JP3138372B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP3138372B2
JP3138372B2 JP24746393A JP24746393A JP3138372B2 JP 3138372 B2 JP3138372 B2 JP 3138372B2 JP 24746393 A JP24746393 A JP 24746393A JP 24746393 A JP24746393 A JP 24746393A JP 3138372 B2 JP3138372 B2 JP 3138372B2
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雅伸 佐藤
雅宏 宮城
孝志 原
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置や液
晶製造装置などにおいて、半導体ウエハ,液晶用基板や
各種ワークなどの被処理物(以下、「基板」と総称す
る)に対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板表
面上の有機物を分解させたり、基板表面を親水化させて
後段の洗浄工程における水洗効果を高めたりするために
使用される基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板の表面に紫外線を照射してオゾンを
発生させることにより、基板表面上の有機物を分解させ
たり、基板表面を親水化させて後段の洗浄工程における
水洗効果を高めたりするために使用される基板処理装置
は、種々の型式のものが知られており、液晶製造装置の
フォトリソ工程などにおいて用いられている。この種の
基板処理装置は、具体的には、基板を支持するチャック
の上方位置に紫外線ランプを配設しており、チャックに
搭載された基板表面に紫外線ランプからの紫外線を所定
時間(タクトタイム)t1(図9)だけ照射することに
より、適量の紫外線エネルギー(図9の斜線部分R1 の
面積に相当)を基板に与えるように構成されている。な
お、同図および後で説明する図2,図3,図8および図
10において、横軸は処理開始からの経過時刻を示すと
ともに、縦軸は基板表面における紫外線照度を示してい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の基板
処理装置では、紫外線ランプと基板との距離は一定に保
たれており、しかも紫外線ランプの出力は一定である。
したがって、基板処理工程のタクトが変化して基板処理
装置内に基板が載置される時間が長くなると、基板に作
用する紫外線エネルギーが必要以上に多くなってしま
う。例えば、図10に示すように、タクトタイムが時間
t1から時間t2(>t1)になると、斜線部分R2 の
面積に相当する量の紫外線エネルギーが過剰に基板に与
えられてしまう。その結果、基板が白濁してしまうなど
のダメージを受けることがある。
【0004】
【0005】この発明は、上記の問題を解決するために
なされたものであり、基板処理工程全体のタクトが変化
しても、基板にダメージを与えることなく、適量の紫外
線エネルギーを基板に与えることができる基板処理装
提供することを目的とする。
【0006】
【0007】
【課題を解決するための手段】 請求項の発明は、上記
目的を達成するため、基板を支持する支持手段と、前記
支持手段に支持された基板に紫外線を照射する紫外線照
射手段と、前記支持手段に支持された基板と前記紫外線
照射手段との相対距離を制御する距離制御手段とを備
え、所定時間の間、前記支持手段で前記基板を支持する
とともに、前記所定時間に応じて前記基板と前記紫外線
照射手段との相対距離を制御しながら、連続的に前記基
板に紫外線を照射して、前記基板に一定の紫外線エネル
ギーを与えるようにしている。
【0008】請求項の発明は、上記目的を達成するた
め、基板を支持する支持手段と、フィラメント電極を有
し、前記支持手段に支持された基板に紫外線を照射する
紫外線照射手段と、前記フィラメント電極にフィラメン
ト電流を流すフィラメント給電手段と、前記紫外線照射
手段の点灯・消灯を制御する点灯制御手段とを備え、前
記支持手段で前記基板を所定時間だけ支持するととも
に、前記フィラメント給電手段からのフィラメント電流
を前記フィラメント電極に連続的に流しながら、前記所
定時間より短い時間だけ前記点灯制御手段により前記紫
外線照射手段を点灯させて、前記基板に一定の紫外線エ
ネルギーを与えた後、前記紫外線照射手段を消灯するよ
うにしている
【0009】
【0010】
【作用】 請求項の発明では、所定時間(タクトタイ
ム)の間、支持手段により基板が支持される。また、前
記所定時間に応じて前記基板と前記紫外線照射手段との
相対距離が制御されて前記基板表面での紫外線照度が調
整されながら、前記紫外線照射手段からの紫外線が前記
所定時間の間、連続的に前記基板に照射され、前記基板
に適量の紫外線エネルギーが与えられる。したがって、
上記請求項1の発明と同様に、例えば、基板処理工程全
体のタクトが長くなった場合であっても、必要以上の紫
外線エネルギーの基板への照射が防止される。また、基
板処理工程全体のタクトが変化した場合であっても、前
記紫外線照射手段を消灯する必要がないため、紫外線照
射手段の点灯・消灯によるタクトの増大を防止すること
ができる。
【0011】請求項の発明では、支持手段で基板が所
定時間だけ支持されるとともに、フィラメント給電手段
からのフィラメント電流が紫外線照射手段のフィラメン
ト電極に連続的に流れる。また、前記所定時間より短い
時間だけ点灯制御手段の制御により前記紫外線照射手段
が点灯して、前記基板に適量の紫外線エネルギーを与え
た後、前記紫外線照射手段が消灯されて、必要以上の紫
外線エネルギーの基板への照射が防止される。しかも、
前記フィラメント電極へは連続的にフィラメント電流が
流れているため、前記紫外線照射手段を消灯させた後、
再度点灯した場合であっても、短い時間で安定し、紫外
線照射手段の点灯・消灯によるタクトの増大を防止する
ことができる。
【0012】
【実施例】A.提案例
【0013】図1は、この発明にかかる基板処理装置の
提案例を示す図である。この基板処理装置では、同図に
示すように、基板1を支持する支持手段としてのチャッ
ク2が設けられるとともに、そのチャック2の上方位置
に紫外線照射ユニット3が配設されている。この紫外線
照射ユニット3は、複数の紫外線ランプ4と、反射板5
とで構成されており、紫外線ランプ4が点灯されると、
紫外線ランプ4からの紫外線がチャック2上の基板1に
照射されるようになっている。これらの紫外線ランプ4
は紫外線ランプ出力制御回路6と接続され、さらに、U
Vランプ出力制御回路6には紫外線ランプ出力設定装置
7からの出力設定信号が与えられるようになっている。
紫外線ランプ出力設定装置7は、次に説明するように、
タクトタイムに応じて出力設定信号を発生させ、紫外線
ランプ出力制御回路6に与えることにより、紫外線ラン
プ4の出力を調整して、基板1に適量の紫外線エネルギ
ーが照射されるように基板処理装置全体を制御する。
【0014】次に、図2および図9を参照しつつ、提案
にかかる基板処理装置による基板処理行程について説
明する。この装置では、図9に示すようにタクトタイム
が時間t1である場合には、紫外線ランプ出力設定装置
7から、処理開始から時間t1までの間、その時間t1
に応じた出力設定信号が紫外線ランプ出力制御回路6に
与えられ、基板1の表面に適当な照度(例えば、「10
0」)で紫外線を照射する。これにより、基板1には、
適量の紫外線エネルギー(図9の斜線部分R1の面積
「100×t1」に相当)が与えられる。
【0015】ここで、タクトタイムが2倍になると、紫
外線ランプ出力設定装置7では時間t2(=2×t1)
に応じた出力設定信号が発生し、処理開始から時刻T2
までの間、その出力設定信号が紫外線ランプ出力制御回
路6に与えられ、先の場合(図9)の半分の照度「5
0」で基板1の表面に紫外線を照射する(図2参照)。
これにより、基板1には、図2の斜線部分R3 の面積
「100×t1」に相当する紫外線エネルギー、つまり
適量の紫外線エネルギーが与えられる。
【0016】以上のように、この実施例では、タクトタ
イムに応じて紫外線ランプ4の出力を調整しているの
で、タクトタイムに長さにかかわらず、適量の紫外線エ
ネルギーを与えることができる。しかも、処理時間(タ
クトタイム)の間、連続的に紫外線ランプ4を点灯させ
ているため、基板処理工程全体のタクトが変化した場合
であっても、紫外線ランプ4を消灯する必要がなく、紫
外線ランプ4の点灯・消灯によるタクトの増大を効果的
に防止することができる。
【0017】なお、上記提案例では、処理時間(t2)
の間、一定の紫外線照度「50」で紫外線を基板1表面
に照射しているが、図3に示すように、処理開始から時
刻T1までの間、比較的高い照度(例えば、「10
0」)で紫外線を照射して、適量の紫外線エネルギー
(同図の斜線部分R4 の面積「100×t1」に相当)
を与えた後、基板がダメージを受けない程度の照度にま
で紫外線ランプ4の出力を低下させて、所定時刻T2ま
で照射するようにしてもよい。この場合も、上記と同様
に、処理時間(タクトタイム)の間、連続的に紫外線ラ
ンプ4が点灯しており、紫外線ランプ4の点灯・消灯に
よるタクトの増大を効果的に防止することができる。
【0018】また、上記変形例では、時刻T1から時刻
T2の間、一定量(同図の領域R5の面積に相当する)
の紫外線が基板1に照射されるが、この紫外線エネルギ
ーは微量であるため、実使用上、問題になることは少な
い。また、この微量エネルギーが問題となる場合には、
時刻T1までに与える紫外線エネルギーと時刻T1と時
刻T2との間に与えられる紫外線エネルギー(微量エネ
ルギー)との和が適量となるように、処理時間に応じて
紫外線ランプ4の出力を制御すればよい。
【0019】さらに、上記実施例では、基板1表面での
紫外線照度が図2および図3に示すようなパターンで変
化するように紫外線ランプ4の出力を調整する場合につ
いて説明したが、変化のパターンはこれらに限定される
ものではなく、要は、紫外線ランプ出力設定装置7によ
りタクトタイムに応じて紫外線ランプ4の出力を制御し
ながら、処理時間(タクトタイム)の間、連続的に基板
1に紫外線を照射して、基板1に適量の紫外線エネルギ
ーを与えるようにすればよい。なお、上記実施例では紫
外線ランプ4の出力は紫外線ランプ出力設定装置7によ
って設定された通りになると考えられているが、基板1
に作用する紫外線エネルギーをより正確に制御するため
には、チャック2に照度センサを取り付けてチャック2
上に載置された基板1に照射される紫外線照度を実測
し、この実測値に応じて紫外線ランプ出力設定装置7の
出力設定信号を調節すればよい。
【0020】B.第実施例
【0021】図4は、この発明にかかる基板処理装置の
実施例を示す図である。この装置では、紫外線照射
ユニット3の紫外線ランプ4は紫外線ランプ出力制御回
路6と接続されており、紫外線ランプ出力制御回路6に
より、一定の出力で基板1に向けて紫外線を照射するよ
うに構成されている。
【0022】また、この装置では、チャック2が昇降自
在で、しかもチャック昇降装置8に連結されている。こ
のチャック昇降装置8はランプ・基板間距離制御装置9
を介してランプ・基板間距離設定装置10に接続されて
いる。このランプ・基板間距離設定装置10は、タクト
タイムに応じて距離設定信号を発生させ、ランプ・基板
間距離制御装置9に与えることにより、基板1の高さ位
置、つまり基板1と紫外線照射ユニット3との間の距離
(ランプ−基板間距離)を調整する。紫外線ランプ4の
出力が一定であるという条件では、ランプ−基板間距離
は、図5に示すように、基板1上の紫外線照度と密接な
関係を有している。すなわち、ランプ−基板間距離が短
いと紫外線照度は大きくなり、逆にランプ−基板間距離
が長くなると紫外線照度は小さくなり、次に説明するよ
うに、基板1の高さ位置を制御することで基板1表面で
の紫外線照度を調整することができ、基板1に適量の紫
外線エネルギーを照射することができる。
【0023】次に、図2,図4および図9を参照しつ
つ、第実施例にかかる基板処理装置による基板処理行
程について説明する。この装置では、タクトタイムが時
間t1である場合には、ランプ・基板間距離設定装置1
0から、処理開始から時刻T1までの間、その時間t1
に応じた距離設定信号がランプ・基板間距離制御装置9
に与えられ、ランプ−基板間距離を比較的短い、例えば
距離h1 に調整して、基板1の表面に適当な照度(例え
ば、「100」)で紫外線を照射する。これにより、基
板1には、適量の紫外線エネルギー(図9の斜線部分R
1 の面積「100×t1」に相当)が与えられる。
【0024】ここで、タクトタイムが2倍になると、ラ
ンプ・基板間距離制御装置9では時間(t2)に応じた
距離設定信号が発生し、処理開始から時刻T2までの
間、その距離設定信号がランプ・基板間距離制御装置9
に与えられ、ランプ−基板間距離を比較的長い、例えば
距離h2 に調整して、先の場合(図9)の半分の照度
「50」で基板1の表面に紫外線を照射する(図2参
照)。これにより、基板1には、図2の斜線部分R3 の
面積「100×t1」に相当する紫外線エネルギー、つ
まり適量の紫外線エネルギーが与えられる。
【0025】以上のように、第実施例においては、チ
ャック2を昇降させてランプ−基板間距離を調整してい
るので、タクトタイムに長さにかかわらず、適量の紫外
線エネルギーを与えることができる。しかも、処理時間
(タクトタイム)の間、連続的に紫外線ランプ4を点灯
させているため、上記提案例と同様の効果、つまり基板
処理工程全体のタクトが変化した場合であっても、紫外
線ランプ4を消灯する必要がなく、紫外線ランプ4の点
灯・消灯によるタクトの増大を効果的に防止することが
できるという効果が得られる。
【0026】なお、上記第実施例では、処理時間(t
2)の間、ランプ−基板間距離を距離h2 に保つことに
より、基板1の表面の紫外線照度を一定に保っている
が、処理開始から時刻T1までの間、ランプ−基板間距
離を比較的短く、例えば距離h1 に保つことにより比較
的高い照度(例えば、「100」)で紫外線を照射し
て、適量の紫外線エネルギー(図3の斜線部分R4 の面
積「100×t1」に相当)を与えた後、ランプ−基板
間距離を大きく、例えば距離h3 (>h2 )にして、基
板1がダメージを受けない程度の照度に設定し、所定時
刻T2まで照射するようにしてもよい(図3参照)。こ
の場合も、上記提案例の変形例と同様の効果が得られ
る。
【0027】また、上記変形例では、時刻T1から時刻
T2の間、一定量(同図の領域R5の面積に相当する)
の紫外線が基板1に照射されるが、この紫外線エネルギ
ーは微量であるため、実使用上、問題になることは少な
い。また、この微量エネルギーが問題となる場合には、
時刻T1までに与える紫外線エネルギーと時刻T1と時
刻T2との間に与えられる紫外線エネルギー(微量エネ
ルギー)との和が適量となるように、処理時間に応じて
チャック2を昇降させてランプ−基板間距離を制御すれ
ばよい。
【0028】また、上記実施例では、基板1の紫外線照
度が図2および図3に示すようなパターンで変化するよ
うにランプ−基板間距離を調整する場合について説明し
たが、変化のパターンはこれらに限定されるものではな
く、要は、ランプ・基板間距離設定装置10によりタク
トタイムに応じてランプ−基板間距離を制御しながら、
処理時間(タクトタイム)の間、連続的に基板1に紫外
線を照射して、基板1に適量の紫外線エネルギーを与え
るようにすればよい。
【0029】また、チャック2に照度センサを取付けて
基板1上の紫外線照度を実測し、その実測値に応じてラ
ンプ−基板間距離を制御するようにしてもよい。
【0030】さらに、上記実施例では、チャック2を昇
降させることにより、ランプ−基板間距離を制御するよ
うにしているが、紫外線照射ユニット3を昇降させる、
あるいはチャック2および紫外線照射ユニット3の両者
を昇降させるようにしてもよい。
【0031】C.第実施例
【0032】図6は、この発明にかかる基板処理装置の
実施例を示す図である。また、図7は、紫外線ラン
プ4の制御システムを示す図である。この装置では、図
7に示すように、紫外線照射ユニット3の紫外線ランプ
4は対向配置された2つのフィラメント電極41,41
を有しており、各フィラメント電極41にはフィラメン
ト給電回路11が接続されている。このフィラメント給
電回路11は電源12とスイッチ13とからなり、基板
処理装置が連続動作している間、スイッチ13は常時閉
状態であり、フィラメント電極41にフィラメント電流
が流れている。
【0033】また、2つのフィラメント電極41の間に
紫外線ランプ点灯制御回路14が直列に接続されてい
る。この紫外線ランプ点灯制御回路14は、交流電源1
5と,直流電源16と,安定器17およびスイッチ18
とで構成されており、点灯時間設定装置19からの信号
に応じてスイッチ18が開閉動作し、その結果、紫外線
ランプ4を点灯・消灯するようになっている。
【0034】なお、その他の構成は、提案例のそれとほ
ぼ同様であるため、ここでは、その説明を省略する。
【0035】この第実施例にかかる基板処理装置で
は、点灯時間設定装置19からの信号に基づき、処理開
始から所定時刻T1までの間スイッチ18を閉状態にし
て紫外線ランプ4を点灯させる。これにより、図8に示
すように、当該時間t1(時刻0から時刻T1までの時
間)、紫外線ランプ4からの紫外線が基板1に照射され
て、適量の紫外線エネルギーが基板1に与えられる。そ
して、時刻T1を経過すると、点灯時間設定装置19か
らの信号に応じてスイッチ18を開状態にして紫外線ラ
ンプ4を消灯し、基板1への紫外線照射を停止する。し
たがって、この装置によれば、タクトタイムにかかわら
ず、適量の紫外線エネルギーを基板に与えることができ
る。なお、上記実施例においても、基板1に作用する紫
外線エネルギーをより正確に制御するためには、チャッ
ク2に照度センサを取り付けてチャック2上に載置され
た基板1に照射される紫外線照度を実測し、この実測値
に応じて紫外線ランプ点灯制御回路14の出力信号を調
節して紫外線ランプ4の出力を調節すればよい。
【0036】また、本実施例では紫外線ランプ4を点灯
させているときのみならず消灯させているときにもフィ
ラメント電極41に電流を流しているので、次の基板を
処理するために紫外線ランプ4を点灯させたときに紫外
線ランプ4は短時間で安定状態に戻ることができる。し
たがって、従来のように一旦紫外線ランプ4を消灯させ
ても次に点灯させるときに長時間を要することはないの
で、タクトの長時間化を防止することができる。
【0037】
【0038】
【発明の効果】 以上のように、請求項1 の発明によれ
ば、所定時間の間、支持手段で基板を支持するととも
に、前記所定時間に応じて前記基板と紫外線照射手段と
の相対距離を制御しながら、連続的に前記基板に紫外線
を照射して、前記基板に一定の紫外線エネルギーを与え
るようにしているので、基板処理工程全体のタクトが変
化しても、基板にダメージを与えることなく、しかも基
板処理工程全体のタクトを長くすることなく、適量の紫
外線エネルギーを基板に与えることができる。
【0039】請求項の発明によれば、支持手段で基板
を所定時間だけ支持するとともに、フィラメント給電手
段からのフィラメント電流をフィラメント電極に連続的
に流しながら、前記所定時間より短い時間だけ点灯制御
手段の制御により紫外線照射手段を点灯させて、前記基
板に一定の紫外線エネルギーを与えた後、前記紫外線照
射手段を消灯するようにしているので、基板処理工程全
体のタクトが変化しても、基板にダメージを与えること
なく、しかも基板処理工程全体のタクトを長くすること
なく、適量の紫外線エネルギーを基板に与えることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる基板処理装置の提案例を示す
図である。
【図2】図1の基板処理装置の動作の一例を示す図であ
る。
【図3】図1の基板処理装置の動作の他の例を示す図で
ある。
【図4】この発明にかかる基板処理装置の第実施例を
示す図である。
【図5】ランプ−基板間距離と基板上の紫外線照度との
関係を示す図である。
【図6】この発明にかかる基板処理装置の第実施例を
示す図である。
【図7】紫外線ランプの制御システムを示す図である。
【図8】図6の基板処理装置の動作の一例を示す図であ
る。
【図9】従来の基板処理装置の動作を示す図である。
【図10】従来の基板処理装置の動作を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 チャック(支持手段) 3 紫外線照射ユニット 7 紫外線ランプ出力設定装 9 ランプ・基板間距離制御装置 10 ランプ・基板間距離設定装置 11 フィラメント給電回路 14 紫外線ランプ点灯制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮城 雅宏 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西工場 内 (72)発明者 原 孝志 滋賀県彦根市高宮町480番地の1 大日 本スクリーン製造株式会社 彦根地区事 業所内 (56)参考文献 特開 平3−101219(JP,A) 実開 平4−91794(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 7/42

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を支持する支持手段と、 前記支持手段に支持された基板に紫外線を照射する紫外
    線照射手段と、 前記支持手段に支持された基板と前記紫外線照射手段と
    の相対距離を制御する距離制御手段とを備え、 所定時間の間、前記支持手段で前記基板を支持するとと
    もに、前記所定時間に応じて前記基板と前記紫外線照射
    手段との相対距離を制御しながら、連続的に前記基板に
    紫外線を照射して、前記基板に一定の紫外線エネルギー
    を与えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 基板を支持する支持手段と、 フィラメント電極を有し、前記支持手段に支持された基
    板に紫外線を照射する紫外線照射手段と、 前記フィラメント電極にフィラメント電流を流すフィラ
    メント給電手段と、 前記紫外線照射手段の点灯・消灯を制御する点灯制御手
    段とを備え、 前記支持手段で前記基板を所定時間だけ支持するととも
    に、前記フィラメント給電手段からのフィラメント電流
    を前記フィラメント電極に連続的に流しながら、前記所
    定時間より短い時間だけ前記点灯制御手段により前記紫
    外線照射手段を点灯させて、前記基板に一定の紫外線エ
    ネルギーを与えた後、前記紫外線照射手段を消灯するこ
    とを特徴とする基板処理装置。
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