JP3140330B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の集積回路部
を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続を安
定に確保し、さらにもっとも高密度な実装を可能とした
半導体装置、特にチップサイズパッケージ（以降ＣＳＰ
と称する）の製造方法に関するものである。本発明によ
り、情報通信機器、事務用電子機器、家庭用電子機器、
測定装置、組み立てロボット等の産業用電子機器、医療
用電子機器、電子玩具等の小型化を容易にするＣＳＰの
組み立てを効率よく行なうことができる。
を保護し、かつ外部装置と半導体素子の電気的接続を安
定に確保し、さらにもっとも高密度な実装を可能とした
半導体装置、特にチップサイズパッケージ（以降ＣＳＰ
と称する）の製造方法に関するものである。本発明によ
り、情報通信機器、事務用電子機器、家庭用電子機器、
測定装置、組み立てロボット等の産業用電子機器、医療
用電子機器、電子玩具等の小型化を容易にするＣＳＰの
組み立てを効率よく行なうことができる。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の半導体装置の製造方法につ
いて図面を参照しながら説明する。図５は、従来のＣＳ
Ｐに用いていた半導体キャリアを示したものである。図
５（ａ）は半導体キャリアの上面図を示し、図５（ｂ）
は半導体キャリアの側面図を示し、図５（ｃ）は半導体
キャリアの底面図を示している。
いて図面を参照しながら説明する。図５は、従来のＣＳ
Ｐに用いていた半導体キャリアを示したものである。図
５（ａ）は半導体キャリアの上面図を示し、図５（ｂ）
は半導体キャリアの側面図を示し、図５（ｃ）は半導体
キャリアの底面図を示している。
【０００３】図５において、セラミックまたは樹脂を基
材とした基板１に対して、その上面に実際の回路に使用
する配線パターン２のみが形成され、裏面には格子状に
配列される外部電極３が形成されている。そして前記配
線パターン２と外部電極３とは、基板１の内部でスルー
ホールやビアにより引き回しされ、導通しているもので
ある。また前記配線パターン２は、基板１上面におい
て、密度の大な部分と小の部分とが存在している。な
お、配線パターン２と外部電極３は、便宜上、凹凸のあ
る厚みで図示しているが、実際は、１００［μｍ］程度
の薄厚である。
材とした基板１に対して、その上面に実際の回路に使用
する配線パターン２のみが形成され、裏面には格子状に
配列される外部電極３が形成されている。そして前記配
線パターン２と外部電極３とは、基板１の内部でスルー
ホールやビアにより引き回しされ、導通しているもので
ある。また前記配線パターン２は、基板１上面におい
て、密度の大な部分と小の部分とが存在している。な
お、配線パターン２と外部電極３は、便宜上、凹凸のあ
る厚みで図示しているが、実際は、１００［μｍ］程度
の薄厚である。
【０００４】図６は、従来の半導体キャリアを用いたＣ
ＳＰ作製工程の中の封止の工程を説明したものである。
ＳＰ作製工程の中の封止の工程を説明したものである。
【０００５】まず図６（ａ）に示すように、６０℃の加
温状態に保持し、さらに１５度に傾けたホットプレート
４上に対して、半導体素子５が接合された半導体キャリ
ア６を載せ、半導体キャリア６上に封止樹脂７を傾きの
上部方向からノズル８により一定量注入する。また前記
半導体キャリア６は搬送用キャリア９に固定されてい
る。
温状態に保持し、さらに１５度に傾けたホットプレート
４上に対して、半導体素子５が接合された半導体キャリ
ア６を載せ、半導体キャリア６上に封止樹脂７を傾きの
上部方向からノズル８により一定量注入する。また前記
半導体キャリア６は搬送用キャリア９に固定されてい
る。
【０００６】次に図６（ｂ）に示すように、前記１回目
に塗布した封止樹脂７が半導体素子５と半導体キャリア
６との隙間に入ってなくなったことを確認し、１回目と
同様に２回目の封止樹脂７の塗布を行なう。
に塗布した封止樹脂７が半導体素子５と半導体キャリア
６との隙間に入ってなくなったことを確認し、１回目と
同様に２回目の封止樹脂７の塗布を行なう。
【０００７】そしてさらに図６（ｃ）に示すように、半
導体キャリア６の傾きの下部の半導体素子５と半導体キ
ャリア６との隙間上に一定量の封止樹脂７の流出が確認
されるまで封止樹脂７の塗布を行う。
導体キャリア６の傾きの下部の半導体素子５と半導体キ
ャリア６との隙間上に一定量の封止樹脂７の流出が確認
されるまで封止樹脂７の塗布を行う。
【０００８】そして図７（ａ）に示すように、前記図６
（ｃ）の工程で、半導体素子５と半導体キャリア６との
隙間に封止樹脂７が充填され、さら半導体素子５と半導
体キャリア６との両側にフィレットと呼ばれる半導体素
子５の周辺の樹脂部７ａが形成された構成体１０をホッ
トプレート４上に放置する。その後、オーブン中で封止
樹脂の加熱硬化を行なうことにより、図７（ｂ）に示す
ようにＣＳＰが完成する。
（ｃ）の工程で、半導体素子５と半導体キャリア６との
隙間に封止樹脂７が充填され、さら半導体素子５と半導
体キャリア６との両側にフィレットと呼ばれる半導体素
子５の周辺の樹脂部７ａが形成された構成体１０をホッ
トプレート４上に放置する。その後、オーブン中で封止
樹脂の加熱硬化を行なうことにより、図７（ｂ）に示す
ようにＣＳＰが完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の半導体装置の製造方法における封止工法では、封止樹
脂の充填に多くの時間を要するうえ、半導体キャリア上
面の配線パターンの密度の違いにより、半導体素子と半
導体キャリアとの隙間への封止樹脂の充填速度が異な
り、充填速度の遅い部分（パターン密度小の部分）に気
泡が生じるという課題が生じている。さらに従来の封止
工法では、半導体キャリアの傾きの下部の半導体素子と
半導体キャリアとの隙間上の封止樹脂の検出を行なうた
めの認識装置が複雑になり、量産を行なう装置が高価に
なる。またフィレットの形成に多くの時間を要し生産タ
クトが大きく低下してしまうか、あるいは半導体素子周
辺のフィレットがアンバランスな形になるという課題が
生じている。
の半導体装置の製造方法における封止工法では、封止樹
脂の充填に多くの時間を要するうえ、半導体キャリア上
面の配線パターンの密度の違いにより、半導体素子と半
導体キャリアとの隙間への封止樹脂の充填速度が異な
り、充填速度の遅い部分（パターン密度小の部分）に気
泡が生じるという課題が生じている。さらに従来の封止
工法では、半導体キャリアの傾きの下部の半導体素子と
半導体キャリアとの隙間上の封止樹脂の検出を行なうた
めの認識装置が複雑になり、量産を行なう装置が高価に
なる。またフィレットの形成に多くの時間を要し生産タ
クトが大きく低下してしまうか、あるいは半導体素子周
辺のフィレットがアンバランスな形になるという課題が
生じている。
【００１０】本発明は前記課題を解決するもので、封止
樹脂の注入充填において、充填速度を均等にし、封止時
間の短縮と気泡発生の抑制を目的とするものである。ま
たさらに量産用封止装置を簡単にし、生産タクトを上
げ、さらにフィレットの形状とバランスをよくすること
ができる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
樹脂の注入充填において、充填速度を均等にし、封止時
間の短縮と気泡発生の抑制を目的とするものである。ま
たさらに量産用封止装置を簡単にし、生産タクトを上
げ、さらにフィレットの形状とバランスをよくすること
ができる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明における半導体装置の製造方法は以下のような構
成を有している。すなわち、半導体素子の電極上にバン
プ電極群を形成する工程と、前記半導体素子上のバンプ
電極群と、第１面上に配線パターン群とダミー配線パタ
ーン群とを有し、第２面上に外部端子群を有したキャリ
ア部の前記配線パターン群とを電気的に接続させ、実装
体を形成する工程と、封止樹脂を前記実装体の前記半導
体素子と前記キャリア部との間に形成された隙間に注入
する工程と、注入した樹脂を硬化させる工程とを有する
半導体装置の製造方法であって、前記封止樹脂を前記半
導体素子と前記キャリア部との間に形成された隙間に注
入する工程は、実装体を傾斜させ、複数回に分けて樹脂
を供給した後、前記実装体を傾斜したまま加熱放置する
ものである。また、封止樹脂を実装体の半導体素子とキ
ャリア部との間に形成された隙間に注入する工程におい
て、実装体を加熱しながら注入するものである。また、
封止樹脂を実装体の半導体素子とキャリア部との間に形
成された隙間に注入する工程において、傾斜角度１５度
で実装体を傾斜させた状態で樹脂を注入するものであ
る。
本発明における半導体装置の製造方法は以下のような構
成を有している。すなわち、半導体素子の電極上にバン
プ電極群を形成する工程と、前記半導体素子上のバンプ
電極群と、第１面上に配線パターン群とダミー配線パタ
ーン群とを有し、第２面上に外部端子群を有したキャリ
ア部の前記配線パターン群とを電気的に接続させ、実装
体を形成する工程と、封止樹脂を前記実装体の前記半導
体素子と前記キャリア部との間に形成された隙間に注入
する工程と、注入した樹脂を硬化させる工程とを有する
半導体装置の製造方法であって、前記封止樹脂を前記半
導体素子と前記キャリア部との間に形成された隙間に注
入する工程は、実装体を傾斜させ、複数回に分けて樹脂
を供給した後、前記実装体を傾斜したまま加熱放置する
ものである。また、封止樹脂を実装体の半導体素子とキ
ャリア部との間に形成された隙間に注入する工程におい
て、実装体を加熱しながら注入するものである。また、
封止樹脂を実装体の半導体素子とキャリア部との間に形
成された隙間に注入する工程において、傾斜角度１５度
で実装体を傾斜させた状態で樹脂を注入するものであ
る。
【００１２】
【００１３】
【作用】半導体素子とキャリア部との隙間の封止工程
は、樹脂を流し込んで充填するという作業であり、樹脂
の流動速度が充填の善しあしを決定するものである。し
たがって、樹脂の流動速度を一定にするために配線パタ
ーンの密度を均一化させ、樹脂に対する抵抗を一定にし
て樹脂の充填速度を均一にし、気泡の発生を抑制できる
ものである。すなわち、キャリア部上の配線パターンの
配設密度を均一にすることにより、気密な樹脂封止がで
きるものである。
は、樹脂を流し込んで充填するという作業であり、樹脂
の流動速度が充填の善しあしを決定するものである。し
たがって、樹脂の流動速度を一定にするために配線パタ
ーンの密度を均一化させ、樹脂に対する抵抗を一定にし
て樹脂の充填速度を均一にし、気泡の発生を抑制できる
ものである。すなわち、キャリア部上の配線パターンの
配設密度を均一にすることにより、気密な樹脂封止がで
きるものである。
【００１４】また、必要量の樹脂の注入後、一定時間の
温度の放置を行なうことにより、半導体装置周囲のフィ
レットを四辺バランスよく形成することができる。
温度の放置を行なうことにより、半導体装置周囲のフィ
レットを四辺バランスよく形成することができる。
【００１５】また、樹脂を注入し、充填する工程とフィ
レットを形成する工程とに分けることにより、生産タク
トを大きく向上することができる。さらに、あらかじめ
必要最小限の樹脂量と樹脂の封入速度を計算しておき、
樹脂が半導体キャリアからこぼれないように必要量を半
導体素子上方に溜めておくことにより、半導体素子の上
方と下方の樹脂有無の検出なしで封止可能になる。従っ
て複雑な検出装置を必要とすることなく封止を行うこと
ができる。
レットを形成する工程とに分けることにより、生産タク
トを大きく向上することができる。さらに、あらかじめ
必要最小限の樹脂量と樹脂の封入速度を計算しておき、
樹脂が半導体キャリアからこぼれないように必要量を半
導体素子上方に溜めておくことにより、半導体素子の上
方と下方の樹脂有無の検出なしで封止可能になる。従っ
て複雑な検出装置を必要とすることなく封止を行うこと
ができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１７】図１は本発明の第１の実施例にかかる半導
体装置の構成を示す断面図である。図２は本発明の第１
の実施例にかかる半導体装置を構成している半導体キャ
リアを示す図であり、図２（ａ）はその平面図、図２
（ｂ）はその側面図、図２（ｃ）はその底面図である。
体装置の構成を示す断面図である。図２は本発明の第１
の実施例にかかる半導体装置を構成している半導体キャ
リアを示す図であり、図２（ａ）はその平面図、図２
（ｂ）はその側面図、図２（ｃ）はその底面図である。
【００１８】図１において、本実施例の半導体装置は、
ＣＳＰを例として、半導体素子１１の電極１２上に形成
されたＡｕバンプ１３が導電性接着剤１４により半導体
キャリア１５の配線パターン１６と接続されている。そ
して半導体素子１１と半導体キャリア１５との隙間は、
封止樹脂１７により充填されて封止されている。前記Ａ
ｕバンプ１３は、２段形状のバンプ電極であり、ワイヤ
ーボンディング法により形成されたものである。またＡ
ｕバンプ１３への導電性接着剤１４の形成は、導電性接
着剤１４を薄く形成した板状体に対して、Ａｕバンプ１
３を押し付け、Ａｕバンプ１３の２段形状の２段目の先
端部および１段目の肩部上に転写により形成する。半導
体素子１１と半導体キャリア１５との隙間を充填してい
る封止樹脂１７は、エポキシ系樹脂をはじめとする放熱
性に優れた樹脂を用い、その量は、予め規定し、一定量
の封止樹脂１７により封止する。また半導体キャリア１
５の配線パターン１６は、半導体キャリア１５の底面に
格子状配列で設けた外部電極１８と半導体キャリア１５
内部でスルーホールやビアなどの導通手段により内部接
続されている。なお、配線パタ−ン１６と外部電極１８
とは、便宜上、凹凸のある厚みで図示しているが、実際
は、数十［μｍ］〜数百［μｍ］程度の薄厚である。
ＣＳＰを例として、半導体素子１１の電極１２上に形成
されたＡｕバンプ１３が導電性接着剤１４により半導体
キャリア１５の配線パターン１６と接続されている。そ
して半導体素子１１と半導体キャリア１５との隙間は、
封止樹脂１７により充填されて封止されている。前記Ａ
ｕバンプ１３は、２段形状のバンプ電極であり、ワイヤ
ーボンディング法により形成されたものである。またＡ
ｕバンプ１３への導電性接着剤１４の形成は、導電性接
着剤１４を薄く形成した板状体に対して、Ａｕバンプ１
３を押し付け、Ａｕバンプ１３の２段形状の２段目の先
端部および１段目の肩部上に転写により形成する。半導
体素子１１と半導体キャリア１５との隙間を充填してい
る封止樹脂１７は、エポキシ系樹脂をはじめとする放熱
性に優れた樹脂を用い、その量は、予め規定し、一定量
の封止樹脂１７により封止する。また半導体キャリア１
５の配線パターン１６は、半導体キャリア１５の底面に
格子状配列で設けた外部電極１８と半導体キャリア１５
内部でスルーホールやビアなどの導通手段により内部接
続されている。なお、配線パタ−ン１６と外部電極１８
とは、便宜上、凹凸のある厚みで図示しているが、実際
は、数十［μｍ］〜数百［μｍ］程度の薄厚である。
【００１９】次に本実施例で示した半導体装置の半導体
キャリア１５について説明する。図２に示すように、半
導体キャリア１５は、セラミックまたは樹脂を基材とし
た基板１９に対して、その上面に実際の回路に使用する
配線パタ−ン１６が形成され、裏面には格子状に配列さ
れる外部電極１８が形成されている。そして前記配線パ
タ−ン１６と外部電極１８とは、基板１９の内部でスル
ーホールやビアにより引き回しされ、導通されているも
のである。
キャリア１５について説明する。図２に示すように、半
導体キャリア１５は、セラミックまたは樹脂を基材とし
た基板１９に対して、その上面に実際の回路に使用する
配線パタ−ン１６が形成され、裏面には格子状に配列さ
れる外部電極１８が形成されている。そして前記配線パ
タ−ン１６と外部電極１８とは、基板１９の内部でスル
ーホールやビアにより引き回しされ、導通されているも
のである。
【００２０】さらに基板１９の上面に実際の回路に使用
する配線パタ−ン１６のほかに、ダミー配線パターン２
０も形成されている。ダミー配線パターン２０の存在に
より、半導体素子１１と半導体キャリア１５との隙間に
封止樹脂１７を充填させた時、樹脂充填の際の充填速度
が均一となり、封止樹脂中に気泡が発生することなく、
気密封止された半導体装置が実現する。また隙間に充填
する封止樹脂１７の量も一定量としており、一定量・一
定速度で充填することにより、半導体素子１１・半導体
キャリア１５の周囲のフィレットが四辺バランスよく形
成されるものである。封止樹脂１７の気密充填、周辺の
フィレットのバランス化により、樹脂応力を一定にし、
信頼性の優れた半導体装置（ＣＳＰ）が実現する。
する配線パタ−ン１６のほかに、ダミー配線パターン２
０も形成されている。ダミー配線パターン２０の存在に
より、半導体素子１１と半導体キャリア１５との隙間に
封止樹脂１７を充填させた時、樹脂充填の際の充填速度
が均一となり、封止樹脂中に気泡が発生することなく、
気密封止された半導体装置が実現する。また隙間に充填
する封止樹脂１７の量も一定量としており、一定量・一
定速度で充填することにより、半導体素子１１・半導体
キャリア１５の周囲のフィレットが四辺バランスよく形
成されるものである。封止樹脂１７の気密充填、周辺の
フィレットのバランス化により、樹脂応力を一定にし、
信頼性の優れた半導体装置（ＣＳＰ）が実現する。
【００２１】次に第２の実施例について説明する。図
３，図４は、本実施例にかかる半導体装置の製造方法を
示す工程図である。なお、本実施例では、半導体装置と
して、ＣＳＰを例として説明する。
３，図４は、本実施例にかかる半導体装置の製造方法を
示す工程図である。なお、本実施例では、半導体装置と
して、ＣＳＰを例として説明する。
【００２２】まず図３（ａ）に示すように、半導体素子
１１の電極１２上に形成されたＡｕバンプ１３が、導電
性接着剤１４により搬送用キャリア２１上に保持された
半導体キャリア１５の配線パターン１６と接続される。
この工程は、半導体装置、特にＣＳＰの実装工程であ
り、樹脂封止前の工程である。また前記半導体キャリア
１５は、半導体素子１１が接続される上面に配線パター
ン１６および配線とは無関係のダミー配線パターン２０
が形成されているものである。
１１の電極１２上に形成されたＡｕバンプ１３が、導電
性接着剤１４により搬送用キャリア２１上に保持された
半導体キャリア１５の配線パターン１６と接続される。
この工程は、半導体装置、特にＣＳＰの実装工程であ
り、樹脂封止前の工程である。また前記半導体キャリア
１５は、半導体素子１１が接続される上面に配線パター
ン１６および配線とは無関係のダミー配線パターン２０
が形成されているものである。
【００２３】次に図３（ｂ）に示すように、６０℃に加
熱し、さらに１５度傾けたホットプレ−ト２２上で１回
目の封止樹脂１７の注入をノズル２３から行なう。この
工程は、半導体素子１１と半導体キャリア１５との隙間
に封止樹脂１７を充填する工程であり、封止樹脂の１７
の流動促進のために１５度という角度を設けて、注入し
ている。
熱し、さらに１５度傾けたホットプレ−ト２２上で１回
目の封止樹脂１７の注入をノズル２３から行なう。この
工程は、半導体素子１１と半導体キャリア１５との隙間
に封止樹脂１７を充填する工程であり、封止樹脂の１７
の流動促進のために１５度という角度を設けて、注入し
ている。
【００２４】次に図３（ｃ）に示すように、前記１回目
の注入から一定時間経過後、半導体素子１１と半導体キ
ャリア１５との隙間に２回目の封止樹脂１７の注入を行
なう。１回目の樹脂注入から２回目までの保持時間は、
半導体素子１１、半導体キャリア１５の大きさ、封止樹
脂１７の粘度等の諸条件により異なるが、１回目の注入
により隙間に充填された封止樹脂１７が流動し、その隙
間の約半分程度まで充填された後に２回目の樹脂注入を
行なう。
の注入から一定時間経過後、半導体素子１１と半導体キ
ャリア１５との隙間に２回目の封止樹脂１７の注入を行
なう。１回目の樹脂注入から２回目までの保持時間は、
半導体素子１１、半導体キャリア１５の大きさ、封止樹
脂１７の粘度等の諸条件により異なるが、１回目の注入
により隙間に充填された封止樹脂１７が流動し、その隙
間の約半分程度まで充填された後に２回目の樹脂注入を
行なう。
【００２５】前記の封止樹脂１７の注入工程では、半導
体キャリア１５の上面に配線パターン１６以外の領域に
ダミー配線パターン２０をも形成し、半導体キャリア１
５上の配線パターンの密度を均一にしており、封止樹脂
１７に対する抵抗を抑え、封止樹脂１７の充填速度を均
一にして封止するので、気泡発生の抑制ができる。した
がって、封止樹脂１７の気密な充填ができる。また、あ
らかじめ必要最小限の樹脂量と樹脂の封入速度を計算し
ておき、樹脂が半導体キャリア１５からこぼれないよう
に必要量を半導体素子１１上方に溜めておくことによ
り、半導体素子１１の上方と下方の樹脂有無の検出なし
で封止可能である。したがって複雑な樹脂検出装置を必
要とすることなく封止を行なうことができる。
体キャリア１５の上面に配線パターン１６以外の領域に
ダミー配線パターン２０をも形成し、半導体キャリア１
５上の配線パターンの密度を均一にしており、封止樹脂
１７に対する抵抗を抑え、封止樹脂１７の充填速度を均
一にして封止するので、気泡発生の抑制ができる。した
がって、封止樹脂１７の気密な充填ができる。また、あ
らかじめ必要最小限の樹脂量と樹脂の封入速度を計算し
ておき、樹脂が半導体キャリア１５からこぼれないよう
に必要量を半導体素子１１上方に溜めておくことによ
り、半導体素子１１の上方と下方の樹脂有無の検出なし
で封止可能である。したがって複雑な樹脂検出装置を必
要とすることなく封止を行なうことができる。
【００２６】次に図４（ａ）に示すように、２回目の樹
脂注入後、１５度を保持することのできる保持治具２４
に封止樹脂の注入を行なった半導体キャリア全体（ＣＳ
Ｐ）を載せた搬送用キャリア２１を設置する。
脂注入後、１５度を保持することのできる保持治具２４
に封止樹脂の注入を行なった半導体キャリア全体（ＣＳ
Ｐ）を載せた搬送用キャリア２１を設置する。
【００２７】そして図４（ｂ）に示すように、半導体素
子１１と半導体キャリア１５との隙間に封止樹脂１７を
充填したＣＳＰに対して、６０℃に加熱したオーブン２
５中で一定時間の加熱放置を行なう。ただしオーブン２
５の温度は、封止樹脂１７が熱硬化、ゲル化しない温度
である。この工程では、半導体キャリア１５の傾きの上
部から傾きの下部に向かって、封止樹脂１７が流動でき
るように若干の温度で加熱して放置するものであり、こ
の工程により、ＣＳＰの周囲である半導体素子１１と半
導体キャリア１５との隙間、および周囲のフィレット１
７ａを四辺バランスよく充填形成することができる。ま
た、この工程は、特に半導体素子１１・半導体キャリア
１５の周囲のフィレット１７ａを四辺バランスよく充填
形成する工程であり、樹脂を注入する工程と、フィレッ
トを形成する工程とを分離することにより、生産タクト
を大きく向上することができる。
子１１と半導体キャリア１５との隙間に封止樹脂１７を
充填したＣＳＰに対して、６０℃に加熱したオーブン２
５中で一定時間の加熱放置を行なう。ただしオーブン２
５の温度は、封止樹脂１７が熱硬化、ゲル化しない温度
である。この工程では、半導体キャリア１５の傾きの上
部から傾きの下部に向かって、封止樹脂１７が流動でき
るように若干の温度で加熱して放置するものであり、こ
の工程により、ＣＳＰの周囲である半導体素子１１と半
導体キャリア１５との隙間、および周囲のフィレット１
７ａを四辺バランスよく充填形成することができる。ま
た、この工程は、特に半導体素子１１・半導体キャリア
１５の周囲のフィレット１７ａを四辺バランスよく充填
形成する工程であり、樹脂を注入する工程と、フィレッ
トを形成する工程とを分離することにより、生産タクト
を大きく向上することができる。
【００２８】その後、図４（ｃ）に示すように、角度１
５度保持用の保持治具２４から搬送用キャリア２１とと
もに半導体装置であるＣＳＰを取り出して、傾きなし
で、高温１００〜２００［℃］による封止樹脂の加熱硬
化を行なう。
５度保持用の保持治具２４から搬送用キャリア２１とと
もに半導体装置であるＣＳＰを取り出して、傾きなし
で、高温１００〜２００［℃］による封止樹脂の加熱硬
化を行なう。
【００２９】なお、１回で注入する封止樹脂の量、２回
目の注入を行なうまでの時間、および１５度に傾けた状
態での６０［℃］の放置時間は、半導体素子１１、半導
体キャリア１５の大きさ、封止樹脂１７の粘度等の諸条
件により異なる。
目の注入を行なうまでの時間、および１５度に傾けた状
態での６０［℃］の放置時間は、半導体素子１１、半導
体キャリア１５の大きさ、封止樹脂１７の粘度等の諸条
件により異なる。
【００３０】また、本実施例では、封止樹脂１７の注入
時の角度が１５度であるが、半導体素子１１と半導体キ
ャリア１５との隙間の距離が本実施例では、１００［μ
ｍ］以下の非常に狭い距離であり、２５度以上では、封
止樹脂の流動が速くなりすぎて制御が難しく、また１０
度以下では、流動が遅くなるというのを考慮して、１５
度と設定しているものである。
時の角度が１５度であるが、半導体素子１１と半導体キ
ャリア１５との隙間の距離が本実施例では、１００［μ
ｍ］以下の非常に狭い距離であり、２５度以上では、封
止樹脂の流動が速くなりすぎて制御が難しく、また１０
度以下では、流動が遅くなるというのを考慮して、１５
度と設定しているものである。
【００３１】本実施例では、半導体キャリア１５上の配
線パターンの配設密度を均一にすることにより、気泡を
抑えて気密な樹脂封止ができるものである。また封止樹
脂１７の使用量を一定量とし、半導体素子１１と半導体
キャリア１５との隙間への樹脂の充填を隙間充填の工程
と、周辺のフィレット形成のための工程との２回に分離
して行なうことにより、半導体素子１１・半導体キャリ
ア１５周囲のフィレットを四辺バランスよく形成するこ
とができ、加熱時の樹脂応力を一定にし、信頼性の優れ
た半導体装置（ＣＳＰ）が実現する。
線パターンの配設密度を均一にすることにより、気泡を
抑えて気密な樹脂封止ができるものである。また封止樹
脂１７の使用量を一定量とし、半導体素子１１と半導体
キャリア１５との隙間への樹脂の充填を隙間充填の工程
と、周辺のフィレット形成のための工程との２回に分離
して行なうことにより、半導体素子１１・半導体キャリ
ア１５周囲のフィレットを四辺バランスよく形成するこ
とができ、加熱時の樹脂応力を一定にし、信頼性の優れ
た半導体装置（ＣＳＰ）が実現する。
【００３２】
【発明の効果】半導体キャリアの配線パターン密度の低
い部分にダミー配線パターンを設け、半導体キャリア上
のメタライズ密度の偏りをなくすことにより、封止樹脂
の流動速度を一定にし、封止樹脂内の気泡発生を抑制す
ることができる。また、樹脂の封入の一部とフィレット
の形成をオーブン中で行うことにより、ホットプレート
上では樹脂の注入だけが連続で行なわれることになり、
生産タクトは樹脂注入に要する時間のみに制限されるこ
とになる。従って、フィレット形成のための待ち時間を
無視することができ、生産タクトを大きく向上すること
ができる。また、フィレット形成の時間を十分にとれる
ため、形状とバランスのよいフィレットが形成されるこ
とになり、樹脂応力が一定となった半導体装置を実現す
ることができる。
い部分にダミー配線パターンを設け、半導体キャリア上
のメタライズ密度の偏りをなくすことにより、封止樹脂
の流動速度を一定にし、封止樹脂内の気泡発生を抑制す
ることができる。また、樹脂の封入の一部とフィレット
の形成をオーブン中で行うことにより、ホットプレート
上では樹脂の注入だけが連続で行なわれることになり、
生産タクトは樹脂注入に要する時間のみに制限されるこ
とになる。従って、フィレット形成のための待ち時間を
無視することができ、生産タクトを大きく向上すること
ができる。また、フィレット形成の時間を十分にとれる
ため、形状とバランスのよいフィレットが形成されるこ
とになり、樹脂応力が一定となった半導体装置を実現す
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例にかかる半導体装置を示
す断面図
す断面図
【図２】本発明の第１の実施例にかかる半導体装置のキ
ャリア部を示す図
ャリア部を示す図
【図３】本発明の第２の実施例にかかる半導体装置の製
造方法を示す工程図
造方法を示す工程図
【図４】本発明の第２の実施例にかかる半導体装置の製
造方法を示す工程図
造方法を示す工程図
【図５】従来の半導体装置を構成するキャリア部を示す
図
図
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
【図７】従来の半導体装置の製造方法を示す工程図
１ 基板 ２ 配線パタ−ン ３ 外部電極 ４ ホットプレ−ト ５ 半導体素子 ６ 半導体キャリア ７ 封止樹脂 ８ ノズル ９ 搬送用キャリア １０ 構成体 １１ 半導体素子 １２ 電極 １３ Ａｕバンプ １４ 導電性接着剤 １５ 半導体キャリア １６ 配線パターン １７ 封止樹脂 １７ａ フィレット １８ 外部電極 １９ 基板 ２０ ダミー配線パターン ２１ 搬送用キャリア ２２ ホットプレート ２３ ノズル ２４ 保持治具 ２５ オーブン
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子の電極上にバンプ電極群を形
成する工程と、前記半導体素子上のバンプ電極群と、第
１面上に配線パターン群とダミー配線パターン群とを有
し、第２面上に外部端子群を有したキャリア部の前記配
線パターン群とを電気的に接続させ、実装体を形成する
工程と、封止樹脂を前記実装体の前記半導体素子と前記
キャリア部との間に形成された隙間に注入する工程と、
注入した樹脂を硬化させる工程とを有する半導体装置の
製造方法であって、前記封止樹脂を前記半導体素子と前
記キャリア部との間に形成された隙間に注入する工程
は、実装体を傾斜させ、複数回に分けて樹脂を供給した
後、前記実装体を傾斜したまま加熱放置することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 封止樹脂を実装体の半導体素子とキャリ
ア部との間に形成された隙間に注入する工程において、
実装体を加熱しながら注入することを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 封止樹脂を実装体の半導体素子とキャリ
ア部との間に形成された隙間に注入する工程において、
傾斜角度１５度で実装体を傾斜させた状態で樹脂を注入
することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07141519A JP3140330B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07141519A JP3140330B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08335593A JPH08335593A (ja) | 1996-12-17 |
| JP3140330B2 true JP3140330B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=15293861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07141519A Expired - Fee Related JP3140330B2 (ja) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3140330B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1443555A3 (en) * | 1997-01-23 | 2005-02-23 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP3613098B2 (ja) | 1998-12-21 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板ならびにそれを用いた表示装置および電子機器 |
| JP3741005B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-02-01 | セイコーエプソン株式会社 | 配線基板、その製造方法、表示装置および電子機器 |
| JP2003204015A (ja) * | 2002-01-10 | 2003-07-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及びインターポーザ基板の製造方法 |
| JP3544970B2 (ja) | 2002-09-30 | 2004-07-21 | 沖電気工業株式会社 | Ｃｏｆテープキャリア、半導体素子、半導体装置 |
| JPWO2006062195A1 (ja) * | 2004-12-09 | 2008-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 半導体実装基板 |
| JP5853902B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-02-09 | トヨタ自動車株式会社 | レゾルバステータ及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-06-08 JP JP07141519A patent/JP3140330B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08335593A (ja) | 1996-12-17 |
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