JP3111433B2 - 画像処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置のリード
の配置形状検査を行なう画像処理装置に関するものであ
り、特にその高精度化に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、撮像装置によって読み取った
画像データから、ＩＣのリードの配置形状の検査（以下
配置形状検査という）を行なう方法の一つとして、ＩＣ
の先端位置からＩＣパッケージまでの長さを求めて検査
を行なう方法が知られている。この検査方法は、撮像装
置によって読み取った画像データを２値化処理し、順次
走査することにより、ＩＣのリード先端の位置を順次検
出する。上下左右それぞれのリードについて、リード先
端位置の平均点を求め、対向する点を結ぶ直線を求め
る。その直線に平行で、上記平均点を通過する直線を求
める。求めた直線をＩＣ51のパッケージの方向に平行移
動させ、その直線上の点のうち、濃淡レベルが「１」と
なる点が一定量以上になった時、ＩＣのパッケージの端
面であると判断する。ＩＣのパッケージ端面と一致した
直線5と各々のリード先端の位置との垂線距離を求める
ことにより、リードの長さを測定することができる。

【０００３】具体的な方法を図１６を用いて説明する。
同図に示すようにして上側リードのリード先端位置のＸ
座標の平均をＸ１とし，同様にしてＹ座標の平均Ｙ１を
求める。同様にして下側リードの平均Ｘ２，Ｙ２、左側
平均リードＸ３，Ｙ３、右側リードの平均Ｘ４，Ｙ４を
求める。点（Ｘ３，Ｙ３）と点（Ｘ４，Ｙ４）を結ぶ直
線53Xを求める。

【０００４】つぎに、直線53Xに平行で、点（Ｘ１，Ｙ
１）を通過する直線55を求める。直線55を直線53X方向
に平行移動させ、直線55上の点のうち、濃淡レベルが
「１」となる点が一定量以上になった時、ＩＣのパッケ
ージの端面であると判断する。直線55と各々のリード先
端の位置との垂線距離を求めることにより、上側のリー
ドの長さを測定することができる。同様に下、右、左側
についても同様の方法により、各々のリードの長さを測
定することができる。このようにして、全てのリードの
長さを測定することができる。また、既に求めたリード
の先端位置に基づき、リードピッチ等のリード配置形状
を検査することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような検査方法においては、次のような問題点があっ
た。

【０００６】ＩＣパッケージの外形寸法精度が悪いた
め、ＩＣパッケージの端点からリードの長さを検査して
も、正確な検査を行なうことができない。また、ＩＣパ
ッケージとリードとの区別をするため、直線55を直線53
X方向に平行移動させ、直線55上の点のうち、二値画像
が「１」となる点が一定量以上になるか否かを順次演算
する必要がある。このような演算は、処理速度の低下や
装置全体のコストアップを招くという問題がある。

【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決
し、複雑な処理が不要で、半導体本体の外形寸法精度の
影響を受けることなく、精度よくリードの配置形状検査
ができる画像処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１にかかる画像処
理装置は、２値化画像情報に基づき、半導体装置の各々
のリードについて、仮リード先端位置を測定するリード
先端仮位置測定手段、仮リード先端位置およびその周囲
の領域の濃淡画像から、各々のリードについて、真リー
ド先端位置を演算する真リード先端位置演算手段、真リ
ード先端位置演算手段により演算した真リード先端位置
に基づき半導体装置のリード配置形状が所望の配置形状
であるか検査する配置形状検査手段、を備えたことを特
徴とする。

【０００９】請求項２にかかる画像処理装置は、演算し
た各々の真リード先端位置のばらつきと、あらかじめ与
えられている半導体装置のばらつき許容度とを比較する
こと、を特徴とする。

【００１０】請求項３にかかる画像処理装置は、対向す
る真リード先端位置間の距離と、あらかじめ与えられて
いる半導体装置のリード先端位置間の距離を比較するこ
とを特徴とする。

【００１１】請求項４にかかる画像処理装置は、真リー
ド先端位置演算手段により演算した真リード先端位置に
基づき、各真リード先端位置の平均基準直線を演算する
とともに、２本の平均基準直線の交差角度を測定し、あ
らかじめ与えられている半導体装置の平均基準直線の交
差角度とを比較することを特徴とする。

【００１２】請求項５にかかる画像処理装置は、真リー
ド先端位置演算手段により演算した真リード先端位置に
基づき、各真リード先端位置の平均基準直線を演算する
とともに、２本の平均基準直線の交点と、おのおの平均
基準直線の２等分点との差が、あらかじめ与えられてい
る許容度以下であるかを検査することを特徴とする。

【００１３】請求項６にかかる画像処理装置は、真リー
ド先端位置演算手段により演算した真リード先端位置に
基づき、半導体装置の傾きを演算するとともに、得られ
た半導体装置の傾きおよび、あらかじめ与えられている
半導体装置のリード間距離から、あるリードの真リード
先端位置から隣接するリードの真リード先端位置を推測
し、推測した真リード先端位置と実際の真リード先端位
置を比較することにより、各々の真リード先端位置のば
らつきを検査することを特徴とする。

【００１４】請求項７にかかる画像処理装置は、真リー
ド先端位置演算手段により演算した真リード先端位置に
基づき、各真リード先端位置の平均基準直線を演算する
とともに、得られた各真リード先端位置の平均基準直線
と各リードの真リード先端位置との垂線距離を演算する
ことにより、各々の真リード先端位置のばらつきを検査
することを特徴とする。

【００１５】請求項８にかかる画像処理方法は、２値化
画像情報に基づき、半導体装置の各々のリードについ
て、仮リード先端位置を測定し、仮リード先端位置およ
びその周囲の領域の濃淡画像から、各々のリードについ
て、真リード先端位置を演算し、演算した真リード先端
位置に基づき半導体装置のリード配置形状が所望の配置
形状であるか検査することを特徴とする。

【００１６】請求項９にかかる画像処理方法は、演算し
た各々の真リード先端位置のばらつきと、あらかじめ与
えられている半導体装置のばらつき許容度とを比較する
こと、を特徴とする。

【００１７】請求項１０にかかる画像処理方法は、対向
する真リード先端位置間の距離と、あらかじめ与えられ
ている半導体装置のリード先端位置間の距離を比較する
ことを特徴とする。

【００１８】請求項１１にかかる画像処理方法は、真リ
ード先端位置演算手段により演算した真リード先端位置
に基づき、各真リード先端位置の平均基準直線を演算す
るとともに、２本の平均基準直線の交差角度を測定し、
あらかじめ与えられている半導体装置の平均基準直線の
交差角度と比較することを特徴とする。

【００１９】請求項１２にかかる画像処理方法は、演算
した真リード先端位置に基づき、各真リード先端位置の
平均基準直線を演算するとともに、２本の平均基準直線
の交点と、おのおの平均基準直線の２等分点との差が、
あらかじめ与えられている許容度以下であるかを検査す
ることを特徴とする。

【００２０】請求項１３にかかる画像処理方法は、演算
した真リード先端位置に基づき、半導体装置の傾きを演
算するとともに、得られた半導体装置の傾きおよび、あ
らかじめ与えられている半導体装置のリード間距離か
ら、あるリードの真リード先端位置から隣接するリード
の真リード先端位置を推測し、推測した真リード先端位
置と実際の真リード先端位置を比較することにより、各
々の真リード先端位置のばらつきを検査することを特徴
とする。

【００２１】請求項１４にかかる画像処理方法は、演算
した真リード先端位置に基づき、各真リード先端位置の
平均基準直線を演算するとともに、得られた各真リード
先端位置の平均基準直線と各リードの真リード先端位置
との垂線距離を演算することにより、各々の真リード先
端位置のばらつきを検査することを特徴とする。

【００２２】

【作用】請求項１にかかる画像処理装置および請求項８
にかかる画像処理方法においては、２値化画像情報に基
づき、半導体装置の各々のリードについて、仮リード先
端位置を測定し、仮リード先端位置およびその周囲の領
域の濃淡画像から、各々のリードについて、真リード先
端位置を演算し、演算した真リード先端位置に基づき半
導体装置のリード配置形状が、所望の配置形状であるか
検査する。

【００２３】したがって、２値化画像情報に基づき計測
された仮リード先端位置から、補正した真リード先端位
置を得ることができる。正確に演算された真リード先端
位置に基づき、半導体装置のリード配置形状を検査する
ことにより、正確なリード配置形状を検査することがで
きる。

【００２４】請求項２にかかる画像処理装置および請求
項９にかかる画像処理方法においては、演算した各々の
真リード先端位置のばらつきと、あらかじめ与えられて
いる半導体装置のばらつき許容度とを比較する。したが
って、２値化画像情報に基づき計測された仮リード先端
位置から、補正した真リード先端位置を得ることができ
る。さらに正確に演算された真リード先端位置に基づ
き、各々の真リード先端位置のばらつきを検査すること
により、各々の真リード先端位置のばらつきを精密に検
査することができる。

【００２５】請求項３にかかる画像処理装置および請求
項１０にかかる画像処理方法においては、対向する真リ
ード先端位置間の距離と、あらかじめ与えられている半
導体装置のリード先端位置間の距離を比較する。したが
って、２値化画像情報に基づき計測された仮リード先端
位置から、補正した真リード先端位置を得ることができ
る。さらに正確に演算された真リード先端位置に基づ
き、対向する真リード先端位置間の距離を検査すること
により、対向する真リード先端位置間の距離を精密に検
査することができる。

【００２６】請求項４にかかる画像処理装置および請求
項１１にかかる画像処理方法においては、真リード先端
位置演算手段により演算した真リード先端位置に基づ
き、各真リード先端位置の平均基準直線を演算するとと
もに、２本の平均基準直線の交差角度を測定し、あらか
じめ与えられている半導体装置の平均基準直線の交差角
度と比較する。したがって、対向する真リード先端位置
が、斜方向にずれているか検出することができる。

【００２７】請求項５にかかる画像処理装置および請求
項１２にかかる画像処理方法においては、演算した真リ
ード先端位置に基づき、各真リード先端位置の平均基準
直線を演算するとともに、２本の平均基準直線の交点
と、おのおの平均基準直線の２等分点との差が、あらか
じめ与えられている許容度以下であるかを検査する。し
たがって、真リード先端位置が、斜方向にずれているか
検出することができる。請求項６にかかる画像処理装置
および請求項１３にかかる画像処理方法においては、演
算した真リード先端位置に基づき、半導体装置の傾きを
演算するとともに、得られた半導体装置の傾きおよび、
あらかじめ与えられている半導体装置のリード間距離か
ら、あるリードの真リード先端位置から隣接するリード
の真リード先端位置を推測し、推測した真リード先端位
置と実際の真リード先端位置を比較することにより、各
々の真リード先端位置のばらつきを検査する。したがっ
て、真リード先端位置のばらつきを検査することができ
る。

【００２８】請求項７にかかる画像処理装置および請求
項１４にかかる画像処理方法においては、演算した真リ
ード先端位置に基づき、各真リード先端位置の平均基準
直線を演算するとともに、得られた各真リード先端位置
の平均基準直線と各リードの真リード先端位置との垂線
距離を演算することにより、各々の真リード先端位置の
ばらつきを検査する。したがって、真リード先端位置の
ばらつきを検査することができる。

【００２９】

【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。まず、図１に本発明の一実施例である画像処理装置
の全体構成図を示す。本装置は、撮像手段21、リード先
端仮位置測定手段23、真リード先端位置演算手段25、誤
認識検出手段29、および配置形状検査手段27を備えてい
る。各手段の関係の概要を説明する。

【００３０】撮像手段21により得られた濃淡画像情報
は、２値化画像情報に変換され、リード先端仮位置測定
手段23に与えられる。リード先端仮位置測定手段23は、
ノイズを除去しつつ、半導体装置の各々のリードについ
て、仮リード先端位置を測定する。仮リード先端位置を
測定した際、誤認識検出手段29は、リード先端仮位置測
定手段によって得られた仮リード先端位置の個数と、あ
らかじめ与えられている半導体装置のリードの本数との
差が一定値以上の場合には、検出された仮リード先端位
置は誤まっていると認識する。

【００３１】検出された仮リード先端位置は誤まってい
ないと認識した場合には、真リード先端位置演算手段25
は、仮リード先端位置および周囲の領域の濃淡画像か
ら、各々のリードについて、真リード先端位置を演算す
る。配置形状検査手段27は、真リード先端位置演算手段
25により演算した真リード先端位置に基づき、各々のリ
ードの配置形状を検査する。

【００３２】図２に、図１の各機能をＣＰＵを用いて実
現した画像処理装置13を示す。画像処理装置13は、撮像
手段であるカメラ１、画像入力部２、画像メモリ３、画
像出力部４、ビデオモニタ５、タイミング制御部６、文
字メモリ７、アドレス／データバス８、ＣＰＵ９、ＲＯ
Ｍ10、ＲＡＭ11、Ｉ／Ｏ12を備えている。

【００３３】カメラ１は、撮像した画像をアナログのビ
デオ信号として画像入力部２へ送る。画像入力部２は、
入力されたビデオ信号をＡ／Ｄ変換することにより、濃
淡画像データおよび２値画像データを画像メモリ３へ送
る。

【００３４】画像メモリ３は、入力された画像データを
１画素単位で格納する。文字メモリ７は、ビデオモニタ
５に表示する文字についてのフォントデータを格納して
いる。画像出力部４は、画像メモリ３、文字メモリ７か
ら出力されたデジタル信号からなる画像データをそれぞ
れＤ／Ａ変換して１画面分のビデオ信号として変換し、
ビデオモニタ５に送る。ビデオモニタ５は、画像出力部
４から出力されたビデオ信号に基づき、入力画像および
演算結果等を表示する。

【００３５】一方、アドレス／データバス８には、画像
メモリ３、文字メモリ７、ＣＰＵ９、ＲＯＭ10、ＲＡＭ
11、Ｉ／Ｏ12が接続されることにより、マイクロコンピ
ュータが構成されている。このマイクロコンピュータで
は、ＲＯＭ10に格納されているプログラムをＣＰＵ９が
実行する。これにより、ＩＣの配置形状の検査等の各種
画像処理が実行される。

【００３６】タイミング制御部６は、ＣＰＵ９と連動し
て、画像入力部２、画像メモリ３、画像出力部４、文字
メモリ７におけるデータの入出力を制御するためのタイ
ミング信号を出力する。

【００３７】この装置の動作を、図３、図４、図５およ
び図６のフローチャートを参照して説明する。まず、Ｑ
ＦＰ（quad flat package)51の上部のリードについて、
処理を行う場合について説明する。ＣＰＵ９は、画像メ
モリ３に格納された画像データを１画素単位で矢印ＳＣ
１の方向（横走査方向、図３Ａ参照）に順次走査する
（図４ステップＳ１）。２値データが「１」となる点Ｐ
を検出すると（図３Ａ参照）、点Ｐを含む所定の領域
（ここでは、３＊２とした）を設定し、この領域内に、
２値データが「１」である画素が何個あるかを判定す
る。２値データが「１」である画素が、所定の個数（こ
こでは３画素とした）以下であれば、ノイズとみなして
走査をつづける（図４ステップＳ２）。なお、所定の領
域の大きさ、所定の値は一画素の大きさ、ノイズの大き
さ等から決定すればよい。

【００３８】ステップＳ２の領域判定で、ノイズでない
と判断した場合、その点をそのリードにおける仮リード
先端位置（図３Ｂの点Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１））とする（図
４ステップＳ３）。そのリードに隣接するリードの仮リ
ード先端位置を測定する方法については、図３Ｂ、３Ｃ
を用いて説明する。

【００３９】まず、点Ｐ１の下側３つの画素の２値デー
タを見る。この場合は２値化の量子化誤差および走査す
る方向により、図３Ｃ〜Ｈの場合が考えられる。ここで
は、図３Ｆに該当するので、右下の方向（リードの内側
方向）へ移動する。同図Ｅ，Ｆの場合は矢印ＳＣ１の方
向に走査した場合であり、同図Ｇ，Ｈの場合は矢印ＳＣ
１とは逆の方向に走査した場合である。同図Ｃ，Ｄの場
合は両方の場合がある。このような、補正移動を行うこ
とにより、ＱＦＰ51が搬送されてきた位置および姿勢が
ズレていても、確実にリードの内側へ移動させることが
できる。

【００４０】なお、補正移動する画素数は、本実施例で
は一画素としたが、リードの幅および一画素の大きさに
基づき決定すればよい。

【００４１】つぎに、同図Ｂに戻って、矢印ＳＣ２の方
向へｎ画素分移動する。この点をＰ２とする。ここで移
動するｎ画素分の値は、あらかじめ判明しているＱＦＰ
51のデータ（最大許容リード間ピッチ、および、搬送さ
れた場合の姿勢の最大傾き）を基にして、ｎ画素分移動
した点Ｐ２が、計測するリードの内部に存在するように
決定すればよい。追跡途中の点でＹ座標が、ｙ＝（ｙ1
＋ｙ2）／２となる位置を点Ｐ３とし、点Ｐ２から、点
Ｐ３に移動する。このように、所定の画素数移動後、隣
接するリードの検出を行う。

【００４２】なお、図12Ｂに示すように、光源からＱＦ
Ｐ51に照明光を照射し反射した光を、２値化処理した場
合は、同図Ｃに示すような、２値画像が得られる。この
ような場合、あるリードの仮リード先端位置から、矢印
ＳＣ２（図３Ｂ参照）の方向へｎ画素分移動すると、一
旦リードの外にでた後、点Ｐ２がに定義されることとな
る。そこで、このように、ｎ画素分移動する前に、一旦
リードの外にでてしまう場合には、一旦リードの外にで
る点をＰ２とすればよい。なお、この場合も、点Ｐ３の
位置は、上述の方法と同様に、点Ｐ２と点Ｐ１各々の平
均となるようにすればよい。

【００４３】隣接するリードの検出については、つぎの
ようにして行う。矢印ＳＣ１とは逆の方向に走査し、２
値データが一旦０となった後、ふたたび、１となる点を
点Ｐ４とする。ここでふたたび前記補正移動（ここで
は、図３Ｃに該当）を行い、その後、そのリードにおけ
る先端方向である矢印ＳＣ２とは逆の方向（縦走査方
向）に走査し、そのリードにおける仮リード先端位置Ｐ
５を求める。このようにして、隣接するリードの仮リー
ド先端位置Ｐ５が求められる。

【００４４】その後、矢印ＳＣ２の方向へｎ画素分移動
する。この点をＰ６とする。追跡途中の点でＹ座標が、
ｙ＝（ｙ5＋ｙ6）／２となる位置を点Ｐ７とし、点Ｐ６
から、点Ｐ７に移動する。このような動作を繰り返すこ
とにより順次仮リード先端位置の検出を行う。なお、矢
印ＳＣ１とは逆の方向に走査し、２値データが一旦０と
なった後、ＱＦＰ51のリード間ピッチの倍画素移動して
も、ふたたび、１となる点が、みつからない場合は隣接
するリードがないものと判断し、点Ｐ３に移動して、そ
の位置から矢印ＳＣ１の方向に走査すればよい。

【００４５】なお、本実施例においては、最初の仮リー
ド先端位置が、端に位置するリードから始まらない場合
について説明したが、最初の仮リード先端位置が、端に
位置するリードから始まる場合には、矢印ＳＣ１の方向
またはその逆の方向どちらか一方に走査すればよい。

【００４６】つぎに、ＣＰＵ９は、上側のすべてのリー
ドについて求めた仮リード先端位置の個数と、ＲＯＭ10
またはＲＡＭ11に記憶されているＱＦＰ51のリードの上
面の本数と比較する（図４ステップＳ４）。両者の差が
一定値以上の場合には、検出された仮リード先端位置は
リードではないと認識する。これにより、リードとほぼ
同じ大きさのごみ等をリードとして誤って検出すること
を防止できる。

【００４７】上記動作を、他の三面について繰り返し行
い、上側のすべてのリードについて仮リード先端位置を
求める。

【００４８】その後、濃淡画像切出しを利用し、仮リー
ド先端位置に基づき真リード先端位置の演算を行う（図
４ステップＳ５）。以下濃淡画像切出しの方法について
説明する。

【００４９】まず、図５に示すように仮リード先端位置
に相当する画素１６を着目画素とし、この着目画素１６
を中心として、８近傍の画素を含む矩形状のマスク１７
を設定した後、この８近傍の各画素につき、２値化しき
い値ＴＨを用いた所定の条件（以下、「第１条件」とい
う）を満たすか否かを判別することにより、各画素が画
像内部を構成する画素か否かを判別し、第１条件を満た
す場合は、その画素を集合要素として順次抽出する。な
お同図において、各桝目は画素を示す。

【００５０】図６は、前記マスク１７内の各画素位置を
ＸＹ座標値で示したもので、中心の着目画素１６を（Ｘ
_i，Ｙ_i）とすると、８近傍の各画素のＸＹ座標値は同図
に示すように表される。

【００５１】いま画素位置（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）の近傍
画素１８の濃淡レベルをＦ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）とする
と、前記した第１条件は、つぎの式で与えられる。

【００５２】 Ｆ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）＊δ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）＞ＴＨ ・・・ 上式中、δ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）はその近傍画素１８が
すでに集合要素となっているか否かを表す関数であっ
て、すでに集合要素となっていなければ、この関数の値
は「０」であり、いまだ集合要素となっていなければ、
この関数の値は「１」である。

【００５３】この式から明らかなとおり、対象物の画
像部分が背景の画像部分より明るい場合は、画素位置
（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）の近傍画素１８の濃淡レベルが２
値化しきい値ＴＨより大きくかつその近傍画素１８がい
まだ集合要素でないときは第１条件を満たすことにな
る。またもし濃淡レベルが２値化しきい値ＴＨ以下であ
るか、またはその近傍画素１８がすでに集合要素となっ
ているときは第１条件を満たさないことになる。

【００５４】一方、対象物の画像部分が背景の画像部分
より暗い場合は、画素位置（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）の近傍
画素１８の濃淡レベルが２値化しきいＴＨより小さくか
つその近傍画素１８がいまだ集合要素でないときは第１
条件を満たすことになる。またもし濃淡レベルが２値化
しきい値ＴＨ以上であるか、またはその近傍画素１８が
すでに集合要素となっているときは第１条件を満たさな
いことになる。

【００５５】なお他の８近傍の各画素についての条件も
同様であり、ここでは説明を省略する。

【００５６】こうして８近傍の各画素につき第１条件を
満たすか否かを順次判別し、第１条件を満たす画素につ
いては集合要素に加えてＲＡＭ１１に登録してゆく。図
５において、×印が付された各画素は集合要素として登
録された画素である。

【００５７】８近傍の各画素の条件判別を終えると、つ
ぎに新たに集合要素に加わった各画素（この例では、８
近傍の各画素）を順次着目画素として指定し、その着目
画素を中心として、図５で破線で示すように、同様のマ
スク１７を順次設定して、同様に８近傍の各画素につい
ての条件判別を行うことになる。なおこの手順は新たに
加わる集合要素が尽きるまで繰り返される。

【００５８】このようにして対象物の画像部分１５ａに
つき画像内部を構成する画素を抽出した後、つぎに画像
の境界を構成する画素の抽出を行う。

【００５９】図７は、その抽出方法を示すもので、同図
中、×印が付された各画素は、画像内部を構成する画素
（集合要素）として登録された画素である。

【００６０】ここでは各集合要素を順次着目画素とし、
各着目画素を中心として、同図に示すような８近傍の画
素を含む前記と同様の矩形状のマスク１７を設定した
後、この８近傍の各画素につき、背景の濃淡レベルＬＶ
１および着目画素の濃淡レベルＬＶ２を用いた所定の条
件（以下、「第２条件」という）を満たすか否かを判別
することにより、各画素が画像の境界を構成する画素で
あるか否かと、その画素が隣接する対象物の画像部分を
構成する画素でないかどうかとを判別し、第２条件を満
たす場合は、その画素を集合要素として順次抽出する。

【００６１】いま８近傍の画素うち、画素位置（Ｘ_i−
１，Ｙ_i−１）の画素の濃淡レベルをＦ（Ｘ_i−１，Ｙ_i
−１）とすると、前記した第２条件はつぎの式で与
えられる。

【００６２】 Ｆ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）＊δ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）＞ＬＶ１ ・・・ Ｆ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）＊δ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）＜ＬＶ２ ・・・ 上式中、δ（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）はその画素がすでに集
合要素となっているか否かを表す関数であって、すでに
集合要素となっていれば、この関数の値は「０」であ
り、いまだ集合要素となっていなければ、この関数の値
は「１」である。この式から明かなとおり、対象物
の画像部分が背景の画像部分より明るい場合は、画素位
置（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）の画素の濃淡レベルが背景の濃
淡レベルＬＶ１より大きくかつその画素がいまだ集合要
素でなくかつ着目画素の濃淡レベルＬＶ２より小さいと
きは第２条件を満たすことになる。またもし濃淡レベル
が背景の濃淡レベルＬＶ１以下であるか、またはその画
素がすでに集合要素となっているか、または濃淡レベル
が着目画素の濃淡レベルＬＶ２以上であるときは第２条
件満たさないことになる。

【００６３】一方、対象物の画像部分が背景の画像部分
より暗い場合は、画素位置（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）の画素
の濃淡レベルが背景の濃淡レベルＬＶ１より小さくかつ
その画素がいまだ集合要素でなくかつ着目画素の濃淡レ
ベルＬＶ２より大きいときは第２条件を満たすことにな
る。またもし濃淡レベルが背景の濃淡レベルＬＶ１以上
であるか、またはその画素がすでに集合要素となってい
るか、または濃淡レベルが着目画素の濃淡レベルＬＶ以
下であるときは第２条件を満たさないことになる。

【００６４】なお他の８近傍の各画素についての条件も
同様であり、ここでは説明を省略する。

【００６５】こうして８近傍の各画素につき第２条件を
満たすか否かを順次判別し、第２条件を満たす画素につ
いては集合要素に加えてＲＡＭ１１に登録してゆく。同
図において、破線の×印が付された各画素は集合要素と
して新たに登録された画素である。

【００６６】８近傍の各画素の条件判別を終えると、つ
ぎの集合要素である各画素、さらには新たに加わった集
合要素である各画素を順次着目画素とし、その着目画素
を中心として、同様のマスク１７を順次設定して、同様
に８近傍の各画素についての条件判別を行うことにな
る。なおこの手順は新たに加わる集合要素が尽きるまで
繰り返される。

【００６７】図８および図９は、上記した原理に基づく
前記ＣＰＵ９による計測手順を示す。

【００６８】以下、説明を簡略化するために図１０，１
１に示す濃淡画像２１につき具体的に計測手順を説明す
る。なお同図中、各桝目は画素であって、対象物の画像
部分２０のうち、Ａ〜Ｅ画像内部を構成する各画素を、
またａ〜１は境界を構成する各画素を、それぞれ示す。

【００６９】いま最初の着目画素をＡとすると、図８の
ステップ１（図中、「ＳＴ１」で示す）において、ＣＰ
Ｕ９は着目画素Ａの座標（Ｘ₀，Ｙ₀）を０番目の集合要
素としてＲＡＭ１１の記憶エリアＸ（０），Ｙ（０）に
登録すると共に、ＣＰＵ９が有するカウンタｎ，ｉにゼ
ロを初期設定する。

【００７０】つぎのステップ２でＣＰＵ９が有する他の
カウンタｅｎに前記カウンタｎの計数値をセットした
後、つぎのステップ３において、ＣＰＵ９は着目画素Ａ
に対する第１の近傍画素２２、すなわち座標（Ｘ_i−
１，Ｙ_i−１）の画素につき前記第１条件を満たすか否
かを判別する。

【００７１】なお、前記カウンタｎ，ｅｎは集合要素の
個数を計数するためのものであり、またカウンタｉは着
目画素の順位を計数するためのものである。

【００７２】もしステップ３の判定が「ＹＥＳ」であれ
ば、ステップ４へ進んで、カウンタｎが１加算されると
共に、その画素の座標（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）が１番目の
集合要素としてＲＡＭ１１の記憶エリアＸ（１），Ｙ
（１）に記憶されることになるが、図１０に示す具体例
では、第１の近傍画素２２は第１条件を満たさないか
ら、このステップ４はスキップされてステップ５へ進
み、つぎにＣＰＵ９は、着目画素Ａに対する第２の近傍
画素２３、すなわち座標（Ｘ_i,Ｙ_i-1)の画素につき前記
第１条件を満たすか否かを判別する。

【００７３】もしステップ５の判定が「ＹＥＳ」であれ
ば、ステップ６へ進んで、カウンタｎが１加算されると
共に、その画素の座標（Ｘ_i,Ｙ_i−１）が集合要素とし
てＲＡＭ１１に登録されることになるが、同図に示す具
体例では、第２の近傍画素２３は第１条件を満たさない
から、このステップ４もスキップされる。

【００７４】以下同様に、ステップ７，８に至る手順に
おいて、第３〜第８の近傍画素につき第１条件を満たす
か否かが判定され、もし第１条件を満たすときはカウン
タｎの加算と集合要素の登録とが行われる。

【００７５】同図に示す具体例では、近傍画素Ｂ，Ｃは
第１条件を満たしており、画素Ｂの座標が１番目の集合
要素としてＲＡＭ１１の記憶エリアＸ（１），Ｙ（１）
に、また画素Ｃの座標が２番目の集合要素として記憶エ
リアＸ（２），Ｙ（２）に、それぞれ登録される。また
カウンタｎは登録の都度加算され、その結果、カウンタ
ｎの値は「２」となっている。

【００７６】つぎにステップ９ではカウンタｉが１加算
され、つぎのステップ１０でカウンタｉの値（この場合
「１」）とカウンタｅｎの値（この場合「０」）とが大
小比較される。この場合、カウンタｉの値がカウンタｅ
ｎの値より大きいから、ステップ１０の判定が「ＹＥ
Ｓ」となり、つぎのステップ１１でカウンタｉの値をカ
ウンタｅｎの値に１加算した値（この場合「１」）にセ
ットして、つぎに画素Ｂが着目画素に指定されることに
なる。なお画素Ｂの座標は（Ｘ_i，Ｙ_i)で与えられる。

【００７７】つぎのステップ１２は、カウンタｎの値
（この場合「２」）とカウンタｅｎの値（この場合
「０」）とが一致するか否かを判定しており、この場
合、その判定は「ＮＯ」であるから、ステップ２へ戻
り、カウンタｅｎの値をカウンタｎの値に書き換える。
この場合、カウンタｎの値は「２」であるから、カウン
タｅｎの値は「２」に書き換えられる。

【００７８】以下、ステップ３〜ステップ８において、
ＣＰＵ９は着目画素Ｂに対する第１〜第８の近傍画素に
つき前記第１条件を満たすか否かを判別するもので、同
図の具体例の場合、近傍画素Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇは第１条件
を満たしており、画素Ｄの座標が３番目の集合要素とし
てＲＡＭ１１の記憶エリアＸ（３），Ｙ（３）に、また
画素Ｅの座標が４番目の集合要素として記憶エリアＸ
（４），Ｙ（４）に、画素Ｆの座標５番目の集合要素と
して記憶エリアＸ（５），Ｙ（５）に、画素Ｇの座標が
６番目の集合要素として記憶エリアＸ（６），Ｙ（６）
に、それぞれ登録される。またカウンタｎは登録の都度
加算され、その結果、カウンタｎの値は「６」となって
いる。

【００７９】つぎにステップ９ではカウンタｉが１加算
され、つぎのステップ１０でカウンタｉの値（この場合
「２」）とカウンタｅｎの値（この場合「２」）とが大
小比較される。この場合、カウンタｉの値とカウンタｅ
ｎの値とが等しいから、ステップ１０の判定が「ＮＯ」
となってステップ３へ戻り、つぎにＣＰＵ９は、以下の
ステップ３〜ステップ８において、着目画素Ｃに対する
第１〜第８の近傍画素につき前記第１条件を満たすか否
かを判別する。

【００８０】同図の具体例の場合、第１条件を満たす画
素はもはや存在しないから、新たに登録される集合要素
はなく、カウンタｎの値は「６」のままである。

【００８１】つぎにステップ９でカウンタｉが１加算さ
れ、つぎのステップ１０でカウンタｉの値（この場合
「３」）とカウンタｅｎの値（この場合「２」）とが大
小比較される。この場合、カウンタｉの値がカウンタｅ
ｎの値より大きいから、ステップ１０の判定が「ＹＥ
Ｓ」となり、つぎのステップ１１でカウンタｉの値をカ
ウンタｅｎの値に１加算した値（この場合「３」）にセ
ットして、つぎに画素Ｄが着目画素に指定されることに
なる。なお画素Ｄの座標は（Ｘ₃，Ｙ₃）で与えられる。

【００８２】つぎのステップ１２は、カウンタｎの値
（この場合「６」）とカウンタｅｎの値（この場合
「２」）とが一致するか否かを判定しており、この場
合、その判定は「ＮＯ」であるから、ステップ２へ戻
り、カウンタｅｎの値をカウンタｎの値に書き換える。
この場合、カウンタｎの値は「６」であるから、カウン
タｅｎの値は「６」に書き換えられる。

【００８３】以下、ＣＰＵ９は着目画素Ｄに対する第１
〜第８の近傍画素につき前記第１条件を満たすか否かを
判別し、続いて画素Ｅ，Ｆ，Ｇを順次着目して同様に８
近傍の画素について第１条件を満たすか否かを判別して
ゆくが、同図の具体例の場合、これ以後、第１条件を満
たす画素は存在しないから、画素Ｇについての条件判定
が終了すると、ステップ１２が「ＹＥＳ」となって、図
９に示す第２条件の判定手順へ移行する。

【００８４】まずステップ１３でＣＰＵ９はカウンタｉ
を「０」にセットし、続くステップ１４でカウンタｅｎ
をカウンタｎの値（この場合、「６」）にセットした
後、つぎのステップ１５において、座標（Ｘ₀，Ｙ₀）の
位置の着目画素Ａに対する第１の近傍画素２２、すなわ
ち座標（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）の画素につき前記第２条件
を満たすか否かを判別する。

【００８５】もしステップ１５の判定が「ＹＥＳ」であ
れば、ステップ１６へ進んで、カウンタｎが１加算され
ると共に、その画素の座標（Ｘ_i−１，Ｙ_i−１）が７番
目の集合要素としてＲＡＭ１１の記憶エリアＸ（７）、
Ｙ（７）に記憶されることになるが、図１１に示す具体
例では、第１の近傍画素２２は第２条件を満たさないか
ら、このステップ１６はスキップされてステップ１７へ
進み、つぎにＣＰＵ９は、着目画素Ａに対する第２の近
傍画素、すなわち座標（Ｘ_i，Ｙ_i−１）の画素ａにつき
前記第２条件を満たすか否かを判別する。

【００８６】同図に示す具体例の場合、ステップ１７の
判定が「ＹＥＳ」であるから、ステップ１８へ進んで、
カウンタｎが１加算（ｎ＝７）されると共に、その画素
ａの座標（Ｘ_i，Ｙ_i−１）が集合要素としてＲＡＭ１１
の記憶エリアＸ（７），Ｙ（７）に登録されることにな
る。

【００８７】以下同様に、ステップ１９，２０に至る手
順において、第３〜第８の近傍画素につき第１条件を満
たすか否かが判定され、もし第１条件を満たすときはカ
ウンタｎの加算と集合要素の登録とが行われる。

【００８８】同図に示す具体例では、近傍画素ｂ，ｃ，
ｄは第２条件を満たしており、画素ｂの座標が８番目の
集合要素としてＲＡＭ１１の記憶エリアＸ（８），Ｙ
（８）に、また画素ｃの座標が９番目の集合要素として
記憶エリアＸ（９），Ｙ（９）に、画素ｄの座標が１０
番目の集合要素として記憶エリアＸ（１０），Ｙ（１
０）に、それぞれ登録される。またカウンタｎは登録の
都度加算され、その結果、カウンタｎの値は「１０」と
なっている。

【００８９】つぎにステップ２１ではカウンタｉが１加
算され、つぎのステップ２２でカウンタｉの値（この場
合「１」）とカウンタｅｎの値（この場合「６」）とが
大小比較される。この場合、カウンタｉの値がカウンタ
ｅｎの値より小さいから、ステップ２２の判定が「Ｎ
Ｏ」となってステップ１５へ戻り、つぎにＣＰＵ９は、
以下のステップ１５〜ステップ２０において、着目画素
Ｂに対する第１〜第８の近傍画素につき前記第２条件を
満たすか否かを判別する。同図の具体例の場合、近傍画
素ｅは第２条件を満たしており、画素ｅの座標が１１番
目の集合要素としてＲＡＭ１１の記憶エリアＸ（１
１），Ｙ（１１）に登録される。またこの段階ではカウ
ンタｎの値は「１１」となっている。

【００９０】つぎにステップ２１ではカウンタｉが１加
算され、つぎのステップ１０でカウンタｉの値（この場
合「２」）とカウンタｅｎの値（この場合「６」）とが
大小比較される。この場合、カウンタｉの値はカウンタ
ｅｎの値より小さいから、ステップ２２の判定が「Ｎ
Ｏ」となってステップ３へ戻り、つぎにＣＰＵ９は、以
下のステップ３〜ステップ８において、着目画素Ｃに対
する第１〜第８の近傍画素につき前記第２条件を満たす
か否かを判別し、さらに続いて、各着目画素Ｄ〜Ｇに対
する第１〜第８の近傍画素につき第２条件を満たすか否
かを同様に判別する。

【００９１】このようにして各着目画素Ｃ〜Ｇについて
の条件判別を終えて、ステップ２１でカウンタｉの内容
が１加算されたときは、ｉ＝７となってステップ２２の
判定が「ＹＥＳ」となる。つぎのステップ２３でカウン
タｉをカウンタｅｎの値に１加算した値（この場合
「７」）にセットし、つぎに画素ａが着目画素に指定さ
れることになる。なお画素ａの座標は（Ｘ₇，Ｙ₇）で与
えられる。

【００９２】つぎのステップ２４は、カウンタｎの値
（この場合「１７」）とカウンタｅｎの値（この場合
「６」）とが一致するか否かを判定しており、この場
合、その判定は「ＮＯ」であるから、ステップ１４へ戻
り、カウンタｅｎの値をカウンタｎの値に書き換える。
この場合、カウンタｎの値は「１７」であるから、カウ
ンタｅｎの値は「１７」に書き換えられる。

【００９３】以下、ＣＰＵ９は着目画素ａに対する第１
〜第８の近傍画素につき前記第２条件を満たすか否かを
判別し、続いて画素ｂ〜ｌを順次着目して同様に８近傍
の画素について第２条件を満たすか否かを判別してゆく
が、同図の具体例の場合、これ以後、第２条件を満たす
画素は存在しないから、画素１についての条件判定が終
了すると、ステップ２４の判定が「ＹＥＳ」となり、第
２条件の判定手順が完了してステップ２５へ移行する。

【００９４】このようにして抽出された画素の集合を計
測領域として、ステップ２５でＣＰＵ９は、つぎの式
の演算を実行して計測領域の面積Ｓをまず求め、つぎに
式により、切出した重心の座標（Ｘ_G，Ｙ_G）を算出
する。

【００９５】

【数１】

【００９６】

【数２】

【００９７】

【数３】

【００９８】このような技術を利用することにより、２
値画像により求めたリードの概略形状から、正確なリー
ドの形状を得ることができる。さらに、計測領域として
の画素の集合を各リードを構成するリード先端画素から
所定の画素数とすることにより、リード先端の重心であ
る真リード先端位置を求めることができる。

【００９９】仮リード先端位置と真リード先端位置との
関係を示すと次の様になる。かりに、図13Ａに示すよう
な濃淡画像を得た場合、これを濃淡レベル９をしきい値
（濃淡レベル９以上を「１」とする）として２値化する
と、同図Ｂに示すような２値画像を得られる。この２値
画像を横走査方向（矢印ＳＣ１方向）に走査すると、最
初に２値データが「１」となる点Ｐ１が、そのリードに
おける仮リード先端位置となる。点Ｐ１を仮リード先端
位置として、ウインドウ34の範囲で濃淡画像切出しを行
なう。この場合、同図Ａに示すような画素31a1,31b1,31
c1,31d1,31e1,31a2,31b2,31c2,31d2,31e2,31a3,31b3,31
c3,31d3,31e3の各々の荷重平均の位置が、上述の式
によって求められ、求めた点が真リード先端位置とな
る。

【０１００】なお、本実施例においては、リード先端画
素から所定の画素数を３画素としたが、それ以上の画素
数としてもよい。

【０１０１】以上の処理により、２値画像により求めた
仮リード先端位置に基づき、真リード先端位置が演算さ
れる。演算された真リード先端位置にもとづき、つぎの
ようにして、ＱＦＰ51のリードの配置形状の検査を行な
う。

【０１０２】まず、上下左右それぞれのリードについ
て、真リード先端位置の平均点を求め、対向する点を結
ぶ直線を求める。そして、その直線の傾きをＱＦＰ51の
姿勢とする。具体的には、同図Ｃに示すようにして上側
リードの真リード先端位置のＸ座標の平均をＸ１とし，
同様にしてＹ座標の平均Ｙ１を求める。同様にして下側
リードの平均Ｘ２，Ｙ２、左側平均リードＸ３，Ｙ３、
右側リードの平均Ｘ４，Ｙ４を求め、点（Ｘ１，Ｙ１）
と点（Ｘ２，Ｙ２）を結ぶ直線を求める。この直線を真
リード先端位置の平均基準直線とよぶ。その直線の傾き
をＱＦＰ51の姿勢とすればよい。なお、同様にして点
（Ｘ３，Ｙ３）と点（Ｘ４，Ｙ４）を結んで平均基準直
線を求める。

【０１０３】ところで、リードの欠落やピンの曲りなど
で全リードが検出することができなかった場合、図１２
Ａに示すように、最小２乗法で求めた直線方程式から、
点Ｐ100（Ｘ100,Y100）〜点Ｐ103（Ｘ103，Ｙ103）を次
の様に計算することにより、ＱＦＰ51の位置、および姿
勢を求めることができる。

【０１０４】位置Ｘ＝（X100＋X101+X102+X103）／４ 位置Ｙ＝（Y100＋Y101+Y102+Y103）／４ 姿勢θ＝（θ100＋θ101+θ102+θ103）／４ ここでθ100、θ101、θ102、θ103は以下の式で与えら
れる。

【０１０５】 θ100＝TAN^-1｛（Y100-Y101）／（X100-X101）｝ θ101＝TAN^-1｛（Y101-Y102）／（X101-X102）｝ θ102＝TAN^-1｛（Y102-Y103）／（X102-X103）｝ θ103＝TAN^-1｛（Y103-Y100）／（X103-X100）｝ つぎに、図14Ａを用いて、ＱＦＰ51の上側リードに関す
るばらつき検査をする場合について説明する。上側の左
端リードの真リード先端位置Ｐ１（Ｘ1，Ｙ1）から、予
想される先端リード位置Ｑ２（Ｘｑ2，Ｙｑ2）を求め
る。Ｘｑ2，およびＹｑ2は、あらかじめ与えられている
リードピッチＰＬおよび、既に求めたＱＦＰ51の傾きθ
から、つぎの計算式で与えられる。

【０１０６】Ｘｑ2＝Ｘ1＋ＰＬ・COSθ Ｙｑ2＝Ｙ1＋ＰＬ・SINθ つぎに、真リード先端位置Ｐ２と予想される先端リード
位置Ｑ２間の距離dL1を求める。ここで、距離dL1は、つ
ぎの計算式で与えられる。

【０１０７】 dL1＝｛（Ｘｑ2−Ｘ2）²＋（Ｙｑ2−Ｙ2）²｝^1/2 もし、求めた距離dL1が、あらかじめ設定された判定値d
LOより大きい場合、リード長さエラーとする。

【０１０８】求めた距離dL1が、あらかじめ設定された
判定値dLOより大きくない場合、真リード先端位置Ｐ２
（Ｘ2，Ｙ2）から、予想される先端リード位置Ｑ３（Ｘ
ｑ3，Ｙｑ3）を求める。同様にして、真リード先端位置
Ｐ３と予想される先端リード位置Ｑ３間の距離dL2を求
め、判定値dLOと比較する。

【０１０９】以上の動作を、繰り返し上側リードに関す
るばらつき検査を行なう。

【０１１０】同様にして、下側、右側、左側リードにつ
いても同様にばらつき検査を行なう。本実施例では、端
のリードをまず基準として、隣接するリードのばらつき
検査を行ない、つぎは、検査済のリードを基準として検
査を行なう様にしている。したがって、判定値dLOをこ
えるリードがあれば、その両側に隣接するリードとの関
係でリード長さエラーを判定することができる。また、
このような方法は演算も容易であるので、処理速度も向
上する。

【０１１１】図14Ｂを用いて、他のばらつき検査方法に
ついて説明する。同図に示すように、既に求めた真リー
ド先端位置Ｐ１、Ｐ２・・・Ｐｎに基づき、直線Ｌ１を
求める。真リード先端位置Ｐ１（Ｘ1，Ｙ1）と直線Ｌ１
との垂線距離Ｂ１を求める。もし、求めた距離Ｂ1が、
あらかじめ設定された判定値ＢOより大きい場合、リー
ド長さエラーとする。

【０１１２】求めた距離Ｂ1が、あらかじめ設定された
判定値ＢOより大きくない場合、同様にして、真リード
先端位置Ｐ２と直線Ｌ１との垂線距離Ｂ２を求める。

【０１１３】以上の動作を、繰り返えせばよい。このよ
うにすることにより、真リード先端位置のばらつきを検
査することができる。

【０１１４】図15Ａ，Ｂを用いて、他のばらつき検査方
法について説明する。同図Ａの検査方法は、真リード先
端位置の平均基準直線の交差点が各々の平均基準直線を
二等分しているかの検査を行なう。すなわち、ＸＬ１＝
ＸＬ２，ＹＬ１＝ＹＬ２となるかを検査する。これによ
り、対向するリードが同図Ａのようにななめにずれてい
るか否かを検出することができる。

【０１１５】同図Ｂの検査方法は、真リード先端位置の
平均基準直線の交差角度θ１を測定する。これにより、
対向するリードが同図Ｂのようにななめにずれているか
否かを検出することができる。

【０１１６】なお、対向する真リード先端位置間の距離
を演算し、あらかじめ与えられているＱＦＰのリード先
端位置間の距離と比較するようにしてもよい。これによ
り、対向する真リード先端位置間の距離を精密に検査す
ることができる。

【０１１７】また、ＱＦＰの傾きθを考慮して、真リー
ド先端位置から隣接する真リード先端位置のピッチを精
密に検査することもできる。

【０１１８】なお、本実施例においては、ＩＣとしてＱ
ＦＰを用いて説明したが、他の形態のＩＣ、たとえば２
方向にリードを有するＩＣ等、を計測する場合に用いて
もよい。

【０１１９】

【発明の効果】請求項１にかかる画像処理装置および請
求項８にかかる画像処理方法においては、２値化画像情
報に基づき、半導体装置の各々のリードについて、仮リ
ード先端位置を測定し、仮リード先端位置およびその周
囲の領域の濃淡画像から、各々のリードについて、真リ
ード先端位置を演算し、演算した真リード先端位置に基
づき半導体装置のリード配置形状が、所望の配置形状で
あるか検査する。

【０１２０】したがって、２値化画像情報に基づき計測
された仮リード先端位置から、補正した真リード先端位
置を得ることができる。正確に演算された真リード先端
位置に基づき、半導体装置のリード配置形状を検査する
ことにより、正確なリード配置形状を検査することがで
きる。すなわち、複雑な処理が不要で、半導体本体の外
形寸法精度の影響を受けることなく、精度よくリードの
配置形状検査を行なうことができる。

【０１２１】請求項２にかかる画像処理装置および請求
項９にかかる画像処理方法においては、演算した各々の
真リード先端位置のばらつきと、あらかじめ与えられて
いる半導体装置のばらつき許容度とを比較する。したが
って、２値化画像情報に基づき計測された仮リード先端
位置から、補正した真リード先端位置を得ることができ
る。さらに正確に演算された真リード先端位置に基づ
き、各々の真リード先端位置のばらつきを検査すること
により、各々の真リード先端位置のばらつきを精密に検
査することができる。すなわち、複雑な処理が不要で、
半導体本体の外形寸法精度の影響を受けることなく、精
度よく真リード先端位置のばらつき検査を行なうことが
できる。

【０１２２】請求項３にかかる画像処理装置および請求
項１０にかかる画像処理方法においては、対向する真リ
ード先端位置間の距離と、あらかじめ与えられている半
導体装置のリード先端位置間の距離を比較する。したが
って、２値化画像情報に基づき計測された仮リード先端
位置から、補正した真リード先端位置を得ることができ
る。さらに正確に演算された真リード先端位置に基づ
き、対向する真リード先端位置間の距離を検査すること
により、対向する真リード先端位置間の距離を精密に検
査することができる。すなわち、複雑な処理が不要で、
半導体本体の外形寸法精度の影響を受けることなく、精
度よく対向する真リード先端位置間の距離検査を行なう
ことができる。

【０１２３】請求項４にかかる画像処理装置および請求
項１１にかかる画像処理方法においては、真リード先端
位置演算手段により演算した真リード先端位置に基づ
き、各真リード先端位置の平均基準直線を演算するとと
もに、２本の平均基準直線の交差角度を測定し、あらか
じめ与えられている半導体装置の平均基準直線の交差角
度と比較する。

【０１２４】したがって、対向する真リード先端位置
が、斜方向にずれているか検出することができる。すな
わち、複雑な処理が不要で、半導体本体の外形寸法精度
の影響を受けることなく、精度よく対向する真リード先
端位置が、斜方向のずれの検査を行なうことができる。

【０１２５】請求項５にかかる画像処理装置および請求
項１２にかかる画像処理方法においては、演算した真リ
ード先端位置に基づき、各真リード先端位置の平均基準
直線を演算するとともに、２本の平均基準直線の交点
と、おのおの平均基準直線の２等分点との差が、あらか
じめ与えられている許容度以下であるかを検査する。し
たがって、真リード先端位置が、斜方向にずれているか
検出することができる。すなわち、複雑な処理が不要
で、半導体本体の外形寸法精度の影響を受けることな
く、精度よく対向する真リード先端位置が、斜方向のず
れの検査を行なうことができる。

【０１２６】請求項６にかかる画像処理装置および請求
項１３にかかる画像処理方法においては、演算した真リ
ード先端位置に基づき、半導体装置の傾きを演算すると
ともに、得られた半導体装置の傾きおよび、あらかじめ
与えられている半導体装置のリード間距離から、あるリ
ードの真リード先端位置から隣接するリードの真リード
先端位置を推測し、推測した真リード先端位置と実際の
真リード先端位置を比較することにより、各々の真リー
ド先端位置のばらつきを検査する。したがって、真リー
ド先端位置のばらつきを検査することができる。すなわ
ち、複雑な処理が不要で、半導体本体の外形寸法精度の
影響を受けることなく、精度よく各リードの先端位置の
ばらつき検査を行なうことができる。

【０１２７】請求項７にかかる画像処理装置および請求
項１４にかかる画像処理方法においては、演算した真リ
ード先端位置に基づき、各真リード先端位置の平均基準
直線を演算するとともに、得られた各真リード先端位置
の平均基準直線と各リードの真リード先端位置との垂線
距離を演算することにより、各々の真リード先端位置の
ばらつきを検査する。したがって、真リード先端位置の
ばらつきを検査することができる。すなわち、複雑な処
理が不要で、半導体本体の外形寸法精度の影響を受ける
ことなく、精度よく各リードの先端位置のばらつき検査
を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である画像処理装置の構成を
示すブロック図である。

【図２】画像処理装置の各機能をＣＰＵを用いて実現し
たハードウェアー構成の一例を示す図である。

【図３】仮リード先端位置を求める動作を示す図であ
る。

【図４】ＣＰＵ９の全体の動作を示すフローチャートで
ある。

【図５】真リード先端位置の演算方法を示す図である。

【図６】マスク内の各画素位置を示す説明図である。

【図７】対象物の画素の集合を抽出する方法を示す原理
説明図である。

【図８】ＣＰＵ９が真リード先端位置を演算するフロー
チャートである。

【図９】ＣＰＵ９が真リード先端位置を演算するフロー
チャートである。

【図１０】濃淡画像の具体例と画素の集合を抽出する方
法を示す原理説明図である。

【図１１】濃淡画像の具体例と画素の集合を抽出する方
法を示す原理説明図である。

【図１２】最小２乗法での直線方程式を求める方法を示
す図である。

【図１３】真リード先端位置と仮リード先端位置を説明
するための図および、真リード先端位置からの直線方程
式の求め方の説明図である。

【図１４】上側リードに関するばらつき検査を説明する
ための図である。

【図１５】対向するリードがななめにずれているか否か
を検出する原理を説明する図である。

【図１６】従来の二値画像によりリード先端位置を求め
る方法を示す図である。

【符号の説明】

21・・・撮像手段 23・・・リード先端仮位置測定手段 25・・・真リード先端位置演算手段 27・・・配置形状検査手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102 G01N 21/84 - 21/958 G06T 7/00 G06T 7/60 H01L 21/64 - 21/66

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体装置を所定の画素に分割して撮像
   し、濃淡画像を得る撮像手段を備え、 撮像手段により得られた濃淡画像に基づいて２値化画像
   情報を得て、半導体装置のリード配置形状を検査する画
   像処理装置であって、 前記２値化画像情報に基づき、半導体装置の各々のリー
   ドについて、仮リード先端位置を測定するリード先端仮
   位置測定手段、 仮リード先端位置およびその周囲の領域の濃淡画像か
   ら、各々のリードについて、真リード先端位置を演算す
   る真リード先端位置演算手段、 真リード先端位置演算手段により演算した真リード先端
   位置に基づき半導体装置のリード配置形状が所望の配置
   形状であるか検査する配置形状検査手段、を備えたこと
   を特徴とする画像処理装置。
2. 【請求項２】請求項１の画像処理装置において、配置形
   状検査手段は、 演算した各々の真リード先端位置のばらつきと、あらか
   じめ与えられている半導体装置のばらつき許容度とを比
   較すること、を特徴とする画像処理装置。
3. 【請求項３】請求項１の画像処理装置において、配置形
   状検査手段は、 対向する真リード先端位置間の距離と、あらかじめ与え
   られている半導体装置のリード先端位置間の距離を比較
   すること、を特徴とする画像処理装置。
4. 【請求項４】請求項１の画像処理装置において、 配置形状検査手段は、真リード先端位置演算手段により
   演算した真リード先端位置に基づき、各真リード先端位
   置の平均基準直線を演算するとともに、２本の平均基準
   直線の交差角度を測定し、あらかじめ与えられている半
   導体装置の平均基準直線の交差角度と比較すること、を
   特徴とする画像処理装置。
5. 【請求項５】請求項１の画像処理装置において、 配置形状検査手段は、真リード先端位置演算手段により
   演算した真リード先端位置に基づき、各真リード先端位
   置の平均基準直線を演算するとともに、２本の平均基準
   直線の交点と、おのおの平均基準直線の２等分点との差
   が、あらかじめ与えられている許容度以下であるかを検
   査すること、を特徴とする画像処理装置。
6. 【請求項６】請求項１の画像処理装置において、配置形
   状検査手段は、 真リード先端位置演算手段により演算した真リード先端
   位置に基づき、半導体装置の傾きを演算するとともに、 得られた半導体装置の傾きおよび、あらかじめ与えられ
   ている半導体装置のリード間距離から、あるリードの真
   リード先端位置から隣接するリードの真リード先端位置
   を推測し、推測した真リード先端位置と実際の真リード
   先端位置を比較することにより、各々の真リード先端位
   置のばらつきを検査すること、を特徴とする画像処理装
   置。
7. 【請求項７】請求項１の画像処理装置において、配置形
   状検査手段は、 真リード先端位置演算手段により演算した真リード先端
   位置に基づき、各真リード先端位置の平均基準直線を演
   算するとともに、 得られた各真リード先端位置の平均基準直線と各リード
   の真リード先端位置との垂線距離を演算することによ
   り、各々の真リード先端位置のばらつきを検査するこ
   と、を特徴とする画像処理装置。
8. 【請求項８】半導体装置を所定の画素に分割して撮像
   し、濃淡画像を得るとともに、 得られた濃淡画像に基づいて２値化画像情報を得て、半
   導体装置のリード配置形状を検査する画像処理方法であ
   って、 前記２値化画像情報に基づき、半導体装置の各々のリー
   ドについて、仮リード先端位置を測定し、 仮リード先端位置およびその周囲の領域の濃淡画像か
   ら、各々のリードについて、真リード先端位置を演算
   し、 演算した真リード先端位置に基づき半導体装置のリード
   配置形状が所望の配置形状であるか検査すること、を特
   徴とする画像処理方法。
9. 【請求項９】請求項８の画像処理方法において、 演算した各々の真リード先端位置のばらつきと、あらか
   じめ与えられている半導体装置のばらつき許容度とを比
   較すること、を特徴とする画像処理方法。
10. 【請求項１０】請求項８の画像処理方法において、 対向する真リード先端位置間の距離と、あらかじめ与え
    られている半導体装置のリード先端位置間の距離を比較
    すること、を特徴とする画像処理方法。
11. 【請求項１１】請求項８の画像処理方法において、真リ
    ード先端位置演算手段により演算した真リード先端位置
    に基づき、各真リード先端位置の平均基準直線を演算す
    るとともに、２本の平均基準直線の交差角度を測定し、
    あらかじめ与えられている半導体装置の平均基準直線の
    交差角度と比較すること、を特徴とする画像処理方法。
12. 【請求項１２】請求項８の画像処理方法において、 演算した真リード先端位置に基づき、各真リード先端位
    置の平均基準直線を演算するとともに、２本の平均基準
    直線の交点と、おのおの平均基準直線の２等分点との差
    が、あらかじめ与えられている許容度以下であるかを検
    査すること、を特徴とする画像処理方法。
13. 【請求項１３】請求項８の画像処理方法において、 演算した真リード先端位置に基づき、半導体装置の傾き
    を演算するとともに、得られた半導体装置の傾きおよ
    び、あらかじめ与えられている半導体装置のリード間距
    離から、あるリードの真リード先端位置から隣接するリ
    ードの真リード先端位置を推測し、推測した真リード先
    端位置と実際の真リード先端位置を比較することによ
    り、各々の真リード先端位置のばらつきを検査するこ
    と、を特徴とする画像処理方法。
14. 【請求項１４】請求項８の画像処理方法において、 演算した真リード先端位置に基づき、各真リード先端位
    置の平均基準直線を演算するとともに、 得られた各真リード先端位置の平均基準直線と各リード
    の真リード先端位置との垂線距離を演算することによ
    り、各々の真リード先端位置のばらつきを検査するこ
    と、を特徴とする画像処理方法。