JP3134297B2 - シリカ系被膜形成用塗布液およびシリカ系被膜の製造法 - Google Patents
シリカ系被膜形成用塗布液およびシリカ系被膜の製造法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリカ系被膜形成用塗布液、さらに詳しくは
半導体デバイスなどの絶縁膜として好適に用いられる、
耐クラック性に優れたシリカ系被膜形成用塗布液および
これを用いたシリカ系被膜の製造法に関する。
半導体デバイスなどの絶縁膜として好適に用いられる、
耐クラック性に優れたシリカ系被膜形成用塗布液および
これを用いたシリカ系被膜の製造法に関する。
従来、アルコキシシラン化合物等の溶液またはその部
分加水分解物の溶液を電子部品等の基板上に塗布し、焼
成してシリカ系の被膜を形成することは周知であり、特
公昭52−20825号公報、特開昭55−34258号公報等に開示
されている。シリカ系被膜の形成には、アルコキシシラ
ン化合物としてテトラエトキシシラン等の４官能シラン
が最も多く用いられ、これを完全な酸化珪素とする方法
が検討されている。この方法で得られるガラス質の被膜
は、非常に硬度が高く、脆い性質を有するため、0.3μ
ｍ以上の厚い被膜を形成するとクラックが入る欠点があ
った。
分加水分解物の溶液を電子部品等の基板上に塗布し、焼
成してシリカ系の被膜を形成することは周知であり、特
公昭52−20825号公報、特開昭55−34258号公報等に開示
されている。シリカ系被膜の形成には、アルコキシシラ
ン化合物としてテトラエトキシシラン等の４官能シラン
が最も多く用いられ、これを完全な酸化珪素とする方法
が検討されている。この方法で得られるガラス質の被膜
は、非常に硬度が高く、脆い性質を有するため、0.3μ
ｍ以上の厚い被膜を形成するとクラックが入る欠点があ
った。
この耐クラック性を向上させるため、アルコキシシラ
ン化合物としてアルキル基やアリール基などの有機基を
有する化合物を用いて加水分解縮合させ、シロキサンポ
リマーに有機基を導入する方法が検討されている。この
ようなシリカ系被膜のポリマー中には有機基が存在する
ため、膜の応力が緩和され、クラックが入りにくくな
る。シロキサンポリマーに有機基を導入する方法とし
て、３官能または２官能シラン化合物を共加水分解する
方法（米国特許第4,408,009号明細書、特開昭58−28850
号公報、特開昭63−241076号公報等）、４官能シラン化
合物の部分加水分解物と２官能または３官能シラン化合
物の部分加水分解物とを混合する方法（特開昭63−2431
74号公報）が提案されている。
ン化合物としてアルキル基やアリール基などの有機基を
有する化合物を用いて加水分解縮合させ、シロキサンポ
リマーに有機基を導入する方法が検討されている。この
ようなシリカ系被膜のポリマー中には有機基が存在する
ため、膜の応力が緩和され、クラックが入りにくくな
る。シロキサンポリマーに有機基を導入する方法とし
て、３官能または２官能シラン化合物を共加水分解する
方法（米国特許第4,408,009号明細書、特開昭58−28850
号公報、特開昭63−241076号公報等）、４官能シラン化
合物の部分加水分解物と２官能または３官能シラン化合
物の部分加水分解物とを混合する方法（特開昭63−2431
74号公報）が提案されている。
しかしながら、上記方法では、シロキサンポリマー中
に有機基がランダムに分布し、これを半導体基板上に塗
布して被膜を形成し、酸素プラズマ処理または数度にわ
たる高温の熱処理を行うと、膜表面の有機基が分解して
膜が著しく収縮し、そこを基点として膜の内部まで分解
が急速に浸透して膜にクラックやはがれが生じるという
欠点があった。
に有機基がランダムに分布し、これを半導体基板上に塗
布して被膜を形成し、酸素プラズマ処理または数度にわ
たる高温の熱処理を行うと、膜表面の有機基が分解して
膜が著しく収縮し、そこを基点として膜の内部まで分解
が急速に浸透して膜にクラックやはがれが生じるという
欠点があった。
本発明の目的は、上記の従来技術の問題を解決し、厚
い膜を形成しても、また酸素ラズマ処理や高温処理をし
てもクラックやはがれの発生しないシリカ系被膜形成用
塗布液およびこれを用いたシリカ系被膜の製造法を提供
することにある。
い膜を形成しても、また酸素ラズマ処理や高温処理をし
てもクラックやはがれの発生しないシリカ系被膜形成用
塗布液およびこれを用いたシリカ系被膜の製造法を提供
することにある。
本発明者等は、上記課題に鑑み、鋭意検討した結果、
有機基を含むシリカ系被膜の耐プラズマ性を向上させる
ためには、シリカ系被膜表面に有機基を配さない構造に
すればよいこと、シリカ系被膜の構造は、シリカ系被膜
形成用塗布液中に含まれるシロキサンポリマーの構造に
大きく起因することおよびシロキサンポリマーの構造
は、用いるアルコキシシラン化合物の構造とそれを加水
分解、縮重合させる反応条件に大きく起因することを見
出し、本発明に到ったものである。
有機基を含むシリカ系被膜の耐プラズマ性を向上させる
ためには、シリカ系被膜表面に有機基を配さない構造に
すればよいこと、シリカ系被膜の構造は、シリカ系被膜
形成用塗布液中に含まれるシロキサンポリマーの構造に
大きく起因することおよびシロキサンポリマーの構造
は、用いるアルコキシシラン化合物の構造とそれを加水
分解、縮重合させる反応条件に大きく起因することを見
出し、本発明に到ったものである。
すなわち、本発明は、 1.（Ａ）一般式（Ｉ）Si（OR′）４で表されるテトラア
ルコキシシラン化合物、 （Ｂ）一般式（II）RSi（OR″）３で表されるトリアル
コキシシラン化合物および／または （Ｃ）一般式（III）R2Si（OR″）２で表されるジアル
コキシシラン化合物（ただし、上記式中のＲは炭素数１
〜６のアルキル基またはアリール基、Ｒ′は炭素数２〜
６の一価のアルキル基またはアリール基、Ｒ″は炭素数
１〜５の一価のアルキル基またはアリール基を意味し、
一般式（Ｉ）中のＲ′の炭素数は、一般式（II）および
／または一般式（III）中のＲ″の炭素数より多い）の
混合物を、溶剤の存在下で水と触媒により加水分解縮合
させて得られるシラノールオリゴマーを含有してなるシ
リカ系被膜形成用塗布液並びに前記シリカ系被膜形成用
塗布液を基体上に塗布して乾燥した後、窒素雰囲気中で
硬化させることを特徴とするシリカ系被膜の製造法に関
する。
ルコキシシラン化合物、 （Ｂ）一般式（II）RSi（OR″）３で表されるトリアル
コキシシラン化合物および／または （Ｃ）一般式（III）R2Si（OR″）２で表されるジアル
コキシシラン化合物（ただし、上記式中のＲは炭素数１
〜６のアルキル基またはアリール基、Ｒ′は炭素数２〜
６の一価のアルキル基またはアリール基、Ｒ″は炭素数
１〜５の一価のアルキル基またはアリール基を意味し、
一般式（Ｉ）中のＲ′の炭素数は、一般式（II）および
／または一般式（III）中のＲ″の炭素数より多い）の
混合物を、溶剤の存在下で水と触媒により加水分解縮合
させて得られるシラノールオリゴマーを含有してなるシ
リカ系被膜形成用塗布液並びに前記シリカ系被膜形成用
塗布液を基体上に塗布して乾燥した後、窒素雰囲気中で
硬化させることを特徴とするシリカ系被膜の製造法に関
する。
上記のＲ、Ｒ′およびＲ″は、シラン化合物の反応性
の点から、炭素数が上記の範囲に制限される。シリカ系
被膜の表面に配される有機基を少なくするために一般式
（Ｉ）で表されるテトラアルコキシシラン化合物の反応
性が、一般式（II）で表されるトリアルコキシシラン化
合物および一般式（III）で表されるジアルコキシシラ
ン化合物の反応性より低いことが好ましく、 上記の一般式（Ｉ）中のＲ′の炭素数は、一般式（I
I）および／または一般式（III）中のＲ″の炭素数が多
い。なお、一般式（II）と一般式（III）のＲ″の炭素
数は同一でも異なっていてもよい。
の点から、炭素数が上記の範囲に制限される。シリカ系
被膜の表面に配される有機基を少なくするために一般式
（Ｉ）で表されるテトラアルコキシシラン化合物の反応
性が、一般式（II）で表されるトリアルコキシシラン化
合物および一般式（III）で表されるジアルコキシシラ
ン化合物の反応性より低いことが好ましく、 上記の一般式（Ｉ）中のＲ′の炭素数は、一般式（I
I）および／または一般式（III）中のＲ″の炭素数が多
い。なお、一般式（II）と一般式（III）のＲ″の炭素
数は同一でも異なっていてもよい。
本発明に用いられる一般式（Ｉ）で表されるテトラア
ルコキシシラン化合物としては、テトラエトキシシラ
ン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロ
ポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−
ｉ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、テ
トラアセトキシシラン等が挙げられる。
ルコキシシラン化合物としては、テトラエトキシシラ
ン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロ
ポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−
ｉ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、テ
トラアセトキシシラン等が挙げられる。
一般式（II）で表されるトリアルコキシシラン化合物
としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエト
キシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチ
ルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブト
キシシラン、メチルトリｉ−ブトキシシラン、メチルト
リ−ｔ−ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、
エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、エチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｉ−ブトキシ
シラン、エチルトリ−ｔ−ブトキシシラン等が挙げられ
る。
としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエト
キシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチ
ルトリ−ｉ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブト
キシシラン、メチルトリｉ−ブトキシシラン、メチルト
リ−ｔ−ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、
エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、エチルトリ−ｉ−プロポキシシラン、エチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｉ−ブトキシ
シラン、エチルトリ−ｔ−ブトキシシラン等が挙げられ
る。
一般式（III）で表されるジアルコキシシラン化合物
としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメ
チルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブト
キシシラン、ジメチルジ−ｉ−ブトキシシラン、ジメチ
ルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジエチルジメトキシシラ
ン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジ
エチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｉ−ブト
キシシラン、ジエチルジ−ｔ−ブトキシシラン等が挙げ
られる。
としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメ
チルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブト
キシシラン、ジメチルジ−ｉ−ブトキシシラン、ジメチ
ルジ−ｔ−ブトキシシラン、ジエチルジメトキシシラ
ン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ジエチルジ−ｉ−プロポキシシラン、ジ
エチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｉ−ブト
キシシラン、ジエチルジ−ｔ−ブトキシシラン等が挙げ
られる。
上記３成分のアルコキシ化合物の反応割合は、耐酸素
プラズマ性および耐高温性の点から、一般式（Ｉ）で表
されるテトラアルコキシシラン化合物１モルに対し、一
般式（II）で表されるトリアルコキシシラン化合物を４
モル以下で用いることが好ましく、一般式（III）で表
されるジアルコキシシラン化合物は1.5モル以下で用い
ることが好ましい。
プラズマ性および耐高温性の点から、一般式（Ｉ）で表
されるテトラアルコキシシラン化合物１モルに対し、一
般式（II）で表されるトリアルコキシシラン化合物を４
モル以下で用いることが好ましく、一般式（III）で表
されるジアルコキシシラン化合物は1.5モル以下で用い
ることが好ましい。
一般式（II）で表されるトリアルコキシシラン化合物
および一般式（III）で表されるジアルコキシシラン化
合物は、両者を用いてもいずれか一方のみを用いてもよ
い。
および一般式（III）で表されるジアルコキシシラン化
合物は、両者を用いてもいずれか一方のみを用いてもよ
い。
本発明に用いられる溶剤としては、アルコール系、ケ
トン系、エステル系などの溶剤が挙げられる。これは単
独でまたは２種以上を混合して用いられるが、塗布性の
点から、表面張力が低く、沸点の異なるアルコール系溶
媒を２種以上混合して用いるのが好ましい。
トン系、エステル系などの溶剤が挙げられる。これは単
独でまたは２種以上を混合して用いられるが、塗布性の
点から、表面張力が低く、沸点の異なるアルコール系溶
媒を２種以上混合して用いるのが好ましい。
本発明に用いられる加水分解反応の触媒としては、硝
酸、硫酸、リン酸等の無機酸、シュウ酸、マレイン酸、
酢酸等の有機酸、リン酸エステルなどが挙げられるが、
これらに特に制限されるものではない。
酸、硫酸、リン酸等の無機酸、シュウ酸、マレイン酸、
酢酸等の有機酸、リン酸エステルなどが挙げられるが、
これらに特に制限されるものではない。
本発明における加水分解反応は、例えば上記３成分の
アルコキシシラン化合物を同時に溶媒中に混合溶解した
後、これを撹拌しながら水および触媒を加えることによ
り行われる。水の添加量は、用いる化合物の加水分解可
能な官能基に対してほぼ当モルまたは80〜100モル％と
するのが好ましい。加水分解反応温度には特に制限はな
いが、アルコキシシラン化合物の加水分解性を制御する
点から50〜100℃に加熱するのが好ましい。
アルコキシシラン化合物を同時に溶媒中に混合溶解した
後、これを撹拌しながら水および触媒を加えることによ
り行われる。水の添加量は、用いる化合物の加水分解可
能な官能基に対してほぼ当モルまたは80〜100モル％と
するのが好ましい。加水分解反応温度には特に制限はな
いが、アルコキシシラン化合物の加水分解性を制御する
点から50〜100℃に加熱するのが好ましい。
本発明のシリカ系被膜形成用塗布液は、例えばシリコ
ンウエハー、ガラス板、セラミック基板等の基体上にス
ピナー、ロールコータ等で塗布した後、80〜200℃、好
ましくは100〜150℃の温度で乾燥し、次に窒素雰囲気中
300〜500℃、好ましくは400〜450℃の温度で硬化するこ
とによりシリカ系被膜とされる。
ンウエハー、ガラス板、セラミック基板等の基体上にス
ピナー、ロールコータ等で塗布した後、80〜200℃、好
ましくは100〜150℃の温度で乾燥し、次に窒素雰囲気中
300〜500℃、好ましくは400〜450℃の温度で硬化するこ
とによりシリカ系被膜とされる。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例１ 温度計、分流管付きコンデンサ、滴下ロートおよび撹
拌機を備えた４つ口フラスコに、テトラプロポキシシラ
ン158.4g、メチルトリメトキシシラン40.9gおよびジメ
チルジメトキシシラン13.0gを仕込み、次に溶媒として
イソプロピルアルコール160.0g、ブタノール32.0gおよ
び酢酸エチル128.8gを加えて室温で撹拌混合した。
拌機を備えた４つ口フラスコに、テトラプロポキシシラ
ン158.4g、メチルトリメトキシシラン40.9gおよびジメ
チルジメトキシシラン13.0gを仕込み、次に溶媒として
イソプロピルアルコール160.0g、ブタノール32.0gおよ
び酢酸エチル128.8gを加えて室温で撹拌混合した。
次にこの混合液に、リン酸ジエチル3.70gを溶解した
イオン交換水63.0gを撹拌しながら添加した。この際、
ガスクロマトグラフを用いてアルコキシシランの残存率
を測定したところ、イオン交換水滴下後約10分では、テ
トライソプロポキシシランが50％以上残存していた。そ
の後、50℃に加熱して５時間反応を行い、完全にテトラ
プロポキシシランが消失したことを確認し、塗布液とし
た。
イオン交換水63.0gを撹拌しながら添加した。この際、
ガスクロマトグラフを用いてアルコキシシランの残存率
を測定したところ、イオン交換水滴下後約10分では、テ
トライソプロポキシシランが50％以上残存していた。そ
の後、50℃に加熱して５時間反応を行い、完全にテトラ
プロポキシシランが消失したことを確認し、塗布液とし
た。
得られた塗布液を、スピナーを用いて3000rpmの回転
数でシリコンウエハー上に塗布し、150℃で１時間乾燥
した後、窒素雰囲気中で450℃で１時間硬化し、シリカ
系被膜を形成した。
数でシリコンウエハー上に塗布し、150℃で１時間乾燥
した後、窒素雰囲気中で450℃で１時間硬化し、シリカ
系被膜を形成した。
この被膜の膜厚をタリステップ（ランクテーラホブソ
ン社製）で測定したところ3000Åであった。この被膜を
バレル型酸素プラズマ灰化装置PR−501A型（ヤマト科学
社製）を用いて400Wで20分間処理したが、膜中にクラッ
クは認められなかった。
ン社製）で測定したところ3000Åであった。この被膜を
バレル型酸素プラズマ灰化装置PR−501A型（ヤマト科学
社製）を用いて400Wで20分間処理したが、膜中にクラッ
クは認められなかった。
実施例２ 実施例１と同様の装置に、テトライソブトキシシラン
186.5g、メチルトリメトキシシラン45.4gおよびジメチ
ルジエトキシシラン12.4gを仕込み、次に溶媒としてイ
ソプロピルアルコール160.0gおよび酢酸エチル128.8gを
加えて室温で撹拌混合した。
186.5g、メチルトリメトキシシラン45.4gおよびジメチ
ルジエトキシシラン12.4gを仕込み、次に溶媒としてイ
ソプロピルアルコール160.0gおよび酢酸エチル128.8gを
加えて室温で撹拌混合した。
次にこの混合液に、リン酸2.35gを溶解したイオン交
換水63.0gを撹拌しながら添加した。この際、ガスクロ
マトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測定し
たところ、イオン交換水滴下後約10分では、テトライソ
ブトキシシランが50％以上残存していた。その後、50℃
に加熱して５時間反応を行い、完全にテトライソブトキ
シシランが消失したことを確認して塗布液とした。
換水63.0gを撹拌しながら添加した。この際、ガスクロ
マトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測定し
たところ、イオン交換水滴下後約10分では、テトライソ
ブトキシシランが50％以上残存していた。その後、50℃
に加熱して５時間反応を行い、完全にテトライソブトキ
シシランが消失したことを確認して塗布液とした。
得られた塗布液を実施例１と同様の条件でシリコンウ
エハー上に塗布して被膜を形成し、その膜厚を測定した
ところ3200Åであった。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたが、膜中にクラックは認めら
れなかった。
エハー上に塗布して被膜を形成し、その膜厚を測定した
ところ3200Åであった。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたが、膜中にクラックは認めら
れなかった。
実施例３ 実施例１と同様の装置に、テトラブトキシシラン160.
0g、メチルトリイソプロポキシシシラン73.3gおよびジ
メチルジイソプロポキシシラン30.0gを仕込み、次に溶
媒としてイソプロピルアルコール140.0gおよび酢酸エチ
ル140.0gを加えて室温で撹拌混合した。
0g、メチルトリイソプロポキシシシラン73.3gおよびジ
メチルジイソプロポキシシラン30.0gを仕込み、次に溶
媒としてイソプロピルアルコール140.0gおよび酢酸エチ
ル140.0gを加えて室温で撹拌混合した。
次にこの混合液に、マレイン酸2.51gを溶解したイオ
ン交換水60.0gを撹拌しながら添加した。この際、ガス
クロマトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測
定したところ、イオン交換水滴下後約10分では、テトラ
ブトキシシランが50％以上残存していた。その後、50℃
に加熱して５時間反応を行い、完全にテトラブトキシシ
ランが消失したことを確認し、塗布液とした。
ン交換水60.0gを撹拌しながら添加した。この際、ガス
クロマトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測
定したところ、イオン交換水滴下後約10分では、テトラ
ブトキシシランが50％以上残存していた。その後、50℃
に加熱して５時間反応を行い、完全にテトラブトキシシ
ランが消失したことを確認し、塗布液とした。
得られた塗布液を実施例１と同様の条件でシリコンウ
エハー上に塗布して被膜を形成し、その膜厚を測定した
ところ2700Åであった。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたが、膜中にクラックは認めら
れなかった。
エハー上に塗布して被膜を形成し、その膜厚を測定した
ところ2700Åであった。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたが、膜中にクラックは認めら
れなかった。
比較例１ 実施例１と同様の装置に、テトラメトキシシラン28.5
g、メチルトリメトキシシラン63.7gおよびジメチルジメ
トキシシラン30.0gを仕込み、次に溶媒としてイソプロ
ピルアルコール150.0gおよび酢酸エチル130.0gを加えて
室温で撹拌混合した。
g、メチルトリメトキシシラン63.7gおよびジメチルジメ
トキシシラン30.0gを仕込み、次に溶媒としてイソプロ
ピルアルコール150.0gおよび酢酸エチル130.0gを加えて
室温で撹拌混合した。
次にこの混合液に、リン酸2.35gを溶解したイオン交
換水63.0gを撹拌しながら添加した。この際、ガスクロ
マトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測定し
たところ、イオン交換水滴下後約10分では、アルコキシ
シランは全く検出されなかった。その後、室温で５時間
反応を行い、塗布液とした。
換水63.0gを撹拌しながら添加した。この際、ガスクロ
マトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測定し
たところ、イオン交換水滴下後約10分では、アルコキシ
シランは全く検出されなかった。その後、室温で５時間
反応を行い、塗布液とした。
得られた塗布液を実施例１と同様の条件でシリコンウ
エハー上に塗布して被膜を形成し、膜厚3500Åのクラッ
クフリーな被膜を得た。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたところ、膜中に多数のクラッ
クが認められた。
エハー上に塗布して被膜を形成し、膜厚3500Åのクラッ
クフリーな被膜を得た。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたところ、膜中に多数のクラッ
クが認められた。
比較例２ 実施例１と同様の装置に、テトラメトキシシラン30.5
g、メチルトリエトキシシラン73.7gおよびジメチルジイ
ソプロポキシシラン45.1gを仕込み、次に溶解としてイ
ソプロピルアルコール150.0gおよび酢酸メチル130.0gを
加えて室温で撹拌混合した。
g、メチルトリエトキシシラン73.7gおよびジメチルジイ
ソプロポキシシラン45.1gを仕込み、次に溶解としてイ
ソプロピルアルコール150.0gおよび酢酸メチル130.0gを
加えて室温で撹拌混合した。
次にこの混合液に、リン酸2.35gを溶解したイオン交
換水61.5gを撹拌しながら添加した。この際、ガスクロ
マトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測定し
たところ、イオン交換水滴下後約10分では、アルコキシ
シランは全く検出されなかった。その後、室温で５時間
反応を行い、塗布液とした。
換水61.5gを撹拌しながら添加した。この際、ガスクロ
マトグラフを用いてアルコキシシランの残存率を測定し
たところ、イオン交換水滴下後約10分では、アルコキシ
シランは全く検出されなかった。その後、室温で５時間
反応を行い、塗布液とした。
得られた塗布液を実施例１と同様の条件でシリコンウ
エハー上に塗布して被膜を形成し、膜厚3100Åのクラッ
クフリーな被膜を得た。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたところ、膜中に多数のクラッ
クが認められた。
エハー上に塗布して被膜を形成し、膜厚3100Åのクラッ
クフリーな被膜を得た。この被膜を実施例１と同様にし
て酸素プラズマ処理をしたところ、膜中に多数のクラッ
クが認められた。
本発明のシリカ系被膜形成用塗布液によれば、酸素プ
ラズマ処理や高温処理などによる膜表面の有機基の分解
を防止することができるため、この組成物を用いて得ら
れるシリカ系被膜に、クラックやはがれが生じることが
なく、また0.5μｍ以上の厚い被膜を形成することが可
能である。
ラズマ処理や高温処理などによる膜表面の有機基の分解
を防止することができるため、この組成物を用いて得ら
れるシリカ系被膜に、クラックやはがれが生じることが
なく、また0.5μｍ以上の厚い被膜を形成することが可
能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内村 俊一郎 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立 化成工業株式会社山崎工場内 (56)参考文献 特開 平１−194980（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−118715（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−55164（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−221577（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09D 1/00 - 201/10
Claims (2)
- 【請求項１】（Ａ）一般式（Ｉ）Si（OR′）４で表され
るテトラアルコキシシラン化合物、 （Ｂ）一般式（II）RSi（OR″）３で表されるトリアル
コキシシラン化合物および／または （Ｃ）一般式（III）R2Si（OR″）２で表されるジアル
コキシシラン化合物（ただし、上記式中のＲは炭素数１
〜６のアルキル基またはアリール基、Ｒ′は炭素数２〜
６の一価のアルキル基またはアリール基、Ｒ″は炭素数
１〜５の一価のアルキル基またはアリール基を意味し、
一般式（Ｉ）中のＲ′の炭素数は、一般式（II）および
／または一般式（III）中のＲ″の炭素数より多い）の
混合物を、溶剤の存在下で水と触媒により加水分解縮合
させて得られるシラノールオリゴマーを含有してなるシ
リカ系被膜形成用塗布液。 - 【請求項２】請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布液
を基体上に塗布して乾燥した後、窒素雰囲気中で硬化さ
せることを特徴とするシリカ系被膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02226966A JP3134297B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | シリカ系被膜形成用塗布液およびシリカ系被膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02226966A JP3134297B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | シリカ系被膜形成用塗布液およびシリカ系被膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04108881A JPH04108881A (ja) | 1992-04-09 |
| JP3134297B2 true JP3134297B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16853414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02226966A Expired - Lifetime JP3134297B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | シリカ系被膜形成用塗布液およびシリカ系被膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134297B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0985510B1 (en) * | 1998-02-05 | 2003-09-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Article with uneven surface, process for producing the same, and composition therefor |
| US6872456B2 (en) * | 2001-07-26 | 2005-03-29 | Dow Corning Corporation | Siloxane resins |
| JP2008174672A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 有機官能基及び炭素原子数が異なる複数種のアルコキシ基を含有するオルガノポリシロキサン |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP02226966A patent/JP3134297B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04108881A (ja) | 1992-04-09 |
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