JP3126043B2 - 可変容量型センサの製造方法 - Google Patents
可変容量型センサの製造方法Info
- Publication number
- JP3126043B2 JP3126043B2 JP21245891A JP21245891A JP3126043B2 JP 3126043 B2 JP3126043 B2 JP 3126043B2 JP 21245891 A JP21245891 A JP 21245891A JP 21245891 A JP21245891 A JP 21245891A JP 3126043 B2 JP3126043 B2 JP 3126043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flat plate
- conductor
- substrate
- manufacturing
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H05K999/00—
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は平行平板構造の可変容量
型センサの製造方法に関する。
型センサの製造方法に関する。
【0002】
【従来技術】例えばマイクロフォン(音圧)、加速度、
圧力等を検出する可変容量型センサとして、狭い間隔の
平行平板構造をもつ可変容量センサがある。
圧力等を検出する可変容量型センサとして、狭い間隔の
平行平板構造をもつ可変容量センサがある。
【0003】これは、図2、図3に示すように、導電材
料で形成した基板1の上に、数μm〜数十μmの非常に
狭い間隔をもって薄膜状の導電材料で形成した平板2
を、四隅の絶縁台座3を介して固定し、両者間の電位差
を検出するようにしたものである。
料で形成した基板1の上に、数μm〜数十μmの非常に
狭い間隔をもって薄膜状の導電材料で形成した平板2
を、四隅の絶縁台座3を介して固定し、両者間の電位差
を検出するようにしたものである。
【0004】この場合、基板1と平板2との平行度が、
センサ出力の直線性に大きな影響を及ぼすため、精度よ
く平行につくる必要があった。
センサ出力の直線性に大きな影響を及ぼすため、精度よ
く平行につくる必要があった。
【0005】従来の製造方法について図4から図6に示
す。図4は、基板1に対して平板2をビス4により固定
する方法である。図5は絶縁台座3を接着剤により固定
する方法である。また、図6は絶縁台座3を加熱接合し
て固定する方法である。
す。図4は、基板1に対して平板2をビス4により固定
する方法である。図5は絶縁台座3を接着剤により固定
する方法である。また、図6は絶縁台座3を加熱接合し
て固定する方法である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ビ
ス4により固定する第1の方法では、平行度が悪く、組
立、調整に手間と時間がかかる。第2の方法は、接着剤
の厚み等により、平行度が出しにくく、さらに第3の方
法は、加熱接合時の熱による残留応力が発生し、これを
除去するのに多くの時間を必要とした。
ス4により固定する第1の方法では、平行度が悪く、組
立、調整に手間と時間がかかる。第2の方法は、接着剤
の厚み等により、平行度が出しにくく、さらに第3の方
法は、加熱接合時の熱による残留応力が発生し、これを
除去するのに多くの時間を必要とした。
【0007】このように、いずれの方法によっても、能
率よく高精度な平行平板を構成することができなかっ
た。
率よく高精度な平行平板を構成することができなかっ
た。
【0008】本発明はこのような問題を解決するために
提案されたもので、簡単で精度のよい平行平板構造の容
量センサを製造する方法を提供することを目的とする。
提案されたもので、簡単で精度のよい平行平板構造の容
量センサを製造する方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板を構成す
る導体の表面に所定の均一な厚さの犠牲層を形成し、こ
の犠牲層の一部の絶縁台座に相当する領域をエッチング
により除去し、その上から絶縁膜を形成し、絶縁膜の犠
牲層の上面部分を除去した後、犠牲層の表面に平板を構
成する所定の厚さの導体を形成し、その後に前記犠牲層
の残り部分をエッチングにより除去して、平板と基板と
を絶縁台座で連結した平行平板構造を形成するものであ
る。
る導体の表面に所定の均一な厚さの犠牲層を形成し、こ
の犠牲層の一部の絶縁台座に相当する領域をエッチング
により除去し、その上から絶縁膜を形成し、絶縁膜の犠
牲層の上面部分を除去した後、犠牲層の表面に平板を構
成する所定の厚さの導体を形成し、その後に前記犠牲層
の残り部分をエッチングにより除去して、平板と基板と
を絶縁台座で連結した平行平板構造を形成するものであ
る。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1(A)〜(G)
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【0011】図1(A)のように、まず基板1を構成す
るため導体(Al)5の表面に、所定の均一な厚さの犠
牲層(SiO2)6を形成する。この厚さは平行平板の
間隔に一致させるもので、数μm〜数十μmの厚さとす
る。
るため導体(Al)5の表面に、所定の均一な厚さの犠
牲層(SiO2)6を形成する。この厚さは平行平板の
間隔に一致させるもので、数μm〜数十μmの厚さとす
る。
【0012】図1(B)(C)(D)のように、絶縁台
座3を構成するため、この犠牲層6の一部を台座の大き
さと配置間隔に対応して、エッチング(フォトリン)に
より除去し、その上から絶縁膜(Si3N4)7を形成す
る。そして、犠牲層6の表面上に位置する絶縁膜7をエ
ッチングにより除去し、犠牲層6の内部には絶縁台座3
に対応する部分だけ絶縁膜7を残す。
座3を構成するため、この犠牲層6の一部を台座の大き
さと配置間隔に対応して、エッチング(フォトリン)に
より除去し、その上から絶縁膜(Si3N4)7を形成す
る。そして、犠牲層6の表面上に位置する絶縁膜7をエ
ッチングにより除去し、犠牲層6の内部には絶縁台座3
に対応する部分だけ絶縁膜7を残す。
【0013】図1(E)のように、この表面に所定の均
一な厚さの導体(Poly−Sy)8を形成する。この
導体8が前記平板2に対応する。
一な厚さの導体(Poly−Sy)8を形成する。この
導体8が前記平板2に対応する。
【0014】そして、図1(F)において、この導体8
の一部をエッチングにより除去し、平板2の形状に相当
する部分だけ残す。そして、最後に図1(G)として示
すように、犠牲層6のすべてをエッチングにより除去
し、導体5の上面に導体8の平板部分と、絶縁膜7の台
座部分のみを残す。
の一部をエッチングにより除去し、平板2の形状に相当
する部分だけ残す。そして、最後に図1(G)として示
すように、犠牲層6のすべてをエッチングにより除去
し、導体5の上面に導体8の平板部分と、絶縁膜7の台
座部分のみを残す。
【0015】このようにして、異なる材質で蒸着等によ
り薄膜の積層状態をつくり、その後に中間に位置する犠
牲層6を取り除くことにより、組立や調整、接着や接合
をすることなく平行度の高い平行平板構造の容量センサ
を製造することができる。
り薄膜の積層状態をつくり、その後に中間に位置する犠
牲層6を取り除くことにより、組立や調整、接着や接合
をすることなく平行度の高い平行平板構造の容量センサ
を製造することができる。
【0016】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、組立や調
整を一切必要とすることなしに、非常に狭い間隔におい
て平行度の高い平行平板構造のセンサを簡単に製造で
き、またこの結果、容量型センサの出力特性の直線性も
大幅に改善できる。
整を一切必要とすることなしに、非常に狭い間隔におい
て平行度の高い平行平板構造のセンサを簡単に製造で
き、またこの結果、容量型センサの出力特性の直線性も
大幅に改善できる。
【図1】本発明の実施例を示すもので、(A)〜(G)
は製造過程を順に説明する断面図である。
は製造過程を順に説明する断面図である。
【図2】通常の可変容量型センサの平面図である。
【図3】同じくその側面図である。
【図4】従来のセンサ製造方法を示す説明図である。
【図5】同じく他のセンサ製造方法を示す説明図であ
る。
る。
【図6】同じくさらに他のセンサ製造方法を示す説明図
である。
である。
1 基板 2 平板 3 絶縁台座 5 導体 6 犠牲層 7 絶縁膜 8 導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−208735(JP,A) 特開 昭63−283171(JP,A) 特開 平3−42542(JP,A) 特開 平2−306114(JP,A) 特開 昭59−148842(JP,A) 特開 昭58−45534(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01D 5/24 G01H 11/06 G01L 9/12 G01B 7/00
Claims (1)
- 【請求項1】 基板を構成する導体の表面に所定の均一
な厚さの犠牲層を形成し、この犠牲層の一部の絶縁台座
に相当する領域をエッチングにより除去し、その上から
絶縁膜を形成し、絶縁膜の犠牲層の上面部分を除去した
後、犠牲層の表面に平板を構成する所定の厚さの導体を
形成し、その後に前記犠牲層の残り部分をエッチングに
より除去して、平板と基板とを絶縁台座で連結した平行
平板構造を形成することを特徴とする可変容量型センサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21245891A JP3126043B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 可変容量型センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21245891A JP3126043B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 可変容量型センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0552603A JPH0552603A (ja) | 1993-03-02 |
JP3126043B2 true JP3126043B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=16622966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21245891A Expired - Fee Related JP3126043B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 可変容量型センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3126043B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6641965B2 (en) | 2001-12-14 | 2003-11-04 | Fuji Xerox, Co., Ltd. | Color toner for electrophotography, and a combined set of color toners for electrophotography using the same, color developing agent for electrophotography using the same, method for forming color images using the same, and device for forming color images using the same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6205224B1 (en) * | 1996-05-17 | 2001-03-20 | The Boeing Company | Circularly symmetric, zero redundancy, planar array having broad frequency range applications |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP21245891A patent/JP3126043B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6641965B2 (en) | 2001-12-14 | 2003-11-04 | Fuji Xerox, Co., Ltd. | Color toner for electrophotography, and a combined set of color toners for electrophotography using the same, color developing agent for electrophotography using the same, method for forming color images using the same, and device for forming color images using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0552603A (ja) | 1993-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5277068A (en) | Capacitive pressure sensor and method of manufacturing the same | |
AU727839B2 (en) | Wafer fabricated electroacoustic transducer | |
US4467394A (en) | Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer | |
US6948374B2 (en) | Capacitive pressure sensor and its manufacturing method | |
JPH08320268A (ja) | 静電容量型センサ | |
JP3945613B2 (ja) | 圧力センサの製造方法および圧力センサ | |
JP3126043B2 (ja) | 可変容量型センサの製造方法 | |
JPH0637334A (ja) | 圧力センサの構造 | |
JPH0748564B2 (ja) | シリコンマイクロセンサ | |
JP4976349B2 (ja) | 静電容量型加速度センサ及び静電容量型加速度計 | |
JP4549085B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 | |
JPH05509397A (ja) | ミクロ機械加工構成素子及びその製造方法 | |
EP0500945A1 (en) | Pressure sensor | |
JPH07198516A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法並びに圧力検出方法 | |
JPH0682474A (ja) | 半導体容量式加速度センサ | |
JP3293533B2 (ja) | 歪み検出素子 | |
JP3287287B2 (ja) | 歪み検出素子及びその製造方法 | |
JPH1144705A (ja) | 半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
JPH0580609B2 (ja) | ||
JP2008022332A (ja) | 振動膜ユニット、これを備えるシリコンマイクロホン、および振動膜ユニットの製造方法 | |
JP2007093526A (ja) | 圧力センサ | |
JPH10284737A (ja) | 静電容量型半導体センサの製造方法 | |
JPH08293615A (ja) | 振動型圧力センサ | |
JPH11101818A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
JPH07318445A (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |