JP3116772B2 - Eoプローブ - Google Patents

Eoプローブ

Info

Publication number
JP3116772B2
JP3116772B2 JP07111493A JP11149395A JP3116772B2 JP 3116772 B2 JP3116772 B2 JP 3116772B2 JP 07111493 A JP07111493 A JP 07111493A JP 11149395 A JP11149395 A JP 11149395A JP 3116772 B2 JP3116772 B2 JP 3116772B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electro
contact
probe
measured
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP07111493A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08304474A (ja
Inventor
敏嗣 植田
真志 及川
直 杉山
清明 小山
満弘 鈴木
勉 山崎
尚典 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP07111493A priority Critical patent/JP3116772B2/ja
Publication of JPH08304474A publication Critical patent/JPH08304474A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3116772B2 publication Critical patent/JP3116772B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路などの超高速
電子回路の内部波形を非接触で測定する際に用いられる
電気光学効果を有する電気光学材料を含むEO(Electr
o-Optic )プローブに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、電気光学結晶を微小プローブ
に加工し、電子回路内部の配線からの漏れ電界を検出す
る測定装置がある。図4はこの種の測定装置の一例を示
す要部構成図である。
【0003】図において、1はシリンダで、その下端部
にはEOプローブ2が取り付けられたプローブホルダ3
が固着されている。4はシリンダ1が内挿される円筒状
のエアガイドで、シリンダ1とエアガイド4の間に空気
を流すことによりシリンダ1を摩擦なく上下に移動させ
ることができるようになっている。5は天秤機構で、秤
の一端がシリンダ1に係合し、EOプローブ2とプロー
ブホルダ3を含むシリンダ1の実効重量を小さく(例え
ば0.1g)している。
【0004】6はシリンダ1を上下微動させるリニアア
クチュエータで、そのシリンダ1の微動変位は光学式ポ
ジションスケール等(図示せず)で読み取るようにして
ある。8は対物レンズで、上方からのレーザ光および照
明光を集束すると共に下方からの反射光を平行光にす
る。
【0005】EOプローブ2の先端部分は図5に示すよ
うにEO結晶21の底端面に誘電体多層膜22が取り付
けられている。レーザ光はこの誘電体多層膜22で全反
射し、位置合わせ用の照明光はEO結晶21と誘電体多
層膜22を通過して被測定対象のウエハ7の表面で反射
する。
【0006】このような構成において電気光学サンプリ
ング測定を行う場合はEOプローブ2とウエハ7との接
触点を基準に間隙(ギャップ)を定める。その場合ウエ
ハ側は動かさずEOプローブ2をウエハ7の表面に接触
させた後所定のギャップ分(指定量)だけ上方に移動さ
せることにより位置決めを行っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな測定装置では、シリンダの摩擦によるヒステリシス
等を軽減するために空気軸受けと天秤機構を導入してお
り、また変位は光学式ポジションスケール等で読み取る
構造となっており、装置の構成が複雑であるという欠点
がある。また、構造上シリンダ部分の固有振動数は低く
なるため、外部振動の影響を受けないように、カットオ
フ周波数がシリンダ部の固有振動数に比べて十分に低
い、高級な防振台を使用する必要があった。
【0008】本発明の目的は、このような欠点を解消す
るもので、ウエハ表面への接触を正確・高感度に検知す
ることのできるEOプローブを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明では、被測定対象に接触させた後所定量
だけ離して前記被測定対象の内部波形を非接触で測定す
るための、電気光学効果を有する電気光学材料を含むE
Oプローブであって、水晶またはシリコン基板に天秤構
造の梁を形成し、この梁の一端に電気光学効果を有する
EO素子を取り付けると共に梁の他端にバランサを取り
付け、基板上に被測定対象へ接触したときの梁の傾きを
検出する傾き検出手段を設けた構造としたことを特徴と
する。
【0010】
【作用】基板に切り込み部を入れて天秤構造の梁を形成
し、この梁の一端にEO素子を取り付ける。梁の他端に
はカウンタウェイトとして実質上EO素子と同質量のバ
ランサを取り付ける。これにより被測定対象への接触圧
を小さくすることができる。さらに、基板上にEO素子
の傾きを検出する傾き検出手段を配設し、EO素子が被
測定対象に接触したことを検出する。傾き検出手段とし
ては、歪ゲージを用いて支持部のねじれを検出する方式
と静電容量の変化により傾きを検出する方式がある。歪
ゲージを用いる方式は支持部に歪ゲージを設け歪の量に
よりEO素子の傾きを検出する。静電容量式は基板と基
板に対向する天板に電極を取り付けてコンデンサを形成
しておき、梁の傾きを静電容量の変化で検出する。
【0011】
【実施例】以下図面を用いて本発明を詳しく説明する。
図1は本発明に係るEOプローブの一実施例を示す構成
図である。図において、30はシリコンあるいは水晶な
どの基板で、ここに切り込み部31,32を設け天秤構
造の梁を形成する。33は小判形の梁であり、梁の中央
は回転中心の支持部34a,34bで支持されている。
梁33の一端には図1の(b) に示すようにEO素子35
が取り付けられ、他端にはカウンタウエイト用として実
質上EO素子と同質量のバランサ36が取り付けられ
る。梁33の傾きは傾き検出手段によって検出される。
【0012】図2は支持部34aの拡大図で、傾き検出
手段として歪ゲージを用いた場合の構成例である。37
aは支持部34a表面に取り付けられた歪ゲージであ
り、天秤が回転したときの支持部の歪を検出する。同様
に支持部34bにも歪ゲージ37bが設けられている。
歪ゲージとしては、基板30が絶縁物の場合は金属ある
いはシリコンなどを蒸着して製作し、基板30がシリコ
ンなどの半導体の場合は拡散ゲージを使用する。
【0013】歪ゲージの変化を検出するために、基板3
0上に形成された2個のアクティブゲージ(37a,3
7b)と基板30上で歪の生じない部分に設けられた2
個のダミーゲージ(図示せず)でブリッジを構成し、ブ
リッジ出力により歪を検出する。ブリッジ出力は、天秤
の回転角、換言すればEO素子35が傾いたときの変位
に対応しており、EO素子35の下面がウエハ表面に接
触して傾いたときの変位をブリッジ出力から検出するこ
とができる。
【0014】EOプローブをこのような天秤構造にすれ
ば、固有振動数が高く(すなわち外部振動の影響を受け
にくい)、低接触圧の接触検知センサを作製することが
できる。
【0015】図3は他の実施例図で、同図(a) は基板部
の上面図、同図(b) は側面図である。本実施例のもの
は、EO素子35がウエハ表面に接触して傾いたときの
変位を静電的に検出する傾き検出手段を用いたEOプロ
ーブである。図1と異なるところは、支持部34a,3
4bに歪ゲージはなく、スペーサ41を挟んで天板42
が基板30に平行に取り付けられ、天秤の回転中心の両
側に電極43,44を設けると共に、天板42の対向面
に電極45,46を設けて、2つのコンデンサを形成し
た点である。
【0016】2つのコンデンサの容量をC1 とC2 とす
ると、EO素子35がウエハ表面に接触して傾いたとき
の天秤の微小回転角度Δθは、 Δθ=A(C1 −C2 )/(C1 +C2 ) ただし、Aは比例定数 または Δθ≒B(C1 −C2 ) ただし、Bは比例定数 として求められる。
【0017】なお、本発明は実施例に限定されるもので
はなく、本発明の目的を逸脱しない範囲で適宜の変形や
材料の変更が許される。例えば、図1や図3に示す基板
30として、EO効果のあるGaAs,LiNb2O3 ,LiTa2O3
などの単結晶を使用すれば、天秤構造にEO素子を貼り
つけたりする手間が省け、感度の高いセンサを製作する
ことができる。また、マイクロマシン技術を用いて製作
すれば天秤部の形状を容易に任意の形状に作ることがで
きる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、E
Oプローブのウエハ表面への接触を正確・高感度に検知
することができると共に、固有振動数が高く(すなわち
外部振動の影響を受けにくく)、低接触圧で接触を検知
できるEOプローブを容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るEOプローブの一実施例を示す要
部構成図
【図2】歪ゲージ部の拡大図
【図3】本発明の他の実施例図
【図4】従来の電圧測定装置の一例を示す要部構成図
【図5】EOプローブ部の構成図である。
【符号の説明】
30 基板 31,32 切り込み部 33 梁 34a,34b 支持部 35 EO素子 36 バランサ 37a,37b 歪ゲージ 41 スペーサ 42 天板 43,44,45,46 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 満弘 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横 河電機株式会社内 (72)発明者 山崎 勉 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横 河電機株式会社内 (72)発明者 林 尚典 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横 河電機株式会社内 審査官 関根 洋之 (56)参考文献 特開 平3−18780(JP,A) 特開 平4−350568(JP,A) 特開 平5−72299(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 19/00 - 19/32 G01R 15/24 G01R 31/28 - 31/3193 H01L 21/66

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被測定対象に接触させた後所定量だけ離し
    て前記被測定対象の内部波形を非接触で測定するため
    の、電気光学効果を有する電気光学材料を含むEOプロ
    ーブであって、 水晶またはシリコンの基板に天秤構造の梁を形成し、こ
    の梁の一端に電気光学効果を有するEO素子を取り付け
    ると共に梁の他端にバランサを取り付け、基板上に被測
    定対象へ接触したときの梁の傾きを検出する傾き検出手
    段を設けた構造としたことを特徴とするEOプローブ。
  2. 【請求項2】前記傾き検出手段は、前記天秤構造の梁の
    支持部に設けられ支持部のねじれを測定するための歪ゲ
    ージと前記基板上に設けられたダミーの歪ゲージをブリ
    ッジ接続し、このブリッジの出力により前記梁の傾きを
    検出することができるように構成したことを特徴とする
    請求項1記載のEOプローブ。
  3. 【請求項3】被測定対象に接触させた後所定量だけ離し
    て前記被測定対象の内部波形を非接触で測定するため
    の、電気光学効果を有する電気光学材料を含むEOプロ
    ーブであって、 水晶またはシリコンの基板に天秤構造の梁を形成しこの
    梁の一端には電気光学効果を有するEO素子を他端には
    バランサをそれぞれ取り付けると共に、 前記基板に平行に天板を取り付けこの天板と基板との対
    向面に電極を取り付けてコンデンサを形成しこのコンデ
    ンサの静電容量の変化により前記梁の傾きを検出する傾
    き検出手段を設けた構造としたことを特徴とするEOプ
    ローブ。
JP07111493A 1995-05-10 1995-05-10 Eoプローブ Expired - Fee Related JP3116772B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07111493A JP3116772B2 (ja) 1995-05-10 1995-05-10 Eoプローブ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07111493A JP3116772B2 (ja) 1995-05-10 1995-05-10 Eoプローブ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08304474A JPH08304474A (ja) 1996-11-22
JP3116772B2 true JP3116772B2 (ja) 2000-12-11

Family

ID=14562680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07111493A Expired - Fee Related JP3116772B2 (ja) 1995-05-10 1995-05-10 Eoプローブ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3116772B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5188024B2 (ja) 2006-02-09 2013-04-24 キヤノン株式会社 揺動体装置、電位測定装置、及び光偏向装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08304474A (ja) 1996-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3611809B2 (ja) 少量サンプルの迅速測定用レオメータ
US4896098A (en) Turbulent shear force microsensor
Chu et al. Development of an optical accelerometer with a DVD pick-up head
Chetwynd et al. A controlled-force stylus displacement probe
JP3116772B2 (ja) Eoプローブ
JPS61254812A (ja) 非磁性体シ−ト厚さ連続測定装置
US5684298A (en) Photonic-based sensing apparatus using displacement tracking of an optical beam in a semiconductor
JP3124659B2 (ja) 平面度測定装置の較正方法
JP2518814B2 (ja) 真空計
JP3125844B2 (ja) 電圧測定装置
JPS62212507A (ja) レ−ザ干渉計で校正を不要とした触針式表面形状検出器
JP4362559B2 (ja) 電気容量式力測定装置
JP3381018B2 (ja) 電界検出装置
JP2875953B2 (ja) 電圧・変位検出プローブおよびその調整方法
JPH1038913A (ja) 圧電発振素子
RU2098832C1 (ru) Чувствительный элемент емкостного акселерометра
JPH0412244A (ja) 振動型引っかき試験機
JPH09229663A (ja) 触針式膜厚測定方法及び測定装置
Schiffer et al. A new height-adjustable aeroMEMS surface fence probe fabricated in SOI technology for high resolution wall shear stress measurement in turbulent flows
SU1136010A1 (ru) Пьезооптический измеритель деформаций
JP2001280946A (ja) 非接触式厚さ測定方法および測定装置
JPH0387637A (ja) 表面特性測定装置
JPH0422254Y2 (ja)
JP2003043062A (ja) 半導体加速度センサ及びその検査方法
Constans et al. Optical microdisplacement measurement and vibration analysis

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees