JP2836580B2 - 半導体集積回路装置の突起部検査装置 - Google Patents

半導体集積回路装置の突起部検査装置

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JP2836580B2 JP12686196A JP12686196A JP2836580B2 JP 2836580 B2 JP2836580 B2 JP 2836580B2 JP 12686196 A JP12686196 A JP 12686196A JP 12686196 A JP12686196 A JP 12686196A JP 2836580 B2 JP2836580 B2 JP 2836580B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
の突起部検査装置、特に、多数のはんだバンプが規則的
に配列された、エリアバンプあるいはボール・グリッド
・アレイ(BGA)と呼ばれる半導体集積回路装置の個
々のバンプ位置ずれ,形状不良を検査する突起部検査装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は従来の一例を示すブロック図であ
る。検査対象41は照明42により照明され、カメラ4
3は検査対象41の画像を取り込む。カメラ43から出
力されるアナログ信号はAD変換手段44によりAD変
換され多値化画像データとして出力される。多値化画像
信号は二値化手段45で二値化され二値化画像信号に変
換される。ラベル付け手段46は二値化画像信号を入力
し、ラベル付け処理を行い、判定手段47ではラベル付
けデータに基づいて突起部の欠落・位置ずれ・サイズ不
良を検出する。位置ずれ検査は、隣接する突起部の座標
から位置ずれ許容範囲を設定し、その範囲内にラベルが
存在すれば位置ずれ不良ではないと判定する。(例え
ば、特平7−10263号公報参照)
【0003】
【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体集積
回路装置の突起部検査装置は、回路基板等に電気的に接
続するための複数の突起部を有する半導体集積回路装置
の検査対象突起部を斜め上方より照射する照明と、検査
対象突起部の上方に取り付けられ検査対象突起部の画像
を取り込むカメラと、カメラから出力されるアナログ信
号をAD変換して多値化(濃淡)画像データにするAD
変換手段と、AD変換手段から出力される多値化画像デ
ータを記憶しておく多値化画像データ記憶手段と、多値
化画像データを入力しあらかじめ設定した二値化レベル
以上のデータは”1”に、二値化レベルより小さいデー
タは”0”に変換して二値化画像データを出力する二値
化手段と、二値化画像データを入力して記憶する二値化
画像データ記憶手段と、二値化画像データ記憶手段から
二値化画像データを読み出してラベル付け処理を行いラ
ベルデータを出力するラベル付け手段と、ラベルデータ
を入力してラベル毎の重心座標を算出し検査対象突起部
の概略座標とする概略座標検出手段とを備えた半導体集
積回路装置の突起部検査装置おいて、 (A)前記検査対象突起部の概略座標と、本来突起部が
あるべき座標とを比較し、検査規格から大幅に外れてい
ると判定された突起部があった場合は位置ずれ不良信号
を出力し、その突起部に対する検査を打ち切って次の突
起部の位置検査に移り、検査規格から大幅に外れていな
いと判定された突起部についてのみ高精度判定要求を行
なう概略位置判定手段と、 (B)検査対象突起部の概略座標を中心としてあらかじ
め設定した突起部サイズより少し大きいサイズの検索範
囲を算出する検索範囲算出手段と、 (C)突起部1個分の多値化画像データをあらかじめ登
録したテンプレート画像記憶手段と、 (D)検索範囲算出手段から検索範囲とテンプレート画
像記憶手段からテンプレート画像と多値化画像記憶手段
から多値化画像データを入力し、検索範囲における各座
標での多値化画像データとテンプレート画像データから
多値化パターンマッチング処理を行い相関値を算出する
多値化パターンマッチング演算手段と、 (E)多値化パターンマッチング演算手段から出力され
る各座標相関データを2次元曲線補間し2次元曲線にお
けるピーク座標を算出しサブピクセル突起部座標とする
サブピクセル演算手段と、 (F)サブピクセル突起部座標データと本来突起部があ
るべき座標とを比較してあらかじめ設定した位置ずれ許
容範囲に入っていなければ位置ずれ不良と判定する高精
度位置判定手段と、を備えて構成される。
【0004】第2の発明の半導体集積回路装置の突起部
検査装置は、第1の発明において、前記多値化パターン
マッチング演算手段から出力される各座標相関データの
内最大値を検索し最大相関値とし、あらかじめ設定した
値よりも最大相関値が小さい場合、形状不良と判定する
形状判定手段を備える。
【0005】第3の発明の半導体集積回路装置の突起部
検査装置は、第1の発明において、前記突起部がはんだ
バンプである。
【0006】本発明は、あらかじめ突起部1個分の多値
化画像をテンプレート画像として登録しておき、取り込
み画像と多値化パターンマッチング演算を行った後、サ
ブピクセル演算により突起部の座標を算出するので、精
度よく突起部の位置ずれ量を算出することができる。二
値化後にラベリング処理を行い、概略のはんだ突起部座
標を検出してからその付近のみの狭い範囲を多値化パタ
ーンマッチングにより詳細に検査するので、高速に検査
できる。また、あらかじめ登録した正常なはんだ突起部
の画像を基準として各はんだ突起部の相関値を算出する
ので、形状の不良なはんだ突起部は相関値が小さくな
り、形状不良として検出することができる。
【0007】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。
【0008】図1は本発明の第1の実施形態を示すブロ
ック図である。照明1は検査対象BGA2のはんだボー
ルを斜め上方より照射する。カメラ3は検査対象BGA
2の上方に取り付けられ検査対象BGA2の画像を取り
込む。照明1が例えばリング状の方向から検査対象部に
照射可能な照明であれば、カメラ3に取り込んだはんだ
突起部の画像は正反射光の部分がリング状となって撮像
される。リング状の方向から検査対象部に照射可能な照
明は、例えばリング状蛍光灯や、リング状に配置された
LED照明、リング状に照明の出射口を配置したファイ
バ照明等がある。
【0009】AD変換手段4はカメラ3から出力される
アナログ信号aを入力し、ディジタル信号へAD変換し
た多値化画像データbを出力する。AD変換手段4から
出力される多値化画像データbは多値化画像データ記憶
手段5に入力され記憶される。二値化手段6は、多値化
画像データ記憶手段5から出力される多値化画像データ
b1 を入力し、あらかじめ設定した二値化レベル以上の
データは”1”に、二値化レベルより小さいデータは”
0”に変換して二値化画像データcを出力する。はんだ
突起部の取り付けられている面からの乱反射光もカメラ
3に入射するが、はんだ突起部の表面からカメラ3に入
射する正反射光に比べると入射する光量が少ないため
に、二値化手段6であらかじめ設定しておく二値化レベ
ルを正反射光の領域は" 1" に、乱反射光の領域は"
0" になるように設定しておくことで、はんだ突起部の
取り付け面からの乱反射光の影響を受けることなくはん
だ突起部からの正反射光の領域のみを"1"にすることが
できる。
【0010】尚、二値化手段6に入力する多値化画像デ
ータは、図4に示すように、多値化画像記憶手段5から
出力される多値化画像データb1 ではなく、AD変換手
段4から出力される多値化画像信号bを入力することも
可能である。
【0011】二値化手段6から出力される二値化画像デ
ータcは、二値化画像データ記憶手段7に入力され記憶
される。ラベル付け手段8は、二値化画像データ記憶手
段7から二値化画像データc1 を読み出してラベル付け
処理を行い、ラベルデータdを出力する。突起部概略座
標検出手段9は、ラベルデータdを入力してラベル毎の
重心座標を算出し突起部の概略座標とし、突起部概略座
標データeを出力する。また、ラベル毎の外接矩形の座
標から中心座標を算出し突起部の概略座標とすることも
考えられる。
【0012】概略位置判定手段10では、突起部概略座
標検出手段9から出力される突起部概略座標と本来突起
部があるべき座標とを比較し、あらかじめ設定した高精
度検索範囲上限値と高精度検索範囲下限値との間にある
突起部概略座標のみを検索し、高精度検査対象はんだ突
起部の概略座標データ信号fを出力する。本来突起部が
あるべき座標の算出には、検査対象製品をカメラとの相
対座標があらかじめ決められた座標に位置合わせしてセ
ットしあらかじめ突起部絶対座標を登録しておく方法
や、突起部を取り付けてある基板上面に位置合わせマー
クを設けておき位置合わせマークを認識してから突起部
座標を算出する方法や、隣接する突起部座標または突起
部配列のコーナに存在する突起部座標を検出してから相
対的座標から突起部座標を算出する方法等が考えられ
る。
【0013】概略位置判定手段10の目的は、全突起部
分以下に説明する高精度検査を行うのではなく、ここま
でで求めた概略座標から明らかに位置ずれ量が少ない突
起部は位置ずれ検査合格とし、明らかに位置ずれ量の多
い突起部は位置ずれ検査不合格として、概略座標では合
格か不合格か判定が難しい突起部のみ以下の高精度検査
を行うことにより、全突起部高精度検査を行う場合より
も高速に全突起部に関する位置ずれ検査を行うことであ
る。
【0014】検索範囲算出手段11では、概略座標デー
タ信号fを入力し、概略座標データが検索範囲の中心に
なるようにあらかじめ設定した検索サイズから検索範囲
を算出し、検索範囲データgを出力する。検索サイズは
突起部サイズより少し大きく設定しておく。テンプレー
ト画像記憶手段12には突起部1個分の多値化画像デー
タをあらかじめ登録しておく。多値化パターンマッチン
グ演算手段13では、多値化画像記憶手段5から出力さ
れる多値化画像データb1 と、算出手段11ら出力さ
れる検索範囲データgと、テンプレート画像記憶手段1
2からテンプレート画像データhとを入力し、多値化画
像データにおける検索範囲内の多値化画像データとテン
プレート画像データから多値化パターンマッチング処理
を行い各座標における相関値データkを算出する。
【0015】サブピクセル演算手段14では、多値化パ
ターンマッチング演算手段13から出力される各座標に
おける相関値データkを2次元曲線補間した後、2次元
曲線における最大値座標を算出し、サブピクセル突起部
座標とし、サブピクセル突起部座標データlを出力す
る。また補間は2次元曲線補間の他にスプライン曲線補
間や多次元曲線補間等考えられる。
【0016】高精度位置判定手段15は、サブピクセル
突起部座標データlと本来突起部があるべき座標とを比
較してあらかじめ設定した位置ずれ許容範囲に入ってい
なければ位置ずれ不良と判定する。また、高精度位置判
定手段15では、サブピクセル演算手段14で検索した
最大相関値があらかじめ設定した値よりも小さい場合
は、形状不良と判定する。
【0017】次に高精度位置ずれ検査について、図2
(a),(b)を用いて詳しく説明する。図2(a)
は、テンプレート画像である。画像サイズは正常なはん
だ突起部1個分である。図2(b)は、検索範囲内の多
値化画像データである。検索範囲はテンプレート画像サ
イズより大きく発生してある。
【0018】多値化パターンマッチング演算手段13で
は、テンプレート画像データと検索範囲内の画像データ
の内テンプレート画像データと同じサイズの画像データ
から式(1)を用いて相関値を求める。相関値の演算に
は式(2)を用いることもできる。
【0019】
【0020】
【0021】相関値の演算は、相関演算に用いる多値化
画像データを検索範囲内で1画素ずつずらして、検索範
囲内全領域で相関値を求める。例えばテンプレートサイ
ズよりも検索範囲が縦横とも3画素大きい場合は、横
(X)方向ではn〜(n+3)(n:X座標)、縦
(Y)方向ではm〜(m+3)(m:Y座標)ずらして
演算するので合計4×4で16回相関演算を行うことに
なる。多値化パターンマッチング演算手段13では、相
関値を算出した検索範囲内の多値化画像座標と相関値を
対応付けて演算した回数分相関値を出力する。
【0022】図3は、サブピクセル演算を説明するため
のグラフである。サブピクセル演算では、まず多値化パ
ターンマッチング演算手段13で得られた相関値の内最
も大きい値を検索し、その値を算出したXY座標(Xma
x、Ymax)を求める。図3のグラフは、Ymaxに於ける
X方向の相関値をプロットし、相関値の最大値を中心と
した3点を通る2次曲線関数を求めたものである。算出
した2次曲線関数より2次曲線の最大点になるX座標を
求め、はんだ突起部のサブピクセルX座標とする。これ
は、実際の突起部座標とテンプレート画像が離れるほど
相関値が下がることから、相関値の最大点の周辺の相関
値を曲線補間することで、サブピクセルでのはんだ突起
部座標を算出できることが理解できる。また、グラフを
求めるための点は3点に限定するものではない。グラフ
も2次曲線に限定するものではない。
【0023】同様に、Xmaxに於けるY方向の相関値よ
り、Y座標に於けるサブピクセル座標を算出することが
できる。また、はんだ突起部が部分的に欠けていたり、
サイズが異なる場合は相関値の最大値も正常のはんだ突
起部に比べて小さくなるので、あらかじめ良品のはんだ
突起部での相関値の最大値と、形状不良のはんだ突起部
での相関値の最大値との間に判定値を設定しておくこと
で、形状不良を検出することができることがわかる。
【0024】本発明による多値化パターンマッチングを
用いた方法で、はんだ突起部座標を精度よく検出するこ
とができるが、はじめから多値化画像記憶手段5から読
み出される全範囲に関して、テンプレート画像との相関
演算を行うと、演算回数が非常多くなり時間がかかって
しまうが、本方式では、あらかじめ二値化画像から突起
部の概略座標を検出してから微小範囲においてのみ相関
演算を行うので高速化を図ることができる。
【0025】図4は本発明の第2の実施形態を示すブロ
ック図である。AD変換手段4から出力される多値化画
像データbは多値化画像データ記憶手段5bに入力され
記憶される。二値化手段6は、AD変換手段4から出力
される多値化画像データbを入力し、あらかじめ設定し
た二値化レベル以上のデータは”1”に、二値化レベル
より小さいデータは”0”に変換して二値化画像データ
cを出力する。これ以外は図1と同様である。
【0026】
【発明の効果】本発明の半導体集積回路装置の突起部検
査装置は、あらかじめ突起部1個分の多値化画像をテン
プレート画像として登録しておき、取り込み画像と多値
化パターンマッチング演算を行った後、サブピクセル演
算により突起部の座標を算出するため、はんだ突起部の
位置ずれが高精度に行えるという効果がある。
【0027】さらに、二値化後にラベリング処理を行
い、概略のはんだ突起部座標を検出してからその付近の
みの狭い範囲を多値化パターンマッチングにより検査す
るため、高精度な位置ずれ検査が高速に行える。あらか
じめ登録した正常なはんだ突起部の画像を基準として各
はんだ突起部の相関値を算出するので、形状の不良なは
んだ突起部は正常ははんだ突起部から算出される相関値
よりも小さくなるため、はんだ突起部の形状不良が検出
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示すブロック図であ
る。
【図2】(a),(b)は、図1中の多値化パターンマ
ッチング演算手段13を説明するためのパターン図であ
る。
【図3】図1中のサブピクセル演算手段14を説明する
ためのグラフである。
【図4】本発明の第2の実施形態を示すブロック図であ
る。
【図5】従来の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 照明 2 BGA 3 カメラ 4 AD変換手段 5 多値化画像データ記憶手段 6 二値化手段 7 二値化画像データ記憶手段 8 ラベル付け手段 9 突起部概略座標検出手段 10 概略位置判定手段 11 検索範囲算出手段 12 テンプレート画像記憶手段 13 多値化パターンマッチング演算手段 14 サブピクセル演算手段 15 高精度位置判定手段 41 検査対象 42 照明 43 カメラ 44 AD変換手段 45 二値化手段 46 ラベル付け手段 47 判定手段 a アナログ信号 b、b1 多値化画像データ c、c1 二値化画像データ d ラベルデータ e 突起部概略座標データe f 概略座標データ信号 g 検索範囲データ h テンプレート画像データ k 相関値データ l サブピクセル突起部座標データ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // H01L 21/60 H01L 21/92 604T 604Z (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 11/00 - 11/30 102 G01N 21/84 - 21/91 H01L 21/64 - 21/66 H01L 21/92 604

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路基板等に電気的に接続するための複
    数の突起部を有する半導体集積回路装置の検査対象突起
    部を斜め上方より照射する照明と、検査対象突起部の上
    方に取り付けられ検査対象突起部の画像を取り込むカメ
    ラと、カメラから出力されるアナログ信号をAD変換し
    て多値化(濃淡)画像データにするAD変換手段と、A
    D変換手段から出力される多値化画像データを記憶して
    おく多値化画像データ記憶手段と、多値化画像データを
    入力しあらかじめ設定した二値化レベル以上のデータ
    は”1”に、二値化レベルより小さいデータは”0”に
    変換して二値化画像データを出力する二値化手段と、二
    値化画像データを入力して記憶する二値化画像データ記
    憶手段と、二値化画像データ記憶手段から二値化画像デ
    ータを読み出してラベル付け処理を行いラベルデータを
    出力するラベル付け手段と、ラベルデータを入力してラ
    ベル毎の重心座標を算出し検査対象突起部の概略座標と
    する概略座標検出手段とを備えた半導体集積回路装置の
    突起部検査装置おいて、 (A)前記検査対象突起部の概略座標と、本来突起部が
    あるべき座標とを比較し、検査規格から大幅に外れてい
    ると判定された突起部があった場合は位置ずれ不良信号
    を出力し、その突起部に対する検査を打ち切って次の突
    起部の位置検査に移り、検査規格から大幅に外れていな
    いと判定された突起部についてのみ高精度判定要求を行
    なう概略位置判定手段と、 (B)検査対象突起部の概略座標を中心としてあらかじ
    め設定した突起部サイズより少し大きいサイズの検索範
    囲を算出する検索範囲算出手段と、 (C)突起部1個分の多値化画像データをあらかじめ登
    録したテンプレート画像記憶手段と、 (D)検索範囲算出手段から検索範囲とテンプレート画
    像記憶手段からテンプレート画像と多値化画像記憶手段
    から多値化画像データを入力し、検索範囲における各座
    標での多値化画像データとテンプレート画像データから
    多値化パターンマッチング処理を行い相関値を算出する
    多値化パターンマッチング演算手段と、 (E)多値化パターンマッチング演算手段から出力され
    る各座標相関データを2次元曲線補間し2次元曲線にお
    けるピーク座標を算出しサブピクセル突起部座標とする
    サブピクセル演算手段と、 (F)サブピクセル突起部座標データと本来突起部があ
    るべき座標とを比較してあらかじめ設定した位置ずれ許
    容範囲に入っていなければ位置ずれ不良と判定する高精
    度位置判定手段と、 を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置の突起部
    検査装置。
  2. 【請求項2】 前記多値化パターンマッチング演算手段
    から出力される各座標相関データの内最大値を検索し最
    大相関値とし、あらかじめ設定した値よりも最大相関値
    が小さい場合、形状不良と判定する形状判定手段を備え
    た請求項1記載の半導体集積回路装置の突起部検査装
    置。
  3. 【請求項3】前記突起部がはんだバンプである請求項1
    記載の半導体集積回路装置の突起部検査装置。
JP12686196A 1996-05-22 1996-05-22 半導体集積回路装置の突起部検査装置 Expired - Fee Related JP2836580B2 (ja)

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