JP3120329B2 - プラズマ・アドレス液晶表示パネルの電極形成方法及びチャンネル基板 - Google Patents
プラズマ・アドレス液晶表示パネルの電極形成方法及びチャンネル基板Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ・アドレ
ス液晶（ＰＡＬＣ）表示パネル用の電極構成方法及びチ
ャンネル基板に関する。
ス液晶（ＰＡＬＣ）表示パネル用の電極構成方法及びチ
ャンネル基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】アメリカ合衆国特許第５０７７５５３号
（日本国特許第２６０１７１３号に対応）は、データ蓄
積要素をアドレス指定する装置を記載している。このア
メリカ合衆国特許に示された装置を実践的に実施する方
法を図５に概略的に示す。
（日本国特許第２６０１７１３号に対応）は、データ蓄
積要素をアドレス指定する装置を記載している。このア
メリカ合衆国特許に示された装置を実践的に実施する方
法を図５に概略的に示す。
【０００３】図５に示す表示パネルは、下側から順番
に、偏光子２と、チャンネル基板４と、カバー・シート
６（マイクロシートとして周知である）と、電気光学材
料の層１０と、平行透明データ駆動電極の配列（図５の
場合、１２で示す１個のみのデータ駆動電極が見える）
と、データ駆動電極を支持する上側基板１４と、上側偏
光子１６とを具えている。チャンネル基板４は、典型的
には、ガラスで作られており、その上側主面に多数の平
行チャンネル２０が形成されている。リブ２２で分離さ
れたチャンネル２０には、ヘリウムの如きイオン化可能
なガスが充填されている。陽極２４及び陰極２６が、チ
ャンネル２０の各々に設けられている。チャンネル２０
は、データ駆動電極と直交しており、（パネルから垂直
に見た場合）データ駆動電極がチャンネルと交差する領
域が、個別のパネル要素２８を形成する。各パネル要素
は、層１０、上側偏光子１６、及び下側偏光子２の要素
を含んでいるとみなせる。カラー表示パネルの場合、パ
ネル要素は、層１０及び上側基板１４の間にカラー・フ
ィルタ（図示せず）を含んでいる。パネル要素の境界と
なる表示パネルの上側面の領域は、表示パネルの単一ピ
クセル３０を構成する。
に、偏光子２と、チャンネル基板４と、カバー・シート
６（マイクロシートとして周知である）と、電気光学材
料の層１０と、平行透明データ駆動電極の配列（図５の
場合、１２で示す１個のみのデータ駆動電極が見える）
と、データ駆動電極を支持する上側基板１４と、上側偏
光子１６とを具えている。チャンネル基板４は、典型的
には、ガラスで作られており、その上側主面に多数の平
行チャンネル２０が形成されている。リブ２２で分離さ
れたチャンネル２０には、ヘリウムの如きイオン化可能
なガスが充填されている。陽極２４及び陰極２６が、チ
ャンネル２０の各々に設けられている。チャンネル２０
は、データ駆動電極と直交しており、（パネルから垂直
に見た場合）データ駆動電極がチャンネルと交差する領
域が、個別のパネル要素２８を形成する。各パネル要素
は、層１０、上側偏光子１６、及び下側偏光子２の要素
を含んでいるとみなせる。カラー表示パネルの場合、パ
ネル要素は、層１０及び上側基板１４の間にカラー・フ
ィルタ（図示せず）を含んでいる。パネル要素の境界と
なる表示パネルの上側面の領域は、表示パネルの単一ピ
クセル３０を構成する。
【０００４】多数のチャンネル内の陽極は、接地電位に
維持されている。複数チャンネルの１つの陰極に適当な
負電圧を与えた場合、そのチャンネル内のガスがプラズ
マを形成し、このプラズマがカバー・シート６の下側面
に導電路を形成する。データ駆動電極が接地電位なら
ば、電気光学材料の体積のある要素（ボリューム要素）
には実質的な電界がなく、パネル要素はオフとみなせ
る。これとは反対に、データ駆動電極が接地と実質的に
異なる電位ならば、電気光学材料のボリューム要素内に
実質的な電界が生じ、パネル要素はオンとみなせる。
維持されている。複数チャンネルの１つの陰極に適当な
負電圧を与えた場合、そのチャンネル内のガスがプラズ
マを形成し、このプラズマがカバー・シート６の下側面
に導電路を形成する。データ駆動電極が接地電位なら
ば、電気光学材料の体積のある要素（ボリューム要素）
には実質的な電界がなく、パネル要素はオフとみなせ
る。これとは反対に、データ駆動電極が接地と実質的に
異なる電位ならば、電気光学材料のボリューム要素内に
実質的な電界が生じ、パネル要素はオンとみなせる。
【０００５】従来は、チャンネル基板及びカバー・シー
トを有するチャンネル基板アセンブリを形成し、上側基
板、データ駆動電極及び電気光学材料の層を有する上側
基板アセンブリを形成し、上側基板アセンブリをチャン
ネル基板アセンブリに取り付けて、図５に示す種類の表
示パネルを組み立てていた。チャンネル基板アセンブリ
を製造する際、カバー・シートをチャンネル基板の上面
を覆うように配置し、その周辺にて、チャンネル基板に
フリットにより密封した。
トを有するチャンネル基板アセンブリを形成し、上側基
板、データ駆動電極及び電気光学材料の層を有する上側
基板アセンブリを形成し、上側基板アセンブリをチャン
ネル基板アセンブリに取り付けて、図５に示す種類の表
示パネルを組み立てていた。チャンネル基板アセンブリ
を製造する際、カバー・シートをチャンネル基板の上面
を覆うように配置し、その周辺にて、チャンネル基板に
フリットにより密封した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ガラス・マトリクスに
分散されたＬａＢ6の如き微粉希土類ヘキサホウ化物の
被覆を有するニッケル又はクロムの基層を用いて、ＰＡ
ＬＣ表示パネル内に陰極、即ち、電極を作ることが知ら
れている。希土類ヘキサホウ化物をニッケル又はクロム
の基層上の被覆材料として用いる。これは、この被覆材
料の仕事関数が小さいので、電子放出が効率的であり、
昇華が中熱であるため、スパッタリングに対して耐性が
あるためである。しかし、この陰極構体には、いくつか
のアプリケーションで最適ではないとみなせるいくつか
の点がある。例えば、陰極の表面から電子をプラズマに
放出する電界を被覆材料内に確立できるように、被覆材
料がかなり高い抵抗性を有するが、希土類ヘキサホウ化
物の導電性がむしろ高くて、電界が最適よりも小さいと
みなせる方が望ましい。さらに、陰極が形成されると
き、この陰極が隆起（陰極の点、尾根、又は縁の如き表
面の湾曲の半径がゼロかゼロに近い凸状領域）を有する
ため、電界が陰極全体で不均一であるので、電流密度が
不均一になり、高温となり、所定チャンネル内の陰極及
び陽極の間にアークが生じる可能性がある。
分散されたＬａＢ6の如き微粉希土類ヘキサホウ化物の
被覆を有するニッケル又はクロムの基層を用いて、ＰＡ
ＬＣ表示パネル内に陰極、即ち、電極を作ることが知ら
れている。希土類ヘキサホウ化物をニッケル又はクロム
の基層上の被覆材料として用いる。これは、この被覆材
料の仕事関数が小さいので、電子放出が効率的であり、
昇華が中熱であるため、スパッタリングに対して耐性が
あるためである。しかし、この陰極構体には、いくつか
のアプリケーションで最適ではないとみなせるいくつか
の点がある。例えば、陰極の表面から電子をプラズマに
放出する電界を被覆材料内に確立できるように、被覆材
料がかなり高い抵抗性を有するが、希土類ヘキサホウ化
物の導電性がむしろ高くて、電界が最適よりも小さいと
みなせる方が望ましい。さらに、陰極が形成されると
き、この陰極が隆起（陰極の点、尾根、又は縁の如き表
面の湾曲の半径がゼロかゼロに近い凸状領域）を有する
ため、電界が陰極全体で不均一であるので、電流密度が
不均一になり、高温となり、所定チャンネル内の陰極及
び陽極の間にアークが生じる可能性がある。
【０００７】ヘリウム・ネオン（ＨｅＮｅ）レーザにお
いて、陰極は、典型的には、アルミニウムの筒である。
通常のグロー状態で動作するＨｅＮｅレーザでは、陰極
にスパッタリングが生じる可能性がある。ＨｅＮｅレー
ザの陰極でのスパッタリングの問題は、アルミニウム陰
極を陽極酸化して、改良できることが判った。
いて、陰極は、典型的には、アルミニウムの筒である。
通常のグロー状態で動作するＨｅＮｅレーザでは、陰極
にスパッタリングが生じる可能性がある。ＨｅＮｅレー
ザの陰極でのスパッタリングの問題は、アルミニウム陰
極を陽極酸化して、改良できることが判った。
【０００８】酸化雰囲気中で陽極的に加熱して熱的に、
又は、陽極として接続されたアルミニウム本体及び陰極
の間に酸化プラズマを確立して陽極的（anodically）
に、アルミニウム本体上に酸化アルミニウムの層を形成
できる。熱酸化アルミニウムは、良好な絶縁体である。
アルミニウムの本体上に熱酸化物を形成すると、酸化物
層の厚さは、一般的に均一であり、表面の形状に影響さ
れない。陽極酸化層（anodic oxide layer）をアルミニ
ウム本体に形成した際、この層の厚さは、表面の形状に
より決まる。これは、陽極酸化物が形成されるレートが
電流密度で決まり、この電流密度は形状で決まるためで
ある。好ましくは、陽極酸化物を、アルミニウム本体の
隆起として形成する。
又は、陽極として接続されたアルミニウム本体及び陰極
の間に酸化プラズマを確立して陽極的（anodically）
に、アルミニウム本体上に酸化アルミニウムの層を形成
できる。熱酸化アルミニウムは、良好な絶縁体である。
アルミニウムの本体上に熱酸化物を形成すると、酸化物
層の厚さは、一般的に均一であり、表面の形状に影響さ
れない。陽極酸化層（anodic oxide layer）をアルミニ
ウム本体に形成した際、この層の厚さは、表面の形状に
より決まる。これは、陽極酸化物が形成されるレートが
電流密度で決まり、この電流密度は形状で決まるためで
ある。好ましくは、陽極酸化物を、アルミニウム本体の
隆起として形成する。
【０００９】本発明は、プラズマ・アドレス液晶表示パ
ネルにおいて、電子放出効率を高め、スパッタリングに
よる損傷を防止できる電極を形成する方法及びチャンネ
ル基板を提供することである。
ネルにおいて、電子放出効率を高め、スパッタリングに
よる損傷を防止できる電極を形成する方法及びチャンネ
ル基板を提供することである。
【００１０】本発明の第１の観点によれば、本発明は、
プラズマ・アドレス液晶表示パネル用で、一面に複数の
チャンネルを有するチャンネル基板に電極を形成する方
法であって；陽極酸化されて抵抗性金属酸化物を形成す
る金属を有する少なくとも１個の導電ストリップをチャ
ンネル基板のチャンネル内に形成し；導電ストリップの
表面層を陽極酸化して、金属コアと、抵抗性金属酸化物
を有する電極を形成する。
プラズマ・アドレス液晶表示パネル用で、一面に複数の
チャンネルを有するチャンネル基板に電極を形成する方
法であって；陽極酸化されて抵抗性金属酸化物を形成す
る金属を有する少なくとも１個の導電ストリップをチャ
ンネル基板のチャンネル内に形成し；導電ストリップの
表面層を陽極酸化して、金属コアと、抵抗性金属酸化物
を有する電極を形成する。
【００１１】本発明の第２の観点によれば、本発明は、
プラズマ・アドレス液晶表示パネル用で、一面に複数の
チャンネルを有するチャンネル基板に電極を形成する方
法であって；陽極酸化されて抵抗性金属酸化物を形成す
る金属を有する少なくとも１個の導電ストリップをチャ
ンネル基板の少なくとも１個のチャンネル内に形成し；
陽極及び陰極として接続された導電ストリップの間に酸
化プラズマを発生させて、導電ストリップの金属を部分
的に陽極酸化させ、導電ストリップの表面層を陽極酸化
して、金属コアと、抵抗性金属酸化物を有する電極を形
成する。
プラズマ・アドレス液晶表示パネル用で、一面に複数の
チャンネルを有するチャンネル基板に電極を形成する方
法であって；陽極酸化されて抵抗性金属酸化物を形成す
る金属を有する少なくとも１個の導電ストリップをチャ
ンネル基板の少なくとも１個のチャンネル内に形成し；
陽極及び陰極として接続された導電ストリップの間に酸
化プラズマを発生させて、導電ストリップの金属を部分
的に陽極酸化させ、導電ストリップの表面層を陽極酸化
して、金属コアと、抵抗性金属酸化物を有する電極を形
成する。
【００１２】本発明の第３の観点によれば、本発明は、
プラズマ・アドレス液晶表示パネル用のチャンネル基板
上に電極を形成する方法であって；抵抗性陽極酸化物を
形成する金属である電極金属を所定パターンに応じて配
置し；電極金属を陽極酸化して、導電コアに抵抗性被膜
を形成する。
プラズマ・アドレス液晶表示パネル用のチャンネル基板
上に電極を形成する方法であって；抵抗性陽極酸化物を
形成する金属である電極金属を所定パターンに応じて配
置し；電極金属を陽極酸化して、導電コアに抵抗性被膜
を形成する。
【００１３】本発明の第４の観点によれば、一面に複数
のチャンネルを有すると共に、チャンネルの１つに少な
くとも１個の電極を有するプラズマ・アドレス液晶表示
パネル用チャンネル基板であって；１個の電極は、複合
構造を有し、金属と、この金属の抵抗性陽極酸化物の表
面層とを具えている。
のチャンネルを有すると共に、チャンネルの１つに少な
くとも１個の電極を有するプラズマ・アドレス液晶表示
パネル用チャンネル基板であって；１個の電極は、複合
構造を有し、金属と、この金属の抵抗性陽極酸化物の表
面層とを具えている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して、本発明
の好適な実施例を説明する。なお、添付図において、同
じ参照符号は、同じ要素を示す。また、特許請求の範囲
を含む本願明細書において、「上側」や、「下側」など
の方向や位置を表す用語は、図面に対して相対的な方向
を示すものであり、絶対的な意味に限定するものではな
い。
の好適な実施例を説明する。なお、添付図において、同
じ参照符号は、同じ要素を示す。また、特許請求の範囲
を含む本願明細書において、「上側」や、「下側」など
の方向や位置を表す用語は、図面に対して相対的な方向
を示すものであり、絶対的な意味に限定するものではな
い。
【００１５】図１は、本発明によるプラズマ・アドレス
液晶表示パネルのチャンネル基板の部分的断面図であ
り、図２は、チャンネル基板内の電極の１つの構成を示
す図１の部分拡大図であり、図３Ａは、プラズマ放電セ
ルにおける処理前の電極の拡大断面図であり、図３Ｂ
は、プラズマ放電セルにおける処理後の電極の拡大断面
図であり、図４は、図１に示すチャンネル基板の平面図
である。図１に示すチャンネル基板４は、チャンネル２
０の各々に２個の金属ストリップ（電極である陽極及び
陰極）４０及び４２を有する。図２及び図３Ａにおい
て、金属ストリップ４０及び４２の各々は、ガラス基板
に良好に付着するクロムの薄い基層４６と、アルミニウ
ムのカバー層４８とを有している。チャンネル基板４の
上側面全体にわたってクロムのブランケット層を配置
し、クロムの全領域にわたってアルミニウム層のブラン
ケット層を形成し、既知の写真印刷技術を用いてアルミ
ニウム層及びクロム層のエッチングすることにより金属
ストリップの所望パターンを形成して、金属ストリップ
を形成できる。図１及び図４に示すように、総ての金属
ストリップ４０及び４２は、レール５２により互いに電
気的に接続されている。レール５２は、チャンネル基板
４の縁に沿って延びており、単一の電気的連続電極を形
成する。
液晶表示パネルのチャンネル基板の部分的断面図であ
り、図２は、チャンネル基板内の電極の１つの構成を示
す図１の部分拡大図であり、図３Ａは、プラズマ放電セ
ルにおける処理前の電極の拡大断面図であり、図３Ｂ
は、プラズマ放電セルにおける処理後の電極の拡大断面
図であり、図４は、図１に示すチャンネル基板の平面図
である。図１に示すチャンネル基板４は、チャンネル２
０の各々に２個の金属ストリップ（電極である陽極及び
陰極）４０及び４２を有する。図２及び図３Ａにおい
て、金属ストリップ４０及び４２の各々は、ガラス基板
に良好に付着するクロムの薄い基層４６と、アルミニウ
ムのカバー層４８とを有している。チャンネル基板４の
上側面全体にわたってクロムのブランケット層を配置
し、クロムの全領域にわたってアルミニウム層のブラン
ケット層を形成し、既知の写真印刷技術を用いてアルミ
ニウム層及びクロム層のエッチングすることにより金属
ストリップの所望パターンを形成して、金属ストリップ
を形成できる。図１及び図４に示すように、総ての金属
ストリップ４０及び４２は、レール５２により互いに電
気的に接続されている。レール５２は、チャンネル基板
４の縁に沿って延びており、単一の電気的連続電極を形
成する。
【００１６】有機バインダー（接着剤）内のガラス・フ
リットのストリップ５６は、チャンネル基板４の周辺部
に配置し、酸素を含んだ雰囲気中でこのチャンネル基板
を焼成して、有機バインダーを除去する。この焼成操作
の結果、金属ストリップを覆って熱酸化アルミニウムが
構成される。圧力が５×１０-3ヘクトパスカルのアルゴ
ンと、５００ボルトの電圧によるバック・スパッタリン
グにより熱酸化物を除去する。再び図１を参照し、チャ
ンネル基板４を、プレート形成電極６０の真下のプラズ
マ放電容器内に配置する。この容器は、約２００ヘクト
パスカルの圧力である空気の雰囲気を含んでいる。レー
ル５２は、直流電源６４の正端子に接続されており、プ
レート形成電極６０は、この直流電源６４の負端子に接
続されており、陽極としてのストリップ４０及び４２
と、陰極としてのプレート６０との間にプラズマが生じ
る。アルミニウム・カバー層４８を部分的に陽極酸化す
ると、その結果、アルミニウム・カバー層４８が、アル
ミニウムの陽極酸化の層６８で覆われたアルミニウムの
いくらか薄い層（導電コア）４８’に変化する。
リットのストリップ５６は、チャンネル基板４の周辺部
に配置し、酸素を含んだ雰囲気中でこのチャンネル基板
を焼成して、有機バインダーを除去する。この焼成操作
の結果、金属ストリップを覆って熱酸化アルミニウムが
構成される。圧力が５×１０-3ヘクトパスカルのアルゴ
ンと、５００ボルトの電圧によるバック・スパッタリン
グにより熱酸化物を除去する。再び図１を参照し、チャ
ンネル基板４を、プレート形成電極６０の真下のプラズ
マ放電容器内に配置する。この容器は、約２００ヘクト
パスカルの圧力である空気の雰囲気を含んでいる。レー
ル５２は、直流電源６４の正端子に接続されており、プ
レート形成電極６０は、この直流電源６４の負端子に接
続されており、陽極としてのストリップ４０及び４２
と、陰極としてのプレート６０との間にプラズマが生じ
る。アルミニウム・カバー層４８を部分的に陽極酸化す
ると、その結果、アルミニウム・カバー層４８が、アル
ミニウムの陽極酸化の層６８で覆われたアルミニウムの
いくらか薄い層（導電コア）４８’に変化する。
【００１７】陽極酸化の層６８を形成した後、例えば、
部分７２をエッチングで取り去りって、各対の金属スト
リップ４２をその対の他のストリップから分離する。一
方、ストリップ４０は、レール５２に接続したままにす
る（接地接続された陽極として使用するため）。
部分７２をエッチングで取り去りって、各対の金属スト
リップ４２をその対の他のストリップから分離する。一
方、ストリップ４０は、レール５２に接続したままにす
る（接地接続された陽極として使用するため）。
【００１８】次に、カバー・シートは、チャンネル基板
を覆って配置され、チャンネル基板アセンブリを加熱し
て、カバー・シートをチャンネル基板にフリットにより
密封する。加熱は、不活性雰囲気中で行い、ストリップ
４０及び４２の熱酸化アルミニウムが形成されること
や、陽極酸化が熱酸化に変化することを防止する。従来
方法により、チャンネル基板アセンブリを上側基板アセ
ンブリに取り付ける。完成したＰＡＬＣ表示パネルの動
作において、ストリップ４０は、レール５２を介して接
地に接続するので、陽極として動作する。また、ストリ
ップ４２は、各ドライバに接続して、適切な負電圧を供
給するので、陰極として動作する。
を覆って配置され、チャンネル基板アセンブリを加熱し
て、カバー・シートをチャンネル基板にフリットにより
密封する。加熱は、不活性雰囲気中で行い、ストリップ
４０及び４２の熱酸化アルミニウムが形成されること
や、陽極酸化が熱酸化に変化することを防止する。従来
方法により、チャンネル基板アセンブリを上側基板アセ
ンブリに取り付ける。完成したＰＡＬＣ表示パネルの動
作において、ストリップ４０は、レール５２を介して接
地に接続するので、陽極として動作する。また、ストリ
ップ４２は、各ドライバに接続して、適切な負電圧を供
給するので、陰極として動作する。
【００１９】上述の方法で製造した陰極構体は、ＰＡＬ
Ｃ表示パネルに今まで用いた従来の陰極構体に対して、
顕著な利点を有する。特に、陽極酸化の昇華の熱は、従
来使用した希土類ヘキサホウ化物よりも高いので、スパ
ッタリングによる損傷に一層の耐性がある。さらに、陽
極酸化の抵抗は、従来使用した希土類ヘキサホウ化物よ
りも高いので、陽極酸化層は、電極表面への電子の放出
を促進する電界を助ける。陽極酸化は、図３Ｂの隅７６
に示すように、選択的に隆起を作るので、これは、最大
電界を下げる。よって、スパッタリング損傷を増やす電
流密度の不均一性、アーク及びホット・スポットの危険
が減る。
Ｃ表示パネルに今まで用いた従来の陰極構体に対して、
顕著な利点を有する。特に、陽極酸化の昇華の熱は、従
来使用した希土類ヘキサホウ化物よりも高いので、スパ
ッタリングによる損傷に一層の耐性がある。さらに、陽
極酸化の抵抗は、従来使用した希土類ヘキサホウ化物よ
りも高いので、陽極酸化層は、電極表面への電子の放出
を促進する電界を助ける。陽極酸化は、図３Ｂの隅７６
に示すように、選択的に隆起を作るので、これは、最大
電界を下げる。よって、スパッタリング損傷を増やす電
流密度の不均一性、アーク及びホット・スポットの危険
が減る。
【００２０】本発明は、上述の特定実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱することなく種々の
変形変更が可能なことが理解できよう。例えば、本発明
は、絶縁マトリクスに埋め込んだアルミニウム粒子の形
式でもよいので、クロム基層を覆う連続層として設けた
アルミニウムに限定されるものではない。また、この場
合、層の表面に露出したアルミニウム粒子は、陽極酸化
アルミニウムの被覆を受ける。さらに、本発明は、アル
ミニウム以外の金属、例えば、マグネシウムなどの金属
でも陽極酸化物を適切に形成できるので、陽極酸化層を
形成する金属としてアルミニウムを用いることに限定さ
れるものではない。また、上述の実施例では、便宜上、
処理において、陽極酸化層を各チャンネルにおける陰極
及び陽極の両方に形成したが、陽極酸化層の利点は主に
陰極で得られるので、本発明は、これら両方の電極に陽
極酸化層を形成する点に限定されるものではない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱することなく種々の
変形変更が可能なことが理解できよう。例えば、本発明
は、絶縁マトリクスに埋め込んだアルミニウム粒子の形
式でもよいので、クロム基層を覆う連続層として設けた
アルミニウムに限定されるものではない。また、この場
合、層の表面に露出したアルミニウム粒子は、陽極酸化
アルミニウムの被覆を受ける。さらに、本発明は、アル
ミニウム以外の金属、例えば、マグネシウムなどの金属
でも陽極酸化物を適切に形成できるので、陽極酸化層を
形成する金属としてアルミニウムを用いることに限定さ
れるものではない。また、上述の実施例では、便宜上、
処理において、陽極酸化層を各チャンネルにおける陰極
及び陽極の両方に形成したが、陽極酸化層の利点は主に
陰極で得られるので、本発明は、これら両方の電極に陽
極酸化層を形成する点に限定されるものではない。
【００２１】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、導電スト
リップを陽極酸化するため、昇華温度が高いのでスパッ
タリングによる損傷に対する耐性を一層強化でき、抵抗
が高いので電子放出を促進し、隆起を作るので最大電界
を低くすることができる。よって、スパッタリング損傷
を増やす電流密度の不均一性、アーク及びホット・スポ
ットの危険性を下げることができる。
リップを陽極酸化するため、昇華温度が高いのでスパッ
タリングによる損傷に対する耐性を一層強化でき、抵抗
が高いので電子放出を促進し、隆起を作るので最大電界
を低くすることができる。よって、スパッタリング損傷
を増やす電流密度の不均一性、アーク及びホット・スポ
ットの危険性を下げることができる。
【図１】本発明によるプラズマ放電セルにおけるプラズ
マ・アドレス液晶表示パネルのチャンネル基板の部分的
断面図である。
マ・アドレス液晶表示パネルのチャンネル基板の部分的
断面図である。
【図２】チャンネル基板内の電極の１つの構成を示すた
めに、図１の細部の拡大図である。
めに、図１の細部の拡大図である。
【図３】Ａは、プラズマ放電セルにおける処理の前の電
極を拡大した簡単な断面図であり、Ｂは、プラズマ放電
セルにおける処理の後の電極をＡと同様に示した図であ
る。
極を拡大した簡単な断面図であり、Ｂは、プラズマ放電
セルにおける処理の後の電極をＡと同様に示した図であ
る。
【図４】図１に示すチャンネル基板の平面図である。
【図５】従来のプラズマ・アドレス液晶表示パネルの断
面図である。
面図である。
４ チャンネル基板 ２０ チャンネル ４０、４２ 金属ストリップ ４６ 基層 ４８ アルミニウム・カバー層 ４８’ アルミニウムのいくらか薄い層（導電コア） ５２ レール ６０ プレート形成電極 ６４ 直流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ディー・ヒンクリッフ アメリカ合衆国 オレゴン州 97132 ニューバーグ ノースイースト リボ ン・リッジ・ロード 18815 (72)発明者 ケビン・ジェイ・イルシシン アメリカ合衆国 オレゴン州 97007 ビーバートン サウスウエスト ハーギ ス・ロード 16728 (72)発明者 ジョン・エス・ムーア アメリカ合衆国 オレゴン州 97006 ビーバートン ノースウエスト オーク モント・ループ 15087 (56)参考文献 特開 平５−264979（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1333 G02F 1/1343
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマ・アドレス液晶表示パネル用
で、一面に複数のチャンネルを有するチャンネル基板に
電極を形成する方法であって、 陽極酸化されて抵抗性金属酸化物を形成する金属を有す
る少なくとも１個の導電ストリップを上記チャンネル基
板のチャンネル内に形成し、 上記導電ストリップの表面層を陽極酸化して、金属コア
と、上記抵抗性金属酸化物を有する電極を形成すること
を特徴とする電極形成方法。 - 【請求項２】 プラズマ・アドレス液晶表示パネル用
で、一面に複数のチャンネルを有するチャンネル基板に
電極を形成する方法であって、 陽極酸化されて抵抗性金属酸化物を形成する金属を有す
る少なくとも１個の導電ストリップを上記チャンネル基
板の少なくとも１個のチャンネル内に形成し、 陽極及び陰極として接続された上記導電ストリップの間
に酸化プラズマを発生させて、上記導電ストリップの金
属を部分的に陽極酸化させ、上記導電ストリップの表面
層を陽極酸化して、金属コアと、上記抵抗性金属酸化物
を有する電極を形成することを特徴とする電極形成方
法。 - 【請求項３】 プラズマ・アドレス液晶表示パネル用の
チャンネル基板上に電極を形成する方法であって、 抵抗性陽極酸化物を形成する金属である電極金属を所定
パターンに応じて配置し、 上記電極金属を陽極酸化して、導電コアに抵抗性被膜を
形成することを特徴とする電極形成方法。 - 【請求項４】 一面に複数のチャンネルを有すると共
に、上記チャンネルの１つに少なくとも１個の電極を有
するプラズマ・アドレス液晶表示パネル用チャンネル基
板であって、 上記１個の電極は、複合構造を有し、金属と、該金属の
抵抗性陽極酸化物の表面層とを具えることを特徴とする
チャンネル基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US2162596P | 1996-07-12 | 1996-07-12 | |
| US60/021,625 | 1996-07-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090664A JPH1090664A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3120329B2 true JP3120329B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=21805257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09183890A Expired - Fee Related JP3120329B2 (ja) | 1996-07-12 | 1997-07-09 | プラズマ・アドレス液晶表示パネルの電極形成方法及びチャンネル基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5897415A (ja) |
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| JP (1) | JP3120329B2 (ja) |
| KR (1) | KR980010502A (ja) |
| TW (1) | TW349216B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH117002A (ja) * | 1997-06-05 | 1999-01-12 | Tektronix Inc | プラズマ・アドレス液晶パネル及びその製造方法 |
| GB2410611B (en) * | 2001-05-04 | 2005-12-21 | Samsung Sdi Co Ltd | Plate for plasma display panel (PDP), method for fabricating the plate, and PDP having the panel |
| KR100399787B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2003-09-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판과 이 기판의 제조방법 및 이 기판을 가지는 플라즈마표시장치 |
| US20050246165A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Pettinelli Eugene E | System and method for analyzing and improving a discourse engaged in by a number of interacting agents |
| US7226572B1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-06-05 | Conocophillips Company | Compact sulfur recovery plant and process |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8003697A (nl) * | 1980-06-26 | 1982-01-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrische ontladingsinrichting voorzien van een op een glazen substraat aangebracht elektrodenpatroon en aldus verkregen elektrische ontladingsinrichting. |
| US4494037A (en) * | 1980-06-26 | 1985-01-15 | U.S. Philips Corporation | Gas discharge display device having anodized and unanodized electrode surface areas |
| JPS58209847A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネルの製造方法 |
| JPH0495332A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 放電電極 |
| JP2720662B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1998-03-04 | 双葉電子工業株式会社 | 電界放出素子及びその製造方法 |
| JP3264027B2 (ja) * | 1993-02-24 | 2002-03-11 | ソニー株式会社 | 放電セル及びその製造方法 |
| SG64844A1 (en) * | 1994-07-21 | 1999-05-25 | Sony Corp | Plasma-addressed display device |
| US5835167A (en) * | 1994-12-21 | 1998-11-10 | Philips Electronics North America | Plasma addressed liquid crystal display with reduced column voltages |
-
1997
- 1997-07-08 EP EP97305007A patent/EP0818799A3/en not_active Withdrawn
- 1997-07-09 JP JP09183890A patent/JP3120329B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-09 KR KR1019970031636A patent/KR980010502A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-07-11 US US08/893,409 patent/US5897415A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-09 TW TW086110042A patent/TW349216B/zh active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0818799A3 (en) | 1998-09-23 |
| EP0818799A2 (en) | 1998-01-14 |
| JPH1090664A (ja) | 1998-04-10 |
| KR980010502A (ko) | 1998-04-30 |
| TW349216B (en) | 1999-01-01 |
| US5897415A (en) | 1999-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |