JP3112755B2 - ＴｉＮ膜の形成方法 - Google Patents
ＴｉＮ膜の形成方法Info
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- JP3112755B2 JP3112755B2 JP04288903A JP28890392A JP3112755B2 JP 3112755 B2 JP3112755 B2 JP 3112755B2 JP 04288903 A JP04288903 A JP 04288903A JP 28890392 A JP28890392 A JP 28890392A JP 3112755 B2 JP3112755 B2 JP 3112755B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子における
電極配線形成方法、特にＴｉＮ膜の形成方法に関するも
のである。
電極配線形成方法、特にＴｉＮ膜の形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子において配線構造は従来図３
に示すように形成されている。まず、ＩＣ基板１に素子
分離のための絶縁膜２（例えばＳｉＯ2 ）、拡散層３を
形成した後絶縁膜４（例えばＢＰＳＧ）をＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
にて形成する。その後コンタクトとなる開孔部５を形成
し、その後配線となるＡｌ−Ｓｉ系合金膜６をスパッタ
法で形成し、配線パターンをホトリソ，エッチングで得
る。これによって半導体素子が完成する。
に示すように形成されている。まず、ＩＣ基板１に素子
分離のための絶縁膜２（例えばＳｉＯ2 ）、拡散層３を
形成した後絶縁膜４（例えばＢＰＳＧ）をＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
にて形成する。その後コンタクトとなる開孔部５を形成
し、その後配線となるＡｌ−Ｓｉ系合金膜６をスパッタ
法で形成し、配線パターンをホトリソ，エッチングで得
る。これによって半導体素子が完成する。
【０００３】しかしながら集積度が増加するにつれて、
コンタクトの開孔部５の径は小さくなり、アスペクト比
（径と深さの比）が大きくなる。従来の前方法では、Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金膜６のステップカバレージが悪くなり、
断線となる。そのため、コンタクト孔内部を金属で埋込
む技術が開発されてきている。その１つとしてブランケ
ットＷＣＶＤ＋エッチバック法を例に用いて図４に示
す。
コンタクトの開孔部５の径は小さくなり、アスペクト比
（径と深さの比）が大きくなる。従来の前方法では、Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金膜６のステップカバレージが悪くなり、
断線となる。そのため、コンタクト孔内部を金属で埋込
む技術が開発されてきている。その１つとしてブランケ
ットＷＣＶＤ＋エッチバック法を例に用いて図４に示
す。
【０００４】まず半導体基板１１に先程と同様に素子分
離絶縁膜１２、拡散層１３を形成した後絶縁膜１４を形
成し、コンタクトとなる開孔部１５を形成する。そして
密着層１６（例えばＴｉ膜、ＴｉＮ／Ｔｉ膜）を形成す
る。そしてＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎ
ｎｅａｌ）処理の後ブランケットＷ膜１７をＣＶＤ法で
コンタクト孔１５の半径よりも厚い膜厚で形成する（図
４（ａ））。その後エッチバックを行い、絶縁膜１４と
コンタクト孔１５内のＷ膜１７との段差が生じない程度
までエッチバックする。その後Ａｌ−Ｓｉ系合金膜１８
をスパッタ法で形成し、ホトリソ，エッチングによりパ
ターニングする。（図４（ｂ））このような方法によれ
ばコンタクト孔内を金属で埋込めるため、ステップカバ
レージの悪化による断線を防ぐことができ、信頼性の高
い配線構造が得られる。
離絶縁膜１２、拡散層１３を形成した後絶縁膜１４を形
成し、コンタクトとなる開孔部１５を形成する。そして
密着層１６（例えばＴｉ膜、ＴｉＮ／Ｔｉ膜）を形成す
る。そしてＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎ
ｎｅａｌ）処理の後ブランケットＷ膜１７をＣＶＤ法で
コンタクト孔１５の半径よりも厚い膜厚で形成する（図
４（ａ））。その後エッチバックを行い、絶縁膜１４と
コンタクト孔１５内のＷ膜１７との段差が生じない程度
までエッチバックする。その後Ａｌ−Ｓｉ系合金膜１８
をスパッタ法で形成し、ホトリソ，エッチングによりパ
ターニングする。（図４（ｂ））このような方法によれ
ばコンタクト孔内を金属で埋込めるため、ステップカバ
レージの悪化による断線を防ぐことができ、信頼性の高
い配線構造が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、さらに
コンタクト孔のアスペクト比が大きくなると、ブランケ
ットＷ膜の密着層に用いているスパッタ法によるＴｉＮ
膜がコンタクト孔底部につかなくなり、コンタクト孔の
内部はＷで埋込まれていても、コンタクト抵抗が極めて
上昇してしまう問題がある。また、ＴｉＮのＣＶＤ法
（例えば熱ＣＶＤ法、またはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｃｙｃｌｏｔｏｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズ
マＣＶＤ）などで形成する技術もあるが、スパッタ法よ
りステップカバレージに優れ、コンタクト底部にもＴｉ
Ｎ膜が形成されているにもかかわらず依然としてコンタ
クト抵抗が高いという問題があった。
コンタクト孔のアスペクト比が大きくなると、ブランケ
ットＷ膜の密着層に用いているスパッタ法によるＴｉＮ
膜がコンタクト孔底部につかなくなり、コンタクト孔の
内部はＷで埋込まれていても、コンタクト抵抗が極めて
上昇してしまう問題がある。また、ＴｉＮのＣＶＤ法
（例えば熱ＣＶＤ法、またはＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｃｙｃｌｏｔｏｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズ
マＣＶＤ）などで形成する技術もあるが、スパッタ法よ
りステップカバレージに優れ、コンタクト底部にもＴｉ
Ｎ膜が形成されているにもかかわらず依然としてコンタ
クト抵抗が高いという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は前記課題を解
決するために、ＴｉＮのＥＣＲプラズマＣＶＤ法におい
て、プラズマを発生させたチャンバー内に、先にＴｉを
含むガスを導入し、続いてＮを含むガスを導入するよう
にしたものである。
決するために、ＴｉＮのＥＣＲプラズマＣＶＤ法におい
て、プラズマを発生させたチャンバー内に、先にＴｉを
含むガスを導入し、続いてＮを含むガスを導入するよう
にしたものである。
【０００７】
【作用】この発明によれば、ＴｉＮ膜の形成方法におい
て以上のような工程を導入したので、ステップカバレー
ジに優れ、コンタクトに用いた場合抵抗の低いＴｉＮ膜
が形成できる。
て以上のような工程を導入したので、ステップカバレー
ジに優れ、コンタクトに用いた場合抵抗の低いＴｉＮ膜
が形成できる。
【０００８】その理論的な根拠は未だ明らかになってい
ないが、Ｎを含むガスを先に流すとＳｉ表面が薄く窒化
されてしまい、ＳｉとＴｉＮ間に絶縁膜が存在すること
となり、コンタクト抵抗が高くなってしまうことが挙げ
られる。Ｔｉを含むガスを先に流すことにより上述した
現象を抑制できるものと考えられる。
ないが、Ｎを含むガスを先に流すとＳｉ表面が薄く窒化
されてしまい、ＳｉとＴｉＮ間に絶縁膜が存在すること
となり、コンタクト抵抗が高くなってしまうことが挙げ
られる。Ｔｉを含むガスを先に流すことにより上述した
現象を抑制できるものと考えられる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を以下に示す。（図４参照）
Ｓｉ基板１１に素子分離のための絶縁膜１２（例えばＳ
ｉＯ2 ）を形成し、拡散層１３を形成した後、層間絶縁
膜１４（例えばＢＰＳＧ）をＣＶＤ法にて１００００Å
形成する。そして前記層間絶縁膜１４を平坦にさせるフ
ロー熱処理を行う。このフロー熱処理はＮ2 雰囲気で９
５０℃１５分行う。その後ホトリソ，エッチングにより
拡散層１３上に開孔部１５を形成する。コンタクト孔の
エッチングはＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ）を用いる。コンタクト孔１５開孔後ブラン
ケットＷＣＶＤのための密着層１６を形成する。密着層
１６としてＴｉＮ膜を１０００ÅとしＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ法を用いる。その条件は、基板温度４００〜５００
℃，ＴｉＣｌ4 ガス：１０〜５０ｓｃｃｍ，Ａｒ：１０
〜５０ｓｃｃｍ，Ｈ2 ：１０〜５０ｓｃｃｍ，Ｎ2 ：５
〜５０ｓｃｃｍ，１ｍＴｏｒｒ，２〜３ｋｗで成膜を行
う。
Ｓｉ基板１１に素子分離のための絶縁膜１２（例えばＳ
ｉＯ2 ）を形成し、拡散層１３を形成した後、層間絶縁
膜１４（例えばＢＰＳＧ）をＣＶＤ法にて１００００Å
形成する。そして前記層間絶縁膜１４を平坦にさせるフ
ロー熱処理を行う。このフロー熱処理はＮ2 雰囲気で９
５０℃１５分行う。その後ホトリソ，エッチングにより
拡散層１３上に開孔部１５を形成する。コンタクト孔の
エッチングはＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔ
ｃｈｉｎｇ）を用いる。コンタクト孔１５開孔後ブラン
ケットＷＣＶＤのための密着層１６を形成する。密着層
１６としてＴｉＮ膜を１０００ÅとしＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ法を用いる。その条件は、基板温度４００〜５００
℃，ＴｉＣｌ4 ガス：１０〜５０ｓｃｃｍ，Ａｒ：１０
〜５０ｓｃｃｍ，Ｈ2 ：１０〜５０ｓｃｃｍ，Ｎ2 ：５
〜５０ｓｃｃｍ，１ｍＴｏｒｒ，２〜３ｋｗで成膜を行
う。
【００１０】この時に必ずＴｉＣｌ4 ガスの方がＮ2 ガ
スよりも先にウェハーに到達しなければならない。ま
た、ＴｉＣｌ4 ガスを流してからＮ2 ガスを流すまでの
インターバルが長くてもいけない。ここではインターバ
ルを２秒程度とした。密着層１６を形成した後、埋込み
金属であるブランケットＷ層１７をＣＶＤ法を用いて７
０００Å形成する。デポ温度は４００〜４７５℃，ＷＦ
6 とＨ2 の流量比を１：５〜１：１０，圧力を１０〜９
０Ｔｏｒｒで行う。（図４（ａ）） その後に全面エッチバック（例えばＲＩＥ）を行ないＷ
膜１７と絶縁膜１４との段差が生じない程度でエッチン
グを終了させる。その後Ａｌ−Ｓｉ系合金膜１８を７０
００Åスパッタ法で形成し、ホトリソ・エッチングによ
りパターニングする。（図４（ｂ）） ここでＳｉ上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法で形成したＴｉ
Ｎ膜の断面ＴＥＭ観察結果を示す。図１，図２は観察結
果の略図である。ＴｉＮ膜の形成条件として温度４２０
℃，Ａｒ：４３ｓｃｃｍ，Ｈ2 ：５０ｓｃｃｍ，マイク
ロ波パワー２．８ｋｗ，圧力１ｍＴｏｒｒ中にＴｉＣｌ
4 →Ｎ2 （インターバル２．５秒）及びＮ2 →ＴｉＣｌ
4 （インターバル４秒）の２通りのガス導入タイミング
でＴｉＮ膜を１０００Å形成したものである。ＴｉＣｌ
4 は１０ｓｃｃｍ，Ｎ2 は１５ｓｃｃｍである。図１の
（ＴｉＣｌ4 →Ｎ2 ）ＴｉＮ／Ｓｉの界面は多少の凹凸
があり、一部ＳｉとＴｉＮがつながっているように見え
るのに対し、図２のＮ2 →ＴｉＣｌ4 のものは平坦なＴ
ｉＮ／Ｓｉ界面となっており、つながりのない界面であ
る。図７は前述した条件で形成された０．８μｍ径コン
タクトの抵抗値を示すものである。コンタクト抵抗の違
いからＮ2 を先に流すことによりＥＣＲプラズマ中にお
いて、Ｎ2 とＨ2 が解離し、Ｎ+ ，Ｈ+ になりアンモニ
アプラズマと同等のものが発生し、Ｓｉ基板に達した際
にＳｉ−Ｎの結合を作り、絶縁層ができたものと考えら
れる。この現象は基板温度ガス流量，圧力，等のパラメ
ータを変えても変わるものではなく、ＴｉＣｌ4 をＮを
含むガスよりも少しでも先にＳｉ基板上に到達させなけ
れば防ぐことはできない。
スよりも先にウェハーに到達しなければならない。ま
た、ＴｉＣｌ4 ガスを流してからＮ2 ガスを流すまでの
インターバルが長くてもいけない。ここではインターバ
ルを２秒程度とした。密着層１６を形成した後、埋込み
金属であるブランケットＷ層１７をＣＶＤ法を用いて７
０００Å形成する。デポ温度は４００〜４７５℃，ＷＦ
6 とＨ2 の流量比を１：５〜１：１０，圧力を１０〜９
０Ｔｏｒｒで行う。（図４（ａ）） その後に全面エッチバック（例えばＲＩＥ）を行ないＷ
膜１７と絶縁膜１４との段差が生じない程度でエッチン
グを終了させる。その後Ａｌ−Ｓｉ系合金膜１８を７０
００Åスパッタ法で形成し、ホトリソ・エッチングによ
りパターニングする。（図４（ｂ）） ここでＳｉ上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法で形成したＴｉ
Ｎ膜の断面ＴＥＭ観察結果を示す。図１，図２は観察結
果の略図である。ＴｉＮ膜の形成条件として温度４２０
℃，Ａｒ：４３ｓｃｃｍ，Ｈ2 ：５０ｓｃｃｍ，マイク
ロ波パワー２．８ｋｗ，圧力１ｍＴｏｒｒ中にＴｉＣｌ
4 →Ｎ2 （インターバル２．５秒）及びＮ2 →ＴｉＣｌ
4 （インターバル４秒）の２通りのガス導入タイミング
でＴｉＮ膜を１０００Å形成したものである。ＴｉＣｌ
4 は１０ｓｃｃｍ，Ｎ2 は１５ｓｃｃｍである。図１の
（ＴｉＣｌ4 →Ｎ2 ）ＴｉＮ／Ｓｉの界面は多少の凹凸
があり、一部ＳｉとＴｉＮがつながっているように見え
るのに対し、図２のＮ2 →ＴｉＣｌ4 のものは平坦なＴ
ｉＮ／Ｓｉ界面となっており、つながりのない界面であ
る。図７は前述した条件で形成された０．８μｍ径コン
タクトの抵抗値を示すものである。コンタクト抵抗の違
いからＮ2 を先に流すことによりＥＣＲプラズマ中にお
いて、Ｎ2 とＨ2 が解離し、Ｎ+ ，Ｈ+ になりアンモニ
アプラズマと同等のものが発生し、Ｓｉ基板に達した際
にＳｉ−Ｎの結合を作り、絶縁層ができたものと考えら
れる。この現象は基板温度ガス流量，圧力，等のパラメ
ータを変えても変わるものではなく、ＴｉＣｌ4 をＮを
含むガスよりも少しでも先にＳｉ基板上に到達させなけ
れば防ぐことはできない。
【００１１】また、図５に示す様にＣＶＤ法によりＷ膜
を形成させた後にホトリソ・エッチングを行い、Ｗ膜を
パターニングし配線として用いてもよい。
を形成させた後にホトリソ・エッチングを行い、Ｗ膜を
パターニングし配線として用いてもよい。
【００１２】また、この埋込み及び配線層はＷに限ら
ず、他の高融点金属及びそのシリサイド膜でもかまわな
い。そしてその高融点金属及びシリサイド層が下に存在
する時は以上述べた工程をくり返すことにより多層配線
にも適用できる。
ず、他の高融点金属及びそのシリサイド膜でもかまわな
い。そしてその高融点金属及びシリサイド層が下に存在
する時は以上述べた工程をくり返すことにより多層配線
にも適用できる。
【００１３】また、ＴｉＮ膜は下地Ｓｉ拡散層との反応
はほとんど生じないので、コンタクト孔１５底部の下地
Ｓｉ拡散層表面の自然酸化膜を完全に除去した方がさら
に低いコンタクト抵抗を得られる。
はほとんど生じないので、コンタクト孔１５底部の下地
Ｓｉ拡散層表面の自然酸化膜を完全に除去した方がさら
に低いコンタクト抵抗を得られる。
【００１４】図６に示す様なロードロックを有する装置
から搬送し、自然酸化膜を除去するチャンバーＡ内でＡ
ｒ，Ｈ2 ，ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，ＮＦ3 ，Ｓ
Ｆ6等のガスまたはそれらから選ばれた複数の混合ガス
をプラズマによって活性化し、自然酸化膜をプラズマエ
ッチングで除去した後、他のＴｉＮＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄチャンバ，Ｂ，Ｃに真空搬送することによって実現可
能である。
から搬送し、自然酸化膜を除去するチャンバーＡ内でＡ
ｒ，Ｈ2 ，ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 ，ＮＦ3 ，Ｓ
Ｆ6等のガスまたはそれらから選ばれた複数の混合ガス
をプラズマによって活性化し、自然酸化膜をプラズマエ
ッチングで除去した後、他のＴｉＮＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄチャンバ，Ｂ，Ｃに真空搬送することによって実現可
能である。
【００１５】本実施例においては、ＴｉＣｌ4 ガス及び
Ｎ2 ガスを用いる例を示したが、ＴｉＣｌ4 をはじめと
するＴｉのハロゲン化ガスや、Ｔｉを含む有機系ガスと
Ｎ2ガスを組み合わせても良い。またＮ2 のみならずＮ
を含むガスとしてＮＨ3 ，Ｎ2 Ｈ2 やＮ2 ，ＮＨ3 ，Ｎ
2 Ｈ2 からなるグループから選ばれた２つ以上の混合ガ
スでもＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりＴｉＮ膜を形成す
ることができる。
Ｎ2 ガスを用いる例を示したが、ＴｉＣｌ4 をはじめと
するＴｉのハロゲン化ガスや、Ｔｉを含む有機系ガスと
Ｎ2ガスを組み合わせても良い。またＮ2 のみならずＮ
を含むガスとしてＮＨ3 ，Ｎ2 Ｈ2 やＮ2 ，ＮＨ3 ，Ｎ
2 Ｈ2 からなるグループから選ばれた２つ以上の混合ガ
スでもＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりＴｉＮ膜を形成す
ることができる。
【００１６】更に、以上述べたＴｉＮ膜の形成方法は、
バリアメタルの形成や、反射防止膜の形成にも応用可能
であることは言うまでもない。
バリアメタルの形成や、反射防止膜の形成にも応用可能
であることは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
よればＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いて、材料ガスであ
るＴｉＣｌ4 とＮ2 ガスのチャンバーへの導入のタイミ
ングを制御し、少なくともＮ2 よりはＴｉＣｌ4 の方が
早くウェハに到達するようにしたので、図８に示すよう
に深さ２μｍのコンタクト孔に対してコンタクト孔が小
さくなるに従ってスパッタ法によるＴｉは抵抗が上昇す
るが、カバレージの良いＥＣＲプラズマＣＶＤのＴｉＮ
を使用すると抵抗上昇は少ない。これにより、抵抗の低
いＴｉＮ膜を安定して形成できるようになるため歩留り
の高い半導体素子の製造が可能となる。
よればＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いて、材料ガスであ
るＴｉＣｌ4 とＮ2 ガスのチャンバーへの導入のタイミ
ングを制御し、少なくともＮ2 よりはＴｉＣｌ4 の方が
早くウェハに到達するようにしたので、図８に示すよう
に深さ２μｍのコンタクト孔に対してコンタクト孔が小
さくなるに従ってスパッタ法によるＴｉは抵抗が上昇す
るが、カバレージの良いＥＣＲプラズマＣＶＤのＴｉＮ
を使用すると抵抗上昇は少ない。これにより、抵抗の低
いＴｉＮ膜を安定して形成できるようになるため歩留り
の高い半導体素子の製造が可能となる。
【図１】ＴｉＣｌ4 を先に、Ｎ2 をあとに流した時の断
面ＴＥＭ観察略図
面ＴＥＭ観察略図
【図２】Ｎ2 を先に、ＴｉＣｌ4 をあとに流した時の断
面ＴＥＭ観察略図
面ＴＥＭ観察略図
【図３】従来のコンタクト
【図４】Ｗ埋め込みコンタクト形成を示す工程断面図
【図５】Ｗ埋め込みコンタクトの他の実施例
【図６】ロードロックを有するＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置
置
【図７】ガスを流すタイミングに依存する０．８μｍ径
コンタクトの抵抗値
コンタクトの抵抗値
【図８】スパッタＴｉとＥＣＲプラズマＣＶＤ、ＴｉＮ
との、コンタクト抵抗とコンタクト径の関係
との、コンタクト抵抗とコンタクト径の関係
１，１１ 半導体基板 ２，１２ 絶縁膜 ３，１３ 拡散層 ４，１４ 絶縁膜 ５，１５ 開孔部 ６，１８ Ａｌ−Ｓｉ系合金 １６ 密着層（ＴｉＮ） １７ Ｗ層
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性のＴｉＮ膜を形成する方法であっ
て、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｏｒｏｎ
Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）によるプラズマを発生させたチ
ャンバー内に、先にＴｉを含むガスを導入し、続いてＮ
を含むガスを導入することを特徴とするＴｉＮ膜の形成
方法。 - 【請求項２】 前記Ｔｉを含むガスが、Ｔｉのハロゲン
化ガスであることを特徴とする請求項１記載のＴｉＮ膜
の形成方法。 - 【請求項３】 前記Ｔｉを含むガスが、Ｔｉを含む有機
系ガスであることを特徴とする請求項１記載のＴｉＮ膜
の形成方法。 - 【請求項４】 前記Ｎを含むガスが、Ｎ2 ，ＮＨ3 ，Ｎ
2 Ｈ2 からなるグループから選ばれた１つ或いは２つ以
上の混合ガスであるか、もしくは前記グループから選ば
れた１つ或いは２つ以上の混合ガスとＨ2 との混合ガス
であることを特徴とする請求項１記載のＴｉＮ膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04288903A JP3112755B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ＴｉＮ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04288903A JP3112755B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ＴｉＮ膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140360A JPH06140360A (ja) | 1994-05-20 |
| JP3112755B2 true JP3112755B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=17736282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04288903A Expired - Fee Related JP3112755B2 (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | ＴｉＮ膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112755B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP04288903A patent/JP3112755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06140360A (ja) | 1994-05-20 |
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|---|---|---|---|
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