JP3127779B2 - プリント基板 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3447—Lead-in-hole components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3468—Applying molten solder
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント基板の半田付
け構造に関するものであり、特にプリント基板の半田ブ
リッジ防止構造に関するものである。
け構造に関するものであり、特にプリント基板の半田ブ
リッジ防止構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品を実装するプリント基板
の半田ブリッジを防ぐ構造として、特開平３−２２２４
９３号公報に開示されるものがあるが、これは図６，図
７に示すように、紙フェノール樹脂積層板や紙エポキシ
樹脂積層板等からなる絶縁基板１上に図示しない配線パ
ターンを印刷形成してなるプリント基板２上にＩＣやコ
ネクタ等の電子部品３が実装され、この電子部品３の各
リード部３ａは、プリント基板２に形成される複数のラ
ンド４ａが連なる直線配列ランド４の各ランド４ａに設
けられた貫通孔１ａに挿入され、各ランド４ａと各リー
ド部３ａとを半田５により固定している。このようなプ
リント基板２を電子部品３を実装し半田付けを行う際
は、フロー半田工程（半田層による半田付けを行う工
程）により半田付けされるが、この場合、プリント基板
２の搬送方向Ａに対し最も下流側となる直列配列ランド
４のランド４ａと、上流側（一つ前のランド４ａ）のラ
ンド４ａとに、搬送方向Ａに対し上流側になるランド４
ａから引き寄せられる半田５（半田流）により、半田ブ
リッジを発生させないようにするため、半田５を引き寄
せやすく、かつ半田５を下流側に流しやすくする下流側
に対し先細りとした略三角形状の半田捨てランド６が直
列配列ランド４の搬送方向に対し最も下流側となるラン
ド４ａの下流側近傍に設けられている。従って、この半
田捨てランド６を形成することにより、上流側のランド
４ａから引き寄せられる半田５は、この下流側のランド
４ａに留まることなく半田捨てランド６に吸い取られ下
流側に流れることになるため、半田ブリッジの発生を防
ぐことになる。
の半田ブリッジを防ぐ構造として、特開平３−２２２４
９３号公報に開示されるものがあるが、これは図６，図
７に示すように、紙フェノール樹脂積層板や紙エポキシ
樹脂積層板等からなる絶縁基板１上に図示しない配線パ
ターンを印刷形成してなるプリント基板２上にＩＣやコ
ネクタ等の電子部品３が実装され、この電子部品３の各
リード部３ａは、プリント基板２に形成される複数のラ
ンド４ａが連なる直線配列ランド４の各ランド４ａに設
けられた貫通孔１ａに挿入され、各ランド４ａと各リー
ド部３ａとを半田５により固定している。このようなプ
リント基板２を電子部品３を実装し半田付けを行う際
は、フロー半田工程（半田層による半田付けを行う工
程）により半田付けされるが、この場合、プリント基板
２の搬送方向Ａに対し最も下流側となる直列配列ランド
４のランド４ａと、上流側（一つ前のランド４ａ）のラ
ンド４ａとに、搬送方向Ａに対し上流側になるランド４
ａから引き寄せられる半田５（半田流）により、半田ブ
リッジを発生させないようにするため、半田５を引き寄
せやすく、かつ半田５を下流側に流しやすくする下流側
に対し先細りとした略三角形状の半田捨てランド６が直
列配列ランド４の搬送方向に対し最も下流側となるラン
ド４ａの下流側近傍に設けられている。従って、この半
田捨てランド６を形成することにより、上流側のランド
４ａから引き寄せられる半田５は、この下流側のランド
４ａに留まることなく半田捨てランド６に吸い取られ下
流側に流れることになるため、半田ブリッジの発生を防
ぐことになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ここ最
近ではプリント基板２の高密度実装が求められており、
そのため、上流側のランド４ａから引き寄せられる半田
５を充分に吸収させるためにランド４ａに対し比較的大
きく形成しなけれがならない半田捨てランド６を従来に
比べ小さく形成しなければならず、半田捨てランド６と
しての機能を充分に発揮できず、半田工程において半田
ブリッジが発生してしまうといった問題点があった。
近ではプリント基板２の高密度実装が求められており、
そのため、上流側のランド４ａから引き寄せられる半田
５を充分に吸収させるためにランド４ａに対し比較的大
きく形成しなけれがならない半田捨てランド６を従来に
比べ小さく形成しなければならず、半田捨てランド６と
しての機能を充分に発揮できず、半田工程において半田
ブリッジが発生してしまうといった問題点があった。
【０００４】そこで本発明は、プリント基板の高密度実
装に伴う半田ブリッジの発生に対処すべく、電子部品の
実装スペースを有効に活用して、半田工程における半田
ブリッジを防ぐことが可能なプリント基板を提供するも
のである。
装に伴う半田ブリッジの発生に対処すべく、電子部品の
実装スペースを有効に活用して、半田工程における半田
ブリッジを防ぐことが可能なプリント基板を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、絶縁基板の少なくとも一方の面に、列状に
配列された複数のリード部を有する電子部品を実装し、
半田層により前記電子部品を半田付けしてなるプリント
基板であって、前記リード部に対応するように設けられ
る直線配列ランドの搬送方向に対し最も下流側に設けら
れるランド部の下流側近傍に配設される第１の半田吸収
ランドと、前記絶縁基板の前記第１の半田吸収ランドの
形成面に対し反対面に設けられ、前記第１の半田吸収ラ
ンドとスルーホールを介して接続される第２の半田吸収
ランドとから構成される半田捨てランドを備えてなるも
のである。
決するため、絶縁基板の少なくとも一方の面に、列状に
配列された複数のリード部を有する電子部品を実装し、
半田層により前記電子部品を半田付けしてなるプリント
基板であって、前記リード部に対応するように設けられ
る直線配列ランドの搬送方向に対し最も下流側に設けら
れるランド部の下流側近傍に配設される第１の半田吸収
ランドと、前記絶縁基板の前記第１の半田吸収ランドの
形成面に対し反対面に設けられ、前記第１の半田吸収ラ
ンドとスルーホールを介して接続される第２の半田吸収
ランドとから構成される半田捨てランドを備えてなるも
のである。
【０００６】また、前記第１の半田吸収ランドは、搬送
方向に対し下流側を先細り形状としてなるものである。
方向に対し下流側を先細り形状としてなるものである。
【０００７】また、前記第１の半田吸収ランドは、搬送
方向に向かって先細りとする略三角形状からなるもので
ある。
方向に向かって先細りとする略三角形状からなるもので
ある。
【０００８】
【作用】半田付け時に発生する直線配列ランドのランド
部（下流側）の半田溜りを、前記ランド部よりも搬送方
向に対し下流側に設けられる第１の半田吸収ランドから
スルーホールを介し第２の半田吸収ランドへ導くため、
従来のように半田捨てランドの表面積を大きくしなくと
も半田工程における半田ブリッジを確実に防止すること
ができ、電子部品の高密度実装可能なプリント基板を得
る。
部（下流側）の半田溜りを、前記ランド部よりも搬送方
向に対し下流側に設けられる第１の半田吸収ランドから
スルーホールを介し第２の半田吸収ランドへ導くため、
従来のように半田捨てランドの表面積を大きくしなくと
も半田工程における半田ブリッジを確実に防止すること
ができ、電子部品の高密度実装可能なプリント基板を得
る。
【０００９】また、前記第１の半田吸収ランドを搬送方
向に対し下流側を先細り形状とすることで半田の流れを
良好にし、かつ流しきれなかった半田を毛細管現象によ
って第２の半田吸収ランドで吸収するため、半田工程に
おける半田ブリッジの発生を防ぐ。
向に対し下流側を先細り形状とすることで半田の流れを
良好にし、かつ流しきれなかった半田を毛細管現象によ
って第２の半田吸収ランドで吸収するため、半田工程に
おける半田ブリッジの発生を防ぐ。
【００１０】また、前記第１の半田吸収ランドを搬送方
向に向かって先細りとした略三角形状とすることで、半
田ブリッジの原因となる余分な半田を引き込み、かつ留
めることで、この半田を毛細管現象によって第２の半田
吸収ランドで吸収するため、半田工程における半田ブリ
ッジの発生を防ぐ。
向に向かって先細りとした略三角形状とすることで、半
田ブリッジの原因となる余分な半田を引き込み、かつ留
めることで、この半田を毛細管現象によって第２の半田
吸収ランドで吸収するため、半田工程における半田ブリ
ッジの発生を防ぐ。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を添付図面に記載の実施例に基
づき説明するが、従来例と同一若しくは相当個所には同
一符号を付して、その詳細な説明は省く。
づき説明するが、従来例と同一若しくは相当個所には同
一符号を付して、その詳細な説明は省く。
【００１２】図１は本発明の第１実施例のプリント基板
の要部断面図、図２は本実施例のプリント基板の平面
図、図３は本発明の第２実施例を示す平面図、図４，図
５は他の実施例を示す平面図である。
の要部断面図、図２は本実施例のプリント基板の平面
図、図３は本発明の第２実施例を示す平面図、図４，図
５は他の実施例を示す平面図である。
【００１３】図１，図２において、プリント基板２は電
子部品３のリード３ａが直線配列ランド４の各ランド４
ａに設けられる貫通孔１ａに挿入され半田５により固定
されている。また、プリント基板２の搬送方向Ａに対し
最も下流側に位置するランド４ａの下流側近傍には、図
７で示す従来の半田捨てランド６に比べ表面積を小さく
し、かつ搬送方向Ａに対し下流側を先細りとした略三角
形状の第１の半田吸収ランド７ａが形成されている。ま
た、電子部品３の実装面側（第１の半田吸収ランド７ａ
の形成面に対し反対面）で第１の半田吸収ランド７ａと
略同位置には、任意形状の第２の半田吸収ランド７ｂが
形成されている。そして、第１，第２の半田吸収ランド
７ａ，７ｂの下流側には、各半田吸収ランド７ａ，７ｂ
を接続するスルーホール７ｃが形成されている。尚、ス
ルーホール７ｃは、直径が0.8 mm〜1.0 mm程度に形成さ
れ、また、内面に金または銀等のメッキが施され各半田
吸収ランド７ａ，７ｂを接続する。以上のように、第１
の半田吸収ランド７ａと第２の半田吸収ランド７ｂとス
ルーホール７ｃとから半田捨てランド７が構成される。
子部品３のリード３ａが直線配列ランド４の各ランド４
ａに設けられる貫通孔１ａに挿入され半田５により固定
されている。また、プリント基板２の搬送方向Ａに対し
最も下流側に位置するランド４ａの下流側近傍には、図
７で示す従来の半田捨てランド６に比べ表面積を小さく
し、かつ搬送方向Ａに対し下流側を先細りとした略三角
形状の第１の半田吸収ランド７ａが形成されている。ま
た、電子部品３の実装面側（第１の半田吸収ランド７ａ
の形成面に対し反対面）で第１の半田吸収ランド７ａと
略同位置には、任意形状の第２の半田吸収ランド７ｂが
形成されている。そして、第１，第２の半田吸収ランド
７ａ，７ｂの下流側には、各半田吸収ランド７ａ，７ｂ
を接続するスルーホール７ｃが形成されている。尚、ス
ルーホール７ｃは、直径が0.8 mm〜1.0 mm程度に形成さ
れ、また、内面に金または銀等のメッキが施され各半田
吸収ランド７ａ，７ｂを接続する。以上のように、第１
の半田吸収ランド７ａと第２の半田吸収ランド７ｂとス
ルーホール７ｃとから半田捨てランド７が構成される。
【００１４】このプリント基板２をフロー半田工程によ
り半田付けを行うと、半田５は直線配列ランド４の搬送
方向Ａに対し上流側のランド４ａから下流側のランド４
ａへと移行し、そして最も下流側のランド４ａから第１
の半田吸収ランド７ａに引き寄せられることになるが、
この第１の半田吸収ランド７ａが搬送方向Ａに対し下流
側が先細りとなる形状（略三角形状）に形成されている
ため、引き寄せられてきた半田５を下流側に第１の半田
吸収ランド７ａを介し良好に流し、流しきれなかった半
田５（下流側に位置するランド４ａ間の半田ブリッジの
原因となる余分な半田５）を毛細管現象を利用し、スル
ーホール７ｃを介して第２の半田吸収ランド７ｂに吸収
させるため、余分の半田５による直線配列ランド４の下
流側に位置するランド４ａ間における半田ブリッジが防
げるものである。
り半田付けを行うと、半田５は直線配列ランド４の搬送
方向Ａに対し上流側のランド４ａから下流側のランド４
ａへと移行し、そして最も下流側のランド４ａから第１
の半田吸収ランド７ａに引き寄せられることになるが、
この第１の半田吸収ランド７ａが搬送方向Ａに対し下流
側が先細りとなる形状（略三角形状）に形成されている
ため、引き寄せられてきた半田５を下流側に第１の半田
吸収ランド７ａを介し良好に流し、流しきれなかった半
田５（下流側に位置するランド４ａ間の半田ブリッジの
原因となる余分な半田５）を毛細管現象を利用し、スル
ーホール７ｃを介して第２の半田吸収ランド７ｂに吸収
させるため、余分の半田５による直線配列ランド４の下
流側に位置するランド４ａ間における半田ブリッジが防
げるものである。
【００１５】次に図３を用いて本発明の第２実施例を説
明するが、第１実施例と同様若しくは相当個所には同一
符号を付してその詳細な説明は省く。
明するが、第１実施例と同様若しくは相当個所には同一
符号を付してその詳細な説明は省く。
【００１６】図３において、第１実施例と異なるところ
は、第１の半田吸収ランド７ａの形状を搬送方向Ａに向
かって先細りとする三角形状にしたところである。即
ち、第１の半田吸収ランド７ａは、引き寄せられる半田
５を下流側に流した際、半田ブリッジの原因となる余分
な半田５（半田が第１の半田吸収ランド７ａから切れる
時に発生する半田）を第１の半田吸収ランド７ａで留
め、この半田５を毛細管現象を利用し、スルーホール７
ｃを介して第２の半田吸収ランド７ｂに吸収させ、余分
の半田５による直線配列ランド４の下流側に位置するラ
ンド４ａ間における半田ブリッジを防ぐものである。ま
た、第１の半田吸収ランド７ａを搬送方向Ａに向かって
先細り形状としたことは、半田５を第１の半田吸収ラン
ド７ａに引き寄せやすく、かつ直線配列ランド４の下流
側のランド４ａに戻りにくくするためのものである（下
流側のランド４ａと第１の半田吸収ランド７ａとの近接
個所が非常に小さく、半田５は第１の半田吸収ランド７
ａの表面張力によってその場に留まろうとする）。
は、第１の半田吸収ランド７ａの形状を搬送方向Ａに向
かって先細りとする三角形状にしたところである。即
ち、第１の半田吸収ランド７ａは、引き寄せられる半田
５を下流側に流した際、半田ブリッジの原因となる余分
な半田５（半田が第１の半田吸収ランド７ａから切れる
時に発生する半田）を第１の半田吸収ランド７ａで留
め、この半田５を毛細管現象を利用し、スルーホール７
ｃを介して第２の半田吸収ランド７ｂに吸収させ、余分
の半田５による直線配列ランド４の下流側に位置するラ
ンド４ａ間における半田ブリッジを防ぐものである。ま
た、第１の半田吸収ランド７ａを搬送方向Ａに向かって
先細り形状としたことは、半田５を第１の半田吸収ラン
ド７ａに引き寄せやすく、かつ直線配列ランド４の下流
側のランド４ａに戻りにくくするためのものである（下
流側のランド４ａと第１の半田吸収ランド７ａとの近接
個所が非常に小さく、半田５は第１の半田吸収ランド７
ａの表面張力によってその場に留まろうとする）。
【００１７】また、他の実施例として、図４，図５に示
すものがあり、前述した実施例と同様な効果が得られる
ものである。
すものがあり、前述した実施例と同様な効果が得られる
ものである。
【００１８】かかる構成により、第１，第２の半田吸収
ランド７ａ，７ｂをスルーホール７ｃを介して接続する
半田捨てランド７を、プリント基板２に形成される電子
部品３を配設するための直線配列ランド４の下流側に設
けることにより、図７で示す半田捨てランド６に比べ、
各半田吸収ランド７ａ，７ｂの一個当たりの表面積を大
きくしなくとも半田ブリッジを確実に防止することがで
き、電子部品３の高密度実装可能なプリント基板を提供
するものである。
ランド７ａ，７ｂをスルーホール７ｃを介して接続する
半田捨てランド７を、プリント基板２に形成される電子
部品３を配設するための直線配列ランド４の下流側に設
けることにより、図７で示す半田捨てランド６に比べ、
各半田吸収ランド７ａ，７ｂの一個当たりの表面積を大
きくしなくとも半田ブリッジを確実に防止することがで
き、電子部品３の高密度実装可能なプリント基板を提供
するものである。
【００１９】尚、本実施例では直線配列ランド４が搬送
方向Ａに連なる方向に設けた場合を例に挙げて説明した
が、搬送方向Ａに対し直交させて直線配列ランド４を配
設する場合は、直線配列ランド４の各ランド４ａの下流
側に半田捨てランド７を設けることが望ましい。
方向Ａに連なる方向に設けた場合を例に挙げて説明した
が、搬送方向Ａに対し直交させて直線配列ランド４を配
設する場合は、直線配列ランド４の各ランド４ａの下流
側に半田捨てランド７を設けることが望ましい。
【００２０】また、請求項１に記載の発明は、本実施例
に記載の第１の半田吸収ランド７ａの形状に限定される
ものではなく、半田５が第２の半田吸収ランド７ｂにス
ルーホール７ｃを介して良好に吸収されるものであれば
良い。
に記載の第１の半田吸収ランド７ａの形状に限定される
ものではなく、半田５が第２の半田吸収ランド７ｂにス
ルーホール７ｃを介して良好に吸収されるものであれば
良い。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、絶縁基板の少なくとも一方の
面に、列状に配列された複数のリード部を有する電子部
品を実装し、半田層により前記電子部品を半田付けして
なるプリント基板であって、前記リード部に対応するよ
うに設けられる直線配列ランドの搬送方向に対し最も下
流側に設けられるランド部の下流側近傍に配設される第
１の半田吸収ランドと、前記絶縁基板の前記第１の半田
吸収ランドの形成面に対し反対面に設けられ、前記第１
の半田吸収ランドとスルーホールを介して接続される第
２の半田吸収ランドとから構成される半田捨てランドを
備えてなるものであり、従来の半田捨てランドに比べ、
ランド部の表面積を大きくしなくとも半田工程における
半田ブリッジを確実に防止することができるため、電子
部品の高密度実装が可能となる。
面に、列状に配列された複数のリード部を有する電子部
品を実装し、半田層により前記電子部品を半田付けして
なるプリント基板であって、前記リード部に対応するよ
うに設けられる直線配列ランドの搬送方向に対し最も下
流側に設けられるランド部の下流側近傍に配設される第
１の半田吸収ランドと、前記絶縁基板の前記第１の半田
吸収ランドの形成面に対し反対面に設けられ、前記第１
の半田吸収ランドとスルーホールを介して接続される第
２の半田吸収ランドとから構成される半田捨てランドを
備えてなるものであり、従来の半田捨てランドに比べ、
ランド部の表面積を大きくしなくとも半田工程における
半田ブリッジを確実に防止することができるため、電子
部品の高密度実装が可能となる。
【００２２】また、前記第１の半田吸収ランドは、搬送
方向に対し下流側を半田の流れを良好とした先細り形状
とするか、搬送方向に向かって先細りとする略三角形状
とすることで、フロー半田工程における半田ブリッジを
更に効果的に防止することができる。
方向に対し下流側を半田の流れを良好とした先細り形状
とするか、搬送方向に向かって先細りとする略三角形状
とすることで、フロー半田工程における半田ブリッジを
更に効果的に防止することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す要部断面図。
【図２】同上第１実施例の平面図。
【図３】本発明の第２実施例を示す平面図。
【図４】本発明の他の実施例を示す平面図。
【図５】同上他の実施例示す平面図。
【図６】従来例を示す要部断面図。
【図７】同上従来例の平面図。
１ 絶縁基板 ２ プリント基板 ３ 電子部品 ４ 直線配列ランド ４ａ ランド ５ 半田 ７ 半田捨てランド ７ａ 第１の半田吸収ランド ７ｂ 第２の半田吸収ランド ７ｃ スルーホール Ａ 搬送方向
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板の少なくとも一方の面に、列状
に配列された複数のリード部を有する電子部品を実装
し、半田層により前記電子部品を半田付けしてなるプリ
ント基板であって、 前記リード部に対応するように設けられる直線配列ラン
ドの搬送方向に対し最も下流側に設けられるランド部の
下流側近傍に配設される第１の半田吸収ランドと、前記
絶縁基板の前記第１の半田吸収ランドの形成面に対し反
対面に設けられ、前記第１の半田吸収ランドとスルーホ
ールを介して接続される第２の半田吸収ランドとから構
成される半田捨てランドを備えてなる ことを特徴とする
プリント基板。 - 【請求項２】 前記第１の半田吸収ランドは、搬送方向
に対し下流側を先細り形状としてなることを特徴とする
請求項１に記載のプリント基板。 - 【請求項３】 前記第１の半田吸収ランドは、搬送方向
に向かって先細りとする略三角形状からなることを特徴
とする請求項１に記載のプリント基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07129455A JP3127779B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | プリント基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07129455A JP3127779B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | プリント基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307044A JPH08307044A (ja) | 1996-11-22 |
| JP3127779B2 true JP3127779B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=15009917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07129455A Expired - Fee Related JP3127779B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | プリント基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127779B2 (ja) |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP07129455A patent/JP3127779B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08307044A (ja) | 1996-11-22 |
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