JP3121531B2 - Ｐｔｃセラミック素子の選別及びその製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃセラミック素子の選別及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3121531B2 JP3121531B2 JP07243444A JP24344495A JP3121531B2 JP 3121531 B2 JP3121531 B2 JP 3121531B2 JP 07243444 A JP07243444 A JP 07243444A JP 24344495 A JP24344495 A JP 24344495A JP 3121531 B2 JP3121531 B2 JP 3121531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic element
- ptc ceramic
- current
- ptc
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＴＣセラミック
素子に関し、特に所定温度以上に異常昇温しない加熱特
性が揃ったＰＴＣセラミック素子の選別及びその製造方
法に関する。
素子に関し、特に所定温度以上に異常昇温しない加熱特
性が揃ったＰＴＣセラミック素子の選別及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸バリウムを主成分とする
ＰＴＣセラミック素子では、その選別は抵抗値により行
われているが、ＰＴＣセラミック素子の抵抗値は製造過
程での焼成温度、焼成時間、雰囲気等の影響を受けやす
く、そのため、抵抗値にばらつきを生じ、抵抗値が規格
から外れる場合があった。規格から外れたＰＴＣセラミ
ック素子は、その抵抗値を調整できないために不良品と
なっていた。
ＰＴＣセラミック素子では、その選別は抵抗値により行
われているが、ＰＴＣセラミック素子の抵抗値は製造過
程での焼成温度、焼成時間、雰囲気等の影響を受けやす
く、そのため、抵抗値にばらつきを生じ、抵抗値が規格
から外れる場合があった。規格から外れたＰＴＣセラミ
ック素子は、その抵抗値を調整できないために不良品と
なっていた。
【０００３】これを解決するために、実開昭６３ー１０
５０２号等によりＰＴＣセラミック素子の抵抗値を調整
する方法が提案されている。図１０は従来の抵抗値の調
整方法の説明図で、ＰＴＣセラミック素子１の一方の面
には間隔を隔てて一対の電極２ａ、２ｂが形成されると
共に他方の面には一つの電極２ｃが形成され、電極２ｃ
をｘの幅だけ削除して、電極２ｃの面積を減少させるこ
とにより抵抗値の調整を行うものである。
５０２号等によりＰＴＣセラミック素子の抵抗値を調整
する方法が提案されている。図１０は従来の抵抗値の調
整方法の説明図で、ＰＴＣセラミック素子１の一方の面
には間隔を隔てて一対の電極２ａ、２ｂが形成されると
共に他方の面には一つの電極２ｃが形成され、電極２ｃ
をｘの幅だけ削除して、電極２ｃの面積を減少させるこ
とにより抵抗値の調整を行うものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の方法によると、電極面積を減少させるためには、電
極２ｃを削除する必要があるために削除作業に手間がか
かり、その結果、ＰＴＣセラミック素子１が高価なもの
となり、コストを削減するにも限界があった。
来の方法によると、電極面積を減少させるためには、電
極２ｃを削除する必要があるために削除作業に手間がか
かり、その結果、ＰＴＣセラミック素子１が高価なもの
となり、コストを削減するにも限界があった。
【０００５】また、ＰＴＣセラミック素子の選別を抵抗
値で管理しても、抵抗値測定はせいぜい数Ｖ程度で行う
ため、実際に高電圧で使用する場合と特性が大きく違っ
ている場合がある。また、抵抗値がほぼ同じであっても
表面温度が異なる場合もある。
値で管理しても、抵抗値測定はせいぜい数Ｖ程度で行う
ため、実際に高電圧で使用する場合と特性が大きく違っ
ている場合がある。また、抵抗値がほぼ同じであっても
表面温度が異なる場合もある。
【０００６】図９はＰＴＣセラミック素子の抵抗ー温度
特性に及ぼす電圧の影響を示すグラフで、（１）〜
（３）の各電圧で特性に差があり、ＰＴＣセラミック素
子にバリスタ特性があり、電圧依存性をもっていること
が分かる。
特性に及ぼす電圧の影響を示すグラフで、（１）〜
（３）の各電圧で特性に差があり、ＰＴＣセラミック素
子にバリスタ特性があり、電圧依存性をもっていること
が分かる。
【０００７】このため、低電圧で測定した特性に基づい
て実際の高電圧で使用すると、電圧依存性による特性の
違いから、ＰＴＣセラミック素子が所定温度から過剰に
昇温することがあった。よって例えば、床暖房等に用い
た場合、火傷等の事故に至ることがあった。
て実際の高電圧で使用すると、電圧依存性による特性の
違いから、ＰＴＣセラミック素子が所定温度から過剰に
昇温することがあった。よって例えば、床暖房等に用い
た場合、火傷等の事故に至ることがあった。
【０００８】そこで、本発明は、加熱能力が十分あり、
所定温度以上に異常昇温しない加熱特性が揃ったＰＴＣ
セラミックス素子を正確に選別及び製造する方法を提供
するものである。
所定温度以上に異常昇温しない加熱特性が揃ったＰＴＣ
セラミックス素子を正確に選別及び製造する方法を提供
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ある一定の比
較的放射係数が小さな条件下で通電した際、所定の表面
温度に対応する突入電流及び定常電流を上限値とし、そ
の上限値及び下限値を超えない突入電流及び定常電流を
有するＰＴＣセラミック素子を選定することを特徴とす
るＰＴＣセラミック素子の選別及びその製造方法であ
る。
較的放射係数が小さな条件下で通電した際、所定の表面
温度に対応する突入電流及び定常電流を上限値とし、そ
の上限値及び下限値を超えない突入電流及び定常電流を
有するＰＴＣセラミック素子を選定することを特徴とす
るＰＴＣセラミック素子の選別及びその製造方法であ
る。
【００１０】また、一方の面に間隔を隔てて形成された
一対の電極もしくは相対する一対の電極が形成されたＰ
ＴＣセラミック素子において、さらに、ＰＴＣセラミッ
ク素子の一方の面に間隔を隔てて一対の電極が形成さ
れ、他方の面に一つの電極が形成されたＰＴＣセラミッ
ク素子において、それぞれ突入電流が所定範囲を外れた
ものについては、前記他方の面に形成された電極に切断
溝を設けて突入電流の調整を行い、前記上限値を超えな
い突入電流を有するＰＴＣセラミック素子を選定するこ
とにより所望のＰＴＣセラミック素子を選別及び製造す
ることができる。
一対の電極もしくは相対する一対の電極が形成されたＰ
ＴＣセラミック素子において、さらに、ＰＴＣセラミッ
ク素子の一方の面に間隔を隔てて一対の電極が形成さ
れ、他方の面に一つの電極が形成されたＰＴＣセラミッ
ク素子において、それぞれ突入電流が所定範囲を外れた
ものについては、前記他方の面に形成された電極に切断
溝を設けて突入電流の調整を行い、前記上限値を超えな
い突入電流を有するＰＴＣセラミック素子を選定するこ
とにより所望のＰＴＣセラミック素子を選別及び製造す
ることができる。
【００１１】前記切断溝は、他方の面の電極の相隣る二
辺を斜めに横切って三角形が形成されるようにして微調
整することができる。
辺を斜めに横切って三角形が形成されるようにして微調
整することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１、図２及び図３はＰＴＣセラ
ミック素子の斜視図で、図１に示すＰＴＣセラミック素
子１は一方の面に一対の電極２ａ、２ｂが間隔を隔てて
形成され、他方の面には一つの電極２ｃが形成されたも
のである。
ミック素子の斜視図で、図１に示すＰＴＣセラミック素
子１は一方の面に一対の電極２ａ、２ｂが間隔を隔てて
形成され、他方の面には一つの電極２ｃが形成されたも
のである。
【００１３】図２に示すＰＴＣセラミック素子１は、一
方の面に一対の電極２ａ、２ｂが間隔を隔てて形成され
ているが、他方の面には電極が形成されていないもので
ある。
方の面に一対の電極２ａ、２ｂが間隔を隔てて形成され
ているが、他方の面には電極が形成されていないもので
ある。
【００１４】図３に示すＰＴＣセラミック素子１は、両
面に電極２を形成したものである。
面に電極２を形成したものである。
【００１５】図４はＰＴＣセラミック素子１を組み込ん
だパネルヒーターの測定装置の説明図で、放熱板６に電
極２ａ、２ｂを形成したＰＴＣセラミック素子１を絶縁
板８を介して貼りつけ、交流２００Ｖを通電して、抵抗
値、突入電流、定常電流、表面温度を測定した。
だパネルヒーターの測定装置の説明図で、放熱板６に電
極２ａ、２ｂを形成したＰＴＣセラミック素子１を絶縁
板８を介して貼りつけ、交流２００Ｖを通電して、抵抗
値、突入電流、定常電流、表面温度を測定した。
【００１６】図５はＰＴＣセラミック素子の時間ー電流
特性のグラフで、通電後急激に電流値が増加し、突入電
流に相当するピークに達した後、急激に電流値が減り、
やがて定常電流に落ち着く。
特性のグラフで、通電後急激に電流値が増加し、突入電
流に相当するピークに達した後、急激に電流値が減り、
やがて定常電流に落ち着く。
【００１７】なお、表面温度は、放熱板６に熱電対７を
取付け、断熱材５で押さえ閉塞状態で温度を測定した。
取付け、断熱材５で押さえ閉塞状態で温度を測定した。
【００１８】次に、ＰＴＣセラミック素子の突入電流調
整について説明すると、図６は切断溝を形成して突入電
流を調整したＰＴＣセラミック素子の斜視図、図７は切
断溝形成中に後端部が破損したＰＴＣセラミック素子の
斜視図、図８は本発明により切断溝を形成して突入電流
を微調整したＰＴＣセラミック素子の斜視図で、図１に
示すＰＴＣセラミック素子の突入電流を調整するため
に、電極２ｃに切断溝３を形成する。切断溝３を形成す
る位置ｘは、ＰＴＣセラミック素子毎に調整量と位置ｘ
の関係を予め求めておき、それに基づいて行えばよい。
また、目標値に近い突入電流値のＰＴＣセラミック素子
の電流を微調整する際、図６に示す切断溝の形成方法に
よると、ｘの幅が非常に小さくなり、そのまま切断溝を
入れると、図７のように素子１の縁が破損し、欠損部４
ができる場合がある。そこで、我々は種々検討した結
果、電極の所定幅ｘを削除せずとも、所定の位置に溝を
入れるだけで、電流調整が可能であるという知見を得
た。図８に示すように電極の相隣る二辺を斜めに横切っ
て三角形が形成されるようにし、ｙの幅を変化させるこ
とにより電流調整が可能である。なお、本発明による方
法では単に溝を構成するのみであること、また、ｙの幅
を大きくとることができることから、ＰＴＣセラミック
素子１の破損を招くようなことが少ない。
整について説明すると、図６は切断溝を形成して突入電
流を調整したＰＴＣセラミック素子の斜視図、図７は切
断溝形成中に後端部が破損したＰＴＣセラミック素子の
斜視図、図８は本発明により切断溝を形成して突入電流
を微調整したＰＴＣセラミック素子の斜視図で、図１に
示すＰＴＣセラミック素子の突入電流を調整するため
に、電極２ｃに切断溝３を形成する。切断溝３を形成す
る位置ｘは、ＰＴＣセラミック素子毎に調整量と位置ｘ
の関係を予め求めておき、それに基づいて行えばよい。
また、目標値に近い突入電流値のＰＴＣセラミック素子
の電流を微調整する際、図６に示す切断溝の形成方法に
よると、ｘの幅が非常に小さくなり、そのまま切断溝を
入れると、図７のように素子１の縁が破損し、欠損部４
ができる場合がある。そこで、我々は種々検討した結
果、電極の所定幅ｘを削除せずとも、所定の位置に溝を
入れるだけで、電流調整が可能であるという知見を得
た。図８に示すように電極の相隣る二辺を斜めに横切っ
て三角形が形成されるようにし、ｙの幅を変化させるこ
とにより電流調整が可能である。なお、本発明による方
法では単に溝を構成するのみであること、また、ｙの幅
を大きくとることができることから、ＰＴＣセラミック
素子１の破損を招くようなことが少ない。
【００１９】また、切断溝は、きわめて微小な電流値調
整を行うため、一方の面に間隔を隔てて形成される一対
の電極直下にあたる他方の面に形成された電極に設ける
ほうが他の部分に切断溝を形成させるよりも電流値の変
化量が小さいので精度良く調整するためには望ましい。
整を行うため、一方の面に間隔を隔てて形成される一対
の電極直下にあたる他方の面に形成された電極に設ける
ほうが他の部分に切断溝を形成させるよりも電流値の変
化量が小さいので精度良く調整するためには望ましい。
【００２０】さらに、ヒータユニット全体の形状を考慮
し、ＰＴＣセラミック素子の形状、電極の形態に制約が
ある場合には、図１１あるいは図１２のように電極層２
に切断溝３を入れ、それぞれ２ｂと２ｂ′、２、２′の
ように分断することも可能である。また、図１に示すセ
ラミック素子の電極の形態についても、図１３に示すよ
うに電極層２に切断溝３を両面に対して入れ、それぞれ
２ｂと２ｂ′、２と２ｃ′のように分断することも可能
である。
し、ＰＴＣセラミック素子の形状、電極の形態に制約が
ある場合には、図１１あるいは図１２のように電極層２
に切断溝３を入れ、それぞれ２ｂと２ｂ′、２、２′の
ように分断することも可能である。また、図１に示すセ
ラミック素子の電極の形態についても、図１３に示すよ
うに電極層２に切断溝３を両面に対して入れ、それぞれ
２ｂと２ｂ′、２と２ｃ′のように分断することも可能
である。
【００２１】
実施例１ 各種の抵抗値を有するＰＴＣセラミック素子について測
定した結果は表１のとおりである。
定した結果は表１のとおりである。
【００２２】
【表１】 表１において、合否の判定は、表面温度７０°Ｃ以下を
合格とした。
合格とした。
【００２３】また、表面温度が６０°Ｃを下回ると暖房
能力が小さくなりすぎるため、表面温度６０°Ｃ以上を
合格とした。
能力が小さくなりすぎるため、表面温度６０°Ｃ以上を
合格とした。
【００２４】表１から明らかなとおり、突入電流が表面
温度７０°Ｃでの突入電流４６ｍＡ以下であるＮｏ．８
及びＮｏ．１０は、表面温度が７０°Ｃ以上になること
はないから、選定したＰＴＣセラミック素子の突入電流
が７０°Ｃのそれを超えないかぎり、７０°Ｃを超える
表面温度にならないので、選定に信頼性が持てる。な
お、表１中の抵抗値は１Ｖの電圧下で測定した値を示し
ているが、従来から行われている抵抗値による選定を行
うと、抵抗値と表面温度との間に正確な相関関係がない
ために、所定温度以上に昇温する場合もあり、抵抗値に
よるＰＴＣセラミック素子の選定は信頼性に欠けること
が分かる。
温度７０°Ｃでの突入電流４６ｍＡ以下であるＮｏ．８
及びＮｏ．１０は、表面温度が７０°Ｃ以上になること
はないから、選定したＰＴＣセラミック素子の突入電流
が７０°Ｃのそれを超えないかぎり、７０°Ｃを超える
表面温度にならないので、選定に信頼性が持てる。な
お、表１中の抵抗値は１Ｖの電圧下で測定した値を示し
ているが、従来から行われている抵抗値による選定を行
うと、抵抗値と表面温度との間に正確な相関関係がない
ために、所定温度以上に昇温する場合もあり、抵抗値に
よるＰＴＣセラミック素子の選定は信頼性に欠けること
が分かる。
【００２５】一方、Ｎｏ．１１及びＮｏ．１２は突入電
流が範囲に入っているものの定常電流が１３ｍＡ未満で
あり、表面温度が６０°Ｃ以下であり、異常昇温はない
もの、暖房能力がないことが分かる。
流が範囲に入っているものの定常電流が１３ｍＡ未満で
あり、表面温度が６０°Ｃ以下であり、異常昇温はない
もの、暖房能力がないことが分かる。
【００２６】さらに、Ｎｏ．１３のように組成のバラツ
キの影響によって、違うキュリー点と思われるものにつ
いては、定常電流が大きくなって、表面温度も７９°Ｃ
と高くなっている。このようなものは全体から見ると数
量的には少ないが、定常電流から判断して除外される。
キの影響によって、違うキュリー点と思われるものにつ
いては、定常電流が大きくなって、表面温度も７９°Ｃ
と高くなっている。このようなものは全体から見ると数
量的には少ないが、定常電流から判断して除外される。
【００２７】実施例２ 図１に示す１５ｍｍ×２５ｍｍ×２．５ｍｍのＰＴＣセ
ラミック素子１に２００Ｖを通電したところ、突入電流
は７０ｍＡであった。この素子を図６に示すように、ｘ
＝７ｍｍのところに切断溝を設け、通電したところ、突
入電流は表面温度７０°Ｃの突入電流４６ｍＡ以下の４
５ｍＡとなり、表面温度は、６８°Ｃであり、７０°Ｃ
を超えることはなかった。
ラミック素子１に２００Ｖを通電したところ、突入電流
は７０ｍＡであった。この素子を図６に示すように、ｘ
＝７ｍｍのところに切断溝を設け、通電したところ、突
入電流は表面温度７０°Ｃの突入電流４６ｍＡ以下の４
５ｍＡとなり、表面温度は、６８°Ｃであり、７０°Ｃ
を超えることはなかった。
【００２８】実施例３ 実施例２と同様にして、ＰＴＣセラミック素子１に２０
０Ｖを通電したところ、突入電流は５１ｍＡであった。
この素子を図８に示すようにｙ＝９ｍｍの所に斜めの切
断溝を設け、通電すると突入電流は４３ｍＡとなり、表
面温度は、６５°Ｃであり、７０°Ｃを超えることはな
かった。
０Ｖを通電したところ、突入電流は５１ｍＡであった。
この素子を図８に示すようにｙ＝９ｍｍの所に斜めの切
断溝を設け、通電すると突入電流は４３ｍＡとなり、表
面温度は、６５°Ｃであり、７０°Ｃを超えることはな
かった。
【００２９】
【発明の効果】本発明の効果は、次のとおりである。
【００３０】（１） 本発明は、従来の抵抗値に代えて
突入電流を選別の基準とするのでＰＴＣセラミック素子
が正確に選別でき、異常昇温しない加熱特性が揃ったＰ
ＴＣセラミック素子が得られ、従来の抵抗値で選定した
場合に生じる所定温度以上に異常昇温するＰＴＣセラミ
ック素子がなくなる。
突入電流を選別の基準とするのでＰＴＣセラミック素子
が正確に選別でき、異常昇温しない加熱特性が揃ったＰ
ＴＣセラミック素子が得られ、従来の抵抗値で選定した
場合に生じる所定温度以上に異常昇温するＰＴＣセラミ
ック素子がなくなる。
【００３１】（２） 本発明は、突入電流の調整が電極
に切断溝を形成するだけであるから、従来の抵抗値調整
のように電極を剥がすのと異なり、手間がかからない。
また、微調整の場合、斜めの切断溝を形成するので、Ｐ
ＴＣセラミック素子の端部が欠損することなく簡単にで
きる。
に切断溝を形成するだけであるから、従来の抵抗値調整
のように電極を剥がすのと異なり、手間がかからない。
また、微調整の場合、斜めの切断溝を形成するので、Ｐ
ＴＣセラミック素子の端部が欠損することなく簡単にで
きる。
【図１】ＰＴＣセラミック素子の斜視図。
【図２】ＰＴＣセラミック素子の斜視図。
【図３】ＰＴＣセラミック素子の斜視図。
【図４】ＰＴＣセラミック素子を組み込んだパネルヒー
ターの測定装置の説明図。
ターの測定装置の説明図。
【図５】ＰＴＣセラミック素子の時間ー電流特性のグラ
フ。
フ。
【図６】本発明により切断溝を形成して突入電流を調整
した図１記載のＰＴＣセラミック素子の斜視図。
した図１記載のＰＴＣセラミック素子の斜視図。
【図７】切断溝形成中に端部が破損したＰＴＣセラミッ
ク素子の斜視図。
ク素子の斜視図。
【図８】本発明により切断溝を形成して突入電流を微調
整したＰＴＣセラミック素子の斜視図。
整したＰＴＣセラミック素子の斜視図。
【図９】ＰＴＣセラミック素子の抵抗ー温度特性に及ぼ
す電圧の影響を示すグラフ。
す電圧の影響を示すグラフ。
【図１０】従来の抵抗値の調整方法の説明図。
【図１１】本発明により切断溝を形成して突入電流を微
調整した図２記載のＰＴＣセラミック素子の斜視図。
調整した図２記載のＰＴＣセラミック素子の斜視図。
【図１２】本発明により切断溝を形成して突入電流を微
調整した図３記載のＰＴＣセラミック素子の斜視図。
調整した図３記載のＰＴＣセラミック素子の斜視図。
【図１３】本発明により両側に切断溝を形成して突入電
流を微調整した図１記載のＰＴＣセラミック素子の斜視
図。
流を微調整した図１記載のＰＴＣセラミック素子の斜視
図。
１ ＰＴＣセラミック素子、 ２、２′、２ａ、２ｂ、
２ｂ′、２ｃ 電極、３ 切断溝、 ４ 欠損部、 ５
断熱材、 ６ 放熱板、 ７熱電対、 ８絶縁板
２ｂ′、２ｃ 電極、３ 切断溝、 ４ 欠損部、 ５
断熱材、 ６ 放熱板、 ７熱電対、 ８絶縁板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の表面温度に対応する突入電流を設
定し、前記設定値の範囲を超えない突入電流を有するＰ
ＴＣセラミック素子を選定することを特徴とする加熱特
性がほぼ同一のＰＴＣセラミック素子の選別及びその製
造方法。 - 【請求項２】 所定の定常電流範囲にあるＰＴＣセラミ
ック素子を選定することを特徴とする請求項１記載のＰ
ＴＣセラミック素子の選別方法。 - 【請求項３】 一方の面に間隔を隔てて形成された一対
の電極、もしくは相対する面に一対の電極が形成された
ＰＴＣセラミック素子において、両方もしくはもう一方
の電極に切断溝を設けて突入電流及び定常電流の調整を
行い、設定値の範囲にある突入電流及び定常電流を有す
るＰＴＣセラミック素子を選定することを特徴とする請
求項１又は２記載のＰＴＣセラミック素子選別及びその
製造方法。 - 【請求項４】 一方の面に間隔を隔てて一対の電極が形
成され、他方の面に一つの電極が形成されたＰＴＣセラ
ミック素子において、前記他方の面に形成された電極に
切断溝を設けて突入電流及び定常電流の調整を行い、設
定値の範囲を超えない突入電流及び定常電流を有するＰ
ＴＣセラミック素子を選定することを特徴とする請求項
１又は２記載のＰＴＣセラミック素子選別及びその製造
方法。 - 【請求項５】 前記切断溝は一方の面に間隔を隔てて形
成される一対の電極直下にあたる他方の面に形成された
電極に設けることを特徴とする請求項１、２又は４記載
のＰＴＣセラミック素子の選別及びその製造方法。 - 【請求項６】 前記切断溝は他方の面の電極の相隣る二
辺を斜めに横切って三角形が形成されるように設けられ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の
ＰＴＣセラミック素子の選別及びその製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07243444A JP3121531B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | Ｐｔｃセラミック素子の選別及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07243444A JP3121531B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | Ｐｔｃセラミック素子の選別及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992504A JPH0992504A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3121531B2 true JP3121531B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=17103975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07243444A Expired - Fee Related JP3121531B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | Ｐｔｃセラミック素子の選別及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3121531B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100568407C (zh) | 2004-02-25 | 2009-12-09 | 株式会社村田制作所 | 正温度系数(ptc)元件的分选方法 |
| JP4501458B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2010-07-14 | 株式会社村田製作所 | Ｐｔｃ素子の選別方法 |
| JP2005243827A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | Ｐｔｃ素子の選別方法 |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP07243444A patent/JP3121531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0992504A (ja) | 1997-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4200970A (en) | Method of adjusting resistance of a thermistor | |
| US9779860B2 (en) | Resistor with temperature coefficient of resistance (TCR) compensation | |
| EP0471171B1 (de) | Vorrichtung zur Leistungssteuerung und -begrenzung bei einer Heizfläche aus Glaskeramik oder einem vergleichbaren Material | |
| GB2038550A (en) | Circuit protection devices comprising ptc elements | |
| WO1996031890A1 (en) | Buried layer capacitor | |
| JP3121531B2 (ja) | Ｐｔｃセラミック素子の選別及びその製造方法 | |
| KR100309157B1 (ko) | 정특성 서미스터 및 서미스터 소체 | |
| US3457637A (en) | Method for trimming cermet resistors | |
| CN103632780B (zh) | 一种片式热敏电阻及其阻值调节方法 | |
| Barker | Low ohm resistor series for optimum performance in high voltage surge applications | |
| JPH0582303A (ja) | Ｐｔｃサーミスタ | |
| JPH05258843A (ja) | 定着ヒータ及びその製造方法 | |
| JP3406690B2 (ja) | ライン型加熱体における温度検出素子の形成方法 | |
| JP2613343B2 (ja) | Ｐｔｃ素子 | |
| JP3837838B2 (ja) | 正特性サーミスタ | |
| US20230162895A1 (en) | Method for confectioning resistors, resistor, and heating device | |
| JPH088101A (ja) | 合成サーミスタ及びその合成方法 | |
| JPH05216360A (ja) | 定着ヒーター及びその製造方法 | |
| JP3837839B2 (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP3207478B2 (ja) | 加熱体の製造方法 | |
| JP3166784B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| Besch | 2.3 Thermal Properties | |
| JPH02267882A (ja) | 板状ヒータ | |
| JPH05251205A (ja) | Ｐｔｃ素子 | |
| EP0024320A2 (en) | Method of manufacturing thermally sensitive semiconductor switch |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000908 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |