JPH0747875Y2 - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
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- JPH0747875Y2 JPH0747875Y2 JP1988148108U JP14810888U JPH0747875Y2 JP H0747875 Y2 JPH0747875 Y2 JP H0747875Y2 JP 1988148108 U JP1988148108 U JP 1988148108U JP 14810888 U JP14810888 U JP 14810888U JP H0747875 Y2 JPH0747875 Y2 JP H0747875Y2
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- JP
- Japan
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- light
- light emitting
- layer
- electrode layer
- metal electrode
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Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はファクシミリやスキャナ等に用いられ、EL発光
素子と受光素子とを一体化した画像読取装置に係り、特
にEL発光素子の電極間がショートした場合にEL発光素子
を部分的に発光可能にするための構造に関する。
素子と受光素子とを一体化した画像読取装置に係り、特
にEL発光素子の電極間がショートした場合にEL発光素子
を部分的に発光可能にするための構造に関する。
（従来の技術） 従来、ファクシミリやスキャナ等には、蛍光灯光源とイ
メージセンサと光源からの反射光をイメージセンサに結
像させる光学系とから成る画像読取装置が用いられてい
る。この画像読取装置によれば、光学系としてロッドレ
ンズアレイ等を使用するので装置の小型化が困難である
という欠点があった。
メージセンサと光源からの反射光をイメージセンサに結
像させる光学系とから成る画像読取装置が用いられてい
る。この画像読取装置によれば、光学系としてロッドレ
ンズアレイ等を使用するので装置の小型化が困難である
という欠点があった。
そこで、光源としてのEL発光素子と原稿に対して1:1で
対応する大きさの密着型イメージセンサとを一体化した
超小型の画像読取装置が提案されている。
対応する大きさの密着型イメージセンサとを一体化した
超小型の画像読取装置が提案されている。
この画像読取装置は、例えば第４図、第５図及び第６図
に示すように、ガラス等で形成された基板１上にアモル
ファスシリコンを用いた薄膜受光素子アレイ10を形成
し、その上に透明絶縁層20を配置し、更にその上に透明
基板３に形成されたEL発光素子30を配置したものであ
る。
に示すように、ガラス等で形成された基板１上にアモル
ファスシリコンを用いた薄膜受光素子アレイ10を形成
し、その上に透明絶縁層20を配置し、更にその上に透明
基板３に形成されたEL発光素子30を配置したものであ
る。
受光素子アレイ10は、第６図の表裏方向に複数個配設す
る個別電極11,帯状の光電変換層12,帯状の共通電極13を
基板１上に順次積層することにより複数のサンドイッチ
型センサからなる光電変換素子を配設して構成される。
る個別電極11,帯状の光電変換層12,帯状の共通電極13を
基板１上に順次積層することにより複数のサンドイッチ
型センサからなる光電変換素子を配設して構成される。
EL発光素子30は、透孔電極31、絶縁層32、発光層33、絶
縁層32、金属電極34を透明基板３上に順次積層したサン
ドイッチ構造で構成され、金属電極34には前記受光素子
アレイ10の受光部に対応するように複数の光入射窓34a
を開口している。そして、金属電極34と透明電極31との
間（端子のＯ−Ｏ′）（第６図）に駆動信号を与え、両
者に挾まれた発光層33から光が放射される。
縁層32、金属電極34を透明基板３上に順次積層したサン
ドイッチ構造で構成され、金属電極34には前記受光素子
アレイ10の受光部に対応するように複数の光入射窓34a
を開口している。そして、金属電極34と透明電極31との
間（端子のＯ−Ｏ′）（第６図）に駆動信号を与え、両
者に挾まれた発光層33から光が放射される。
発光層33から放射した光は、透明電極31側に配置された
原稿100を照射し、原稿の濃淡に応じた反射光が光入射
窓34aから受光素子アレイ10の受光部分（各光電変換素
子）上に結像し、電気信号として蓄積される。そして、
各光電変換素子の電気信号を順次時系列的に抽出し、原
稿の１ラインの画像信号を得ることができる。
原稿100を照射し、原稿の濃淡に応じた反射光が光入射
窓34aから受光素子アレイ10の受光部分（各光電変換素
子）上に結像し、電気信号として蓄積される。そして、
各光電変換素子の電気信号を順次時系列的に抽出し、原
稿の１ラインの画像信号を得ることができる。
（考案が解決しようとする課題） 上述したEL発光素子30は、原稿の１ラインを直接照射す
る必要があるので、例えばA3の原稿を読み取り可能とす
るには、５〜８×310mm（A3原稿幅程度）の大面積で各
層を積層している。EL発光素子30の製造工程で絶縁層32
にピンホール等が生じた場合、透明電極31や金属電極34
と発光層33間でショートしてしまい発光層33での発光が
妨げられる。EL発光素子30の発光部は金属電極34と透明
電極31とで挾持された発光層33部分であるので、発光層
33の中で光入射窓34aの直上部分を除いた部分が発光部
となり、一つの連続した面で構成されている。従って、
前記のようなピンホールが一つでも存在した場合、全て
の発光部で光を放射することができず、その結果上記の
ようなEL発光素子30の構造によると、その構造において
歩留まりが低下するという欠点があった。
る必要があるので、例えばA3の原稿を読み取り可能とす
るには、５〜８×310mm（A3原稿幅程度）の大面積で各
層を積層している。EL発光素子30の製造工程で絶縁層32
にピンホール等が生じた場合、透明電極31や金属電極34
と発光層33間でショートしてしまい発光層33での発光が
妨げられる。EL発光素子30の発光部は金属電極34と透明
電極31とで挾持された発光層33部分であるので、発光層
33の中で光入射窓34aの直上部分を除いた部分が発光部
となり、一つの連続した面で構成されている。従って、
前記のようなピンホールが一つでも存在した場合、全て
の発光部で光を放射することができず、その結果上記の
ようなEL発光素子30の構造によると、その構造において
歩留まりが低下するという欠点があった。
また、画像読取装置を使用している間に、湿気等の影響
を受けて絶縁層32中に水分が入り込み、透明電極31や金
属電極34と発光層33巻でショートが起こった場合、上記
のようなEL発光素子30の構造によると全ての発光部で光
を放射することができず、画像読取装置としての機能を
維持することができないという欠点があった。
を受けて絶縁層32中に水分が入り込み、透明電極31や金
属電極34と発光層33巻でショートが起こった場合、上記
のようなEL発光素子30の構造によると全ての発光部で光
を放射することができず、画像読取装置としての機能を
維持することができないという欠点があった。
本考案は上記実情に鑑みてなされたもので、製造上の歩
留の向上と寿命の向上が図れるEL発光素子を有する画素
読取装置を提供することを目的とする。
留の向上と寿命の向上が図れるEL発光素子を有する画素
読取装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 上記従来例の問題点を解消するため本考案は、透明電極
層と金属電極層とで発光層を挟んで構成するEL発光素子
と、透明絶縁層を介して前記EL発光素子の金属電極層側
に配置された受光素子アレイとを具備し、前記EL発光素
子の透明電極層側に配置された受光素子アレイとを具備
し、前記EL発光素子の透明電極層側に照射される光が原
稿面で反射し、前記金属電極層に設けた前記受光素子ア
レイの各受光素子に対応した光入射窓を通って前記受光
素子に反射光が導かれる画像読取装置において、次の構
成を特徴としている。
層と金属電極層とで発光層を挟んで構成するEL発光素子
と、透明絶縁層を介して前記EL発光素子の金属電極層側
に配置された受光素子アレイとを具備し、前記EL発光素
子の透明電極層側に配置された受光素子アレイとを具備
し、前記EL発光素子の透明電極層側に照射される光が原
稿面で反射し、前記金属電極層に設けた前記受光素子ア
レイの各受光素子に対応した光入射窓を通って前記受光
素子に反射光が導かれる画像読取装置において、次の構
成を特徴としている。
前記EL発光素子の透明電極層，金属電極層、発光層のい
ずれか一つ又は二つの層を、前記受光素子アレイ長尺方
向に沿って複数に分割し、前記分割された層以外の層を
一体的に形成された層としている。
ずれか一つ又は二つの層を、前記受光素子アレイ長尺方
向に沿って複数に分割し、前記分割された層以外の層を
一体的に形成された層としている。
（作用） 本考案によれば、EL発光素子の透明電極，金属電極，発
光層のいずれかが受光素子アレイ長尺方向に沿って複数
に分割されることにより、EL発光素子の発光部分を複数
個に分割形成することができ、発光部分の一部に欠陥や
劣化が生じてその部分の発光が妨げられても、他の発光
部分からの光が原稿面に照射され、その反射光が前記受
光素子アレイの全ての発光部へ導かれる。
光層のいずれかが受光素子アレイ長尺方向に沿って複数
に分割されることにより、EL発光素子の発光部分を複数
個に分割形成することができ、発光部分の一部に欠陥や
劣化が生じてその部分の発光が妨げられても、他の発光
部分からの光が原稿面に照射され、その反射光が前記受
光素子アレイの全ての発光部へ導かれる。
（実施例） 本発明の一実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図及び第２図は実施例に係る画像読取装置の平面説
明図及び断面説明図であり、第４図，第５図，第６図と
同様の構成をとる部分については同一符号を付してい
る。
明図及び断面説明図であり、第４図，第５図，第６図と
同様の構成をとる部分については同一符号を付してい
る。
受光素子アレイ10は、複数個配設された個別電極（クロ
ムパターン）11,帯状の受光変換層（アモルファスシリ
コン）12,帯状の透明電極（ITO）13を基板１上に順次積
層したサンドイッチ構造のセンサから構成されている。
ムパターン）11,帯状の受光変換層（アモルファスシリ
コン）12,帯状の透明電極（ITO）13を基板１上に順次積
層したサンドイッチ構造のセンサから構成されている。
EL発光素子30は、透明基板３上にITO,In2O3,SnO2等から
成る透明電極31,Y2O3,Si3N4,BaTiO3等から成る絶縁層3
2,ZnS:Mn等から成る発光層33,同上の絶縁層32,アルミニ
ウム等の金属から成る不透明な金属電極34を順次積層し
て構成される。
成る透明電極31,Y2O3,Si3N4,BaTiO3等から成る絶縁層3
2,ZnS:Mn等から成る発光層33,同上の絶縁層32,アルミニ
ウム等の金属から成る不透明な金属電極34を順次積層し
て構成される。
金属電極34には、発光層33から発光した光が原稿100で
反射し、反射光が前記受光素子アレイ10に照射するよう
に、受光素子アレイ10の各受光部上に方形状の光入射窓
34aが開口されている。この光入射窓34aは、アルミニウ
ム等の金属からえ成る不透明な金属電極34を積層した
後、この金属電極34をフォトリソ法によりエッチングし
て形成する。
反射し、反射光が前記受光素子アレイ10に照射するよう
に、受光素子アレイ10の各受光部上に方形状の光入射窓
34aが開口されている。この光入射窓34aは、アルミニウ
ム等の金属からえ成る不透明な金属電極34を積層した
後、この金属電極34をフォトリソ法によりエッチングし
て形成する。
本実施例のEL発光素子30の発光部33′は、第１図に示す
ように、EL発光素子30の長尺方向に沿ったストライプ状
となるように複数個に分割形成されている。この発光部
33′の幅は、個別電極11の幅より細く形成され、各個別
電極11上に複数のストライプ状発光部33′が位置するよ
うになっている。
ように、EL発光素子30の長尺方向に沿ったストライプ状
となるように複数個に分割形成されている。この発光部
33′の幅は、個別電極11の幅より細く形成され、各個別
電極11上に複数のストライプ状発光部33′が位置するよ
うになっている。
EL発光素子30の発光部33′は、透明電極31と金属電極34
とによって挾持された発光層33部分なので、発光部33′
を第１図のように形成するには、透明電極31,発光層33,
金属電極34のいづれか一つ以上を発光部33′のようにス
トライプ状に複数個に分割形成し、ストライプの面積の
合計値が大面積で一体的に形成した場合の面積に相当す
るように構成すればよい。
とによって挾持された発光層33部分なので、発光部33′
を第１図のように形成するには、透明電極31,発光層33,
金属電極34のいづれか一つ以上を発光部33′のようにス
トライプ状に複数個に分割形成し、ストライプの面積の
合計値が大面積で一体的に形成した場合の面積に相当す
るように構成すればよい。
例えば第３図（ａ）に示すように、透明電極31を図の表
裏方向に沿ったストライプ状電極31′に形成し、発光層
33,金属電極34を長方形状に形成する。ストライプ状電
極31′は、透明基板３上にITO等を長方形状に着膜した
後に、フォリソ法によりエッチングしてストライプ状と
する。
裏方向に沿ったストライプ状電極31′に形成し、発光層
33,金属電極34を長方形状に形成する。ストライプ状電
極31′は、透明基板３上にITO等を長方形状に着膜した
後に、フォリソ法によりエッチングしてストライプ状と
する。
また、第３図（ｂ）に示すように、金属電極34を図の表
裏方向に沿ったストライプ状電極34′に形成し、発光層
33,透明電極34′に形成し、発光層33,透明電極31を長方
形状に形成する。ストライプ状電極34′は、絶縁層32上
にA1等を長方形状に着膜した後に、前述した光入射窓34
aの開口と同時にフォトリソ法によりエッチングしてス
トライプ状とする。金属電極34を分割形成した場合、発
光層33から放射する光がストライプ状電極34′のスリッ
ト35から漏れてしまうので、これらの光を遮断する遮光
膜36を光入射窓34aを除いた金属電極34上に形成する。
裏方向に沿ったストライプ状電極34′に形成し、発光層
33,透明電極34′に形成し、発光層33,透明電極31を長方
形状に形成する。ストライプ状電極34′は、絶縁層32上
にA1等を長方形状に着膜した後に、前述した光入射窓34
aの開口と同時にフォトリソ法によりエッチングしてス
トライプ状とする。金属電極34を分割形成した場合、発
光層33から放射する光がストライプ状電極34′のスリッ
ト35から漏れてしまうので、これらの光を遮断する遮光
膜36を光入射窓34aを除いた金属電極34上に形成する。
以上のように形成したストライプ状電極31′やストライ
プ状電極34′には、それぞれ別個にEL発光素子30を駆動
する信号が入力されるように形成され、これらの電極で
挾持された発光部33′が他の発光部33′の発光の有無に
かかわらず発光可能なように構成されている。
プ状電極34′には、それぞれ別個にEL発光素子30を駆動
する信号が入力されるように形成され、これらの電極で
挾持された発光部33′が他の発光部33′の発光の有無に
かかわらず発光可能なように構成されている。
第３図（ａ）（ｂ）に示したEL発光素子30では、原稿か
らの反射光の透光性を向上させるため、透明電極31に光
入射窓34aに対応する位置に開口部31aをフォトリソ法に
よりエッチングで形成している。
らの反射光の透光性を向上させるため、透明電極31に光
入射窓34aに対応する位置に開口部31aをフォトリソ法に
よりエッチングで形成している。
また、発光層33をストライプ状に分割して複数の発光部
33′を形成してもよい。ストライプ状の発光層は、絶縁
層32上にZnS:Mn等を長方形状に着膜した後に、フォトリ
ソ法によりエッチングして形成する。
33′を形成してもよい。ストライプ状の発光層は、絶縁
層32上にZnS:Mn等を長方形状に着膜した後に、フォトリ
ソ法によりエッチングして形成する。
本実施例では、EL発光素子30の長尺方向に沿って発光部
33′をストライプ状として分割形成したが、発光部の形
状はストライプ状に限られず、発光部の一部が発光不可
能となった場合でも他の発光部が発光することによって
受光素子アレイ10の全ての受光部（各画素）へ原稿から
の反射光が導かれる構造であればよい。
33′をストライプ状として分割形成したが、発光部の形
状はストライプ状に限られず、発光部の一部が発光不可
能となった場合でも他の発光部が発光することによって
受光素子アレイ10の全ての受光部（各画素）へ原稿から
の反射光が導かれる構造であればよい。
以上のように作成されたEL発光素子30と受光素子アレイ
10との間に、絶縁層としてガラス板２を介在させて両者
間を電気的に絶縁するとともに、EL発光素子30の光入射
窓34aと受光素子アレイ10の受光部とが相対応するよう
に接着剤21を介して接合して画像読取装置を形成してい
る（第２図）。
10との間に、絶縁層としてガラス板２を介在させて両者
間を電気的に絶縁するとともに、EL発光素子30の光入射
窓34aと受光素子アレイ10の受光部とが相対応するよう
に接着剤21を介して接合して画像読取装置を形成してい
る（第２図）。
本実施例のように、EL発光素子30の発光部33′を分割形
成すれば、その一部に製造工程上における欠陥若しくは
長時間の使用における劣化が生じても、他の発光部33′
を挾む電極には別個に駆動信号が与えられるので、その
部分について光の放射を確保できる。発光層33の一部が
発光不可能となると、EL発光素子30全体としての輝度は
低下するが、残りの発光部を発光させるための駆動信号
の電圧や周波数を変化させて輝度を高めることにより、
原稿面においては正常なときと同じ照度を得ることがで
きる。
成すれば、その一部に製造工程上における欠陥若しくは
長時間の使用における劣化が生じても、他の発光部33′
を挾む電極には別個に駆動信号が与えられるので、その
部分について光の放射を確保できる。発光層33の一部が
発光不可能となると、EL発光素子30全体としての輝度は
低下するが、残りの発光部を発光させるための駆動信号
の電圧や周波数を変化させて輝度を高めることにより、
原稿面においては正常なときと同じ照度を得ることがで
きる。
本実施例のような発光部が分割形成されたEL発光素子を
用いた画像読取装置に、EL発光素子の駆動信号の電圧や
周波数を変化させる制御回路を付加させれば、EL発光素
子の発光部の一部に欠陥や劣化が生じても自動的に原稿
面で最適な照度が得られるように構成することができ
る。この制御回路は、例えば正常なEL発光素子が発光す
ることにより原稿の白部分で得られる照度を基準値と
し、受光素子駆動前にEL発光素子を駆動し、原稿を送る
ためのローラ部（原稿の白部分に相当）で得られる照度
を計測し、基準値と比較して照度が足りない場合にはそ
れに応じてEL発光素子の駆動電圧や周波数を高くする補
正を行なうように構成される。
用いた画像読取装置に、EL発光素子の駆動信号の電圧や
周波数を変化させる制御回路を付加させれば、EL発光素
子の発光部の一部に欠陥や劣化が生じても自動的に原稿
面で最適な照度が得られるように構成することができ
る。この制御回路は、例えば正常なEL発光素子が発光す
ることにより原稿の白部分で得られる照度を基準値と
し、受光素子駆動前にEL発光素子を駆動し、原稿を送る
ためのローラ部（原稿の白部分に相当）で得られる照度
を計測し、基準値と比較して照度が足りない場合にはそ
れに応じてEL発光素子の駆動電圧や周波数を高くする補
正を行なうように構成される。
（考案の効果） 本考案によれば、EL発光素子の発光部を分割形成し、そ
の一部に欠陥や劣化が生じても、EL発光素子の発光部分
を確保することができるので、画像読取装置としての機
能を維持することができる。
の一部に欠陥や劣化が生じても、EL発光素子の発光部分
を確保することができるので、画像読取装置としての機
能を維持することができる。
また、EL発光素子の製造の際の歩留の向上を図ることが
できる。
できる。
第１図は本考案の一実施例を示す平面説明図、第２図は
第１図のII-II′線断面説明図、第３図（ａ）（ｂ）は
第１図のIII-III′線断面におけるEL発光素子部分を示
す断面説明図、第４図は受光素子とEL発光素子とを一体
化した画像読取装置の平面説明図、第５図は第４図のＶ
−Ｖ′線断面説明図、第６図は第４図のVI-VI′線断面
説明図である。 １……基板 ２……ガラス板 ３……透明基板 10……受光素子アレイ 30……EL発光素子 31……透明電極 33……発光層 33′……発光部 34……金属電極 34a……光入射窓 100……原稿
第１図のII-II′線断面説明図、第３図（ａ）（ｂ）は
第１図のIII-III′線断面におけるEL発光素子部分を示
す断面説明図、第４図は受光素子とEL発光素子とを一体
化した画像読取装置の平面説明図、第５図は第４図のＶ
−Ｖ′線断面説明図、第６図は第４図のVI-VI′線断面
説明図である。 １……基板 ２……ガラス板 ３……透明基板 10……受光素子アレイ 30……EL発光素子 31……透明電極 33……発光層 33′……発光部 34……金属電極 34a……光入射窓 100……原稿
Claims (1)
- 【請求項１】透明電極層と金属電極層とで発光層を挟ん
で構成するEL発光素子と、透明絶縁層を介して前記EL発
光素子の金属電極層側に配置された受光素子アレイとを
具備し、前記EL発光素子の透明電極層側に照射される光
が原稿面で反射し、前記金属電極層に設けた前記受光素
子アレイの各受光素子に対応した光入射窓を通って前記
受光素子に反射光が導かれる画像読取装置において、 前記EL発光素子の透明電極層，金属電極層、発光層のい
ずれか一つ又は二つの層を、前記受光素子アレイ長尺方
向に沿って複数に分割し、前記分割された層以外の層を
一体的に形成された層としたことを特徴とする画像読取
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988148108U JPH0747875Y2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988148108U JPH0747875Y2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0268455U JPH0268455U (ja) | 1990-05-24 |
| JPH0747875Y2 true JPH0747875Y2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=31419126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988148108U Expired - Fee Related JPH0747875Y2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747875Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4671494B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 情報装置の駆動方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211261A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Fujitsu Ltd | 長尺密着型イメ−ジセンサ |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP1988148108U patent/JPH0747875Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0268455U (ja) | 1990-05-24 |
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