JP3124598B2 - アドレス生成回路 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアドレス生成回路に係
り、詳しくは複数のレジスタまたはバッファに対してそ
れぞれプライオリティ(優先順位)を有したフラグを記
憶する各記憶素子を設け、有効となったフラグの中から
一番高い優先順位のフラグに対応するレジスタまたはバ
ッファを選択し、その選択したレジスタまたはバッファ
に記憶されたデータを読み出す際、その選択するレジス
タまたはバッファのアドレスを前記フラグから生成する
アドレス生成回路に関するものである。
り、詳しくは複数のレジスタまたはバッファに対してそ
れぞれプライオリティ(優先順位)を有したフラグを記
憶する各記憶素子を設け、有効となったフラグの中から
一番高い優先順位のフラグに対応するレジスタまたはバ
ッファを選択し、その選択したレジスタまたはバッファ
に記憶されたデータを読み出す際、その選択するレジス
タまたはバッファのアドレスを前記フラグから生成する
アドレス生成回路に関するものである。
【0002】近年、半導体集積回路装置の高機能化に伴
い、必要とする各種フラグの数が増大している。このフ
ラグの増大に基づいて、各フラグに対するレジスタまた
はバッファのアドレスを生成しその生成したアドレスに
基づいて対応するレジスタまたはバッファのデータを読
み出す処理時間も増大し、高速化を図る上で重要な課題
となっている。
い、必要とする各種フラグの数が増大している。このフ
ラグの増大に基づいて、各フラグに対するレジスタまた
はバッファのアドレスを生成しその生成したアドレスに
基づいて対応するレジスタまたはバッファのデータを読
み出す処理時間も増大し、高速化を図る上で重要な課題
となっている。
【0003】
【従来の技術】従来、各種データが記憶されるレジスタ
またはバッファの数に対応して、すなわち各レジスタま
たはバッファ毎に有効・無効を示すフラグを記憶するフ
リップフロップ等の記憶素子が設けられ、それら各記憶
素子に優先順位が予め定義されている。そして、MPU
またはシーケンサ(ステートマシン等も含む)によっ
て、これら有効を示すフラグをサーチするとともに、そ
の有効を示すフラグの中で一番高い優先順位のフラグを
サーチする。そして、サーチした優先順位の一番高いフ
ラグに対応するレジスタまたはバッファの先頭アドレス
を確定し、そのアドレスによって選択されたレジスタま
たはバッファのデータを読み出す。
またはバッファの数に対応して、すなわち各レジスタま
たはバッファ毎に有効・無効を示すフラグを記憶するフ
リップフロップ等の記憶素子が設けられ、それら各記憶
素子に優先順位が予め定義されている。そして、MPU
またはシーケンサ(ステートマシン等も含む)によっ
て、これら有効を示すフラグをサーチするとともに、そ
の有効を示すフラグの中で一番高い優先順位のフラグを
サーチする。そして、サーチした優先順位の一番高いフ
ラグに対応するレジスタまたはバッファの先頭アドレス
を確定し、そのアドレスによって選択されたレジスタま
たはバッファのデータを読み出す。
【0004】すなわち、図9に示すように、メモリ(図
示略)に割当てられた64個のレジスタまたはバッファ
(図示略)に対応する64個のフラグをそれぞれ記憶す
る64個の記憶素子A0 〜A63を論理的に2次元、X方
向(行方向)に8個、Y方向(列方向)に8個となる関
係に設定している。64個の記憶素子A0 〜A63はそれ
ぞれ優先順位を有し、記憶素子A0 が最も優先順位が高
く、以下、記憶素子A1 ,記憶素子A2 ・・・記憶素子
A62,記憶素子A63の順で優先順位が低くなっている。
そして、各行の8個の記憶素子群においては上の行ほど
優先順位が高く、しかも列方向においては左の列ほど優
先順位が高くなるように記憶素子が配置される。その記
憶素子A0 〜A63に対応するレジスタまたはバッファに
データが書き込まれた場合には、その記憶素子A0 〜A
63には有効データ「1」が書き込まれることによりフラ
グが有効になる。また、その記憶素子A0 〜A63に対応
するレジスタまたはバッファにデータが書き込まれてい
ない場合には、その記憶素子A0 〜A63には無効データ
「0」が書き込まれることによりフラグが無効になる。
示略)に割当てられた64個のレジスタまたはバッファ
(図示略)に対応する64個のフラグをそれぞれ記憶す
る64個の記憶素子A0 〜A63を論理的に2次元、X方
向(行方向)に8個、Y方向(列方向)に8個となる関
係に設定している。64個の記憶素子A0 〜A63はそれ
ぞれ優先順位を有し、記憶素子A0 が最も優先順位が高
く、以下、記憶素子A1 ,記憶素子A2 ・・・記憶素子
A62,記憶素子A63の順で優先順位が低くなっている。
そして、各行の8個の記憶素子群においては上の行ほど
優先順位が高く、しかも列方向においては左の列ほど優
先順位が高くなるように記憶素子が配置される。その記
憶素子A0 〜A63に対応するレジスタまたはバッファに
データが書き込まれた場合には、その記憶素子A0 〜A
63には有効データ「1」が書き込まれることによりフラ
グが有効になる。また、その記憶素子A0 〜A63に対応
するレジスタまたはバッファにデータが書き込まれてい
ない場合には、その記憶素子A0 〜A63には無効データ
「0」が書き込まれることによりフラグが無効になる。
【0005】そして、各行方向毎にその行における8個
の記憶素子群に対してOR回路51を設け、それぞれそ
の行においてフラグが有効になっている記憶素子をサー
チし、レジスタ52に出力する。従って、8個の記憶素
子群の中で少なくとも1個の記憶素子に有効データ
「1」が書き込まれている場合、当該OR回路51は論
理値「1」を対応するレジスタ52の各ビットY0 〜Y
7 に出力する。すなわち、記憶素子A0 〜A7 の有効デ
ータ「1」は、OR回路51を介して最上位のビットY
7 に記憶される。以下、記憶素子A8 〜A15はビットY
6 に、記憶素子A16〜A23はビットY5 に、記憶素子A
24〜A31はビットY4 に、記憶素子A32〜A39はビット
Y3 に、記憶素子A40〜A47はビットY2 に、記憶素子
A48〜A55はビットY1 に、記憶素子A56〜A63は最下
位のビットY0 に、それぞれの記憶素子A0 〜A63の有
効データ「1」はOR回路51を介して記憶される。
の記憶素子群に対してOR回路51を設け、それぞれそ
の行においてフラグが有効になっている記憶素子をサー
チし、レジスタ52に出力する。従って、8個の記憶素
子群の中で少なくとも1個の記憶素子に有効データ
「1」が書き込まれている場合、当該OR回路51は論
理値「1」を対応するレジスタ52の各ビットY0 〜Y
7 に出力する。すなわち、記憶素子A0 〜A7 の有効デ
ータ「1」は、OR回路51を介して最上位のビットY
7 に記憶される。以下、記憶素子A8 〜A15はビットY
6 に、記憶素子A16〜A23はビットY5 に、記憶素子A
24〜A31はビットY4 に、記憶素子A32〜A39はビット
Y3 に、記憶素子A40〜A47はビットY2 に、記憶素子
A48〜A55はビットY1 に、記憶素子A56〜A63は最下
位のビットY0 に、それぞれの記憶素子A0 〜A63の有
効データ「1」はOR回路51を介して記憶される。
【0006】次に、MPUまたはシーケンサ(図示略)
は、レジスタ52に記憶されたデータから最も優先順位
の高いレジスタまたはバッファの上位アドレスを決定す
る。すなわち、レジスタ52の各ビットY0 〜Y7 の
内、少なくとも1つ以上のビットY0 〜Y7 に論理値
「1」が記憶されている場合、当該ビットY0 〜Y7 の
中で最も上位のビットY0 〜Y7 を有効とし、そのビッ
トY0 〜Y7 に対応する行の8個の記憶素子群内に優先
順位が一番高い記憶素子が存在するとしてレジスタまた
はバッファの上位アドレスを決定する。
は、レジスタ52に記憶されたデータから最も優先順位
の高いレジスタまたはバッファの上位アドレスを決定す
る。すなわち、レジスタ52の各ビットY0 〜Y7 の
内、少なくとも1つ以上のビットY0 〜Y7 に論理値
「1」が記憶されている場合、当該ビットY0 〜Y7 の
中で最も上位のビットY0 〜Y7 を有効とし、そのビッ
トY0 〜Y7 に対応する行の8個の記憶素子群内に優先
順位が一番高い記憶素子が存在するとしてレジスタまた
はバッファの上位アドレスを決定する。
【0007】続いて、MPUは優先順位が一番高い記憶
素子が存在する行の8個の記憶素子群の中から有効な記
憶素子を1個づつサーチし、その中で最も左側の列にあ
る記憶素子、すなわち優先順位が一番高い記憶素子を判
定する。その判定結果に基づいて一番高い記憶素子のレ
ジスタまたはバッファのアドレスの下位アドレスを決定
する。
素子が存在する行の8個の記憶素子群の中から有効な記
憶素子を1個づつサーチし、その中で最も左側の列にあ
る記憶素子、すなわち優先順位が一番高い記憶素子を判
定する。その判定結果に基づいて一番高い記憶素子のレ
ジスタまたはバッファのアドレスの下位アドレスを決定
する。
【0008】そして、決定した上位アドレスと下位アド
レスに基づいて、優先順位が一番高い記憶素子に対応す
るレジスタまたはバッファの先頭アドレスが生成され
る。そして、この先頭アドレスの生成に基づいて直ちに
該レジスタまたはバッファが選択され、データが読み出
される。
レスに基づいて、優先順位が一番高い記憶素子に対応す
るレジスタまたはバッファの先頭アドレスが生成され
る。そして、この先頭アドレスの生成に基づいて直ちに
該レジスタまたはバッファが選択され、データが読み出
される。
【0009】また、アドレス生成方法としては、2分枝
法で有効となっている優先順位の一番高い記憶素子をサ
ーチすることによりアドレスを生成する方法もある。
法で有効となっている優先順位の一番高い記憶素子をサ
ーチすることによりアドレスを生成する方法もある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ア
ドレス生成処理では共に数サイクルを要することにな
る。その結果、次の処理動作に移るまでに時間がかかり
過ぎるため、高速化を図る上で大きな問題となってい
た。
ドレス生成処理では共に数サイクルを要することにな
る。その結果、次の処理動作に移るまでに時間がかかり
過ぎるため、高速化を図る上で大きな問題となってい
た。
【0011】本発明は上記問題点を解消するためになさ
れたものであって、その目的は、それぞれ優先順位を有
した有効または無効を示す記憶素子群の中から、有効か
つ優先順位の一番高い記憶素子を判定し、その記憶素子
に対応する予め設定されているアドレスを生成すること
が、簡単な回路構成によって短時間にできるアドレス生
成回路を提供することにある。
れたものであって、その目的は、それぞれ優先順位を有
した有効または無効を示す記憶素子群の中から、有効か
つ優先順位の一番高い記憶素子を判定し、その記憶素子
に対応する予め設定されているアドレスを生成すること
が、簡単な回路構成によって短時間にできるアドレス生
成回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。記憶素子群Aは、論理的に2次元に配置さ
れ、それぞれ優先順位を有した有効または無効を示す。
図である。記憶素子群Aは、論理的に2次元に配置さ
れ、それぞれ優先順位を有した有効または無効を示す。
【0013】行方向検出回路1は、その論理的2次元に
配置された記憶素子群Aの各行毎にその行方向に配置さ
れた各記憶素子A0 〜A55のうち少なくとも1つ有効を
示す記憶素子A0 〜A55の有無を検出する。
配置された記憶素子群Aの各行毎にその行方向に配置さ
れた各記憶素子A0 〜A55のうち少なくとも1つ有効を
示す記憶素子A0 〜A55の有無を検出する。
【0014】行方向判定回路2は、前記行方向検出回路
1に基づいて各行において有効となった記憶素子A0 〜
A55の中で一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55が存
在する行のみを有効と判定し、他の行は無効と判定す
る。
1に基づいて各行において有効となった記憶素子A0 〜
A55の中で一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55が存
在する行のみを有効と判定し、他の行は無効と判定す
る。
【0015】上位エンコーダ回路3は、前記行方向判定
回路2の判定結果に基づいてその優先順位の一番高い記
憶素子A0 〜A55に対応する予め設定されているアドレ
スの上位アドレスを生成する。
回路2の判定結果に基づいてその優先順位の一番高い記
憶素子A0 〜A55に対応する予め設定されているアドレ
スの上位アドレスを生成する。
【0016】列方向検出回路4は、前記行方向判定回路
2にて判定した一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55
が存在する行において、その行方向に配置された各記憶
素子A0 〜A55のうち有効を示す記憶素子A0 〜A55を
検出する。
2にて判定した一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55
が存在する行において、その行方向に配置された各記憶
素子A0 〜A55のうち有効を示す記憶素子A0 〜A55を
検出する。
【0017】列方向判定回路5は、前記列方向検出回路
4に基づいて有効となった記憶素子A0 〜A55の中で一
番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55が存在する列のみ
を有効と判定し、他の列は無効と判定する。
4に基づいて有効となった記憶素子A0 〜A55の中で一
番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55が存在する列のみ
を有効と判定し、他の列は無効と判定する。
【0018】下位エンコーダ回路6は、前記列方向判定
回路5の判定結果に基づいてその優先順位の一番高い記
憶素子A0 〜A55に対応して予め設定されているアドレ
スの下位アドレスを生成する。
回路5の判定結果に基づいてその優先順位の一番高い記
憶素子A0 〜A55に対応して予め設定されているアドレ
スの下位アドレスを生成する。
【0019】
【作用】従って、本発明によれば、行方向判定回路2に
て有効とされた行に含まれる記憶素子A0 〜A55の中か
ら、有効を示す記憶素子A0 〜A55を列方向検出回路4
にて検出し、その検出した記憶素子A0 〜A55の中から
一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55が存在する列の
みを列方向判定回路5にて有効と判定する。すなわち、
有効かつ優先順位の一番高い記憶素子A0 〜A55に対応
するアドレスの上位アドレスを生成した後に、下位アド
レスを生成するのではないため、アドレス生成処理に要
する時間を短くすることができる。
て有効とされた行に含まれる記憶素子A0 〜A55の中か
ら、有効を示す記憶素子A0 〜A55を列方向検出回路4
にて検出し、その検出した記憶素子A0 〜A55の中から
一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55が存在する列の
みを列方向判定回路5にて有効と判定する。すなわち、
有効かつ優先順位の一番高い記憶素子A0 〜A55に対応
するアドレスの上位アドレスを生成した後に、下位アド
レスを生成するのではないため、アドレス生成処理に要
する時間を短くすることができる。
【0020】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図2〜
図8に従って説明する。図2は、本実施例のアドレス生
成回路のブロック回路図である。
図8に従って説明する。図2は、本実施例のアドレス生
成回路のブロック回路図である。
【0021】メモリ(図示略)に割り当てられた56個
のレジスタまたはバッファ(図示略)に対応する56個
のフラグをそれぞれ記憶する56個の記憶素子A0 〜A
55を論理的に2次元、X方向(行方向)に8個、Y方向
(列方向)に7個となる関係に設定している。すなわ
ち、行1は記憶素子A0 〜A7 、行2は記憶素子A8 〜
A15、行3はA16〜A23、行4は記憶素子A24〜A31、
行5は記憶素子A32〜A39、行6は記憶素子A40〜A4
7、行7は記憶素子A48〜A55、からそれぞれ構成され
ている。
のレジスタまたはバッファ(図示略)に対応する56個
のフラグをそれぞれ記憶する56個の記憶素子A0 〜A
55を論理的に2次元、X方向(行方向)に8個、Y方向
(列方向)に7個となる関係に設定している。すなわ
ち、行1は記憶素子A0 〜A7 、行2は記憶素子A8 〜
A15、行3はA16〜A23、行4は記憶素子A24〜A31、
行5は記憶素子A32〜A39、行6は記憶素子A40〜A4
7、行7は記憶素子A48〜A55、からそれぞれ構成され
ている。
【0022】56個の記憶素子A0 〜A55はそれぞれ優
先順位を有し、記憶素子A0 が最も優先順位が高く、以
下、記憶素子A1 ,記憶素子A2 ・・・記憶素子A54,
記憶素子A55の順で優先順位が低くなっている。そし
て、各記憶素子A0 〜A55は、行方向においては行7,
行6・・・行2,行1の順に、即ち図2において上の行
ほど優先順位が高く、列方向においては右の列ほど優先
順位が高くなるように配置される。その記憶素子A0 〜
A55に対応するレジスタまたはバッファに予め定められ
たデータが書き込まれた場合には、後記するように外部
装置34によって、記憶素子A0 〜A55に有効データ
「1」が書き込まれることによりフラグが有効になる。
また、記憶素子A0 〜A55に対応するレジスタまたはバ
ッファに予め定められたデータ以外のデータが書き込ま
れた場合には、後記するように外部装置34によって、
記憶素子A0 〜A55に無効データ「0」が書き込まれる
ことによりフラグが無効になる。
先順位を有し、記憶素子A0 が最も優先順位が高く、以
下、記憶素子A1 ,記憶素子A2 ・・・記憶素子A54,
記憶素子A55の順で優先順位が低くなっている。そし
て、各記憶素子A0 〜A55は、行方向においては行7,
行6・・・行2,行1の順に、即ち図2において上の行
ほど優先順位が高く、列方向においては右の列ほど優先
順位が高くなるように配置される。その記憶素子A0 〜
A55に対応するレジスタまたはバッファに予め定められ
たデータが書き込まれた場合には、後記するように外部
装置34によって、記憶素子A0 〜A55に有効データ
「1」が書き込まれることによりフラグが有効になる。
また、記憶素子A0 〜A55に対応するレジスタまたはバ
ッファに予め定められたデータ以外のデータが書き込ま
れた場合には、後記するように外部装置34によって、
記憶素子A0 〜A55に無効データ「0」が書き込まれる
ことによりフラグが無効になる。
【0023】それぞれ8入力のOR回路であるOR回路
11a〜11gは、各行1〜7の8個の記憶素子群から
出力されるデータを入力する。すなわち、OR回路11
aは行1の各記憶素子A0 〜A7 、OR回路11bは行
2の各記憶素子A8 〜A15、OR回路11cは行3の各
記憶素子A16〜A23、OR回路11dは行4の各記憶素
子A24〜A31、OR回路11eは行5の各記憶素子A32
〜A39、OR回路11fは行6の各記憶素子A40〜A4
7、OR回路11gは行7の各記憶素子A48〜A55、に
それぞれ書き込まれているデータを入力する。
11a〜11gは、各行1〜7の8個の記憶素子群から
出力されるデータを入力する。すなわち、OR回路11
aは行1の各記憶素子A0 〜A7 、OR回路11bは行
2の各記憶素子A8 〜A15、OR回路11cは行3の各
記憶素子A16〜A23、OR回路11dは行4の各記憶素
子A24〜A31、OR回路11eは行5の各記憶素子A32
〜A39、OR回路11fは行6の各記憶素子A40〜A4
7、OR回路11gは行7の各記憶素子A48〜A55、に
それぞれ書き込まれているデータを入力する。
【0024】AND回路12は2入力、AND回路13
は3入力、AND回路14は4入力、AND回路15は
5入力、AND回路16は6入力、AND回路17は7
入力、のAND回路である。
は3入力、AND回路14は4入力、AND回路15は
5入力、AND回路16は6入力、AND回路17は7
入力、のAND回路である。
【0025】そして、AND回路12は、OR回路11
aの出力をインバータ18を介して入力すると共に、O
R回路11bの出力を入力する。AND回路13はOR
回路11a,11bの出力をそれぞれインバータ18を
介して入力すると共に、OR回路11cの出力を入力す
る。AND回路14はOR回路11a〜11cの出力を
それぞれインバータ18を介して入力すると共に、OR
回路11dの出力を入力する。AND回路15はOR回
路11a〜11dの出力をそれぞれインバータ18を介
して入力すると共に、OR回路11eの出力を入力す
る。AND回路16はOR回路11a〜11eの出力を
それぞれインバータ18を介して入力すると共に、OR
回路11fの出力を入力する。AND回路17はOR回
路11a〜11fの出力をそれぞれインバータ18を介
して入力すると共に、OR回路11gの出力を入力す
る。
aの出力をインバータ18を介して入力すると共に、O
R回路11bの出力を入力する。AND回路13はOR
回路11a,11bの出力をそれぞれインバータ18を
介して入力すると共に、OR回路11cの出力を入力す
る。AND回路14はOR回路11a〜11cの出力を
それぞれインバータ18を介して入力すると共に、OR
回路11dの出力を入力する。AND回路15はOR回
路11a〜11dの出力をそれぞれインバータ18を介
して入力すると共に、OR回路11eの出力を入力す
る。AND回路16はOR回路11a〜11eの出力を
それぞれインバータ18を介して入力すると共に、OR
回路11fの出力を入力する。AND回路17はOR回
路11a〜11fの出力をそれぞれインバータ18を介
して入力すると共に、OR回路11gの出力を入力す
る。
【0026】上位エンコーダ19は、OR回路11aお
よびAND回路12〜17の出力Y0 〜Y6 に基づい
て、後記するように、優先順位の一番高い記憶素子A0
〜A55の上位アドレス(=優先順位の一番高い記憶素子
A0 〜A55を含む行1〜行7に対応するアドレス)であ
る3ビットのアドレスYa〜Ycを生成する。
よびAND回路12〜17の出力Y0 〜Y6 に基づい
て、後記するように、優先順位の一番高い記憶素子A0
〜A55の上位アドレス(=優先順位の一番高い記憶素子
A0 〜A55を含む行1〜行7に対応するアドレス)であ
る3ビットのアドレスYa〜Ycを生成する。
【0027】そして、上記のOR回路11a〜11g、
AND回路12〜17、インバータ18、上位エンコー
ダ19によってY方向プライオリティエンコーダ31が
構成されている。
AND回路12〜17、インバータ18、上位エンコー
ダ19によってY方向プライオリティエンコーダ31が
構成されている。
【0028】それぞれ7入力のOR回路であるOR回路
20a〜20hは、各列の7個の記憶素子群から出力さ
れるデータを入力する。すなわち、OR回路20aは記
憶素子A0 ,A8 ,A16,A24,A32,A40,A48、O
R回路20bは記憶素子A1,A9 ,A17,A25,A3
3,A41,A49、OR回路20cは記憶素子A2 ,A1
0,A18,A26,A34,A42,A50、OR回路20dは
記憶素子A3 ,A11,A19,A27,A35,A43,A51、
OR回路20eは記憶素子A4 ,A12,A20,A28,A
36,A44,A52、OR回路20fは記憶素子A5 ,A1
3,A21,A29,A37,A45,A53、OR回路20gは
記憶素子A6 ,A14,A22,A30,A38,A46,A54、
OR回路20hは記憶素子A7 ,A15,A23,A31,A
39,A47,A55、からそれぞれ出力されるデータを入力
する。
20a〜20hは、各列の7個の記憶素子群から出力さ
れるデータを入力する。すなわち、OR回路20aは記
憶素子A0 ,A8 ,A16,A24,A32,A40,A48、O
R回路20bは記憶素子A1,A9 ,A17,A25,A3
3,A41,A49、OR回路20cは記憶素子A2 ,A1
0,A18,A26,A34,A42,A50、OR回路20dは
記憶素子A3 ,A11,A19,A27,A35,A43,A51、
OR回路20eは記憶素子A4 ,A12,A20,A28,A
36,A44,A52、OR回路20fは記憶素子A5 ,A1
3,A21,A29,A37,A45,A53、OR回路20gは
記憶素子A6 ,A14,A22,A30,A38,A46,A54、
OR回路20hは記憶素子A7 ,A15,A23,A31,A
39,A47,A55、からそれぞれ出力されるデータを入力
する。
【0029】AND回路21は2入力、AND回路22
は3入力、AND回路23は4入力、AND回路24は
5入力、AND回路25は6入力、AND回路26は7
入力、AND回路27は8入力のAND回路である。
は3入力、AND回路23は4入力、AND回路24は
5入力、AND回路25は6入力、AND回路26は7
入力、AND回路27は8入力のAND回路である。
【0030】そして、AND回路21は、OR回路20
aの出力をインバータ18を介して入力すると共に、O
R回路20bの出力を入力する。AND回路22は、O
R回路20a,20bの出力をそれぞれインバータ18
を介して入力すると共に、OR回路20cの出力を入力
する。AND回路23は、OR回路20a〜20cの出
力をそれぞれインバータ18を介して入力すると共に、
OR回路20dの出力を入力する。AND回路24は、
OR回路20a〜20dの出力をそれぞれインバータ1
8を介して入力すると共に、OR回路20eの出力を入
力する。AND回路25は、OR回路20a〜20eの
出力をそれぞれインバータ18を介して入力すると共
に、OR回路20fの出力を入力する。AND回路26
は、OR回路20a〜20fの出力をそれぞれインバー
タ18を介して入力すると共に、OR回路20gの出力
を入力する。AND回路27は、OR回路20a〜20
gの出力をそれぞれインバータ18を介して入力すると
共に、OR回路20hの出力を入力する。
aの出力をインバータ18を介して入力すると共に、O
R回路20bの出力を入力する。AND回路22は、O
R回路20a,20bの出力をそれぞれインバータ18
を介して入力すると共に、OR回路20cの出力を入力
する。AND回路23は、OR回路20a〜20cの出
力をそれぞれインバータ18を介して入力すると共に、
OR回路20dの出力を入力する。AND回路24は、
OR回路20a〜20dの出力をそれぞれインバータ1
8を介して入力すると共に、OR回路20eの出力を入
力する。AND回路25は、OR回路20a〜20eの
出力をそれぞれインバータ18を介して入力すると共
に、OR回路20fの出力を入力する。AND回路26
は、OR回路20a〜20fの出力をそれぞれインバー
タ18を介して入力すると共に、OR回路20gの出力
を入力する。AND回路27は、OR回路20a〜20
gの出力をそれぞれインバータ18を介して入力すると
共に、OR回路20hの出力を入力する。
【0031】下位エンコーダ28は、OR回路20aお
よびAND回路21〜27の出力X0 〜X7 に基づい
て、後記するように、優先順位の一番高い記憶素子A0
〜A55の下位アドレス(=優先順位の一番高い記憶素子
A0 〜A55を含む列に対応するアドレス)である3ビッ
トのアドレスXa〜Xcを生成する。
よびAND回路21〜27の出力X0 〜X7 に基づい
て、後記するように、優先順位の一番高い記憶素子A0
〜A55の下位アドレス(=優先順位の一番高い記憶素子
A0 〜A55を含む列に対応するアドレス)である3ビッ
トのアドレスXa〜Xcを生成する。
【0032】上記のOR回路20a〜20h、AND回
路21〜27、インバータ18、下位エンコーダ28に
よってY方向プライオリティエンコーダ32が構成され
ている。
路21〜27、インバータ18、下位エンコーダ28に
よってY方向プライオリティエンコーダ32が構成され
ている。
【0033】図3は、記憶素子A0 〜A55のブロック回
路図である。各記憶素子A0 〜A55は、JKフリップフ
ロップ41およびAND回路42によって構成されてい
る。JKフリップフロップ41は、後記するように、記
憶素子書き込み信号生成回路37から出力されるセット
信号、リセット信号、クロックを入力し、各入力信号に
基づいたデータを対応するOR回路11a〜11gに出
力する。
路図である。各記憶素子A0 〜A55は、JKフリップフ
ロップ41およびAND回路42によって構成されてい
る。JKフリップフロップ41は、後記するように、記
憶素子書き込み信号生成回路37から出力されるセット
信号、リセット信号、クロックを入力し、各入力信号に
基づいたデータを対応するOR回路11a〜11gに出
力する。
【0034】AND回路42は、JKフリップフロップ
41の出力を入力すると共に、対応する行1〜7のOR
回路11aまたはAND回路12〜17のいずれかの出
力Y0 〜Y6 を入力して、対応するOR回路20a〜2
0hに出力する。
41の出力を入力すると共に、対応する行1〜7のOR
回路11aまたはAND回路12〜17のいずれかの出
力Y0 〜Y6 を入力して、対応するOR回路20a〜2
0hに出力する。
【0035】すなわち、行1の各記憶素子A0 〜A7 内
の各AND回路42はOR回路11aの出力Y0 を入力
する。行2の各記憶素子A8 〜A15内の各AND回路4
2はAND回路12の出力Y1 を入力する。行3の各記
憶素子A16〜A23内の各AND回路42はAND回路1
3の出力Y2 を入力する。行4の各記憶素子A24〜A31
内の各AND回路42はAND回路14の出力Y3 を入
力する。行5の各記憶素子A32〜A39内の各AND回路
42はAND回路15の出力Y4 を入力する。行6の各
記憶素子A40〜A47内の各AND回路42はAND回路
16の出力Y5を入力する。行7の各記憶素子A48〜A5
5内の各AND回路42はAND回路17の出力Y6 を
入力する。
の各AND回路42はOR回路11aの出力Y0 を入力
する。行2の各記憶素子A8 〜A15内の各AND回路4
2はAND回路12の出力Y1 を入力する。行3の各記
憶素子A16〜A23内の各AND回路42はAND回路1
3の出力Y2 を入力する。行4の各記憶素子A24〜A31
内の各AND回路42はAND回路14の出力Y3 を入
力する。行5の各記憶素子A32〜A39内の各AND回路
42はAND回路15の出力Y4 を入力する。行6の各
記憶素子A40〜A47内の各AND回路42はAND回路
16の出力Y5を入力する。行7の各記憶素子A48〜A5
5内の各AND回路42はAND回路17の出力Y6 を
入力する。
【0036】図4は、イネーブル信号生成回路33のブ
ロック回路図である。OR回路43はOR回路11aの
出力Y0 およびOR回路11b〜11gの各出力Yp1〜
Yp6を入力し、それに基づいてイネーブル信号を出力す
る。
ロック回路図である。OR回路43はOR回路11aの
出力Y0 およびOR回路11b〜11gの各出力Yp1〜
Yp6を入力し、それに基づいてイネーブル信号を出力す
る。
【0037】図5は、記憶素子A0 〜A55にデータを書
き込む外部装置34、および、上記のアドレス生成回路
の構成を示すブロック図である。CPU(図示略)から
レジスタまたはバッファに予め定められたデータが書き
込まれた場合、当該レジスタまたはバッファは有効状態
になる。また、CPUからレジスタまたはバッファに予
め定められたデータ以外のデータが書き込まれた場合は
当該レジスタまたはバッファは無効状態になる。
き込む外部装置34、および、上記のアドレス生成回路
の構成を示すブロック図である。CPU(図示略)から
レジスタまたはバッファに予め定められたデータが書き
込まれた場合、当該レジスタまたはバッファは有効状態
になる。また、CPUからレジスタまたはバッファに予
め定められたデータ以外のデータが書き込まれた場合は
当該レジスタまたはバッファは無効状態になる。
【0038】アドレスデコーダ35は、各レジスタまた
はバッファのアドレスを入力し、そのレジスタまたはバ
ッファがアクセスされているかどうかを判定する。デー
タデコーダ36は、各レジスタまたはバッファのデータ
を入力し、そのデータが予め定められたデータかどうか
を判定することにより、各レジスタまたはバッファが有
効状態にあるか無効状態にあるかを判定する。
はバッファのアドレスを入力し、そのレジスタまたはバ
ッファがアクセスされているかどうかを判定する。デー
タデコーダ36は、各レジスタまたはバッファのデータ
を入力し、そのデータが予め定められたデータかどうか
を判定することにより、各レジスタまたはバッファが有
効状態にあるか無効状態にあるかを判定する。
【0039】記憶素子書き込み信号生成回路37は、ア
クセスされているレジスタまたはバッファが有効状態に
あり、かつ、CPUからのライト信号がイネーブルであ
る場合、当該レジスタまたはバッファに対応する記憶素
子A0 〜A55内のJKフリップフロップ41にHレベル
のセット信号、Lレベルのリセット信号、クロックを出
力することにより有効データ「1」を書き込む。また、
記憶素子書き込み信号生成回路37は、アクセスされて
いるレジスタまたはバッファが無効状態にあり、かつ、
CPUからのライト信号がイネーブルである場合、当該
レジスタまたはバッファに対応する記憶素子A0 〜A55
内のJKフリップフロップ41にLレベルのセット信
号、Hレベルのリセット信号、クロックを出力すること
により無効データ「0」を書き込む。
クセスされているレジスタまたはバッファが有効状態に
あり、かつ、CPUからのライト信号がイネーブルであ
る場合、当該レジスタまたはバッファに対応する記憶素
子A0 〜A55内のJKフリップフロップ41にHレベル
のセット信号、Lレベルのリセット信号、クロックを出
力することにより有効データ「1」を書き込む。また、
記憶素子書き込み信号生成回路37は、アクセスされて
いるレジスタまたはバッファが無効状態にあり、かつ、
CPUからのライト信号がイネーブルである場合、当該
レジスタまたはバッファに対応する記憶素子A0 〜A55
内のJKフリップフロップ41にLレベルのセット信
号、Hレベルのリセット信号、クロックを出力すること
により無効データ「0」を書き込む。
【0040】次に、上記のように構成したアドレス生成
回路の動作を説明する。外部装置34によって、例え
ば、記憶素子A10,A11,A17,A34に有効データ
「1」が書き込まれ、他の記憶素子A0 〜A55に無効デ
ータ「0」が書き込まれたとする。すなわち、有効かつ
優先順位が一番高い記憶素子は記憶素子A10であるた
め、アドレス生成回路は記憶素子A10に対応する予め定
められたアドレスを生成する。
回路の動作を説明する。外部装置34によって、例え
ば、記憶素子A10,A11,A17,A34に有効データ
「1」が書き込まれ、他の記憶素子A0 〜A55に無効デ
ータ「0」が書き込まれたとする。すなわち、有効かつ
優先順位が一番高い記憶素子は記憶素子A10であるた
め、アドレス生成回路は記憶素子A10に対応する予め定
められたアドレスを生成する。
【0041】以下に、そのアドレス生成動作を詳述す
る。OR回路11a〜11gは、各行1〜行7の8個の
記憶素子群の各JKフリップフロップ41から出力され
るデータを入力する。従って、OR回路11b,11
c,11eからはデータ「1」が、OR回路11a,1
1d,11f,11gからはデータ「0」が出力され
る。
る。OR回路11a〜11gは、各行1〜行7の8個の
記憶素子群の各JKフリップフロップ41から出力され
るデータを入力する。従って、OR回路11b,11
c,11eからはデータ「1」が、OR回路11a,1
1d,11f,11gからはデータ「0」が出力され
る。
【0042】AND回路12には、OR回路11aから
出力されるデータ「0」がインバータ18を介して入力
されると共に、OR回路11bから出力されるデータ
「1」が入力される。従って、AND回路12からはデ
ータ「1」が出力される。また、各AND回路13〜1
7には、OR回路11bから出力されるデータ「1」が
インバータ18を介して入力されるため、各AND回路
13〜17からはデータ「0」が出力される。すなわ
ち、出力Y0,Y2 〜Y6=「0」,Y1 =「1」とな
り、Y6 〜Y0 =「000010」となる。
出力されるデータ「0」がインバータ18を介して入力
されると共に、OR回路11bから出力されるデータ
「1」が入力される。従って、AND回路12からはデ
ータ「1」が出力される。また、各AND回路13〜1
7には、OR回路11bから出力されるデータ「1」が
インバータ18を介して入力されるため、各AND回路
13〜17からはデータ「0」が出力される。すなわ
ち、出力Y0,Y2 〜Y6=「0」,Y1 =「1」とな
り、Y6 〜Y0 =「000010」となる。
【0043】上位エンコーダ19は、この出力Y0 〜Y
6 に基づいて、優先順位の一番高い記憶素子A10の上位
アドレス(=優先順位の一番高い記憶素子A10を含む行
2に対応するアドレス)である3ビットのアドレスYa
〜Ycを生成する。すなわち、Ya,Yc=「0」,Y
b=「1」となり、Yc〜Ya=「010」となる。
6 に基づいて、優先順位の一番高い記憶素子A10の上位
アドレス(=優先順位の一番高い記憶素子A10を含む行
2に対応するアドレス)である3ビットのアドレスYa
〜Ycを生成する。すなわち、Ya,Yc=「0」,Y
b=「1」となり、Yc〜Ya=「010」となる。
【0044】また、出力Y0 〜Y6 は対応する各記憶素
子A0 〜A55の各AND回路42に入力される。従っ
て、行2の記憶素子A10, A11内の各AND回路42か
らはデータ「1」が出力され、記憶素子A8 , A9 ,A
12〜A15内の各AND回路42からはデータ「0」が出
力される。一方、行1,行3〜行7の各記憶素子A0 〜
A55内の各AND回路42からは、各記憶素子A0 〜A
55のデータに関係なくデータ「0」が出力される。
子A0 〜A55の各AND回路42に入力される。従っ
て、行2の記憶素子A10, A11内の各AND回路42か
らはデータ「1」が出力され、記憶素子A8 , A9 ,A
12〜A15内の各AND回路42からはデータ「0」が出
力される。一方、行1,行3〜行7の各記憶素子A0 〜
A55内の各AND回路42からは、各記憶素子A0 〜A
55のデータに関係なくデータ「0」が出力される。
【0045】OR回路20a〜20hは、各列の7個の
記憶素子群の各AND回路42から出力されるデータを
入力する。従って、OR回路20c,20dからはデー
タ「1」が、OR回路20a,20b,20e,20
f,20g,20hからはデータ「0」が出力される。
記憶素子群の各AND回路42から出力されるデータを
入力する。従って、OR回路20c,20dからはデー
タ「1」が、OR回路20a,20b,20e,20
f,20g,20hからはデータ「0」が出力される。
【0046】AND回路21には、OR回路20aから
出力されるデータ「0」がインバータ18を介して入力
されると共に、OR回路20bから出力されるデータ
「0」が入力される。従って、AND回路21からはデ
ータ「0」が出力される。
出力されるデータ「0」がインバータ18を介して入力
されると共に、OR回路20bから出力されるデータ
「0」が入力される。従って、AND回路21からはデ
ータ「0」が出力される。
【0047】AND回路22には、OR回路20bから
出力されるデータ「0」がインバータ18を介して入力
されると共に、OR回路20cから出力されるデータ
「1」が入力される。従って、AND回路22からはデ
ータ「1」が出力される。
出力されるデータ「0」がインバータ18を介して入力
されると共に、OR回路20cから出力されるデータ
「1」が入力される。従って、AND回路22からはデ
ータ「1」が出力される。
【0048】また、各AND回路23〜17には、OR
回路20cから出力されるデータ「1」がインバータ1
8を介して入力されるため、各AND回路23〜27か
らはデータ「0」が出力される。すなわち、AND回路
27〜21およびOR回路20aの出力X7 〜X0 =
「00000100」となる。
回路20cから出力されるデータ「1」がインバータ1
8を介して入力されるため、各AND回路23〜27か
らはデータ「0」が出力される。すなわち、AND回路
27〜21およびOR回路20aの出力X7 〜X0 =
「00000100」となる。
【0049】下位エンコーダ28は、この出力X0 〜X
7 に基づいて、優先順位の一番高い記憶素子A10の下位
アドレスである3ビットのアドレスXa〜Xcを生成す
る。すなわち、Xa,Xb=「1」,Xc=「0」とな
り、Xc〜Xa=「011」となる。
7 に基づいて、優先順位の一番高い記憶素子A10の下位
アドレスである3ビットのアドレスXa〜Xcを生成す
る。すなわち、Xa,Xb=「1」,Xc=「0」とな
り、Xc〜Xa=「011」となる。
【0050】従って、上位エンコーダ19によって生成
された上位アドレスYc〜Ya=「010」と、下位エ
ンコーダ28によって生成された下位アドレスXc〜X
a=「011」とをアドレスエンコーダ(図示略)にて
合成することにより、有効かつ優先順位の一番高い記憶
素子A10に対応するレジスタまたはバッファの先頭アド
レス「010011A」が生成される。尚、アドレスの
末尾の「A」は、レジスタまたはバッファのバイトサイ
ズに応じて任意に定められ、例えば、バイトサイズが8
バイトであれば「A」=「00」となり、16バイトで
あれば「A」=「000」となる。
された上位アドレスYc〜Ya=「010」と、下位エ
ンコーダ28によって生成された下位アドレスXc〜X
a=「011」とをアドレスエンコーダ(図示略)にて
合成することにより、有効かつ優先順位の一番高い記憶
素子A10に対応するレジスタまたはバッファの先頭アド
レス「010011A」が生成される。尚、アドレスの
末尾の「A」は、レジスタまたはバッファのバイトサイ
ズに応じて任意に定められ、例えば、バイトサイズが8
バイトであれば「A」=「00」となり、16バイトで
あれば「A」=「000」となる。
【0051】そして、この先頭アドレスの生成に基づい
て直ちに該レジスタまたはバッファが選択され、データ
が読み出される。このように、本実施例においては、論
理的に2次元に配置され、それぞれ優先順位と有効・無
効データを有する記憶素子A0 〜A55の各行1〜7毎
に、少なくとも1つ有効データを有する記憶素子A0 〜
A55を各OR回路11a〜11gにて判定する。次に、
インバータ18およびAND回路12〜17によって、
有効データを有する記憶素子A0 〜A55の中で一番優先
順位の高い記憶素子A0 〜A55が存在する行のみを有効
と判定し、他の行は無効と判定する。そして、上位エン
コーダ回路19によって、有効と判定した行1〜7に対
応するアドレス、すなわち、一番優先順位の高い記憶素
子A0 〜A55のアドレスの上位アドレスを生成する。
て直ちに該レジスタまたはバッファが選択され、データ
が読み出される。このように、本実施例においては、論
理的に2次元に配置され、それぞれ優先順位と有効・無
効データを有する記憶素子A0 〜A55の各行1〜7毎
に、少なくとも1つ有効データを有する記憶素子A0 〜
A55を各OR回路11a〜11gにて判定する。次に、
インバータ18およびAND回路12〜17によって、
有効データを有する記憶素子A0 〜A55の中で一番優先
順位の高い記憶素子A0 〜A55が存在する行のみを有効
と判定し、他の行は無効と判定する。そして、上位エン
コーダ回路19によって、有効と判定した行1〜7に対
応するアドレス、すなわち、一番優先順位の高い記憶素
子A0 〜A55のアドレスの上位アドレスを生成する。
【0052】また、インバータ18およびAND回路1
2〜17によって有効と判定した行1〜7において、そ
の行方向に配置された各記憶素子A0 〜A55のうち有効
データを有する記憶素子A0 〜A55を各OR回路20a
〜20hにて判定する。次に、インバータ18およびA
ND回路21〜27によって、有効データを有する記憶
素子A0 〜A55の中で一番優先順位の高い記憶素子A0
〜A55が存在する列のみを有効と判定し、他の列は無効
と判定する。そして、下位エンコーダ回路28によっ
て、有効と判定した列に対応するアドレス、すなわち、
一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55のアドレスの下
位アドレスを生成する。
2〜17によって有効と判定した行1〜7において、そ
の行方向に配置された各記憶素子A0 〜A55のうち有効
データを有する記憶素子A0 〜A55を各OR回路20a
〜20hにて判定する。次に、インバータ18およびA
ND回路21〜27によって、有効データを有する記憶
素子A0 〜A55の中で一番優先順位の高い記憶素子A0
〜A55が存在する列のみを有効と判定し、他の列は無効
と判定する。そして、下位エンコーダ回路28によっ
て、有効と判定した列に対応するアドレス、すなわち、
一番優先順位の高い記憶素子A0 〜A55のアドレスの下
位アドレスを生成する。
【0053】このように、1サイクルの処理でアドレス
生成を行うことにより、アドレス生成処理に要する時間
を短くすることができる。尚、全ての記憶素子A0 〜A
55に無効データ「0」が書き込まれている場合、OR回
路11aの出力Y0 およびOR回路11b〜11gの各
出力Yp1〜Yp6は「0」になる。従って、イネーブル信
号生成回路33のOR回路43からは論理値「0」のイ
ネーブル信号が出力される。CPUはその論理値「0」
のイネーブル信号を入力した場合、生成された先頭アド
レスを無効とし、該レジスタまたはバッファからはデー
タを読み出さない。従って、全ての記憶素子A0〜A55
に無効データ「0」が書き込まれている場合において、
何らかのアドレスが生成されることはない。
生成を行うことにより、アドレス生成処理に要する時間
を短くすることができる。尚、全ての記憶素子A0 〜A
55に無効データ「0」が書き込まれている場合、OR回
路11aの出力Y0 およびOR回路11b〜11gの各
出力Yp1〜Yp6は「0」になる。従って、イネーブル信
号生成回路33のOR回路43からは論理値「0」のイ
ネーブル信号が出力される。CPUはその論理値「0」
のイネーブル信号を入力した場合、生成された先頭アド
レスを無効とし、該レジスタまたはバッファからはデー
タを読み出さない。従って、全ての記憶素子A0〜A55
に無効データ「0」が書き込まれている場合において、
何らかのアドレスが生成されることはない。
【0054】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、例えば、記憶素子A0 〜A55はJKフリップ
フロップを使用せずに他の構成(同期式RSフリップフ
ロップ等)によって具体化してもよい。
ではなく、例えば、記憶素子A0 〜A55はJKフリップ
フロップを使用せずに他の構成(同期式RSフリップフ
ロップ等)によって具体化してもよい。
【0055】また、図7に示すように、32個の記憶素
子A0 〜A31において実施する場合は、上記実施例にお
けるOR回路11e〜11gとAND回路15〜17と
を省き、上位エンコーダ19を適宜に変更し、OR回路
20b〜20hを4入力のOR回路にすればよい。
子A0 〜A31において実施する場合は、上記実施例にお
けるOR回路11e〜11gとAND回路15〜17と
を省き、上位エンコーダ19を適宜に変更し、OR回路
20b〜20hを4入力のOR回路にすればよい。
【0056】さらに、図6に示すように、25個の記憶
素子A0 〜A24において実施する場合は、32個の記憶
素子A0 〜A31を用意し、記憶素子A25〜A31に無効デ
ータ「0」を固定して書き込むことにより、記憶素子A
25〜A31が常に無効になるようにすればよい。また、O
R回路11dを省いて記憶素子A24の出力を直接AND
回路14に入力し、OR回路20b〜20hを3入力の
OR回路にしてもよい。
素子A0 〜A24において実施する場合は、32個の記憶
素子A0 〜A31を用意し、記憶素子A25〜A31に無効デ
ータ「0」を固定して書き込むことにより、記憶素子A
25〜A31が常に無効になるようにすればよい。また、O
R回路11dを省いて記憶素子A24の出力を直接AND
回路14に入力し、OR回路20b〜20hを3入力の
OR回路にしてもよい。
【0057】また、図8に示すように、記憶素子A0 〜
A55を論理的に一列に配置し、その各記憶素子A1 〜A
55の出力を2〜56入力の各AND回路61〜115に
直接入力すると共に、各記憶素子A0 〜A55の出力をそ
れぞれインバータ18を介して、当該記憶素子A0 〜A
55の出力を直接入力した当該AND回路61〜115よ
り入力数の多い各AND回路61〜115に入力し、記
憶素子A0 およびAND回路61〜115の出力をエン
コーダ116に入力するようにしてもよい。この場合
は、有効データ「1」が書き込まれた優先順位の一番高
い記憶素子A0 〜A55の出力のみがエンコーダ116に
入力される。そして、エンコーダ116は、その有効か
つ優先順位の一番高い記憶素子A0 〜A55のアドレスを
一義的に求めて出力する。従って、アドレス生成処理を
瞬時に行うことができるが、入力数の多いAND回路6
1〜115を用意する必要がある。
A55を論理的に一列に配置し、その各記憶素子A1 〜A
55の出力を2〜56入力の各AND回路61〜115に
直接入力すると共に、各記憶素子A0 〜A55の出力をそ
れぞれインバータ18を介して、当該記憶素子A0 〜A
55の出力を直接入力した当該AND回路61〜115よ
り入力数の多い各AND回路61〜115に入力し、記
憶素子A0 およびAND回路61〜115の出力をエン
コーダ116に入力するようにしてもよい。この場合
は、有効データ「1」が書き込まれた優先順位の一番高
い記憶素子A0 〜A55の出力のみがエンコーダ116に
入力される。そして、エンコーダ116は、その有効か
つ優先順位の一番高い記憶素子A0 〜A55のアドレスを
一義的に求めて出力する。従って、アドレス生成処理を
瞬時に行うことができるが、入力数の多いAND回路6
1〜115を用意する必要がある。
【0058】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、そ
れぞれ優先順位を有した有効または無効を示す記憶素子
群の中から、有効かつ優先順位の一番高い記憶素子を判
定し、その記憶素子に対応する予め設定されているアド
レスを生成することが、簡単な回路構成によって短時間
にできるという優れた効果がある。
れぞれ優先順位を有した有効または無効を示す記憶素子
群の中から、有効かつ優先順位の一番高い記憶素子を判
定し、その記憶素子に対応する予め設定されているアド
レスを生成することが、簡単な回路構成によって短時間
にできるという優れた効果がある。
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】本発明を具体化した一実施例のアドレス生成回
路のブロック回路図である。
路のブロック回路図である。
【図3】記憶素子のブロック回路図である。
【図4】イネーブル信号生成回路のブロック回路図であ
る。
る。
【図5】外部装置とアドレス生成回路のブロック回路図
である。
である。
【図6】記憶素子の数を変更した場合の各記憶素子の配
置を示す図である。
置を示す図である。
【図7】記憶素子の数を変更した場合の各記憶素子の配
置を示す図である。
置を示す図である。
【図8】本発明を具体化した別の実施例のアドレス生成
回路のブロック回路図である。
回路のブロック回路図である。
【図9】従来例のアドレス生成回路を説明するための図
である。
である。
A 記憶素子群 A0 〜A55 記憶素子 1 行方向検出回路 2 行方向判定回路 3 上位エンコーダ回路 4 列方向検出回路 5 列方向判定回路 6 下位エンコーダ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11C 15/00 - 15/06 WPI(DIALOG)
Claims (1)
- 【請求項1】 論理的に2次元に配置され、それぞれ優
先順位を有した有効または無効を示す記憶素子群(A)
と、 その論理的2次元に配置された記憶素子群(A)の各行
毎にその行方向に配置された各記憶素子(A0 〜A55)
のうち少なくとも1つ有効を示す記憶素子(A0 〜A5
5)の有無を検出する行方向検出回路(1)と、 前記行方向検出回路(1)に基づいて各行において有効
となった記憶素子(A0 〜A55)の中で一番優先順位の
高い記憶素子(A0 〜A55)が存在する行のみを有効と
判定し、他の行は無効と判定する行方向判定回路(2)
と、 前記行方向判定回路(2)の判定結果に基づいてその優
先順位の一番高い記憶素子(A0 〜A55)に対応する予
め設定されているアドレスの上位アドレスを生成する上
位エンコーダ回路(3)と、 前記行方向判定回路(2)にて判定した一番優先順位の
高い記憶素子(A0 〜A55)が存在する行において、そ
の行方向に配置された各記憶素子(A0 〜A55)のうち
有効を示す記憶素子(A0 〜A55)を検出する列方向検
出回路(4)と、 前記列方向検出回路(4)に基づいて有効となった記憶
素子(A0 〜A55)の中で一番優先順位の高い記憶素子
(A0 〜A55)が存在する列のみを有効と判定し、他の
列は無効と判定する列方向判定回路(5)と、 前記列方向判定回路(5)の判定結果に基づいてその優
先順位の一番高い記憶素子(A0 〜A55)に対応して予
め設定されているアドレスの下位アドレスを生成する下
位エンコーダ回路(6)とを設けたことを特徴とするア
ドレス生成回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03316892A JP3124598B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | アドレス生成回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03316892A JP3124598B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | アドレス生成回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05151786A JPH05151786A (ja) | 1993-06-18 |
JP3124598B2 true JP3124598B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=18082078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03316892A Expired - Fee Related JP3124598B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | アドレス生成回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3124598B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101793028B1 (ko) * | 2017-06-23 | 2017-11-02 | (주)데코엘 | 교체성 및 안정성을 겸비한 엘이디 도로 교통안전 표지판 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP03316892A patent/JP3124598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101793028B1 (ko) * | 2017-06-23 | 2017-11-02 | (주)데코엘 | 교체성 및 안정성을 겸비한 엘이디 도로 교통안전 표지판 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05151786A (ja) | 1993-06-18 |
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