し、前記ギャップとのアライメ
ントがとれており、前記ギャップを通過する光に応答し
てイメージ信号を形成する検出器（１６；７８；１０
０；１２８）。
あって、以下（ａ）から（ｄ）を含むことを特徴とする
光検出システム、（ａ）第１の透明部材（３２；５２；
９２；１２０）、（ｂ）前記第１の透明部材上のあっ
て、励起信号に応答して光を発生する第１と第２のエレ
クトロルミネッセンス領域（２２；６８及び７０；８２
及び８４；及び１０４及び１０６）であって、該第１と
第２のエレクトロルミネッセンス領域は、前記第１の透
明基板表面上の複数の層（２２；８６及び８８）によっ
て形成され、前記層の少なくとも１つが、不連続で、前
記第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域間にギャ
ップ（３４；６６；９６；及び１０８）を形成してお
り、（ｃ）前記第１の透明部材に固定され、前記層のま
わりに延びて、前記第１と第２のエレクトロルミネッセ
ンス領域及び前記ギャップに気密シールを施すシール
（３８；５０及び５４；９４；１１４及び１１８）、
（ｄ）前記シールに隣接し、前記ギャップとのアライメ
ントがとれており、前記ギャップを通過する光に応答し
てイメージ信号を形成する検出器（１６；７８；１０
０；１２８）。
【００３５】（実施態様２）実施態様１に記載の光検出
システムであって、該システムは、第１と第２のエレク
トロルミネッセンス領域（２２；６８及び７０；８２及
び８４；及び１０４及び１０６）を形成する前記層（２
２；及び８６）に、第１と第２の電極層（２８及び３
０；５６及び６２）と、少なくとも１つの有機発光層
（２４及び２６；５８及び６０；１１０及び１１２）が
含まれていることを特徴とする。
システムであって、該システムは、第１と第２のエレク
トロルミネッセンス領域（２２；６８及び７０；８２及
び８４；及び１０４及び１０６）を形成する前記層（２
２；及び８６）に、第１と第２の電極層（２８及び３
０；５６及び６２）と、少なくとも１つの有機発光層
（２４及び２６；５８及び６０；１１０及び１１２）が
含まれていることを特徴とする。
【００３６】（実施態様３）実施態様２に記載の光検出
システムであって、該システムは、前記シールに、第２
の透明部材（５０；及び１１８）が含まれていること、
前記第２の電極層（３０；及び６２）が、前記有機発光
層（５８及び６０；１１０及び１１２）の前記第２の透
明部材に近接した側に位置すること、および前記第２の
電極層が、前記有機発光層を露出させて、前記ギャップ
（３４；及び６６）を形成する不連続部を有するパター
ン形成された金属層であることを特徴とする。
システムであって、該システムは、前記シールに、第２
の透明部材（５０；及び１１８）が含まれていること、
前記第２の電極層（３０；及び６２）が、前記有機発光
層（５８及び６０；１１０及び１１２）の前記第２の透
明部材に近接した側に位置すること、および前記第２の
電極層が、前記有機発光層を露出させて、前記ギャップ
（３４；及び６６）を形成する不連続部を有するパター
ン形成された金属層であることを特徴とする。
【００３７】（実施態様４）実施態様１または２に記載
の光検出システムであって、該システムは、前記シール
に、前記第１の透明基板（５２；及び１２０）と平行な
第２の透明基板（５０及び１１８）が含まれているこ
と、および前記第１と第２の透明部材が、互いに接着さ
れて、前記第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域
（６８及び７０；１０４及び１０６）のまわりに耐湿性
シールを形成するガラス基板であることを特徴とする。
の光検出システムであって、該システムは、前記シール
に、前記第１の透明基板（５２；及び１２０）と平行な
第２の透明基板（５０及び１１８）が含まれているこ
と、および前記第１と第２の透明部材が、互いに接着さ
れて、前記第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域
（６８及び７０；１０４及び１０６）のまわりに耐湿性
シールを形成するガラス基板であることを特徴とする。
【００３８】（実施態様５）実施態様１または２に記載
の光検出システムであって、該システムは、前記シール
（３８；及び９４）が、前記複数の層（２２；８６及び
８８）の端、及び、前記第１の透明部材（３２；及び９
２）とは反対側の層上に位置する、少なくとも１つの形
状適合した層であることを特徴とする。
の光検出システムであって、該システムは、前記シール
（３８；及び９４）が、前記複数の層（２２；８６及び
８８）の端、及び、前記第１の透明部材（３２；及び９
２）とは反対側の層上に位置する、少なくとも１つの形
状適合した層であることを特徴とする。
【００３９】（実施態様６）光検出システム（１０）に
用いられる装置（１２；４８；１２２）を製造する方法
であって、該方法は以下（ａ）から（ｃ）のステップを
含むことを特徴とする、（ａ）第１の透明基板（３２；
５２；９２；及び１２０）を設けるステップと、（ｂ）
前記第１の透明基板上にエレクトロルミネッセンス層ス
タック（２２；８６及び８８）を形成するステップであ
って、該ステップは有機活性層（２４及び２６；５８及
び６０；１１０及び１１２）の両側に第１と第２の電極
層（２８及び３０；５６及び６２）を形成するステップ
を含み、さらには、前記層スタックの少なくとも１つの
層にパターン形成を施して、前記層スタックの第１と第
２のエレクトロルミネッセンス領域（２２；６８及び７
０；８２及び８４；１０４及び１０６）の間に光を通す
ための集光経路（３４；６６；９６；及び１０８）を形
成するステップを含み、（ｃ）耐湿性シール（３８；５
０及び５４；９４；１１４及び１２０）を形成して、前
記層スタックを封じ込めるステップ。
用いられる装置（１２；４８；１２２）を製造する方法
であって、該方法は以下（ａ）から（ｃ）のステップを
含むことを特徴とする、（ａ）第１の透明基板（３２；
５２；９２；及び１２０）を設けるステップと、（ｂ）
前記第１の透明基板上にエレクトロルミネッセンス層ス
タック（２２；８６及び８８）を形成するステップであ
って、該ステップは有機活性層（２４及び２６；５８及
び６０；１１０及び１１２）の両側に第１と第２の電極
層（２８及び３０；５６及び６２）を形成するステップ
を含み、さらには、前記層スタックの少なくとも１つの
層にパターン形成を施して、前記層スタックの第１と第
２のエレクトロルミネッセンス領域（２２；６８及び７
０；８２及び８４；１０４及び１０６）の間に光を通す
ための集光経路（３４；６６；９６；及び１０８）を形
成するステップを含み、（ｃ）耐湿性シール（３８；５
０及び５４；９４；１１４及び１２０）を形成して、前
記層スタックを封じ込めるステップ。
【００４０】（実施態様７）実施態様６に記載の方法で
あって、該方法は、前記エレクトロルミネッセンス層ス
タック（２２）を形成する前記ステップに、ほぼ透明な
材料による前記第１の電極層（２８；及び５６）を形成
し、不透明な金属材料による前記第２の電極層（３０；
及び６２）を形成するステップが含まれ、さらに、前記
第２の電極層にパターン形成を施して、前記集光経路
（３４；及び６６）を形成するステップと、前記第１の
電極層を前記集光経路を横切って連続して延ばすステッ
プが含まれることを特徴とする。
あって、該方法は、前記エレクトロルミネッセンス層ス
タック（２２）を形成する前記ステップに、ほぼ透明な
材料による前記第１の電極層（２８；及び５６）を形成
し、不透明な金属材料による前記第２の電極層（３０；
及び６２）を形成するステップが含まれ、さらに、前記
第２の電極層にパターン形成を施して、前記集光経路
（３４；及び６６）を形成するステップと、前記第１の
電極層を前記集光経路を横切って連続して延ばすステッ
プが含まれることを特徴とする。
【００４１】（実施態様８）実施態様６または７に記載
の方法であって、該方法は、前記耐湿性シールを形成す
る前記ステップに、前記第１の透明基板（５２；及び１
２０）に第２の透明基板（５０；及び１１８）を取り付
け、前記層スタック（２２）が前記透明基板の間に挟ま
れるようにするステップが含まれることを特徴とする。
の方法であって、該方法は、前記耐湿性シールを形成す
る前記ステップに、前記第１の透明基板（５２；及び１
２０）に第２の透明基板（５０；及び１１８）を取り付
け、前記層スタック（２２）が前記透明基板の間に挟ま
れるようにするステップが含まれることを特徴とする。
【００４２】（実施態様９）実施態様８に記載の方法で
あって、該方法は、前記耐湿性シールを形成する前記ス
テップに、さらに、周囲に沿って前記第１の透明基板
（５２；及び１２０）と第２の透明基板（５０；及び１
１８）を接着し、前記層スタック（２２）を密閉するス
テップが含まれることを特徴とする。
あって、該方法は、前記耐湿性シールを形成する前記ス
テップに、さらに、周囲に沿って前記第１の透明基板
（５２；及び１２０）と第２の透明基板（５０；及び１
１８）を接着し、前記層スタック（２２）を密閉するス
テップが含まれることを特徴とする。
【００４３】（実施態様１０）実施態様６または７に記
載の方法であって、該方法は、前記耐湿性シールを形成
する前記ステップに、前記エレクトロルミネッセンス層
スタック（２２；８６；及び８８）に少なくとも１つの
形状適合層（３８；及び９４）を塗布するステップを含
むことを特徴とする。
載の方法であって、該方法は、前記耐湿性シールを形成
する前記ステップに、前記エレクトロルミネッセンス層
スタック（２２；８６；及び８８）に少なくとも１つの
形状適合層（３８；及び９４）を塗布するステップを含
むことを特徴とする。
【図１】対象文書を照射するための従来技術によるエレ
クトロルミネッセンス装置の側断面図である。
クトロルミネッセンス装置の側断面図である。
【図２】層スタックを通る集光経路を備えた、シールさ
れたエレクトロルミネッセンス装置の透視図である。
れたエレクトロルミネッセンス装置の透視図である。
【図３】 本発明の実施例の１つによる図２のエレクト
ロルミネッセンス装置を備えた検出システムの側断面図
である。
ロルミネッセンス装置を備えた検出システムの側断面図
である。
【図４】 図２の透明基板上におけるエレクトロルミネ
ッセンス層スタックの側断面図である。
ッセンス層スタックの側断面図である。
【図５】 本発明の第２の実施例によるガス・シールを
施した照射源を備える検出システムの側断面図である。
施した照射源を備える検出システムの側断面図である。
【図６】 本発明の第３の実施例による分割されたエレ
クトロルミネッセンス・スタックを備える検出システム
の側断面図である。
クトロルミネッセンス・スタックを備える検出システム
の側断面図である。
【図７】 本発明の第４の実施例によるガス・シールを
施した照射源を備える検出システムの側断面図である。
施した照射源を備える検出システムの側断面図である。
１０ 光検出システム １２、４８ エレクトロルミネッセンス光源 １４ 光学装置 １６、７８、１００、１２８ 光検出器 ２０、２７、９０、１２４ 文書 ２２ エレクトロルミネッセンス層スタック ２４、２６、５８、１１０、１１２ 活性層 ２８、５６ 下方電極層 ３０、６２ 上方電極層 ３２、９２ 透明基板 ３４、６６、９６、１０８ 集光経路 ３６ 電圧源 ３８、９４ 耐湿層 ４６、９８ 後方反射光線 ５０ 上方透明基板 ５２ 下方透明基板 ５４、１１４ シール材 ６４ ガス充填スペース ６８ エレクトロルミネッセンス領域 ７６ 対象表面 ８２ 第１のエレクトロルミネッセンス領域 ８４ 第２のエレクトロルミネッセンス領域 ８６、８８ 層スタック １０４、１０６ 第１のエレクトロルミネッセンス層 １１８ 第２の透明基板 １２０ 第１の透明基板 １２２ エレクトロルミネッセンス光源
フロントページの続き (73)特許権者 399117121 395 Ｐａｇｅ Ｍｉｌｌ Ｒｏａｄ Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎ ｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ. (56)参考文献 特開 平４−207662（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63914（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−66895（ＪＰ，Ｕ) 米国特許5491384（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28
Claims (10)
- 【請求項１】（ａ）第１の透明部材と、 （ｂ）前記第１の透明部材上の複数の層によって形成さ
れ、励起信号に応答して光を発生する第１と第２のエレ
クトロルミネッセンス領域であって、前記第１と第２の
エレクトロルミネッセンス領域間に延びるスロットを形
成するために前記層の少なくとも１つが不連続であり、
前記第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域から放
射された光が対象物へ照射され、該対象物からの後方反
射光が前記スロットを通過する、第１と第２のエレクト
ロルミネッセンス領域と、 （ｃ）前記第１の透明部材に固定され、前記層のまわり
に延びて、前記第１と第２のエレクトロルミネッセンス
領域及び前記スロットに気密シールを施すシールと、 （ｄ）前記シールに隣接して取付けられた光検出器であ
って、前記スロットとのアライメントがとれており、前
記スロットを通過する前記後方反射光に応答してを画像
信号を形成する光検出器と、 を有することを特徴とする光検出システム。 - 【請求項２】前記第１と第２のエレクトロルミネッセン
ス領域を形成する前記層に、第１と第２の電極層と、少
なくとも１つの有機発光層が含まれていることを特徴と
する請求項１に記載の光検出システム。 - 【請求項３】前記シールに、第２の透明部材が含まれて
いること、前記第２の電極層が、前記有機発光層の前記
第２の透明部材に近接した側に位置すること、および前
記第２の電極層が、前記有機発光層を露出させて、前記
スロットを形成する不連続部を有するパターン形成され
た金属層であることを特徴とする請求項２に記載の光検
出システム。 - 【請求項４】前記シールに、前記第１の透明基板と平行
な第２の透明基板が含まれていること、および前記第１
と第２の透明部材がガラス基板であり、互いに接着され
て、前記第１と第２のエレクトロルミネッセンス領域の
まわりに耐湿性シールを形成することを特徴とする請求
項１または２に記載の光検出システム。 - 【請求項５】前記シールが、前記複数の層の端部、及び
前記第１の透明部材とは反対側の層上に位置する、少な
くとも１つの形状適合した層であることを特徴とする請
求項１または２に記載の光検出システム。 - 【請求項６】（ａ）第１の透明基板を設けるステップ
と、 （ｂ）前記第１の透明基板上にエレクトロルミネッセン
ス層スタックを形成するステップであって、該ステップ
は有機活性層の両側に第１と第２の電極層を形成するス
テップを含み、さらに前記層スタックの少なくとも１つ
の層にパターン形成を施して、前記層スタックの第１と
第２のエレクトロルミネッセンス領域の間に延びるスロ
ットを形成し、前記第１と第２のエレクトロルミネッセ
ンス領域から放射された光が対象物へ照射され、該対象
物からの後方反射光が前記スロットを通過するエレクト
ロルミネッセンス層スタックを形成するステップと、 （ｃ）前記後方反射光が通過する耐湿性シールを形成し
て、前記層スタックを封じ込めるステップと、 を有することを特徴とする光検出システム用ＥＬ装置製
造方法。 - 【請求項７】前記エレクトロルミネッセンス層スタック
を形成する前記ステップに、ほぼ透明な材料による前記
第１の電極層を形成し、不透明な金属材料による前記第
２の電極層を形成するステップが含まれ、さらに、前記
第２の電極層にパターン形成を施して、前記スロットを
形成するステップと、前記第１の電極層を前記スロット
を横切って連続して延ばすステップが含まれることを特
徴とする請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】前記耐湿性シールを形成する前記ステップ
に、前記第１の透明基板に第２の透明基板を取り付け、
前記層スタックが前記透明基板の間に挟まれるようにす
るステップが含まれることを特徴とする請求項６または
７に記載の方法。 - 【請求項９】前記耐湿性シールを形成する前記ステップ
に、さらに、前記第１の透明基板と第２の透明基板を接
着し、前記層スタックの周囲に沿って密閉するステップ
が含まれることを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】前記耐湿性シールを形成する前記ステッ
プに、前記エレクトロルミネッセンス層スタックに少な
くとも１つの形状適合層を塗布するステップを含むこと
を特徴とする請求項６または７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/833,815 US5872355A (en) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system |
| US833,815 | 1997-04-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308276A JPH10308276A (ja) | 1998-11-17 |
| JP3158148B2 true JP3158148B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=25265343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09372598A Expired - Fee Related JP3158148B2 (ja) | 1997-04-09 | 1998-04-06 | 光検出システムおよび光検出システム用ｅｌ装置製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5872355A (ja) |
| EP (1) | EP0871320B1 (ja) |
| JP (1) | JP3158148B2 (ja) |
| DE (1) | DE69727467T2 (ja) |
Families Citing this family (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6224948B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
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- 1997-11-14 EP EP97120022A patent/EP0871320B1/en not_active Expired - Lifetime
-
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Also Published As
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|---|---|
| EP0871320A3 (en) | 1999-10-06 |
| DE69727467D1 (de) | 2004-03-11 |
| EP0871320B1 (en) | 2004-02-04 |
| DE69727467T2 (de) | 2004-09-16 |
| EP0871320A2 (en) | 1998-10-14 |
| US5872355A (en) | 1999-02-16 |
| JPH10308276A (ja) | 1998-11-17 |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090216 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140216 Year of fee payment: 13 |
|
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