JPH06251718A - プラズマアドレス表示装置 - Google Patents
プラズマアドレス表示装置Info
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- JPH06251718A JPH06251718A JP5061079A JP6107993A JPH06251718A JP H06251718 A JPH06251718 A JP H06251718A JP 5061079 A JP5061079 A JP 5061079A JP 6107993 A JP6107993 A JP 6107993A JP H06251718 A JPH06251718 A JP H06251718A
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- thin film
- plasma
- electrode
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133374—Constructional arrangements; Manufacturing methods for displaying permanent signs or marks
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマセルのストライプ状放電電極の電気
抵抗値を低減化し表示装置の大型化に対応する。 【構成】 プラズマアドレス表示装置は、列方向に整列
するストライプ状の信号電極Ｄを備えた表示セル１と、
行方向に整列するストライプ状の放電電極９を備えたプ
ラズマセル２を互いに重ねたフラットパネル構造を有す
る。放電電極９は、ガラス基板７上にパタニング形成さ
れた金属薄膜層１２と、その上に電気メッキされた金属
厚膜層１３とからなる二層構造を有する。金属厚膜層１
３は電気メッキにより数十μｍ〜数百μｍの厚みで堆積
できるので電気抵抗値を大幅に低減化可能である。
抵抗値を低減化し表示装置の大型化に対応する。 【構成】 プラズマアドレス表示装置は、列方向に整列
するストライプ状の信号電極Ｄを備えた表示セル１と、
行方向に整列するストライプ状の放電電極９を備えたプ
ラズマセル２を互いに重ねたフラットパネル構造を有す
る。放電電極９は、ガラス基板７上にパタニング形成さ
れた金属薄膜層１２と、その上に電気メッキされた金属
厚膜層１３とからなる二層構造を有する。金属厚膜層１
３は電気メッキにより数十μｍ〜数百μｍの厚みで堆積
できるので電気抵抗値を大幅に低減化可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示セルとプラズマセル
とを互いに重ねたフラットパネル構造を有するプラズマ
アドレス表示装置に関する。より詳しくは、プラズマセ
ルに形成されるストライプ状の放電電極の構造に関す
る。
とを互いに重ねたフラットパネル構造を有するプラズマ
アドレス表示装置に関する。より詳しくは、プラズマセ
ルに形成されるストライプ状の放電電極の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プラズマアドレス表示装置は、例えば特
開平１−２１７３９６号公報に開示されている。図５に
示す様に、この従来装置は表示セル１０１とプラズマセ
ル１０２と両者の間に介在する誘電体シート１０３とか
らなる積層フラットパネル構造を有している。プラズマ
セル１０２はガラス基板１０４を用いて形成されてお
り、その表面に複数のストライプ状溝１０５が設けられ
ている。この溝１０５は例えば行列マトリクスの行方向
に延設されている。各溝１０５は誘電体シート１０３に
よって密封されており個々に分離した放電チャネル１０
６を構成している。この密閉された放電チャネル１０６
にはイオン化可能なガスが封入されている。隣合う溝１
０５を隔てる凸条部１０７は個々の放電チャネル１０６
を区分けする隔壁の役割を果たすとともに放電チャネル
１０６のギャップスペーサとしての役割も果たしてい
る。各溝１０５の湾曲した底部には互いに平行な一対の
放電電極１０８，１０９が設けられている。一対の放電
電極はアノード及びカソードとして機能し放電チャネル
１０６内のガスをイオン化してプラズマを発生する。か
かる放電チャネルは行走査単位となる。
開平１−２１７３９６号公報に開示されている。図５に
示す様に、この従来装置は表示セル１０１とプラズマセ
ル１０２と両者の間に介在する誘電体シート１０３とか
らなる積層フラットパネル構造を有している。プラズマ
セル１０２はガラス基板１０４を用いて形成されてお
り、その表面に複数のストライプ状溝１０５が設けられ
ている。この溝１０５は例えば行列マトリクスの行方向
に延設されている。各溝１０５は誘電体シート１０３に
よって密封されており個々に分離した放電チャネル１０
６を構成している。この密閉された放電チャネル１０６
にはイオン化可能なガスが封入されている。隣合う溝１
０５を隔てる凸条部１０７は個々の放電チャネル１０６
を区分けする隔壁の役割を果たすとともに放電チャネル
１０６のギャップスペーサとしての役割も果たしてい
る。各溝１０５の湾曲した底部には互いに平行な一対の
放電電極１０８，１０９が設けられている。一対の放電
電極はアノード及びカソードとして機能し放電チャネル
１０６内のガスをイオン化してプラズマを発生する。か
かる放電チャネルは行走査単位となる。
【０００３】一方表示セル１０１は透明基板１１０を用
いて構成されている。この透明基板１１０は誘電体シー
ト１０３に所定の間隙を介して対向配置されており間隙
内には表示材料として例えば液晶層１１１が充填封入さ
れている。又、透明基板１１０の内表面には透明導電材
料からなる信号電極１１２が形成されている。この信号
電極１１２は放電チャネル１０６と直交しており列駆動
単位となる。列駆動単位と行走査単位の交差部にマトリ
クス状の画素が規定される。かかる構成を有するプラズ
マアドレス表示装置においては、プラズマ放電が行なわ
れる放電チャネル１０６を線順次で切り換え走査すると
ともに、この走査に同期して表示セル側の信号電極１１
２に画像信号を印加する事により表示駆動が行なわれ
る。放電チャネル１０６内にプラズマが発生すると内部
は略一様にアノード電位になり１行毎の画素選択が行な
われる。即ち、放電チャネル１０６はサンプリングスイ
ッチとして機能する。サンプリングスイッチが導通した
状態で各画素に画像信号が印加されると、サンプリング
ホールドが行なわれ画素の点灯もしくは消灯が制御でき
る。プラズマサンプリングスイッチが非導通状態になっ
た後にも画像信号はそのまま画素内に保持される。
いて構成されている。この透明基板１１０は誘電体シー
ト１０３に所定の間隙を介して対向配置されており間隙
内には表示材料として例えば液晶層１１１が充填封入さ
れている。又、透明基板１１０の内表面には透明導電材
料からなる信号電極１１２が形成されている。この信号
電極１１２は放電チャネル１０６と直交しており列駆動
単位となる。列駆動単位と行走査単位の交差部にマトリ
クス状の画素が規定される。かかる構成を有するプラズ
マアドレス表示装置においては、プラズマ放電が行なわ
れる放電チャネル１０６を線順次で切り換え走査すると
ともに、この走査に同期して表示セル側の信号電極１１
２に画像信号を印加する事により表示駆動が行なわれ
る。放電チャネル１０６内にプラズマが発生すると内部
は略一様にアノード電位になり１行毎の画素選択が行な
われる。即ち、放電チャネル１０６はサンプリングスイ
ッチとして機能する。サンプリングスイッチが導通した
状態で各画素に画像信号が印加されると、サンプリング
ホールドが行なわれ画素の点灯もしくは消灯が制御でき
る。プラズマサンプリングスイッチが非導通状態になっ
た後にも画像信号はそのまま画素内に保持される。
【０００４】上述した従来例では、放電電極としてスト
ライプ状にパタニング形成された金属薄膜を用いてい
る。これに代えて、放電電極として印刷厚膜電極を用い
た従来例が、例えば特開平４−２６５９３１号公報に開
示されている。図６に示す様に、この従来装置は一主面
上に互いに平行な複数の信号電極２０１を有する上側の
ガラス基板２０２と、一主面上に該信号電極２０１と直
交し且つ互いに平行な複数の放電電極２０３を有する下
側のガラス基板２０４とを備えている。この構造ではス
トライプ状の放電電極２０３は基板２０４の平坦面に形
成されるので、スクリーン印刷技術等が適用でき厚膜電
極材料が使用可能になる。一対の基板２０２，２０４は
信号電極２０１と放電電極２０３とが対向する様に互い
に平行に配置されている。上側のガラス基板２０２に設
けられた信号電極２０１と接する様に液晶層２０５が間
挿されている。この液晶層２０５は誘電体シート２０６
によって下側の基板２０４から隔てられている。誘電体
シート２０６と下側の基板２０４との間の空間にはイオ
ン化可能なガスが封入されている。この空間は印刷法に
より形成された隔壁２０８によって分割されており個々
の放電チャネル２０７を構成する。各放電チャネル２０
７の中には一対の放電電極２０３即ちアノードＡ及びカ
ソードＫが収納されている。
ライプ状にパタニング形成された金属薄膜を用いてい
る。これに代えて、放電電極として印刷厚膜電極を用い
た従来例が、例えば特開平４−２６５９３１号公報に開
示されている。図６に示す様に、この従来装置は一主面
上に互いに平行な複数の信号電極２０１を有する上側の
ガラス基板２０２と、一主面上に該信号電極２０１と直
交し且つ互いに平行な複数の放電電極２０３を有する下
側のガラス基板２０４とを備えている。この構造ではス
トライプ状の放電電極２０３は基板２０４の平坦面に形
成されるので、スクリーン印刷技術等が適用でき厚膜電
極材料が使用可能になる。一対の基板２０２，２０４は
信号電極２０１と放電電極２０３とが対向する様に互い
に平行に配置されている。上側のガラス基板２０２に設
けられた信号電極２０１と接する様に液晶層２０５が間
挿されている。この液晶層２０５は誘電体シート２０６
によって下側の基板２０４から隔てられている。誘電体
シート２０６と下側の基板２０４との間の空間にはイオ
ン化可能なガスが封入されている。この空間は印刷法に
より形成された隔壁２０８によって分割されており個々
の放電チャネル２０７を構成する。各放電チャネル２０
７の中には一対の放電電極２０３即ちアノードＡ及びカ
ソードＫが収納されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５に示した第一の従
来例では、プラズマセルは複数の溝が形成されたガラス
基板を用いて構成されている。溝の湾曲した底部に一対
の放電電極が形成されている。平坦面ではなく凹凸面に
対して電極を形成する為に、従来フォトリソグラフィ及
びエッチング技術が採用されていた。例えばスパッタリ
ングあるいは真空蒸着により金属薄膜を全面的に堆積し
た後、選択的エッチングを行なって薄膜の放電電極を得
ている。しかしながら、薄膜電極の膜厚は極めて薄く電
気抵抗が大きい。従って、表示画像の大面積化に応じて
放電電極の延設距離を長くした場合電源供給端部から遠
ざかるに従って電気抵抗の為に電圧降下が起る。この電
圧降下が生じると一様且つ安定したプラズマ放電が困難
になるという課題がある。仮に、薄膜電極の厚みを大き
くして電気抵抗を下げようとすると、薄膜の内部応力に
より剥離や亀裂が生じる。
来例では、プラズマセルは複数の溝が形成されたガラス
基板を用いて構成されている。溝の湾曲した底部に一対
の放電電極が形成されている。平坦面ではなく凹凸面に
対して電極を形成する為に、従来フォトリソグラフィ及
びエッチング技術が採用されていた。例えばスパッタリ
ングあるいは真空蒸着により金属薄膜を全面的に堆積し
た後、選択的エッチングを行なって薄膜の放電電極を得
ている。しかしながら、薄膜電極の膜厚は極めて薄く電
気抵抗が大きい。従って、表示画像の大面積化に応じて
放電電極の延設距離を長くした場合電源供給端部から遠
ざかるに従って電気抵抗の為に電圧降下が起る。この電
圧降下が生じると一様且つ安定したプラズマ放電が困難
になるという課題がある。仮に、薄膜電極の厚みを大き
くして電気抵抗を下げようとすると、薄膜の内部応力に
より剥離や亀裂が生じる。
【０００６】一方、図６に示した第二の従来例では、基
板の平坦面に対してスクリーン印刷技術を適用しストラ
イプ状の放電電極を形成している。スクリーン印刷技術
を用いると厚膜電極材料が使用できる為、図５に示した
薄膜電極に比べ電気抵抗値を低減化可能である。しかし
ながら、スクリーン印刷技術は平坦な表面を有する基板
にしか適用できず、構造上種々の利点を有するストライ
プ状溝の形成された凹凸表面に対して適用する事は困難
であるという課題がある。又、印刷厚膜電極は塗布した
後高温加熱により焼成する必要があり、基板の熱収縮の
為電極位置ずれが生じ、精度的に劣るという課題があ
る。さらに、印刷厚膜電極材料は導電性粒子とバインダ
ーとの混合組成物からなり、薄膜金属電極に比べ組成の
均一性に劣るという課題がある。この為、局部的に放電
電流のばらつきが発生する。
板の平坦面に対してスクリーン印刷技術を適用しストラ
イプ状の放電電極を形成している。スクリーン印刷技術
を用いると厚膜電極材料が使用できる為、図５に示した
薄膜電極に比べ電気抵抗値を低減化可能である。しかし
ながら、スクリーン印刷技術は平坦な表面を有する基板
にしか適用できず、構造上種々の利点を有するストライ
プ状溝の形成された凹凸表面に対して適用する事は困難
であるという課題がある。又、印刷厚膜電極は塗布した
後高温加熱により焼成する必要があり、基板の熱収縮の
為電極位置ずれが生じ、精度的に劣るという課題があ
る。さらに、印刷厚膜電極材料は導電性粒子とバインダ
ーとの混合組成物からなり、薄膜金属電極に比べ組成の
均一性に劣るという課題がある。この為、局部的に放電
電流のばらつきが発生する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明は電気抵抗値が低く基板凹凸面にも適
用でき均一な組成を有し位置精度にも優れた、放電電極
構造を提供する事を目的とする。かかる目的を達成する
為に以下の手段を講じた。即ち、本発明にかかるプラズ
マアドレス表示装置は、基本的な構成要件として、列方
向に整列するストライプ状の信号電極を備えた表示セル
と、行方向に整列するストライプ状の放電電極を備えた
プラズマセルとを互いに重ねたフラットパネル構造を有
する。特徴事項として、前記放電電極は基板上にパタニ
ング形成された金属薄膜層と、その上に電気メッキされ
た金属厚膜層とを含む積層構造を有する。前記金属薄膜
層は、例えばスパッタリング又は真空蒸着により成膜さ
れた金属クロムからなり、前記金属厚膜層は電気メッキ
により析出した金属ニッケルからなる。かかる積層構造
を有する放電電極は、基板平坦面だけではなく基板表面
に形成されたストライプ状溝の内部に配設する事も可能
である。又、本発明にかかるプラズマ放電用電極の作成
方法は、基板上にスパッタリング又は真空蒸着で金属薄
膜層を成膜する工程と、フォトリソグラフィ及びエッチ
ングで該金属薄膜層をストライプ状にパタニングする工
程と、電気メッキにより該金属薄膜層の上に金属厚膜層
を成膜する工程とからなる。
題に鑑み、本発明は電気抵抗値が低く基板凹凸面にも適
用でき均一な組成を有し位置精度にも優れた、放電電極
構造を提供する事を目的とする。かかる目的を達成する
為に以下の手段を講じた。即ち、本発明にかかるプラズ
マアドレス表示装置は、基本的な構成要件として、列方
向に整列するストライプ状の信号電極を備えた表示セル
と、行方向に整列するストライプ状の放電電極を備えた
プラズマセルとを互いに重ねたフラットパネル構造を有
する。特徴事項として、前記放電電極は基板上にパタニ
ング形成された金属薄膜層と、その上に電気メッキされ
た金属厚膜層とを含む積層構造を有する。前記金属薄膜
層は、例えばスパッタリング又は真空蒸着により成膜さ
れた金属クロムからなり、前記金属厚膜層は電気メッキ
により析出した金属ニッケルからなる。かかる積層構造
を有する放電電極は、基板平坦面だけではなく基板表面
に形成されたストライプ状溝の内部に配設する事も可能
である。又、本発明にかかるプラズマ放電用電極の作成
方法は、基板上にスパッタリング又は真空蒸着で金属薄
膜層を成膜する工程と、フォトリソグラフィ及びエッチ
ングで該金属薄膜層をストライプ状にパタニングする工
程と、電気メッキにより該金属薄膜層の上に金属厚膜層
を成膜する工程とからなる。
【０００８】
【作用】本発明によれば、放電電極は基板上にパタニン
グ形成された金属薄膜層とその上に電気メッキされた金
属厚膜層からなる二層構造を有している。金属薄膜層を
スパッタリング等で成膜した場合その膜厚は１μｍ〜２
μｍ程度にすぎないが、その上に電気メッキされた金属
厚膜層は数十〜数百μｍの厚みまで堆積させる事ができ
る。印刷厚膜電極の場合は１０μｍ程度の厚みであり、
印刷を繰り返す事により数十μｍの厚みまでは可能であ
る。本発明にかかる二層構造放電電極は印刷厚膜電極よ
りも遥かに大きな厚みを有しており、電気抵抗値を大幅
に低減化できる為、例えば３０インチサイズの画面を有
するプラズマアドレス表示装置にも適用可能である。下
地の金属薄膜層はフォトリソグラフィ及びエッチングに
よりパタニングできる為、凹凸を有する基板表面に対し
ても形成可能である。このパタニングされた下地金属薄
膜層を電極として電気メッキにより自己整合的に金属厚
膜層を析出させる。従って、基本的に本発明にかかる放
電電極作成方法は基板表面形状を問わない。さらに、従
来の印刷焼成工程と異なり、金属薄膜層及び金属厚膜層
の形成工程は低温プロセスにより行なえるので、基板の
熱収縮がなく極めて位置精度の高い放電電極を作成でき
る。加えて、電気メッキにより析出した金属厚膜層は基
本的に均一な組成を有しており、局所的な放電電流のば
らつきが生じる惧れがない。
グ形成された金属薄膜層とその上に電気メッキされた金
属厚膜層からなる二層構造を有している。金属薄膜層を
スパッタリング等で成膜した場合その膜厚は１μｍ〜２
μｍ程度にすぎないが、その上に電気メッキされた金属
厚膜層は数十〜数百μｍの厚みまで堆積させる事ができ
る。印刷厚膜電極の場合は１０μｍ程度の厚みであり、
印刷を繰り返す事により数十μｍの厚みまでは可能であ
る。本発明にかかる二層構造放電電極は印刷厚膜電極よ
りも遥かに大きな厚みを有しており、電気抵抗値を大幅
に低減化できる為、例えば３０インチサイズの画面を有
するプラズマアドレス表示装置にも適用可能である。下
地の金属薄膜層はフォトリソグラフィ及びエッチングに
よりパタニングできる為、凹凸を有する基板表面に対し
ても形成可能である。このパタニングされた下地金属薄
膜層を電極として電気メッキにより自己整合的に金属厚
膜層を析出させる。従って、基本的に本発明にかかる放
電電極作成方法は基板表面形状を問わない。さらに、従
来の印刷焼成工程と異なり、金属薄膜層及び金属厚膜層
の形成工程は低温プロセスにより行なえるので、基板の
熱収縮がなく極めて位置精度の高い放電電極を作成でき
る。加えて、電気メッキにより析出した金属厚膜層は基
本的に均一な組成を有しており、局所的な放電電流のば
らつきが生じる惧れがない。
【０００９】
【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１は本発明にかかるプラズマアドレ
ス表示装置を示す模式的な断面図である。本装置は表示
セル１とプラズマセル２と両者の間に介在する極薄の誘
電体シート３とを積層したフラットパネル構造を有す
る。表示セル１はガラス基板４を用いて構成されてお
り、その内側主面には透明導電膜からなる複数本の信号
電極Ｄが互いに平行に形成されている。基板４はスペー
サ５を用いて所定の間隙を介し誘電体シート３に接着さ
れている。間隙内には表示材料として例えば液晶層６が
充填されている。
詳細に説明する。図１は本発明にかかるプラズマアドレ
ス表示装置を示す模式的な断面図である。本装置は表示
セル１とプラズマセル２と両者の間に介在する極薄の誘
電体シート３とを積層したフラットパネル構造を有す
る。表示セル１はガラス基板４を用いて構成されてお
り、その内側主面には透明導電膜からなる複数本の信号
電極Ｄが互いに平行に形成されている。基板４はスペー
サ５を用いて所定の間隙を介し誘電体シート３に接着さ
れている。間隙内には表示材料として例えば液晶層６が
充填されている。
【００１０】一方プラズマセル２は下側のガラス基板７
を用いて構成されている。ガラス基板７の内側主面上に
は信号電極Ｄと直交するストライプ状の溝８が形成され
ている。各溝の底部には一対の放電電極９が延設されて
おり、アノードＡ及びカソードＫとして機能する。基板
７は誘電体シート３に接合しており、気密封止された各
溝８は放電チャネル１０を構成する。放電チャネル１０
の内部にはイオン化可能なガスが封入されている。ガス
種は例えばヘリウム、ネオン、アルゴンあるいはこれら
の混合気体から選ぶ事ができる。個々の溝８の間に位置
する凸条部１１は隔壁として機能するとともに、誘電体
シート３の裏面側に当接しスペーサとしての機能も果た
す。なおプラズマセル２の構造は図示するものに限られ
るものではない。例えば、平坦な基板表面にアノード／
カソードを形成しても良い。
を用いて構成されている。ガラス基板７の内側主面上に
は信号電極Ｄと直交するストライプ状の溝８が形成され
ている。各溝の底部には一対の放電電極９が延設されて
おり、アノードＡ及びカソードＫとして機能する。基板
７は誘電体シート３に接合しており、気密封止された各
溝８は放電チャネル１０を構成する。放電チャネル１０
の内部にはイオン化可能なガスが封入されている。ガス
種は例えばヘリウム、ネオン、アルゴンあるいはこれら
の混合気体から選ぶ事ができる。個々の溝８の間に位置
する凸条部１１は隔壁として機能するとともに、誘電体
シート３の裏面側に当接しスペーサとしての機能も果た
す。なおプラズマセル２の構造は図示するものに限られ
るものではない。例えば、平坦な基板表面にアノード／
カソードを形成しても良い。
【００１１】本発明の特徴事項として、各放電電極９
は、ストライプ状にパタニング形成された金属薄膜層１
２と、その上に電気メッキされた金属厚膜層１３とから
なる二層構造を有している。下地の金属薄膜層１２はス
パッタリング又は真空蒸着により成膜された金属クロム
からなる。一方、金属厚膜層１３は電気メッキにより析
出した金属ニッケルからなる。
は、ストライプ状にパタニング形成された金属薄膜層１
２と、その上に電気メッキされた金属厚膜層１３とから
なる二層構造を有している。下地の金属薄膜層１２はス
パッタリング又は真空蒸着により成膜された金属クロム
からなる。一方、金属厚膜層１３は電気メッキにより析
出した金属ニッケルからなる。
【００１２】次に、図２を参照して、図１に示したプラ
ズマセルの製造方法を詳細に説明する。先ず工程Ａにお
いて、フォトリソグラフィ及びエッチングによりガラス
基板７の表面にストライプ状の溝８を形成する。続いて
工程Ｂにおいて基板７の表面にスパッタリング又は真空
蒸着で金属クロムを全面的に堆積する。クロムはガラス
基板に対して密着性が良く下地膜として好適である。但
し本発明はこれに限られるものではなく、例えばモリブ
デンやニッケルを使用しても良い。膜厚は数十nm〜数百
nm程度で十分である。あまり堆積膜厚を大きくすると剥
離や亀裂の惧れがある。続いてフォトリソグラフィ及び
エッチングにより、成膜されたクロムをストライプ状に
パタニングし下地の金属薄膜層１２を形成する。フォト
リソグラフィ及びエッチングによるパタニングであるの
で形状精度や位置精度が良好な上、凹凸面に対しても何
ら問題なく適用できる。
ズマセルの製造方法を詳細に説明する。先ず工程Ａにお
いて、フォトリソグラフィ及びエッチングによりガラス
基板７の表面にストライプ状の溝８を形成する。続いて
工程Ｂにおいて基板７の表面にスパッタリング又は真空
蒸着で金属クロムを全面的に堆積する。クロムはガラス
基板に対して密着性が良く下地膜として好適である。但
し本発明はこれに限られるものではなく、例えばモリブ
デンやニッケルを使用しても良い。膜厚は数十nm〜数百
nm程度で十分である。あまり堆積膜厚を大きくすると剥
離や亀裂の惧れがある。続いてフォトリソグラフィ及び
エッチングにより、成膜されたクロムをストライプ状に
パタニングし下地の金属薄膜層１２を形成する。フォト
リソグラフィ及びエッチングによるパタニングであるの
で形状精度や位置精度が良好な上、凹凸面に対しても何
ら問題なく適用できる。
【００１３】次に工程Ｃでメッキ処理を行なう。所定の
メッキ浴１４にガラス基板７と対向電極１５を浸漬す
る。ガラス基板７に形成された金属薄膜層１２をＤＣ電
源１６の負極側に接続し、対向電極１５を同じくＤＣ電
源１６の正極側に接続して所定時間通電する。この結
果、金属薄膜層１２の表面に自己整合的に金属イオンが
還元析出する。本例では、金属厚膜層としてニッケルを
電気メッキしている。ニッケルは電気抵抗値が比較的低
い上耐プラズマ性に優れているので放電電極材料として
好適である。十分に低い電気抵抗値を得る為には数十μ
ｍ〜数百μｍの厚みに析出させる事が好ましい。メッキ
は溶液中から金属を析出させるものなので凹凸形状を有
する基板に対しても十分適用可能である。又、通電時間
を適切に制御する事により相当程度の厚みで金属を堆積
できる。又、メッキ膜の組成も印刷厚膜に比べ均一性に
優れているので放電電極として利用した場合に放電電流
の局部的ばらつきが少ない。なお電気メッキにより析出
させる金属材料としてはニッケルに限られるものではな
く、例えば鉄、コバルト、銅、銀、白金、金あるいはこ
れらの合金を使用する事も可能である。これらの金属元
素は水溶液中で電気メッキ可能である。又、溶融塩や有
機溶媒を用いると殆どの金属のメッキも可能である。最
後に、工程Ｄでガラス基板７をメッキ浴から引き上げ洗
浄乾燥する。この様にして、各溝８の底部には金属薄膜
層１２及び金属厚膜層１３からなる二層構造の放電電極
９が形成される。この放電電極９は電気抵抗値が低く寸
法精度及び位置精度に優れ均一な組成を有し凹凸面に対
しても自在に形成可能である。この様にしてストライプ
状の電極が形成されたガラス基板７は、前述した様にプ
ラズマアドレス表示装置の組み立てに用いられる。但
し、本発明の適用範囲はこれに限られるものではなく、
ガラス基板７を用いて通常のプラズマディスプレイパネ
ルを組み立てる事も可能である。
メッキ浴１４にガラス基板７と対向電極１５を浸漬す
る。ガラス基板７に形成された金属薄膜層１２をＤＣ電
源１６の負極側に接続し、対向電極１５を同じくＤＣ電
源１６の正極側に接続して所定時間通電する。この結
果、金属薄膜層１２の表面に自己整合的に金属イオンが
還元析出する。本例では、金属厚膜層としてニッケルを
電気メッキしている。ニッケルは電気抵抗値が比較的低
い上耐プラズマ性に優れているので放電電極材料として
好適である。十分に低い電気抵抗値を得る為には数十μ
ｍ〜数百μｍの厚みに析出させる事が好ましい。メッキ
は溶液中から金属を析出させるものなので凹凸形状を有
する基板に対しても十分適用可能である。又、通電時間
を適切に制御する事により相当程度の厚みで金属を堆積
できる。又、メッキ膜の組成も印刷厚膜に比べ均一性に
優れているので放電電極として利用した場合に放電電流
の局部的ばらつきが少ない。なお電気メッキにより析出
させる金属材料としてはニッケルに限られるものではな
く、例えば鉄、コバルト、銅、銀、白金、金あるいはこ
れらの合金を使用する事も可能である。これらの金属元
素は水溶液中で電気メッキ可能である。又、溶融塩や有
機溶媒を用いると殆どの金属のメッキも可能である。最
後に、工程Ｄでガラス基板７をメッキ浴から引き上げ洗
浄乾燥する。この様にして、各溝８の底部には金属薄膜
層１２及び金属厚膜層１３からなる二層構造の放電電極
９が形成される。この放電電極９は電気抵抗値が低く寸
法精度及び位置精度に優れ均一な組成を有し凹凸面に対
しても自在に形成可能である。この様にしてストライプ
状の電極が形成されたガラス基板７は、前述した様にプ
ラズマアドレス表示装置の組み立てに用いられる。但
し、本発明の適用範囲はこれに限られるものではなく、
ガラス基板７を用いて通常のプラズマディスプレイパネ
ルを組み立てる事も可能である。
【００１４】参考の為図３を参照してプラズマアドレス
表示装置の動作を簡潔に説明する。図３は表示装置に用
いられる駆動回路の一例を示している。この駆動回路は
信号回路２１と走査回路２２と制御回路２３とから構成
されている。信号回路２１には信号電極Ｄ１ないしＤｍ
がバッファを介して接続されている。一方、走査回路２
２には同じくバッファを介してカソードＫ１ないしＫｎ
が接続されている。アノードＡ１ないしＡｎは共通に接
地されている。カソードは走査回路２２により線順次走
査されると共に、信号回路２１はこれに同期して各信号
電極に画像信号を供給する。制御回路２３は信号回路２
１と走査回路２２の同期制御を行なうものである。各カ
ソード／アノードの対に沿って放電チャネルが形成され
行走査単位となる。一方各信号単位は列駆動単位とな
る。両単位の間に画素２４が規定される。本発明ではア
ノード／カソードを構成する放電電極の電気抵抗値が低
減化されている為、長手寸法を延長しても電圧降下が問
題とならず大型画面に適している。
表示装置の動作を簡潔に説明する。図３は表示装置に用
いられる駆動回路の一例を示している。この駆動回路は
信号回路２１と走査回路２２と制御回路２３とから構成
されている。信号回路２１には信号電極Ｄ１ないしＤｍ
がバッファを介して接続されている。一方、走査回路２
２には同じくバッファを介してカソードＫ１ないしＫｎ
が接続されている。アノードＡ１ないしＡｎは共通に接
地されている。カソードは走査回路２２により線順次走
査されると共に、信号回路２１はこれに同期して各信号
電極に画像信号を供給する。制御回路２３は信号回路２
１と走査回路２２の同期制御を行なうものである。各カ
ソード／アノードの対に沿って放電チャネルが形成され
行走査単位となる。一方各信号単位は列駆動単位とな
る。両単位の間に画素２４が規定される。本発明ではア
ノード／カソードを構成する放電電極の電気抵抗値が低
減化されている為、長手寸法を延長しても電圧降下が問
題とならず大型画面に適している。
【００１５】図４は図３に示す２個の画素２４を切り取
って模式的に示したものである。各画素２４は信号電極
（Ｄ１，Ｄ２）及び誘電体シート３によって挟持された
液晶層６からなるサンプリングキャパシタと、プラズマ
サンプリングスイッチＳ１との直列接続からなる。プラ
ズマサンプリングスイッチＳ１は放電チャネルの機能を
等価的に表わしたものである。即ち、放電チャネルが活
性化するとその内部は略全体的にアノード電位に接続さ
れる。一方、プラズマ放電が終了すると放電チャネルは
浮遊電位となる。サンプリングスイッチＳ１を介して個
々の画素２４のサンプリングキャパシタに画像信号を書
き込み所謂サンプリングホールドを行なう。画像信号の
レベルによって各画素２４の階調的な点灯あるいは消灯
が制御できる。
って模式的に示したものである。各画素２４は信号電極
（Ｄ１，Ｄ２）及び誘電体シート３によって挟持された
液晶層６からなるサンプリングキャパシタと、プラズマ
サンプリングスイッチＳ１との直列接続からなる。プラ
ズマサンプリングスイッチＳ１は放電チャネルの機能を
等価的に表わしたものである。即ち、放電チャネルが活
性化するとその内部は略全体的にアノード電位に接続さ
れる。一方、プラズマ放電が終了すると放電チャネルは
浮遊電位となる。サンプリングスイッチＳ１を介して個
々の画素２４のサンプリングキャパシタに画像信号を書
き込み所謂サンプリングホールドを行なう。画像信号の
レベルによって各画素２４の階調的な点灯あるいは消灯
が制御できる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、放
電電極をパタニング形成された金属薄膜層とその上に電
気メッキされた金属厚膜層とで構成しているので、その
電気抵抗値を従来に比し大幅に下げる事ができる。この
結果、安定且つ一様なプラズマ放電を実現できるという
効果がある。特に、大型の表示装置においてこの効果が
顕著に認められる。又、下地の金属薄膜層をフォトリソ
グラフィ及びエッチングにより精密にパタニング形成し
た後、これに自己整合的に電気メッキで金属厚膜層を堆
積するので、従来の印刷厚膜電極に比較し寸法精度並び
に位置精度が優れた放電電極を得る事ができるという効
果がある。さらに、印刷厚膜電極と異なり基板表面の凹
凸に関係なく放電電極を形成する事ができ製造工程上の
自由度に優れているという効果がある。加えて、印刷厚
膜電極に比べ電気メッキされた厚膜電極は均一な組成を
有しており安定なプラズマ放電が可能になるという効果
がある。
電電極をパタニング形成された金属薄膜層とその上に電
気メッキされた金属厚膜層とで構成しているので、その
電気抵抗値を従来に比し大幅に下げる事ができる。この
結果、安定且つ一様なプラズマ放電を実現できるという
効果がある。特に、大型の表示装置においてこの効果が
顕著に認められる。又、下地の金属薄膜層をフォトリソ
グラフィ及びエッチングにより精密にパタニング形成し
た後、これに自己整合的に電気メッキで金属厚膜層を堆
積するので、従来の印刷厚膜電極に比較し寸法精度並び
に位置精度が優れた放電電極を得る事ができるという効
果がある。さらに、印刷厚膜電極と異なり基板表面の凹
凸に関係なく放電電極を形成する事ができ製造工程上の
自由度に優れているという効果がある。加えて、印刷厚
膜電極に比べ電気メッキされた厚膜電極は均一な組成を
有しており安定なプラズマ放電が可能になるという効果
がある。
【図１】本発明にかかるプラズマアドレス表示装置の一
実施例を示す模式的な断面図である。
実施例を示す模式的な断面図である。
【図２】放電電極の製造方法を示す工程図である。
【図３】プラズマアドレス表示装置に用いられる駆動回
路のブロック図である。
路のブロック図である。
【図４】プラズマアドレス表示装置に含まれる画素を切
り取って示した模式図である。
り取って示した模式図である。
【図５】従来のプラズマアドレス表示装置の一例を示す
部分破断斜視図である。
部分破断斜視図である。
【図６】従来のプラズマアドレス表示装置の他の例を示
す模式的な断面図である。
す模式的な断面図である。
１ 表示セル ２ プラズマセル ３ 誘電体シート ４ ガラス基板 ６ 液晶層 ７ ガラス基板 ８ 溝 ９ 放電電極 １０ 放電チャネル １１ 凸条部 １２ 金属薄膜層 １３ 金属厚膜層 Ａ アノード Ｄ 信号電極 Ｋ カソード
Claims (5)
- 【請求項１】 列方向に整列するストライプ状の信号電
極を備えた表示セルと、行方向に整列するストライプ状
の放電電極を備えたプラズマセルとを互いに重ねたフラ
ットパネル構造を有するプラズマアドレス表示装置にお
いて、 前記放電電極は、基板上にパタニング形成された金属薄
膜層と、その上に電気メッキされた金属厚膜層とを含む
積層構造を有する事を特徴とするプラズマアドレス表示
装置。 - 【請求項２】 前記金属薄膜層は、スパッタリング又は
真空蒸着により成膜された金属クロムからなる事を特徴
とする請求項１記載のプラズマアドレス表示装置。 - 【請求項３】 前記金属厚膜層は電気メッキにより析出
した金属ニッケルからなる事を特徴とする請求項１記載
のプラズマアドレス表示装置。 - 【請求項４】 前記放電電極は、基板表面に形成された
ストライプ状溝の内部に配設されている事を特徴とする
請求項１記載のプラズマアドレス表示装置。 - 【請求項５】 基板上にスパッタリング又は真空蒸着で
金属薄膜層を成膜する工程と、フォトリソグラフィ及び
エッチングで該金属薄膜層をストライプ状にパタニング
する工程と、電気メッキにより該金属薄膜層の上に金属
厚膜層を成膜する工程とからなるプラズマ放電用電極の
作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5061079A JPH06251718A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | プラズマアドレス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5061079A JPH06251718A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | プラズマアドレス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251718A true JPH06251718A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13160764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5061079A Pending JPH06251718A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | プラズマアドレス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251718A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990034468A (ko) * | 1997-10-29 | 1999-05-15 | 엄길용 | 플라즈마 표시소자의 형광층 형성방법 |
| US5904876A (en) * | 1995-06-23 | 1999-05-18 | Sony Corporation | Nematic liquid-crystal composition |
| KR100246224B1 (ko) * | 1997-03-28 | 2000-06-01 | 구자홍 | Ac 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2001133758A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマアドレス液晶パネルの背面板及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP5061079A patent/JPH06251718A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5904876A (en) * | 1995-06-23 | 1999-05-18 | Sony Corporation | Nematic liquid-crystal composition |
| KR100246224B1 (ko) * | 1997-03-28 | 2000-06-01 | 구자홍 | Ac 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR19990034468A (ko) * | 1997-10-29 | 1999-05-15 | 엄길용 | 플라즈마 표시소자의 형광층 형성방법 |
| JP2001133758A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマアドレス液晶パネルの背面板及びその製造方法 |
| JP4590664B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2010-12-01 | 凸版印刷株式会社 | プラズマアドレス液晶パネルの背面板及びその製造方法 |
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