JP3121980B2 - 磁気ヘッド用基板 - Google Patents

磁気ヘッド用基板

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JP3121980B2
JP3121980B2 JP06033512A JP3351294A JP3121980B2 JP 3121980 B2 JP3121980 B2 JP 3121980B2 JP 06033512 A JP06033512 A JP 06033512A JP 3351294 A JP3351294 A JP 3351294A JP 3121980 B2 JP3121980 B2 JP 3121980B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンミリング法また
は反応性イオンエッチング法(Reactive IonEtching法
=RIE法)などのイオンの照射によって磁気記録面と
対向する面の一部にイオンの照射により加工された加工
部を有する磁気ヘッド用基板に関するもので、特に、A
2 3 −TiC系焼結体からなる磁気ヘッド用基板に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、磁気ヘッドの中でも薄膜磁気
ヘッドは、所定の基板の表面にスパッタリングなどの薄
膜手法により磁気ヘッド回路を形成するもので、磁気ギ
ャップが小さく制御できるために高密度記録が可能であ
ることから開発がさかんに行われている。この薄膜磁気
ヘッドにおいて用いられる基板は、磁気記録媒体と対面
する表面がスライダー浮上面として機能することから、
その基板表面には溝やステップ部などの種々の加工が施
される。
【0003】従来からこの基板表面の加工のほとんどが
機械加工で行われるために、基板としては、耐摩耗性が
優れる、鏡面加工性に優れる、スライシング加工時の耐
チッピング性および機械加工性に優れるなどの特性が要
求されている。
【0004】これらの要求に満足しえる材料の1つとし
て、Al23に対してTiCを含有するAl23−T
iC系焼結体が多用されている。このAl23−Ti
C系焼結体は、上記の特性を満足させるためにMgOや
23 などの焼結助剤を添加し、完全に緻密焼結体と
することにより鏡面加工性を向上させたり、焼結体の結
晶粒をおよそ1.5〜3μm程度に粒成長させることに
よりスライシング時の耐チッピング性や機械加工性を向
上させていた。
【0005】一方、最近では磁気記録の高密度化に伴
い、磁気ヘッドの磁気記録面からの浮上量がさらに小さ
くなりつつあり、これに伴い、スライダー浮上面には平
面度、面粗さ、クラウン、キャンバー、ブレンディング
等の高い寸法精度が要求される加工が施され、その代表
的なものに、TPC(Transverse Pressurization Cont
our)またはMRスライダーがある。従来の機械加工では
これらの要求に対しては十分に満足すべき加工ができな
いためにAr、CF4 、CCl4 、BCl3 などのイオ
ンを加工鏡面に照射しながら加工を行う、いわゆるイオ
ンミリング法またはRIE法による加工が検討されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、従来
のAl23−TiC系焼結体は、結晶粒径が比較的大
きく、全体の平均粒径で1.5〜3μm程度であるため
に、加工速度(エッチング速度、またはミリング速度)
が遅く、また、Al23とTiCとでは加工速度が異
なるために加工後の表面品位も満足できるものは得られ
ていないのが現状である。
【0007】また、従来の焼結体は、完全な緻密体を作
製することを目的として焼結助剤を数%含むために、焼
結体中のAl23やTiCの結晶粒界に焼結助剤や、
焼結助剤とAl23との化合物相やガラス相が多く存
在する。そのため、前述したイオンミリングまたはRI
E加工を行うと、粒界に存在する化合物相やガラス相が
TiCやAl23と比べエッチング速度が著しく大き
いため粒界相が優先的にエッチングされたり、化合物相
やガラス相の分散が悪い場合には大きなくぼみとなり、
加工後の表面品位が劣化するという問題があった。
【0008】従って、本発明の目的は、イオンミリング
またはRIE加工等により超精密加工が施されたTPC
またはMRスライダーなどに好適な表面品位に優れる磁
気ヘッド用基板を提供することを目的とするものであ
る。
【0009】
【問題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
に対して検討を重ねた結果、Al23とTiCの焼結
体中における結晶粒径をTiCよりAl23の粒径が
相対的に大きくなるように組織を制御し、さらに全体と
しての結晶粒径を小さく制御することにより、イオンミ
リングまたはRIE加工した場合の加工速度が大きく、
また加工後の表面品位を従来の焼結体に比較して大幅に
改善できることを知見し、本発明に至った。
【0010】即ち、本発明の磁気ヘッド用基板は、Al
23を主成分とし、TiCを20〜40重量%の割合
で含有するAl23焼結体から成り、該焼結体中のA
23の平均結晶粒径が、TiCの平均結晶粒径より5
〜50%大きく、該基板の磁気記録面と対向する面の一
部にイオンの照射により加工された加工部を有すること
を特徴とするものであり、さらには焼結体全体の平均結
晶粒径が1μm以下、TiCの平均結晶粒径が0.9μ
m以下であり上記結晶粒の粒界相の含有量が1.0重量
%以下であることを特徴とするものである。
【0011】以下、本発明を詳述する。本発明における
Al23−TiC系焼結体は、Al23を主成分とす
るものであり、TiCを20〜40重量%の割合で含有
するものである。TiC量を上記の範囲に限定したの
は、TiCが20重量%より少ないと耐チッピング性が
低下し、40重量%を越えると表面品位は向上するもの
のイオン照射による加工時の加工速度が遅くなり不経済
となるためである。なお、TiC量は特に25〜35重
量%、さらには27〜33重量%が望ましい。
【0012】上記組成からなる焼結体は、組織上はAl
23結晶粒とTiC結晶粒および粒界相により構成さ
れるが、本発明によれば、Al23結晶粒の平均結晶
粒径が、TiC結晶粒の平均結晶粒径よりも大きく、A
23平均結晶粒径が、TiCの平均結晶粒径より5
〜50%、特に20〜40%大きいことが重要である。
この相対的な粒径の相違は、焼結体のイオン照射により
加工性に対して大きな影響を及ぼし、Al23結晶粒
の大きさがTiC結晶粒と同レベルかそれより小さい場
合、あるいはAl23結晶粒がTiC結晶粒より大き
くても5%未満の粒径差である場合には、いずれもイオ
ンによる加工後の加工面の平滑性が低下したり、加工速
度が小さくなったりする。逆にAl23 結晶粒がTi
C結晶粒より50%を越えて大きい場合には、TiCの
加工速度がAl23より大きくなる結果、加工速度は
大きくなるものの平滑性が低下する。
【0013】また、焼結体のAl23結晶粒とTiC
結晶粒との全体的な平均結晶粒径は1.0μm以下、特
に0.76μm以下であることが望ましく、TiC結晶
粒の平均粒径は0.9μm以下、特に0.65μm以下
であることが望ましい。これは、結晶粒径が上記範囲よ
り大きいと加工速度が遅くなり加工に長時間要するとと
もに、表面品位も低下する。
【0014】さらに、Al23−TiC系焼結体で
は、その焼結性を高めるために、各種の金属酸化物を焼
結助剤として添加することが行われているが、添加され
る焼結助剤は、Al23と焼結過程で反応しAl23
結晶粒やTiC結晶粒とは別に化合物相が形成された
り、あるいはガラス相として粒界相を形成する。例え
ば、MgOを添加した場合にはAl23とスピネルな
どの化合物を形成する。このような化合物相やガラス相
は加工速度が非常に速いために、加工後の表面品位が低
下する恐れがある。そのため、焼結助剤を添加する場合
には、これらの焼結助剤成分を添加することにより生じ
る化合物相またはガラス相の粒界相の総量が全量に対し
て1重量%以下、特に0.7重量%以下、さらには0.
3重量%以下であることが望ましい。焼結助剤として
は、MgO、Y23 、CaO、Yb23 、SiO2
などが用いられるが、これらの中でもMgOが最も悪い
影響を与える。
【0015】上記Al23−TiC系焼結体は、例え
ば、Al23粉末とTiC粉末を、さらには所定の焼
結助剤を前述したような所定の比率で添加した後、これ
をボールミルなどの任意の混合方法により成形した後、
その成形体を1500〜1650℃の温度範囲でホット
プレス法、熱間静水圧焼成法(HIP法)などにより焼
成すればよい。前述したようにAl23結晶粒とTi
C結晶粒の粒径を前述したように制御するには、出発原
料としていずれも粒径の小さい原料を用い、特に原料の
Al23粉末がTiC粉末より大きい原料を選択し、
また焼成温度をできるだけ低く設定することが望まし
い。
【0016】また、上記Al23−TiC系焼結体を
イオンミリングやRIE法などのイオンの照射により加
工するには、被加工品となる前記焼結体を例えば、スパ
ッタ装置内で10-5torr以下の真空中にて被加工品
を陰極として、Ar+ イオンなどの不活性ガスなどのイ
オンや、CF4 、CCl4 、BCl4 等の反応性ガスの
イオンを600〜1000Vのビーム電圧で加速して照
射することにより、イオンを衝突させて被加工品の表面
をエッチング処理されて加工を行うことができる。
【0017】上記の加工によれば、例えば薄膜磁気ヘッ
ドにおける磁気記録面と対向する面となるスライダー浮
上面に対して超精密加工を施すことができる。例えば、
TPCスライダーの1種としては、図1に示すように、
基板1のスライダー浮上面2に一対のレール3と溝4を
有し、さらにレール3の外側にステップ部5を有するも
ので、ステップ部の深さは0.5〜1μm、特に0.7
〜0.9μmに調整される。
【0018】このような浮上面におけるステップ部5
は、上記Al23−TiC系焼結体からなる素基板の
表面に加工すべき箇所以外を樹脂などのレジストパター
ンでフォトマスクを施し、そこにイオンを照射すること
によりレジストを施さない箇所をエッチングにより加工
することができる。その後、そのレジストを除去するこ
とにより形成することができる。
【0019】このイオンミリングやRIE法により加工
は、上記のTPCスライダーのステップ部の加工の他、
精密治具、測定用具、各種精密部品などの加工にも有用
である。
【0020】
【作用】本発明によれば、Al23−TiC系焼結体
を構成するAl23結晶粒とTiC結晶粒では、イオ
ンの照射により加工(ミリングまたはエッチング)する
場合、その加工速度はAl23結晶粒の方が速い。そ
のため、従来のようにAl23結晶粒とTiC結晶粒が
ほぼ同程度の粒子径である場合、Al23結晶粒の方
が過剰にエッチングされ、結果として加工後の表面品位
は低下してしまう。
【0021】これに対して、本発明におけるAl23
−TiC系焼結体は、Al23結晶粒をTiC結晶粒
より5%〜50%大きくなるように制御することによ
り、Al23結晶粒とTiC結晶粒との加工速度を整
合させることができる。従って、ミリング加工後の表面
において加工速度の相違による凹凸がなく、平滑性に優
れた加工面を形成することができる。
【0022】また、上記焼結体は焼結助剤として混合す
るAl23やTiC以外の金属化合物量を低減するこ
とにより、粒界成分のエッチングによる加工表面の凹凸
の発生を抑制し高品位の表面を得ることができる。
【0023】そして、このAl 2 3 −TiC系焼結体
を磁気ヘッド用基板として使用し、 磁気記録面と対向す
る面の一部にイオン照射により加工した本発明の磁気ヘ
ッド用基板は、加工後の表面品位を高めることができ、
磁気ヘッドとして信頼性を高めることができる。
【0024】
【実施例】実施例1 Al23原料(純度99.9%以上)、TiC原料
(純度99.5%以上)を使用し、これらをAl23
70重量%、TiC30重量%となるように秤量し、そ
の中にTiCに対して約10重量%のTiO2 を添加
後、Al23ボールにて混合した。次いで、混合粉末
を成形し、1600℃、250kg/cm2の圧力で1
時間ホットプレス焼成した。なお、実験ではAl23
原料粉末として平均粒径が0.4〜2.7μm、TiC
粉末として平均粒径が0.3〜3.0μmの種々の原料
を用い、最終的な焼結体中のAl23結晶粒およびT
iC結晶粒が異なる数種の焼結体を作製した。
【0025】得られた焼結体に対してその表面を鏡面加
工後、各結晶の粒径、化合物相やガラス相からなる粒界
相量を測定した。TiC結晶粒の平均粒径はルーゼック
ス500により画像処理して円相当径を算出した。また
全体の平均結晶粒径は、ファイヤーエッチング後にコー
ド法により測定した。また、Al23 の平均結晶粒径
は、TiCおよび全体の平均粒径とTiCおよびAl2
3 の体積比より算出した。さらに、化合物相はX線回
折定量法により求め、ガラス相量は添加物の調合量と化
合物量より算出し、それらの合量を粒界相量として求め
た。その結果は、表1に示す通りであり、化合物相およ
びガラス相からなる粒界相量は、いずれの焼結体も0.
1重量%以下であった。
【0026】さらに、この焼結体を5.2×10-4to
rrの真空中に保持し、焼結体の被加工面に800V、
200mAのアルゴンビームにより、1.5μmの深さ
までエッチング加工した。そして、加工後の表面に対し
て表面粗さ(Rmax)を測定した。なお、この時のエ
ッチング速度も加工時間から算出した。
【0027】また、焼結体の耐チッピング性については
ダイヤモンドホイル(レジン#325,110mmφ×
厚み1mm)を回転数5500rpm、送り40mm/
minに設定して焼結体を切断し、その切断面よりチッ
ピングの評価を得た。評価では、切断面における距離が
500μmの任意の2点をとり、その間でチッピング幅
の最も大きい5ポイントを選びそのチッピング幅の平均
をとり、その平均値が25μm未満を○、25〜30μ
mを△、30μmを越えるものを×として示した。
【0028】
【表1】
【0029】表1によれば、Al23結晶粒がTiC
結晶粒に比較して、小さいか、同程度か、あるいはAl
23結晶粒がTiC結晶粒に比較して5%未満大きい
試料No.1〜4では、いずれも表面粗さが大きく、表面
品位が低レベルであった。これに対して、Al23
晶粒がTiC結晶粒より5〜50%大きい試料No.5〜
11はいずれも加工後の表面粗さが0.3μm以下であ
り、表面品位の高いものであった。
【0030】また、結晶粒径が大きくなるほど加工速度
が小さくなる傾向にあることがわかるが、TiCの結晶
粒径が0.9μm以下において、加工速度が130Å/
min以上となることがわかる。
【0031】実施例2 平均粒径が0.6μmのAl23原料(純度99.9
%以上)と、平均粒径が0.65μmのTiC原料(純
度99.5%以上)を使用し、これらを表2の配合組成
で秤量混合した後、実施例1と同様な方法で焼結体を作
製した。
【0032】得られた焼結体に対して実施例1と同様な
方法で、粒界相量、各平均結晶粒径、加工後の表面品
位、加工速度、耐チッピング性を測定した。その結果、
粒界相量はいずれも0.1重量%であった。なお、その
他の特性は表2に示した。
【0033】
【表2】
【0034】表2から明らかなように、TiC量が40
重量%を越えると、エッチング速度が低下した。また、
TiC量が20重量%より少ない試料No.18,19で
は、耐チッピング性が劣化した。これら以外の本発明品
はいずれも加工速度が135Å/min以上であった
が、これらの中でも特に25〜35重量%では耐チッピ
ング性も良好であった。
【0035】実施例3 平均粒径が0.6μmのAl23原料(純度99.9
%以上)と、平均粒径が0.65μmのTiC原料(純
度99.5%以上)およびMgO(純度99.9%以
上)を使用し、これらを表3の配合組成で秤量混合した
後、実施例1と同様な方法で焼結体を作製した。
【0036】得られた焼結体に対して実施例1と同様な
方法で、粒界相量、各平均粒径、加工後の表面品位、エ
ッチング速度、耐チッピング性を測定し、表3に示し
た。
【0037】
【表3】
【0038】表3によれば、助剤量を増やした結果、表
面品位が低下する傾向にあり、粒界相量が1.0重量%
を越える試料No.20,21では、やや表面品位が低下
したが、1.0重量%以下の本発明品では、表面品位が
向上した。これらの中でも特に実施例1、2の結果も合
わせ、0.3重量%以下では表面粗さが0.25μm以
下の表面品位の優れたものであった。
【0039】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
磁気ヘッド用基板を構成するAl23−TiC系焼結
体におけるAl23結晶粒をTiC結晶粒より大きく
設定するとともに、該基板の磁気記録面と対向する面の
一部にイオンの照射により加工された加工部を有するこ
とから、イオンミリング加工やRIE加工などのイオン
の照射による加工において表面品位が優れ、また、加工
速度を高めることができる。これにより、薄膜磁気ヘッ
ドなどのスライダーにおける浮上面の超精密加工を優れ
た精度で行うことができ、磁気ヘッドの信頼性を高める
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の磁気ヘッド用基板を用いた磁気ヘッド
におけるTPCスライダーの1例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板 2 スライダー浮上面 3 レール 4 溝 5 ステップ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/10 G11B 5/127 G11B 5/187

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Al23 を主成分とし、TiCを20〜
    40重量%の割合で含有するAl23−TiC系焼結
    から成る磁気ヘッド用基板であって、該焼結体中のA
    23 結晶粒の平均結晶粒径が、TiC結晶粒の平均
    結晶粒径より5〜50%大きく、該基板の磁気記録面と
    対向する面の一部にイオンの照射により加工された加工
    部を有することを特徴とする磁気ヘッド用基板
  2. 【請求項2】前記結晶粒全体の平均結晶粒径が1μm以
    下、前記TiC結晶粒の平均結晶粒径が0.9μm以下
    である請求項1記載の磁気ヘッド用基板
  3. 【請求項3】前記結晶粒の粒界相の含有量が1.0重量
    %以下である請求項1または請求項2記載の磁気ヘッド
    用基板
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